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1OSFET CANAL NN 30V. 5.8A. SO8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5.8A; Courant, Id max..:5.8A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.04ohm; Température de
1OSFET CANAL NN 30V. 5.8A. SO8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5.8A; Courant, Id max..:5.8A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.04ohm; Température de
1W 870MHZ; Tension Vds max..:18V; Courant de drain Id:1.5A; Dissipation de puissance Pd:6W; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:1GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de transistor:FET RF
1W 870MHZ; Tension Vds max..:18V; Courant de drain Id:1.5A; Dissipation de puissance Pd:6W; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:1GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de transistor:FET RF
20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-750mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:9; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-750mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:9; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
20-V P-CHANNEL POWER MOSFET; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
20-V P-CHANNEL POWER MOSFET; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
25-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.00049ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:195W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
25-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.00049ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:195W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
2W 870MHZ; Tension Vds max..:25V; Courant de drain Id:2A; Dissipation de puissance Pd:6W; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:1GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de transistor:FET RF
30-10 CONVERSION OF THE 16301; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
30-V. N-CHANNEL NEXFET(TM) POWER MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:108W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
30-V. N-CHANNEL NEXFET(TM) POWER MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:108W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
3W 500MHZ; Tension Vds max..:40V; Courant de drain Id:2.5A; Dissipation de puissance Pd:31.7W; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:1GHz; Boîtier de transistor RF:PowerSO-10RF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:165°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de transistor:FET RF
40V. N-CHANNEL POWER MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.001ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:195W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
40V. N-CHANNEL POWER MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.001ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:195W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
45W 945MHZ; Tension Vds max..:80V; Courant de drain Id:9A; Dissipation de puissance Pd:108W; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:1GHz; Boîtier de transistor RF:M250; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de transistor:FET RF
600V/30A IGBT FSI TO-247; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.9V; Dissipation de puissance Pd:189W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
600V/35A FAST IGBT FSII T; Courant de collecteur DC:70A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:300W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
600V/40A FAST IGBT FSII T; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:366W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
600V/40A FAST IGBT FSII T; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:417W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
600V/60A IGBT LPT TO-247; Courant de collecteur DC:120A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:298W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
60V. N-CHANNEL NEXFET(TM) POWER MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:195W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
60V. N-CHANNEL NEXFET(TM) POWER MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:195W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
650V/35A FAST IGBT FSII T; Courant de collecteur DC:70A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:300W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
650V/40A FAST IGBT FSII T; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:366W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
6-PACK IGBT, MODULE, 15A, 600V 3 PH; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:15A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:55W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:SPM27-CC; Nombre de broches:27; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Six; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance, max..:55W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C;
ARRAY, DARLINGTON, SMD; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Nombre de transistors:7; Température de fonctionnement:-40°C à +85°C; Température d'utilisation
ARRAY, DARLINGTON, SMD; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Nombre de transistors:7; Température de fonctionnement:-40°C à +85°C; Température d'utilisation
ARRAY, DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Quadruple; Courant, Ic max.. permanent a:1.75A; Nombre de transistors:4; Température de fonctionnement:-20°C à +85°C; Température d'utilisation min:-20°C
ARRAY, DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Quadruple; Courant, Ic max.. permanent a:1.75A; Nombre de transistors:4; Température de fonctionnement:-20°C à +85°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tension,
ATTENUATOR, DIG, 1BIT, 32DB, 0.3-2.5GHZ; Tension Vds max..:-; Courant de drain Id:-; Dissipation de puissance Pd:-; Fréquence, fonctionnement min.:300kHz; Fréquence, fonctionnement max..:2.5GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-40°C à +85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de boîtier de diode:SOT-23; Type de diode:RF; Type de packaging:Pièce; Type de terminaison:CMS
AUDIO BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -350V, TO; AUDIO BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -350V, TO-264; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V; Transition Frequency ft:35MHz; Power Dissipation Pd:230W; DC Collector Current:-15A; DC Current Gain hFE:80; MSL:-
AUDIO TRANSISTOR, NPN, 250V; Transistor; AUDIO TRANSISTOR, NPN, 250V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:16A; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:3; MSL:-
BIAS RESISTOR TRANSISTOR, NPN, 50V; Coll; BIAS RESISTOR TRANSISTOR, NPN, 50V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1; RF Transistor Case:SOT-416
BIAS RESISTOR TRANSISTOR; Collector Emit; BIAS RESISTOR TRANSISTOR; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:4.7kohm; RF Transistor Case:SOT-23; No. of Pins:3; Continuous Collector Current Max:100mA
BIP DPAK NPN 0.5A 300V TR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
BIP DPAK NPN 10A 60V TR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
BIP DPAK NPN 1A 250V TR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
BIP DPAK NPN 1A 400V TR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
BIP DPAK NPN 2A 100V TR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:25MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:12; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
BIP DPAK NPN 5A 25V TR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:65MHz; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
BIP DPAK NPN 6A 100V TR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
BIP DPAK NPN 8A 100V TR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
BIP DPAK NPN 8A 80V TR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:85Hz; Dissipation de puissance Pd:20mW; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
BIP DPAK NPN 8A 80V TR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:85MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
BIP DPAK PNP 0.5A 300V TR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
BIP DPAK PNP 2A 100V TR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:25MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:12000; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
BIP DPAK PNP 3A 100V TR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
BIP DPAK PNP 5A 25V TR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-25V; Fréquence de transition ft:65MHz; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
BIP DPAK PNP 8A 100V TR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:2500; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
BIP DPAK PNP 8A 80V TR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:90MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
BIP DPAK PNP 8A 80V TR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:90MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
BIPLR TRANSISTOR, MED PWR, NPN, 60V, 1A,; BIPLR TRANSISTOR, MED PWR, NPN, 60V, 1A, 4-SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:180MHz; Power Dissipation Pd:640mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:63
BIPLR TRANSISTOR, MED PWR, PNP, -45V, -1; BIPLR TRANSISTOR, MED PWR, PNP, -45V, -1A, 4SOT223; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency Typ ft:145MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:63
BIPLR TRANSISTOR, MED PWR, PNP, -60V, -1; BIPLR TRANSISTOR, MED PWR, PNP, -60V, -1A, 3SOT89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency Typ ft:100MHz; Power Dissipation Pd:1.35W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:40
BIPLR TRANSISTOR, MED PWR, PNP, -80V, -1; BIPLR TRANSISTOR, MED PWR, PNP, -80V, -1A, 3SOT89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:1.35W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:100
BIPLR TRANSISTOR, MED PWR, PNP, -80V, -1; BIPLR TRANSISTOR, MED PWR, PNP, -80V, -1A, 3SOT89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:145MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:63
BIPLR TRANSISTOR, MED PWR, PNP, -80V, -1; BIPLR TRANSISTOR, MED PWR, PNP, -80V, -1A, 4SOT223; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:1.3W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:100
BIPOLAIRE RESEAU DES; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:105°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
BIPOLAIRE RESEAU DES; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:105°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
BIPOLAIRE RESEAU DES; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
Bipolar transistor
BIPOLAR TRANSISTOR,
BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:140V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:250; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:250Hz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300Hz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300Hz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:250; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:-800mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-0.6A; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, MED POWER, NPN, 45V,; BIPOLAR TRANSISTOR, MED POWER, NPN, 45V, 1A, 3SOT89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:180MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:100
BIPOLAR TRANSISTOR, MED PWR, NPN, 45V, 1; BIPOLAR TRANSISTOR, MED PWR, NPN, 45V, 1A, 3SOT89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency Typ ft:180MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:63
BIPOLAR TRANSISTOR, MED PWR, NPN, 60V, 1; BIPOLAR TRANSISTOR, MED PWR, NPN, 60V, 1A, 3SOT89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:180MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:63
BIPOLAR TRANSISTOR, MED PWR, NPN, 80V, 1; BIPOLAR TRANSISTOR, MED PWR, NPN, 80V, 1A, 3SOT89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:180MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:63
BIPOLAR TRANSISTOR, MEDIUM POWER, PNP, -; BIPOLAR TRANSISTOR, MEDIUM POWER, PNP, -45V, -1A, 3-SOT-89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency Typ ft:145MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-1A
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN & PNP 30V SSOT-6; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Power Dissipation Pd:700mW; DC Collector Current:500A; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN & PNP 40V SSOT-6; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN & PNP 40V SSOT-6, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:700mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:6
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V D-PAK; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V D-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency Typ ft:3MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:25
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, TO-25; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, TO-252; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, SOT-93; T; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, SOT-93; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:125W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-218; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220; T; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:25; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:90W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:250; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-3; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:160W; DC Collector Current:20A; DC Current Gain hFE:18; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:1.75W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1.75W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:12; No. of Pins:3; Packaging:Each
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:12A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3; Packaging:Each
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, 50mA, TO-7; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V, 50mA, TO-72; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:900MHz; Power Dissipation Pd:20mW; DC Collector Current:50mA; DC Current Gain hFE:25; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:2GHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:50mA; DC Current Gain hFE:25; RF Transistor Case:SOT-23
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 12V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:400MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:120; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 140V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 140V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:140V; Transition Frequency ft:80kHz; Power Dissipation Pd:117W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 150V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:150V; Transition Frequency ft:30MHz; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 150V, TO-39; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:150V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:5W; DC Collector Current:300mA; DC Current Gain hFE:120; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 150V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:150V; Transition Frequency ft:8MHz; Power Dissipation Pd:1.75W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 15V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 15V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 15V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:120; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 15V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 15V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:300mA; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 160V TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 160V TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 160V TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 160V TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Transition Frequency Typ ft:300MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 160V TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:80; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 160V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Transition Frequency ft:140MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1.5A; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 180V, 16A, TO-3; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 180V, 16A, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:180V; Transition Frequency ft:6MHz; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:16A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:2
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 200V, TO-204AE;; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 200V, TO-204AE; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:200V; Transition Frequency ft:8MHz; Power Dissipation Pd:250W; DC Collector Current:40A; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:2
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 200V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:200V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:60W; DC Collector Current:7A; DC Current Gain hFE:-; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 24V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 24V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:24V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:150mA; DC Current Gain hFE:90; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V TO-92; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Transition Frequency Typ ft:60MHz; Power Dissipation Pd:830mW; DC Collector Current:50mA; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V, FULL REEL; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V, TO-220; T; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:150; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V, TO-252; T; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V, TO-252; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:150; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V, TO-3; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:250W; DC Collector Current:16A; DC Current Gain hFE:15; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:1.56W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:10; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Transition Frequency Typ ft:4MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:16A; DC Current Gain hFE:25
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 25V, TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 25V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Transition Frequency ft:170MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:170; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 25V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 25V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92, FUL; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:40
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency Typ ft:50MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:40
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V, SOT-23; T; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V, SOT-32; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:20.8W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:240; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V, TO-3; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:2.5MHz; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:15MHz; Power Dissipation Pd:35W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 300V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:60MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V SOT-23, FUL; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:310mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:300
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:710mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:125MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:300mA; DC Current Gain hFE:20000; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V, 500mA, TO-; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V, 500mA, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:300
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V, SOT-23; Tr; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:125MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:300mA; DC Current Gain hFE:10000; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V, TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency Typ ft:150MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:520
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:50mA; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 325V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:325V; Transition Frequency ft:2.5MHz; Power Dissipation Pd:125W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:15; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 32V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 32V SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:32V; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:450; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 32V, 100MA, 3-S; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 32V, 100MA, 3-SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:32V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:310
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 350V, TO-225; T; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 350V, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:10; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 350V, TO-225; T; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 350V, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V; Transition Frequency ft:15MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:300mA; DC Current Gain hFE:15; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 350V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 350V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V; Transition Frequency ft:90MHz; Power Dissipation Pd:45W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:2000; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 350V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V; Transition Frequency ft:15MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V D-PAK; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V D-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:150; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-220; T; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:13MHz; Power Dissipation Pd:75W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:32; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-220; T; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:12A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-3; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:8; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-3; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:28MHz; Power Dissipation Pd:175W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:300mA; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3; Packaging:Each
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V SOT-23, FUL; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V TO-204; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V TO-204; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:200kHz; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:30A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V TO-225; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:2; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V TO-225; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:3; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, 600MA, 3-S; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, 600MA, 3-SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:600mA; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, FULL REEL;; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, SOT-1123;; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, SOT-1123; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:290mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, SOT-223; T; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:215MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-18; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-18; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:1.2W; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-18; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-18; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:800mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:0.6A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:250; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:35; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:400MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1.5A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3; Packaging:Each
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-220; T; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:450V; Transition Frequency ft:13MHz; Power Dissipation Pd:125W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:34; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-220; T; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:450V; Transition Frequency ft:14MHz; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:32; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-247; T; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 450V, TO-247; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:450V; Transition Frequency ft:13MHz; Power Dissipation Pd:250W; DC Collector Current:30A; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:800; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:310mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:170; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V TO-225; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1.25W; DC Collector Current:1.5A; DC Current Gain hFE:250; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, 500MA, 3-S; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, 500MA, 3-SOT-323; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:400; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C; Operating Temperature Min:-65°C
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, 500MA, 3-S; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, 500MA, 3-SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:600
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, SC-70; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, SC-70; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:520; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, SC-75; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, SC-75; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:450; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:1.5A; DC Current Gain hFE:25; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, TO-92, FUL; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, TO-92, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:210MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:160
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:170; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:150; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 45V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:700MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 500V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:500V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:20A; DC Current Gain hFE:150; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 50V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 50V SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:700MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 50V TO-251; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 50V TO-251; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:180MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:800; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:460mW; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:160; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V SOT-93; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V SOT-93; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:125W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-127; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-127; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:90W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-204; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-204; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:300W; DC Collector Current:50A; DC Current Gain hFE:18; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-204; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-204; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:200kHz; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:20A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-204; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-204; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:50A; DC Current Gain hFE:4; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-220; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3; Collector Current @ hfe:4µA
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-220; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:65W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-220; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:75W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:2; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-220; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-220; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:5MHz; Power Dissipation Pd:1.8W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:5; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V, SOT-223 ;; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V, SOT-223 ; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:1.5A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-2; Tran; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-2; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:6MHz; Power Dissipation Pd:115W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:2.5; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, -60V, TO-247; T; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, -60V, TO-247; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:2.5MHz; Power Dissipation Pd:90W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-92, FUL; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-92, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:10000; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:40MHz; Power Dissipation Pd:60W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:125W; DC Collector Current:25A; DC Current Gain hFE:75; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 60V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:75MHz; Power Dissipation Pd:800mW; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:75; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 65V, 100MA, 3-S; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 65V, 100MA, 3-SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 700V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:700V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:12.5W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:2.25; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 750V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:750V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:8; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 75V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 75V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:75V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:10W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3; Packaging:Each
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V, TO-3PML;; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V, TO-3PML; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:800V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:70W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:10; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:800V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:60W; DC Collector Current:6A; DC Current Gain hFE:10; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 800V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:800V; Transition Frequency ft:15MHz; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:12A; DC Current Gain hFE:10; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V TO-220; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:65W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V TO-220; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:75; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V TO-220; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:15MHz; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V TO-225; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:2; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, SOT-223; T; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1.2A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, SOT-223; T; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:130MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:63; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-126; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:80; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:25A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92, FUL; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:150; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:50A; DC Current Gain hFE:2; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:400MHz; Power Dissipation Pd:800mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V; Transistor; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:85Hz; Power Dissipation Pd:20mW; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 90V TO-204; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 90V TO-204; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:90V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:140W; DC Collector Current:20A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 90V TO-204; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 90V TO-204; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:90V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:30A; DC Current Gain hFE:2; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, -90V, 200mA, TO; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, -90V, 200mA, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-90V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:30A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:2
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, DUAL, 40V, SOT3; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, DUAL, 40V, SOT363; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, DUAL, 45V, SOT3; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, DUAL, 45V, SOT363; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:380mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:520; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, DUAL, 65V, SOT3; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, DUAL, 65V, SOT363; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Power Dissipation Pd:380mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:290; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN/PNP DUAL 40V SC-; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN/PNP DUAL 40V SC-88, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN / PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:6
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN/PNP DUAL 40V SC-; BIPOLAR TRANSISTOR, NPN/PNP DUAL 40V SC-88; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -150V TO-92, FUL; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -150V TO-92, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:150V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:60
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -20V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -20V SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:710mW; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -25V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -25V SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:120; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -300V TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -300V TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-300V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:25; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -300V TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -300V TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -30V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -30V SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:125MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:20000; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -40V SOT-23, FUL; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -40V SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:100
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -40V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -40V SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -40V TO-225; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -40V TO-225; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:10; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -45V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -45V SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V TO-204; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V TO-204; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:2.5MHz; Power Dissipation Pd:115W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:2.5; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V TO-204; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V TO-204; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:-25A; DC Current Gain hFE:4; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V TO-220; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:65W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V TO-220; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:75W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:2; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V TO-220; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V TO-220; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:5MHz; Power Dissipation Pd:1.8W; DC Collector Current:-15A; DC Current Gain hFE:5; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V TO-225; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -60V TO-225; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ ft:50MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:40
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -80V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -80V SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -80V SOT-23; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -80V SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -80V TO-126; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -80V TO-126; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:80; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -90V TO-220; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP -90V TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:90V; Transition Frequency Typ ft:2MHz; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:-10A; DC Current Gain hFE:20
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP DUAL, -60V SC-70; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V TO-3; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:160W; DC Collector Current:20A; DC Current Gain hFE:18; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, FULL REE; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Transition Frequency ft:120MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:150; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, SOT-23;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-204;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-204; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:12A; DC Current Gain hFE:18; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-218;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-218; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:-10A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:75W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:20000; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:15; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-220;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:60W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-220;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:-5A; DC Current Gain hFE:2000; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-220;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:75; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-247;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-247; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:125W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-252;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-252; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V; Transist; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1.75W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V; Transist; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Transition Frequency ft:140MHz; Power Dissipation Pd:900mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:160; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V; Transist; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:25MHz; Power Dissipation Pd:1.75W; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V; Transist; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -100V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency Typ ft:3MHz; Power Dissipation Pd:1.56W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -120V TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-120V; Transition Frequency ft:40MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:25A; DC Current Gain hFE:80; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -120V, TO-204;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -120V, TO-204; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:300W; DC Collector Current:-50A; DC Current Gain hFE:18000; No. of Pins:2
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -120V, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-120V; Transition Frequency ft:30MHz; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -120V, TO-39; T; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -120V, TO-39; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-120V; Transition Frequency ft:30MHz; Power Dissipation Pd:10W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:140; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -12V, SOT-563,; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -12V, SOT-563, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:200
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -12V, SOT-563;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -12V, SOT-563; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:6
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -12V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -12V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Power Dissipation Pd:480mW; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:200; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -12V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-12V; Transition Frequency ft:500MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -140V, TO-3P; T; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -140V, TO-3P; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-140V; Transition Frequency ft:15MHz; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:-12A; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -150V, TO-220;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -150V, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-150V; Transition Frequency ft:30MHz; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -15V, FULL REEL; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -15V, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:120; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -160V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-160V; Transition Frequency ft:140MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:-1.5A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -160V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:900mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -180V TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-180V; Transition Frequency ft:6MHz; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:-16A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -20V, -1A, 3-SO; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -20V, -1A, 3-SOT-89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-20V; Transition Frequency ft:140MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:160
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -230V; Transist; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -230V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:230V; Transition Frequency ft:30MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:-15A; DC Current Gain hFE:125; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -250V TO-3; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -250V TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-250V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:250W; DC Collector Current:20A; DC Current Gain hFE:150; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -250V; Transist; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -250V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Transition Frequency Typ ft:4MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:-16A; DC Current Gain hFE:25
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -25V D-PAK; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -25V D-PAK; Transistor Polarity:NPN / PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:65MHz; Power Dissipation Pd:12.5W; DC Collector Current:-5A; DC Current Gain hFE:70
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -300V, SOT-23;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -300V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-300V; Transition Frequency Typ ft:50MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:40
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -300V, TO-220;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -300V, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:10; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -300V, TO-39; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-300V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:10W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -300V; Transist; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -300V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:240; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -300V; Transist; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -300V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-30V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-30V; Transition Frequency ft:140MHz; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:-800mA; DC Current Gain hFE:120; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:125MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:10000; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -30V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:125MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:1.2A; DC Current Gain hFE:20000; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -350V, SOT-23;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -350V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-350V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -350V, TO-220;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -350V, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-350V; Transition Frequency ft:30MHz; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -350V; Transist; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -350V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:350V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:15mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:10; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V, FULL REEL; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:100
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V, SOIC; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V, SOIC; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:16
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V, SOT-223;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V, SOT-223; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:220; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V, SOT-223;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V, SOT-223; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:160MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V, SOT-416;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V, SOT-416; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -40V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V, -100MA, 3; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V, -100MA, 3-SOT-416; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:475
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V, SOT-23; T; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:-1.5A; DC Current Gain hFE:40; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:260MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:-800mA; DC Current Gain hFE:250; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -45V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:250; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -50V TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -50V TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:120; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -50V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -50V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency Typ ft:140MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:560; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:75MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:75; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V, SOT-23, F; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:100
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V, SOT-23; T; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-247; T; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-247; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:2.5MHz; Power Dissipation Pd:90W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:1.2A; DC Current Gain hFE:250; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:125W; DC Collector Current:-25A; DC Current Gain hFE:75; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:75MHz; Power Dissipation Pd:1.2W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:75; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:75MHz; Power Dissipation Pd:800mW; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:75; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ ft:200MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ ft:40MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:4
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:-800mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -65V TO-39; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-65V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -65V, -100MA, 3; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -65V, -100MA, 3-SOT-323; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-65V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:475
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -75V TO-39; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-75V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:10W; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:120MHz; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, -500MA, 3; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, -500MA, 3-SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency Typ ft:50MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:100
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, SOT-223;; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, SOT-223; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:-1.2A; DC Current Gain hFE:250; No. of Pins:3
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-126; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1.25W; DC Collector Current:-1.5A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:160W; DC Collector Current:40A; DC Current Gain hFE:18; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:25A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V; Transisto; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -80V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency Typ ft:50MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -90V, TO-3; Tra; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -90V, TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-90V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:-30A; DC Current Gain hFE:25; No. of Pins:2; MSL:-
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, QUAD, -60V SOIC; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, QUAD, -60V SOIC; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:16; Operating Temperature Max:150°C
BIPOLAR TRANSISTOR, QUAD NPN, 40V SSOT-6; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:700mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:35; No. of Pins:6; Operating Temperature Max:150 C
BIPOLAR TRANSISTOR, QUAD NPN, 40V, SOIC;; BIPOLAR TRANSISTOR, QUAD NPN, 40V, SOIC; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:16; MSL:MSL 1 - Unlimited
BIPOLAR TRANSISTOR; Transistor Polarity:; BIPOLAR TRANSISTOR; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:3; Collector Current @ hfe:1.5mA
BIPOLAR TRANSISTOR; Transistor Polarity:; BIPOLAR TRANSISTOR; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:-800mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3; Packaging:Each
BIPOLAR TRANSISTOR; Transistor Polarity:; BIPOLAR TRANSISTOR; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:3; Packaging:Cut Tape
BIPOLAR, TRANSISTOR, TO3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
BIPOLAR, TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:4; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:30; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation
BIPOLAR, TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:25MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:12; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:25MHz; Hfe, min.:1; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C;
BISS TRANSISTOR ARRAY, NPN & PNP, 60V, 9; BISS TRANSISTOR ARRAY, NPN & PNP, 60V, 900MA, 6-SOT-457; Transistor Polarity:NPN & PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ ft:185MHz; Power Dissipation Pd:290mW; DC Collector Current:900mA
BISS TRANSISTOR, DUAL NPN, 60V, 1A, 6-SO; BISS TRANSISTOR, DUAL NPN, 60V, 1A, 6-SOT-457; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ ft:220MHz; Power Dissipation Pd:290mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:500
BISS TRANSISTOR, DUAL PNP, -60V, -1A, 6-; BISS TRANSISTOR, DUAL PNP, -60V, -1A, 6-SOT-457; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency Typ ft:185MHz; Power Dissipation Pd:290mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:350
BISS TRANSISTOR, HIGH VOLTAGE, NPN, 400V; BISS TRANSISTOR, HIGH VOLTAGE, NPN, 400V, 500MA, 4-SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:30MHz; Power Dissipation Pd:700mW; DC Collector Current:500mA; No. of Pins:4
BISS TRANSISTOR, NPN, 100V, 1A, 3-SOT-23; BISS TRANSISTOR, NPN, 100V, 1A, 3-SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:150; No. of Pins:3
BISS TRANSISTOR, NPN, 20V, 4.3A, 3-SOT-2; BISS TRANSISTOR, NPN, 20V, 4.3A, 3-SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency ft:165MHz; Power Dissipation Pd:390mW; DC Collector Current:4.3A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BISS TRANSISTOR, NPN, 40V, 500MA, 3-SOT-; BISS TRANSISTOR, NPN, 40V, 500MA, 3-SOT-416; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:450MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:200
BISS TRANSISTOR, NPN, 40V, 5A, 3-SOT-223; BISS TRANSISTOR, NPN, 40V, 5A, 3-SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:130MHz; Power Dissipation Pd:1.35W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:500
BISS TRANSISTOR, NPN, 500V, 150MA, 3-SOT; BISS TRANSISTOR, NPN, 500V, 150MA, 3-SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:500V; Transition Frequency ft:35MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:150mA; DC Current Gain hFE:100
BISS TRANSISTOR, NPN, 50V, 3A, 3-SOT-89;; BISS TRANSISTOR, NPN, 50V, 3A, 3-SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:550mW; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
BISS TRANSISTOR, NPN, 60V, 1A, 3-SOT-323; BISS TRANSISTOR, NPN, 60V, 1A, 3-SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:220MHz; Power Dissipation Pd:415mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:500; No. of Pins:3
BISS TRANSISTOR, NPN, 60V, 3A, 6-SOT-457; BISS TRANSISTOR, NPN, 60V, 3A, 6-SOT-457; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency Typ ft:140MHz; Power Dissipation Pd:1.1W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:570; No. of Pins:6
BISS TRANSISTOR, NPN, 80V, 4.6A, 3-SOT-8; BISS TRANSISTOR, NPN, 80V, 4.6A, 3-SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency Typ ft:110MHz; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:4.6A; DC Current Gain hFE:470
BISS TRANSISTOR, NPN, 80V, 5.1A, 3-SOT-2; BISS TRANSISTOR, NPN, 80V, 5.1A, 3-SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency Typ ft:110MHz; Power Dissipation Pd:700mW; DC Collector Current:5.1A; DC Current Gain hFE:470
BJT ARRAY, DUAL NPN, 45V, 500MA, 6-SOT-4; BJT ARRAY, DUAL NPN, 45V, 500MA, 6-SOT-457, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:160; No. of Pins:6
BJT ARRAY, DUAL NPN, 45V, 500MA, 6-SOT-4; BJT ARRAY, DUAL NPN, 45V, 500MA, 6-SOT-457; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:160; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited
BJT ARRAY, DUAL PNP, -65V, -100MA, 6-SOT; BJT ARRAY, DUAL PNP, -65V, -100MA, 6-SOT-363; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-65V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:450; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited
BJT ARRAY, NPN & PNP, 45V, 500MA, 6-SOT-; BJT ARRAY, NPN & PNP, 45V, 500MA, 6-SOT-457; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:370mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:160; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited
BJT, -25V, -200MA, TO-92; Transistor Pol; BJT, -25V, -200MA, TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-25V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:120; No. of Pins:3
BJT, HIGH VOLT, NPN, 250V, 100MA, 3SOT22; BJT, HIGH VOLT, NPN, 250V, 100MA, 3SOT223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Transition Frequency ft:60MHz; Power Dissipation Pd:1.2W; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3
BJT, HIGH VOLT, NPN, 300V, 100MA, 3SOT23; BJT, HIGH VOLT, NPN, 300V, 100MA, 3SOT23, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:40
BJT, HIGH VOLT, NPN, 300V, 100MA, 3SOT23; BJT, HIGH VOLT, NPN, 300V, 100MA, 3SOT23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3
BJT, HIGH VOLT, NPN, 300V, 50MA, 3SOT89;; BJT, HIGH VOLT, NPN, 300V, 50MA, 3SOT89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency Typ ft:60MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:50mA; DC Current Gain hFE:50
BJT, HIGH VOLT, PNP, -250V, -100MA, 3SOT; BJT, HIGH VOLT, PNP, -250V, -100MA, 3SOT223; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-250V; Transition Frequency Typ ft:60MHz; Power Dissipation Pd:1.2W; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:50
BJT, LOW NOISE, NPN, 45V, 100MA, 3SOT323; BJT, LOW NOISE, NPN, 45V, 100MA, 3SOT323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:420; No. of Pins:3
BJT, NPN, 140V, 12A, 2-TO-3; Transistor; BJT, NPN, 140V, 12A, 2-TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:140V; Transition Frequency ft:5MHz; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:12A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:2; MSL:-
BJT, NPN, 160VDC, SOT-23; Transistor Pol; BJT, NPN, 160VDC, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3
BJT, NPN, 160VDC, SOT-363; Transistor Po; BJT, NPN, 160VDC, SOT-363; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:80; No. of Pins:6
BJT, NPN, 180V, TO-3; Transistor Polarit; BJT, NPN, 180V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:180V; Transition Frequency ft:6MHz; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:16A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:2; MSL:-; Packaging:Each
BJT, NPN, 300VDC, SOT-23, FULL REEL; Tra; BJT, NPN, 300VDC, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:300mA; DC Current Gain hFE:25; No. of Pins:3
BJT, NPN, 30VDC, SOT-23; Transistor Pola; BJT, NPN, 30VDC, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:110; Operating Temperature Min:-55°C; No. of Pins:3
BJT, NPN, 30VDC, SOT-23; Transistor Pola; BJT, NPN, 30VDC, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C
BJT, NPN, 30VDC, SOT-23; Transistor Pola; BJT, NPN, 30VDC, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:420; Operating Temperature Min:-55°C; No. of Pins:3
BJT, NPN, 30VDC, SOT-23; Transistor Pola; BJT, NPN, 30VDC, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:420; Operating Temperature Min:-55°C; No. of Pins:3
BJT, NPN, 400V, 4A, TO-220; Transistor P; BJT, NPN, 400V, 4A, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:10; No. of Pins:3; MSL:-
BJT, NPN, 40VDC, SOT-23, FULL REEL; Tran; BJT, NPN, 40VDC, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:35; No. of Pins:3
BJT, NPN, 40VDC, SOT-23; Transistor Pola; BJT, NPN, 40VDC, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:3
BJT, NPN, 40VDC, SOT-23; Transistor Pola; BJT, NPN, 40VDC, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:35; No. of Pins:3
BJT, NPN, 40VDC, SOT-323; Transistor Pol; BJT, NPN, 40VDC, SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:30; Operating Temperature Min:-55°C; No. of Pins:3
BJT, NPN, 40VDC, SOT-363; Transistor Pol; BJT, NPN, 40VDC, SOT-363; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:6; Operating Temperature Max:150°C
BJT, NPN, 40VDC, TO-92; Transistor Polar; BJT, NPN, 40VDC, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3; Packaging:Each
BJT, NPN, 45V, SOT-23, FULL REEL; Transi; BJT, NPN, 45V, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:310mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:170; No. of Pins:3
BJT, NPN, 45V, SOT-23; Transistor Polari; BJT, NPN, 45V, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:310mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C
BJT, NPN, 45V, SOT-23; Transistor Polari; BJT, NPN, 45V, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:310mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:170; No. of Pins:3
BJT, NPN, 45V, SOT-323; Transistor Polar; BJT, NPN, 45V, SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:110; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C
BJT, NPN, 45V, SOT-323; Transistor Polar; BJT, NPN, 45V, SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C
BJT, NPN, 45VDC, SOT-363; Transistor Pol; BJT, NPN, 45VDC, SOT-363; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:6
BJT, NPN, 45VDC, SOT-523; Transistor Pol; BJT, NPN, 45VDC, SOT-523; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:420; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C
BJT, NPN, 45VDC, TO-92; Transistor Polar; BJT, NPN, 45VDC, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:210MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3; Packaging:Each
BJT, NPN, 45VDC, TO-92; Transistor Polar; BJT, NPN, 45VDC, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:210MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3; Packaging:Each
BJT, NPN, 50V, 2A, TO-39; Transistor Pol; BJT, NPN, 50V, 2A, TO-39; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:10W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:250; No. of Pins:3; MSL:-; Packaging:Each
BJT, NPN, 60V, TO-220; Transistor Polari; BJT, NPN, 60V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:75; No. of Pins:3; MSL:-; Packaging:Each
BJT, NPN, 80V SOT-23; Transistor Polarit; BJT, NPN, 80V SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3; Marking, SMD:1GM
BJT, NPN, 80V, TO-92; Transistor Polarit; BJT, NPN, 80V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3; Packaging:Each
BJT, NPN, TO-3; Transistor Polarity:NPN;; BJT, NPN, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:800V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:175W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:4; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:200 C
BJT, PNP, 140V, 12A, TO-3; Transistor Po; BJT, PNP, 140V, 12A, TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:140V; Transition Frequency ft:5MHz; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:12A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:2; MSL:-
BJT, PNP, 150VDC, SOT-23; Transistor Pol; BJT, PNP, 150VDC, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:150V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3
BJT, PNP, -300VDC, TO-92; Transistor Pol; BJT, PNP, -300VDC, TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-300V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:-300mA; DC Current Gain hFE:25; No. of Pins:3
BJT, PNP, 40VDC, SOT-23; Transistor Pola; BJT, PNP, 40VDC, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:3
BJT, PNP, 40VDC, TO-92; Transistor Polar; BJT, PNP, 40VDC, TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3; Packaging:Each
BJT, PNP, -45V, SOT-23, FULL REEL; Trans; BJT, PNP, -45V, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:310mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:220; No. of Pins:3
BJT, PNP, -45V, SOT-23; Transistor Polar; BJT, PNP, -45V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:310mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:220; No. of Pins:3
BJT, PNP, 45VDC, SOT-23; Transistor Pola; BJT, PNP, 45VDC, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:160; Operating Temperature Min:-55°C; No. of Pins:3
BJT, PNP, 45VDC, SOT-23; Transistor Pola; BJT, PNP, 45VDC, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:250; Operating Temperature Min:-55°C; No. of Pins:3
BJT, PNP, -60V, 10A, TO-127; Transistor; BJT, PNP, -60V, 10A, TO-127; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:90W; DC Collector Current:-10A; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:3; Packaging:Each
BJT, PNP, 60VDC, TO-92; Transistor Polar; BJT, PNP, 60VDC, TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3; Packaging:Each
BJT, PNP, 80V, SOT-23; Transistor Polari; BJT, PNP, 80V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3; Packaging:Cut Tape
BRT TRANS, 50V, 47K/4.7KOHM, SOT323; Col; BRT TRANS, 50V, 47K/4.7KOHM, SOT323; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:0.1; No. of Pins:3
BRT TRANSISTOR NPN 50V 100MA 47/2.2KOHM; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.047; Boîtier de transistor RF:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur DC:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance
BRT TRANSISTOR NPN 50V 100MA 47/2.2KOHM; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.047; Boîtier de transistor RF:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur DC:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance
BRT TRANSISTOR, 50V 4.7K/2.2KOHM, SOT323; BRT TRANSISTOR, 50V 4.7K/2.2KOHM, SOT323; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:2.2kohm; Base-Emitter Resistor R2:4.7kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:0.47; No. of Pins:3
BRT TRANSISTOR, 50V, 10K/10KOHM, SC-59;; BRT TRANSISTOR, 50V, 10K/10KOHM, SC-59; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1; No. of Pins:3
BRT TRANSISTOR, 50V, 10K/10KOHM, SC75; C; BRT TRANSISTOR, 50V, 10K/10KOHM, SC75; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1; RF Transistor Case:SC-75
BRT TRANSISTOR, 50V, 10K/10KOHM, SC88; C; BRT TRANSISTOR, 50V, 10K/10KOHM, SC88; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1; No. of Pins:6
BRT TRANSISTOR, 50V, 10K/10KOHM, SOT-363; BRT TRANSISTOR, 50V, 10K/10KOHM, SOT-363, FULL REEL; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1; MSL:-
BRT TRANSISTOR, 50V, 10K/10KOHM, SOT-363; BRT TRANSISTOR, 50V, 10K/10KOHM, SOT-363; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1; No. of Pins:6; MSL:-
BRT TRANSISTOR, 50V, 10KOHM, SC70; Colle; BRT TRANSISTOR, 50V, 10KOHM, SC70; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:-; Resistor Ratio, R1 / R2:-; RF Transistor Case:SOT-323; MSL:-
BRT TRANSISTOR, 50V, 10KOHM, SOT-23; Col; BRT TRANSISTOR, 50V, 10KOHM, SOT-23; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:-; Resistor Ratio, R1 / R2:-; RF Transistor Case:SOT-23
BRT TRANSISTOR, 50V, 10KOHM, TO-226AA-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:TO-226AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de boîtier de transistor:TO-226AA
BRT TRANSISTOR, 50V, 1K/1KOHM, SOT-363;; BRT TRANSISTOR, 50V, 1K/1KOHM, SOT-363; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:1kohm; Base-Emitter Resistor R2:1kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1; No. of Pins:6
BRT TRANSISTOR, 50V, 22K/22KOHM, SOT-23;; BRT TRANSISTOR, 50V, 22K/22KOHM, SOT-23; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:22kohm; Base-Emitter Resistor R2:22kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1; No. of Pins:3
BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/10KOHM, SC75; C; BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/10KOHM, SC75; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:0.21; No. of Pins:3
BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/10KOHM, SC88; C; BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/10KOHM, SC88; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:0.21; No. of Pins:6
BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/10KOHM, SOT-363; BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/10KOHM, SOT-363; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:0.21; No. of Pins:6
BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/10KOHM, SOT-363; BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/10KOHM, SOT-363; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:0.21; No. of Pins:6
BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/2.2KOHM, SOT363; BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/2.2KOHM, SOT363; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:187mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:140; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited
BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/47KOHM, SC88; T; BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/47KOHM, SC88; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:187mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:140; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited
BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/47KOHM, SOT-23;; BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/47KOHM, SOT-23; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:47kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1; No. of Pins:3
BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 100MA, 10KOHM; BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 100MA, 10KOHM / 47KOHM, 6-SOT-666; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:4.7
BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 100MA, 10KOHM; BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 100MA, 10KOHM / OPEN, 3-SOT-23; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:-; Resistor Ratio, R1 / R2:-
BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 100MA, 4.7KOHM; BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 100MA, 4.7KOHM / 4.7KOHM, 3-SOT-416; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:4.7kohm; Base-Emitter Resistor R2:4.7kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1
BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 500MA, 1KOHM /; BRT TRANSISTOR, NPN, 50V, 500MA, 1KOHM / 1KOHM, 3-SOT-23; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:500mA; Base Input Resistor R1:1kohm; Base-Emitter Resistor R2:1kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1
BRT TRANSISTOR, PNP, -50V, -100MA, 10KOH; BRT TRANSISTOR, PNP, -50V, -100MA, 10KOHM / 47KOHM, 3-SOT-416; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Continuous Collector Current Ic:-100mA; Base Input Resistor R1:10kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm
BRT TRANSISTOR, PNP, -50V, -500MA, 1KOHM; BRT TRANSISTOR, PNP, -50V, -500MA, 1KOHM / 1KOHM, 3-SOT-23; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Continuous Collector Current Ic:-500mA; Base Input Resistor R1:1kohm; Base-Emitter Resistor R2:1kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1
CANAL N MOSFET 150V 3.4A POWERPAK, TRANS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.112ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
CANAL N MOSFET 30V 30A POWERPAK SO, TRA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:5.4W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
CANAL N MOSFET 55V 75A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:285W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
CANAL P MOSFET -100V 6.8A D2-PAK, TRANSI; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6.8A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
CANAL P MOSFET -20V 6.3A POWERPAK, TRANS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
CANAL P MOSFET -60V 3.6A POWERPAK, TRANS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):54mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
CANAL P MOSFET; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
CIRCUIT LOGIQUE RESEAU DE DARLINGTON CMS; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fonction logique:High Voltage, High Current Darlington Transistor Array; Gamme de température, circuit intégré:Commercial; Nombre de voies:7; Numéro de
CIRCUIT RESEAU 7NPN DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7; Racine de la référence:1413;
COMMUTATEUE JFET CANAL N 40V SOT-23; Tension, claquage Vbr:40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:30µA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:90µA; Tension, Vgs off max..:1.8V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:30µA à 90µA; Température de fonctionnement:-55°C à
COMMUTATEUE JFET CANAL N 40V SOT-23; Tension, claquage Vbr:40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:30µA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:90µA; Tension, Vgs off max..:1.8V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:30µA à 90µA; Température de fonctionnement:-55°C à
COMMUTATEUR DARLINGTON 80V QUADRUPLE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Dissipation de puissance Pd:4.3W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Quadruple; Courant, Ic max.. permanent a:1.75A; Courant, sortie max.:1.5A; Nombre de transistors:4; Nombre de voies:4; Racine de la référence:2065;
COMMUTING TRANSISTOR NPN 40V 0.1A 3SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
COMMUTING TRANSISTOR PNP -40V -200MA; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
COOL MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):2.97ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:18.1W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
COOL MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.39ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
COOL MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:13V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:92W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
COOL MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16.4A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
COOL MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
COOL MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.56ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
COOL MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
CSD17577Q3A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:53W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
CSD17577Q3A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:53W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
CSD17577Q5A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:53W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
CSD17577Q5A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:53W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DARLINGTON ARRAY, NPN, 0.35A, SOIC-16, F; DARLINGTON ARRAY, NPN, 0.35A, SOIC-16, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:350mA; DC Current Gain hFE:-; No. of Pins:16; MSL:MSL 1 - Unlimited
DARLINGTON ARRAY, NPN, 500MA, SOIC-18, F; DARLINGTON ARRAY, NPN, 500MA, SOIC-18, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:-; No. of Pins:18; MSL:MSL 2 - 1 year
DARLINGTON NPN, 300 mA, 30 V, FULL REEL;; DARLINGTON NPN, 300 mA, 30 V, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:125Hz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:300mA; DC Current Gain hFE:10000; No. of Pins:3
DARLINGTON NPN, 300 mA, 30 V, FULL REEL;; DARLINGTON NPN, 300 mA, 30 V, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:125Hz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:300mA; DC Current Gain hFE:20000; No. of Pins:3
DARLINGTON NPN, 500 mA, 40 V, FULL REEL;; DARLINGTON NPN, 500 mA, 40 V, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:3
DARLINGTON SWITCH, NPN QUAD 80V DIP; Tra; DARLINGTON SWITCH, NPN QUAD 80V DIP; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1.5A; DC Current Gain hFE:-; No. of Pins:16; Operating Temperature Max:85 C; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 100; DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 100V SOP; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; DC Collector Current:350mA; No. of Pins:16; Operating Temperature Max:70°C; MSL:MSL 1 - Unlimited; No. of Transceivers:7
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 100V SOIC; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:350mA; DC Current Gain hFE:-; No. of Pins:16; MSL:MSL 1 - Unlimited
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:-; No. of Pins:16; Reel Quantity:2500
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:-; No. of Pins:16; MSL:MSL 1 - Unlimited
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V; DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V TSSOP, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:16
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V; DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V TSSOP; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:-; No. of Pins:16; MSL:MSL 1 - Unlimited
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V; DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, DIP; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; DC Collector Current:350mA; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:105°C; No. of Pins:16
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V; DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, DIP; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:16; MSL:-; No. of Transistors:7
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V; DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:16
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V; DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:16
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V; DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.1V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:16; MSL:MSL 1 - Unlimited
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V; DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:-; No. of Pins:16; MSL:MSL 1 - Unlimited
DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V; DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:16; MSL:MSL 1 - Unlimited
DARLINGTON TRANSISTOR PAIR, NPN, 7, 50V,; DARLINGTON TRANSISTOR PAIR, NPN, 7, 50V, SOIC; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:350mA; DC Current Gain hFE:-; No. of Pins:16; Operating Temperature Max:85 C
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, 8A, TO; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, 8A, TO-220FP-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:20MHz; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:1500; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, D2-PAK; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, D2-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, D-PAK,; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, D-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:2500
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, D-PAK;; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, D-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:25MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:12; No. of Pins:3
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, DPAK-3; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, DPAK-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:25MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:12000; No. of Pins:3
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:65W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:20000; No. of Pins:3
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:75W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:20000; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-225; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-3;; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:12A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:2; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-92;; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:10000
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 120V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:300W; DC Collector Current:50A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:2; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 450V, 20A, T; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 450V, 20A, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:450V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:175W; DC Collector Current:20A; DC Current Gain hFE:600; No. of Pins:2
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 45V, 1A, 3-S; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 45V, 1A, 3-SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:1.3W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:2000
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 500V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:500V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:175W; DC Collector Current:20A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:2; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V TO-220;; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:75W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V TO-220;; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V, 1A, 3-S; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V, 1A, 3-SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:1.25W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:2000
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-220;; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-225;; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:15; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-225;; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-3; T; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:200W; DC Collector Current:30A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:2; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V TO-220;; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, SOT-223; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:800mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:2000; No. of Pins:4
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:2000; No. of Pins:4
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-220;; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-220;; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:75W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-225;; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:15; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-225;; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-225;; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:2; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:2; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 850V, TO-3;; DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 850V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:850V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:250W; DC Collector Current:20A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:2; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:12A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP -60V TO-220;; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP -60V TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:75W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP -80V TO-220;; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP -80V TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:65W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:20000; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150 C
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V, D-PAK; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V, D-PAK; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Transition Frequency ft:25MHz; Power Dissipation Pd:1.75W; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:12000
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V, D-PAK; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V, D-PAK; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:12; No. of Pins:4
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-22; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:75W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-3;; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V, TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:-12A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:2
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120V TO-220; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120V TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:65W; DC Collector Current:-5A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120V, TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-120V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:300W; DC Collector Current:-50A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:2
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120V; Trans; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -120V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-120V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:80W; DC Collector Current:-12A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-225; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-225; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-220; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:65W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-225; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-225; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:15; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-225; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-225; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-220; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:70W; DC Collector Current:-10A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-225; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-225; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-225; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-225; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:3; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-225; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-225; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:1MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:3
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:-10A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:2; MSL:-
DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3;; DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:750; No. of Pins:2; MSL:-
DARLINGTON, BIPOLAR, TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Hfe, min.:1000
DARLINGTON; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:105°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
DARLINGTON; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
DARLINGTON; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
DEPLETION MODE MOSFET, N CHANNEL, 350V,; DEPLETION MODE MOSFET, N CHANNEL, 350V, 8OHM, 5mA, SOT-223-4, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5mA; Drain Source Voltage Vds:350V; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:350mV
DIODE REDRESS. PUISSANCE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température
DIODE REDRESS. PUISSANCE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température
DOUBL MOSFET CANAL N 20V 0.6A DFN1010B-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.47ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:265mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DOUBL MOSFET CANAL N 20V 0.6A DFN1010B-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.47ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:265mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DOUBL MOSFET CANAL P -20V -0.5A DFN1010B; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-500mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):1.02ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:265mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DOUBL MOSFET CANAL P -20V -0.5A DFN1010B; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-500mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):1.02ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:265mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DOUBLE MOSFET CANAL N 30V 0.59A DFN1010B; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:590mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.55ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:285mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DOUBLE MOSFET CANAL N 30V 0.59A DFN1010B; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:590mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.55ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:285mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DOUBLE MOSFET CANAL N 60V 0.26A DFN1010B; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:260mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:285mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DOUBLE MOSFET CANAL N 60V 0.26A DFN1010B; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:260mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:285mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DOUBLE MOSFET CANAL P -30V -0.41A DFN-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-410mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:285mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DOUBLE MOSFET CANAL P -30V -0.41A DFN-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-410mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:285mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DOUBLE N VOIES MOSFET 20V 2.4A, TRANSI; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.125ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
DOUBLE N VOIES MOSFET 30V 2.9A, TRANSI; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.072ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:ChipFET; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
DOUBLE P VOIES MOSFET -20V 2.9A 1206C; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:ChipFET; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
DOUBLE P VOIES MOSFET -20V TSSOP, TRAN; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4.1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
DOUBLE TRANSISTOR PNP+NUMERIQ; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Courant, sortie max.:100mA; Fréquence de transition ft:140MHz; Gain Bande-passante
DOUBLE TRANSISTOR PNP+PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Courant, sortie max.:150mA; Fréquence de transition ft:140MHz; Gain Bande-passante ft,
DOUBLE TRANSISTOR PNP+PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Courant, sortie max.:150mA; Fréquence de transition ft:140MHz; Gain Bande-passante ft,
DRIVER DE GRILLE IGBT SIMPLE 4A CRETE; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:4A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):-; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-; Type de boîtier de transistor:SIP; Nombre de broches:15; Température de fonctionnement max..:60°C; Configuration module:Une; Courant Ic à Vce sat:4A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Largeur (externe):43mm; Longueur/hauteur:31mm; Profondeur:10mm; Température de
DUAL COMMON 20-V P-CHANNEL MOSFETS; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-1.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.056ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DUAL COMMON 20-V P-CHANNEL MOSFETS; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-1.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.056ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DUAL COMMON 20-V P-CHANNEL MOSFETS; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-1.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.056ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DUAL COMMON 20-V P-CHANNEL MOSFETS; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-1.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.056ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DUAL GATE RF MOSFET, N CHANNEL 20V, TO72; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:60mA; Power Dissipation Pd:360mW; RF Transistor Case:-; No. of Pins:4; Operating Temperature Max:175 C; MSL:-; Noise Figure Typ:1.8dB
DUAL N CH MOSFET, 100V, POWERPAK; Transi; DUAL N CH MOSFET, 100V, POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):230mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; No. of Pins:8
DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH, 30V, 30A,; DUAL N CH MOSFET, POWERTRENCH, 30V, 30A, MLP3X4.5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:2.2W
DUAL N CH MOSFET; Transistor Polarity:Du; DUAL N CH MOSFET; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):52mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:2W
DUAL N CH POWER MOSFET, 25V, 4.5A, DSBGA; DUAL N CH POWER MOSFET, 25V, 4.5A, DSBGA-12; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):29mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:1V
DUAL N CH, 30V, 3.6A, PQFN-6; Transistor; DUAL N CH, 30V, 3.6A, PQFN-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):48mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:800mV; No. of Pins:6
DUAL N CHANNEL MOSFET, 100V, SOIC; Trans; DUAL N CHANNEL MOSFET, 100V, SOIC; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):123mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 12V, SC-70; Trans; DUAL N CHANNEL MOSFET, 12V, SC-70; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:4.5A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:12V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, 10A; Transis; DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, 10A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):10.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.55V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, 6A; Transist; DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, 6A; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:1.8V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:8
DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, MICRO8, FULL; DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, MICRO8, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:5.4A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:1.3W
DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, MICRO8; Tran; DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, MICRO8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:2.4A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):85mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700mV
DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, MICRO8; Tran; DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, MICRO8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:5.4A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:600mV
DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOT-963; Tra; DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOT-963; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:220mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.75ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 25V, SUPER SOT-6; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:220mA; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:850mV
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 5.9A; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 5.9A; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:5.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):47mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:3V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 6.9A, FULL R; DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 6.9A, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:6.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 6.9A; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 6.9A; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:6.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):51mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 6.9A; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 6.9A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:8
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 6A; Transist; DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 6A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:6A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:30V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 7A, SOIC; Tr; DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 7A, SOIC; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 8.5A; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, 8.5A; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:8.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):19.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, MICRO8, FULL; DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, MICRO8, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:2.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):135mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, MICRO8; Tran; DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, MICRO8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:2.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):135mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):24mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; No. of Pins:8
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):13.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:12V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; No. of Pins:8
DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V POWERPAK; Tra; DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V POWERPAK; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):39mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V POWERPAK; Tra; DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):47mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:12V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; No. of Pins:8
DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 11.3A; Trans; DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 11.3A; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:11.3A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 5A; Transist; DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 5A; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):47mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 60A, FULL RE; DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 60A, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0048ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 6A; Transist; DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, 6A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:6A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:40V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):29mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:1.9V; Threshold Voltage Vgs:1.9V; No. of Pins:8
DUAL N CHANNEL MOSFET, 5.2A; Transistor; DUAL N CHANNEL MOSFET, 5.2A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700mV; No. of Pins:8
DUAL N CHANNEL MOSFET, 50V, 3A, FULL REE; DUAL N CHANNEL MOSFET, 50V, 3A, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):0.11ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 50V, 3A; Transist; DUAL N CHANNEL MOSFET, 50V, 3A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:8
DUAL N CHANNEL MOSFET, 55V, 4.7A, FULL R; DUAL N CHANNEL MOSFET, 55V, 4.7A, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:4.7A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 55V, 4.7A; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 55V, 4.7A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.7A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:8
DUAL N CHANNEL MOSFET, 6.6A; Transistor; DUAL N CHANNEL MOSFET, 6.6A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:6.6A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:20V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA, SOT-3; DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA, SOT-363, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):4.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10VDC; No. of Pins:6
DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA, SOT-3; DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA, SOT-363; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):4.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, 5.3A; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, 5.3A; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:5.3A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):72mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:3V
DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, 9.7A; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, 9.7A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.7A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; No. of Pins:8
DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SOIC; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SOIC; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:9.7A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:8
DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SOIC; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; No. of Pins:8
DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SOIC; Transi; DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.4V; No. of Pins:8
DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SOIC; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):74mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
DUAL N CHANNEL MOSFET, POWERTRENCH, 30V,; DUAL N CHANNEL MOSFET, POWERTRENCH, 30V, 30A, POWER56, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
DUAL N CHANNEL MOSFET, POWERTRENCH, 30V,; DUAL N CHANNEL MOSFET, POWERTRENCH, 30V, 30A, POWER56; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
DUAL N CHANNEL RF MOSFET, 12V, 30MA, 4-S; DUAL N CHANNEL RF MOSFET, 12V, 30MA, 4-SOT-143B, FULL REEL; Drain Source Voltage Vds:12V; Continuous Drain Current Id:30mA; Power Dissipation Pd:200mW; RF Transistor Case:SOT-143B; No. of Pins:4; Operating Temperature Max:150 C
DUAL N CHANNEL, MOSFET, 20V, 2.4A, TSOP-; DUAL N CHANNEL, MOSFET, 20V, 2.4A, TSOP-6; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:600mV
DUAL N/P CH MOSFET, 20V, SOT-563; Transi; DUAL N/P CH MOSFET, 20V, SOT-563; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:540mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):400mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V
DUAL N/P CH MOSFET; Transistor Polarity:; DUAL N/P CH MOSFET; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):44mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; No. of Pins:8
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 12V, 11.8A/-8.9; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 12V, 11.8A/-8.9A, SOIC-8, FULL REEL; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:11.8A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):17mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V MICRO8; Tra; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V MICRO8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:2.4A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):85mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700mV
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, 1206A; Tra; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, 1206A; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:4A; Continuous Drain Current Id, P Channel:-3.1A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:20V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, 7.1A/-6.2A; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, 7.1A/-6.2A, SOIC-8, FULL REEL; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:7.1A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, 7.1A/-6.2A; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, 7.1A/-6.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:7.1A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:8
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, MICROFET; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.7A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.037ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:1V; Threshold Voltage Vgs:12V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC; Tran; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:9.6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):14.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, SOT-963; T; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, SOT-963; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:220mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.75ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, TSOP; Tran; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, TSOP; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:2.5A; Continuous Drain Current Id, P Channel:-570mA; Drain Source Voltage Vds, N Channel:20V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, TSSOP; Tra; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, TSSOP; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:4.5A; Continuous Drain Current Id, P Channel:-3.5A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:20V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, WDFN6; Tra; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, WDFN6; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.8A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):37mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700mV
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 25V, SC-70; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):450mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:500mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 25V, SC-70; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):450mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:500mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V SUPER SOT-6; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):95mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SC-88; Tra; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SC-88; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:250mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC, FULL; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC, FULL; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:2W
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC, FULL; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:8.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):17mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:2W
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Tran; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):53mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Tran; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Tran; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:6.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):42mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.3W
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Tran; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Tran; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:7.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Tran; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:8.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):17mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, TSOP; Tran; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, TSOP; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:2.5A; Continuous Drain Current Id, P Channel:-1.8A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:30V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, TSOP; Tran; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 30V, TSOP; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 35V, SOIC; Tran; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 35V, SOIC; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:35V; On Resistance Rds(on):24mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 40V TO-252; Tra; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 40V TO-252; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):19mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC; Tran; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 40V, SOIC; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:16V; Threshold Voltage Vgs:2V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 55V, SOIC, FULL; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 55V, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4.7A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:2W
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 55V, SOIC; Tran; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 55V, SOIC; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4.7A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.043ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
DUAL N/P CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Tran; DUAL N/P CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.044ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V
DUAL NPN TRANSISTORS; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:500µW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SC-74; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DUAL NPN TRANSISTORS; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:500µW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SC-74; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
DUAL P CH MOSFET, -30V, POWERPAK; Transi; DUAL P CH MOSFET, -30V, POWERPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.3A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):38mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; No. of Pins:8
DUAL P CH MOSFET, -60V, SUPER SOT-6; Tra; DUAL P CH MOSFET, -60V, SUPER SOT-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-340mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.9V
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 1206A, FULL; DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 1206A, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.7A; Trans; DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.7A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id, P Channel:-4.3A; Drain Source Voltage Vds, P Channel:-20V; On Resistance Rds(on), P Channel:0.09ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 7.4A; Trans; DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 7.4A; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-7.4A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):66mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:1.8V; Threshold Voltage Vgs:-1V
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 7.4A; Trans; DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 7.4A; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-7.4A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):66mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:1.8V; Threshold Voltage Vgs:-1V
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 8.4A; Trans; DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 8.4A; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.4A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):19mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V
DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, SUPER SOT-6; DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, SUPER SOT-6, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:2.2A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:6
DUAL P CHANNEL MOSFET, -25V, SUPER SOT-6; DUAL P CHANNEL MOSFET, -25V, SUPER SOT-6, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-460mA; Drain Source Voltage Vds:-25V; On Resistance Rds(on):0.87ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:6
DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V 6A SOIC, FUL; DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V 6A SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; No. of Pins:8
DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, -6.4A; Tran; DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, -6.4A; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.4A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):75mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V
DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC; Trans; DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-7.1A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V
DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC; Trans; DUAL P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V
DUAL P CHANNEL MOSFET, -55V, 3.4A, FULL; DUAL P CHANNEL MOSFET, -55V, 3.4A, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.4A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):0.095ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; No. of Pins:8
DUAL P CHANNEL MOSFET, -55V, 3.4A; Trans; DUAL P CHANNEL MOSFET, -55V, 3.4A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.4A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):105mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V
DUAL P CHANNEL, -30V, -2.3A, 6-PQFN; Tra; DUAL P CHANNEL, -30V, -2.3A, 6-PQFN; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.3A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):135mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.8V
DUAL P CHANNEL, -30V, -9.2A, SOIC-8; Tra; DUAL P CHANNEL, -30V, -9.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-9.2A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.8V
DUAL P MOSFET -25V -120mA SUPERSOT6; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-120mA; Drain Source Voltage Vds:-25V; On Resistance Rds(on):10ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V
DUAL P-CH NEXFET PWR MOSFET, -20V, -4.5A; DUAL P-CH NEXFET PWR MOSFET, -20V, -4.5A, DSBGA-12; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.5A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):46mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:12
HIGH CURRENT TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92; HIGH CURRENT TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92; HIGH VOLTAGE TRANSISTOR, NPN, 300V TO-92, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:40
IC SM DARLINGTON RESEAU DE HI CURR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Nombre de transistors:7; Racine de la référence:2004;
IC SM DARLINGTON RESEAU DE HI CURR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Nombre de transistors:7; Racine de la référence:2004;
IC TRANSISTOR ARRAY, ULTRA H FREQ; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:8V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:37mA; Gain en courant DC hFE:130; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Cinq; Fréquence de transition ft:8GHz; Gain Bande-passante ft, typ.:8GHz; Racine de la référence:3096; Température de
IC TRANSISTOR ARRAY, ULTRA H FREQ; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:37mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Cinq; Courant, Ic max.. permanent a:34mA; Fréquence de transition ft:5.5GHz; Gain Bande-passante ft, typ.:5.5GHz; Nombre de
IC, DARL TRANS ARRAY, NPN, 2V, SOIC-16; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:2V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Nombre de transistors:7; Température d'utilisation min:-40°C
IC, DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:105°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Nombre de transistors:7; Température de fonctionnement:-40°C à +105°C; Température
IC, DRIVER, 7 POWER DRIVER, 5V, SMD; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:350mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, sortie:350mA; Courant, sortie max.:350mA; Racine de la référence:2003; Température de fonctionnement:-40°C à +125°C; Température d'utilisation
IC, N CHANNEL HIGH SPEED SWITCH, 20A, TO220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.09ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:1.6V
IC, TRANS PWR ULTRA RELBLE TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:36V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, sortie:100mA; Nombre de canaux de sortie:1; Racine de la référence:395; Température de fonctionnement:-40°C à +125°C;
IC, TRANS, ARRAY, DARL, HV, 16SO; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:105°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:7 NPN; Température de fonctionnement:-40°C à +85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de packaging:Bande découpée
IC, TRANS, ARRAY, DARL, HV, 16SO; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:105°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:7 NPN; Température de fonctionnement:-40°C à +85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de packaging:Bande découpée
IC, TRANSISTOR, MATCHED MONO; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:10µA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-78; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:25mA; Nombre de transistors:2; Température de fonctionnement:-55°C à +125°C; Température d'utilisation min:-55°C
IGBT & Power Bipolar; IGBT & Power Bipolar
IGBT 1200V 15A TO247; Courant de collecteur DC:15A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:110W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 15A TO247; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:156W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 15A TO-247-3; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:156W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 20A TO-220; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:85W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:85W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 20A TO-220AB; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:180W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:180W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 20A TO-247; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:85W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:85W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 20A TO247; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:192W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 20A TO-247; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:180W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:180W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 20A TO-247-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:156W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 25A TO247; Courant de collecteur DC:25A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.2V; Dissipation de puissance Pd:190W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:190W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 25A TO247; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:192W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 25A TO-247-3; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:192W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 30A TO-247-3; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:260W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 30A TO-247-3; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:560W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 30A TO-247-3; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:192W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 30A TO-263; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:300W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 33A TO-220; Courant de collecteur DC:33A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:130W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:130W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 3A TO220; Courant de collecteur DC:3A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.8V; Dissipation de puissance Pd:29W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:29W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 40A TO247; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.3V; Dissipation de puissance Pd:270W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:270W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 40A TO247; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:483W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:483W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 40A TO-247-3; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.9V; Dissipation de puissance Pd:260W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 40A TO-247-3; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.9V; Dissipation de puissance Pd:260W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 40A TO-247-3; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:260W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 43A ISOPLUS247; Courant de collecteur DC:43A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:150W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:150W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 58A ISOPLUS247; Courant de collecteur DC:58A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:195W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:195W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 58A TO-247; Courant de collecteur DC:58A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:250W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 60A TO247; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:375W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:375W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 74A TO-247; Courant de collecteur DC:78A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:325W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:325W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 80A 240W TO247; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.8V; Dissipation de puissance Pd:240W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 84A ISOPLUS247; Courant de collecteur DC:84A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:290W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1200V 88A SOT-227B; Courant de collecteur DC:88A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:SOT-227B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:290W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 1300V 63A 250W TO247; Courant de collecteur DC:63A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.3kV; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.3kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 20A 600V TO220; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:20A; Courant, Ic max.. permanent a:60A; Courant, Ic moy.:60A; Courant, Icm impulsionnel:100A; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:Canal N;
IGBT 20A 600V TO220; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:20A; Courant, Ic max.. permanent a:60A; Courant, Icm impulsionnel:100A; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:Canal N; Puissance, Ptot:200W;
IGBT 400V 25A DPAK; Courant de collecteur DC:25A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.35V; Dissipation de puissance Pd:125W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:390V; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 400V 30A D2PAK; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.35V; Dissipation de puissance Pd:150W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:390V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 5A 12; Courant de collecteur DC:10A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.2kV; Dissipation de puissance Pd:75W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 5A 12; Courant de collecteur DC:10A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.2kV; Dissipation de puissance Pd:75W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 10A TO263; Courant de collecteur DC:10A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:110W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Dissipation de puissance, max..:110W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 140A TO247AC; Courant de collecteur DC:75A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:454W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 15A TO263; Courant de collecteur DC:15A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:130W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Dissipation de puissance, max..:130W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 20A TO220; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:170W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 30A ISOPLUS247; Courant de collecteur DC:75A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:170W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:170W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 30A TO220; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:187W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:187W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 30A TO247; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:187W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:187W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 30A TO-247; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3V; Dissipation de puissance Pd:220W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:220W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 30A TO-247-3; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.45V; Dissipation de puissance Pd:167W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 30A TO-247-3; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.45V; Dissipation de puissance Pd:167W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 30A TO-247-3; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:167W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 30A TO-247-3; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 30A TO-247-3; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 30A TO-263; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3V; Dissipation de puissance Pd:220W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:220W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 40A TO-247-3; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 48A TO-247; Courant de collecteur DC:75A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:300W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:300W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 50A TO220; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:333W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:333W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 50A TO247; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.3V; Dissipation de puissance Pd:333W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:333W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 50A TO247; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:333W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:333W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 50A TO-247-3; Courant de collecteur DC:100A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.45V; Dissipation de puissance Pd:223W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 50A TO-247-3; Courant de collecteur DC:100A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.45V; Dissipation de puissance Pd:223W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 50A TO-247-3; Courant de collecteur DC:100A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:223W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 50A TO-247-3; Courant de collecteur DC:100A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:223W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 60A 308W TO247AC; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:308W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 75A TO247; Courant de collecteur DC:75A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:428W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:428W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 600V 78A 370W D2PAK; Courant de collecteur DC:78A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:370W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT 7A 600V TO220; Courant de collecteur DC:25A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:80W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:7A; Courant, Ic max.. permanent a:14A; Courant, Icm impulsionnel:50A; Dissipation de puissance, max..:80W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente:60ns;
IGBT BASSE PUISSANCE 1200V 15A EASYPIM; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:15A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:130W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:20; Température de fonctionnement max..:150°C; Dissipation de puissance, max..:130W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT BASSE PUISSANCE 1200V 25A EASYPACK; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:25A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:205W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:18; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Six; Dissipation de puissance, max..:205W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT BASSE PUISSANCE 1200V 25A EASYPIM; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:25A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:175W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:23; Température de fonctionnement max..:150°C; Dissipation de puissance, max..:175W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT BASSE PUISSANCE 1200V 50A EASYPACK; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:335W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:18; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Six; Dissipation de puissance, max..:335W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT BASSE PUISSANCE 600V 20A EASYPIM; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:94W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:23; Température de fonctionnement max..:150°C; Dissipation de puissance, max..:94W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT BASSE PUISSANCE 600V 30A EASYPIM; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:115W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:23; Température de fonctionnement max..:150°C; Dissipation de puissance, max..:115W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT BASSE PUISSANCE 600V 50A EASYPACK; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.45V; Dissipation de puissance Pd:205W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:18; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Six; Dissipation de puissance, max..:205W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT CANAL N 1200V 33A TO-247AC; Courant de collecteur DC:33A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:210W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:210W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N 1200V 57A TO247AC; Courant de collecteur DC:57A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:200W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N 1200V 75A TO-247AA; Courant de collecteur DC:220A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:1.15kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-274AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:1.15kW; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N 1200V 90A TO-247AC; Courant de collecteur DC:90A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:385W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:385W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N 1200V40ATO3PN; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1200V; Dissipation de puissance Pd:348W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:348W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N 600V 10AT220AB; Courant de collecteur DC:10A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:83W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:83W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N 600V 120ATO247; Courant de collecteur DC:120A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:378W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N 600V 20AD2PAK; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:208W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:208W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N 600V 30A TO-247; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.9V; Dissipation de puissance Pd:208W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:208W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N 600V 30A TO-247; Courant de collecteur DC:63A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:208W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:208W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N 600V 40A TO-247; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:165W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:165W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N 600V 80ATO247; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.3V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:290W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N 600V 96A TO-247AC; Courant de collecteur DC:96A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:330W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:330W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N DIODE 1200V 50A TO-247AC; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.9V; Dissipation de puissance Pd:179W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:179W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N DIODE 1200V 50A TO-247AC; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.9V; Dissipation de puissance Pd:180W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:180W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N DIODE 1200V 85A TO-247AC; Courant de collecteur DC:85A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:313W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:313W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N DIODE 600V 24A D2PAK; Courant de collecteur DC:24A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:140W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:140W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N DIODE 600V 48A D2PAK; Courant de collecteur DC:48A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:250W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N DIODE 600V 76A TO-247AC; Courant de collecteur DC:76A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:268W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:268W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N DIODE1200V 40A TO-247AC; Courant de collecteur DC:108A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:390W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:390W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N FAST W/DIO600V 40ATO-3PF; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-3PF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:100W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N FAST600V 150ATO247; Courant de collecteur DC:150A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:452W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:452W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N FASTW/DIO600V 120ATO247; Courant de collecteur DC:120A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:600W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:600W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N FASTW/DIO600V 40ATO247; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:165W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:165W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N FASTW/DIO600V 40ATO247; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:165W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:165W; Temps de descente:28ns; Temps de montée:16ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
IGBT CANAL N FASTW/DIO600V 60ATO247; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:480W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:480W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N FASTW/DIO600V 80ATO247; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:290W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N FASTW/DIO600V 80ATO247; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:349W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:349W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N W DIODE 600V 120ATO3PN; Courant de collecteur DC:120A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:298W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:298W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N W DIODE 600V 80ATO247; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:290W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT CANAL N W DIODE 600V 80ATO247AD; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:290W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT COMMUTATION 600V TO-247; Courant de collecteur DC:96A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:330W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-247; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT FIELD STOP 600V 40A TO-247; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.9V; Dissipation de puissance Pd:349W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT FIELD STOP 600V 75A PUISSANCE-247; Courant de collecteur DC:150A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.9V; Dissipation de puissance Pd:750W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:Power 247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT H/B NTC 1200V 900A PRIMEPACK; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:900A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:5.1kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Double; Dissipation de puissance, max..:5.1kW; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT H/B NTC 1700V 650A PRIMEPACK; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:650A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:4.15kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.7kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Double; Dissipation de puissance, max..:4.15kW; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT IGNITION CANAL N 350V 20A DPAK; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT IGNITION CANAL N 365V 20A D2PAK; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.5V; Dissipation de puissance Pd:165W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:365V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT IGNITION CANAL N 400V 18A DPAK; Courant de collecteur DC:18A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:115W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT MED POW FD CHOPPER 1200V 125A; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:150A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:790W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:-; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Une; Dissipation de puissance, max..:790W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT MED POW QUAD AVEC NTC 1200V 150A; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:150A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:680W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:20; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Six; Dissipation de puissance, max..:680W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT MED POW QUAD AVEC NTC 1200V 200A; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:200A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:1kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:20; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Six; Dissipation de puissance, max..:1kW; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT MED POW QUAD AVEC NTC 600V 30A; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:165W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:15; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Quadruple; Dissipation de puissance, max..:165W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT MED POW QUAD AVEC NTC 600V 50A; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.45V; Dissipation de puissance Pd:225W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:15; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Quadruple; Dissipation de puissance, max..:225W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT MODULE, 1.2KV, 1.4KA; Transistor Po; IGBT MODULE, 1.2KV, 1.4KA; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:1.4kA; Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV; Power Dissipation Pd:3.9kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV
IGBT MODULE, 1.2KV, 100A; Transistor Pol; IGBT MODULE, 1.2KV, 100A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:560W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:7
IGBT MODULE, 1.2KV, 100A; Transistor Pol; IGBT MODULE, 1.2KV, 100A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:672W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:7
IGBT MODULE, 1.2KV, 150A; Transistor Pol; IGBT MODULE, 1.2KV, 150A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:650W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:7
IGBT MODULE, 1.2KV, 150A; Transistor Pol; IGBT MODULE, 1.2KV, 150A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:960W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:7
IGBT MODULE, 1.2KV, 200A, MODULE; Transi; IGBT MODULE, 1.2KV, 200A, MODULE; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:200A; Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV; Power Dissipation Pd:1.13kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:7; Packaging:Each
IGBT MODULE, 1.2KV, 200A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:200A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:890W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:7
IGBT MODULE, 1.2KV, 400A; Transistor Pol; IGBT MODULE, 1.2KV, 400A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:400A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:1.04kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:7
IGBT MODULE, 1.2KV, 600A; Transistor Pol; IGBT MODULE, 1.2KV, 600A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:1.55kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:7
IGBT MODULE, 1200V, 400A, IGBTMOD; Trans; IGBT MODULE, 1200V, 400A, IGBTMOD; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:400A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:2.35kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:4
IGBT MODULE, 1200V, 600A, IGBTMOD; Trans; IGBT MODULE, 1200V, 600A, IGBTMOD; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:3.67kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:4
IGBT MODULE, 600V, 200A; Transistor Pola; IGBT MODULE, 600V, 200A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:200A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):600V; Power Dissipation Pd:590W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:7; Packaging:Each
IGBT MODULE, 600V, 200A; Transistor Pola; IGBT MODULE, 600V, 200A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:200A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):600V; Power Dissipation Pd:650W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:7; Packaging:Each
IGBT MODULE, 600V, 27A, SIP; Transistor; IGBT MODULE, 600V, 27A, SIP; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:27A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):600V; Power Dissipation Pd:63W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:13
IGBT MODULE, 600V, 400A; Transistor Pola; IGBT MODULE, 600V, 400A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:400A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):600V; Power Dissipation Pd:1.13kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:7; Packaging:Each
IGBT MODULE, 600V, 50A, DIP; Transistor; IGBT MODULE, 600V, 50A, DIP; Transistor Polarity:-; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):600V; Power Dissipation Pd:142W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:42; Packaging:Each
IGBT MODULE, 600V, 75A; Transistor Polar; IGBT MODULE, 600V, 75A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):600V; Power Dissipation Pd:290W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:7; Packaging:Each
IGBT Module; DC Collector Current:280A;; IGBT Module; DC Collector Current:280A; Collector Emitter Voltage Vces:600V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:900mV; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:175°C; No. of Pins:18; Package / Case:D61
IGBT Module; DC Collector Current:280A;; IGBT Module; DC Collector Current:280A; Collector Emitter Voltage Vces:600V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:900mV; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:175°C; No. of Pins:18; Package / Case:D60
IGBT Module; DC Collector Current:30A; C; IGBT Module; DC Collector Current:30A; Collector Emitter Voltage Vces:600V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:900mV; No. of Pins:26; Package / Case:T-52
IGBT Module; DC Collector Current:600A;; IGBT Module; DC Collector Current:600A; Collector Emitter Voltage Vces:1.85V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Module Configuration:Dual; Package / Case:120 x 70mm Module
IGBT Module; DC Collector Current:83A; C; IGBT Module; DC Collector Current:83A; Collector Emitter Voltage Vces:600V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:800mV; No. of Pins:67; Package / Case:T-74
IGBT MODULE; IGBT Module; Transistor Type:IGBT Module; DC Collector Current:443A; Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:940mV; No. of Pins:5; Package / Case:SEMITRANS 3
IGBT Module; Transistor Polarity:-; DC C; IGBT Module; Transistor Polarity:-; DC Collector Current:124A; Collector Emitter Voltage Vces:600V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:800mV; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:175°C; No. of Pins:28
IGBT Module; Transistor Polarity:-; DC C; IGBT Module; Transistor Polarity:-; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:600V; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:900mV; No. of Pins:34; Operating Temperature Max:175°C; Package / Case:T-98
IGBT Module; Transistor Polarity:Dual N; IGBT Module; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:300A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:2.27kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:11; Packaging:Each
IGBT Module; Transistor Polarity:Dual N; IGBT Module; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:450A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:3.4W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:11; Packaging:Each
IGBT Module; Transistor Polarity:N Chann; IGBT Module; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV; Power Dissipation Pd:1.15kW; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:150°C; Leaded Process Compatible:Yes
IGBT Module; Transistor Type:IGBT Module; IGBT Module; Transistor Type:IGBT Module; DC Collector Current:400A; Collector Emitter Voltage Vces:600V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:900mV; No. of Pins:18; Package / Case:SEMITRANS 5
IGBT Module; Transistor Type:IGBT Module; IGBT Module; Transistor Type:IGBT Module; DC Collector Current:422A; Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:800mV; No. of Pins:7; Package / Case:SEMITRANS 3
IGBT N 1200V 30A TO-247; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.75V; Dissipation de puissance Pd:220W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Icm impulsionnel:135A; Dissipation de puissance, max..:220W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:11ns; Température de
IGBT NPT 1200V 16.5A 125W TO247; Courant de collecteur DC:16.5A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.1V; Dissipation de puissance Pd:125W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Icm impulsionnel:27A; Temps de montée:31ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT NPT 600V 31A 139W TO247-3; Courant de collecteur DC:31A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:139W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Icm impulsionnel:62A; Temps de montée:28ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT PDP 360V 20A TO220FP; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):360V; Dissipation de puissance Pd:34W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:360V; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT RAPIDE 600V 50A TO-247A; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:201.6W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de transistor:IGBT
IGBT SIMPLE 1.2KV 28A TO-247-3; Courant de collecteur DC:28A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:155W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-
IGBT SIMPLE 1.2KV 30A TO-247-3; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:259W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 1.2KV 30A TO-247-3; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:259W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 1.2KV 30A TO-247-3; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:217W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT SIMPLE 1.2KV 31A TO-247-3; Courant de collecteur DC:31A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:155W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-
IGBT SIMPLE 1.2KV 48A TO-247-3; Courant de collecteur DC:48A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:260W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-
IGBT SIMPLE 1.2KV 50A TO-247-3; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:375W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 1.2KV 50A TO-247-3; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:375W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 1.2KV 53A TO-247-3; Courant de collecteur DC:53A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:260W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-
IGBT SIMPLE 1.2KV 63A TO-247-3; Courant de collecteur DC:63A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:340W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-
IGBT SIMPLE 1.2KV 70A TO-247-3; Courant de collecteur DC:70A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:340W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-
IGBT SIMPLE 1.2KV 80A TO-247-3; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:468W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 1.2KV 80A TO-247-3; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:468W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 1.2KV 9A TO-268AA; Courant de collecteur DC:9A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:45W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-268AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 1.2KV, 30A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:278W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 1.2KV, 30A, TO-247-3; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 1.2KV, 30A, TO-247-3; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 1.2KV, 40A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.2V; Dissipation de puissance Pd:341W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 1.2KV, 50A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:385W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 1.2KV, 50A, TO-247-3; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 1.2KV, 50A, TO-247-3; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 1.2KV, 80A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:535W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 1.2KV, 80A, TO-247-3; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 1.2KV, 80A, TO-247-3; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 400V 21A TO-252AA-3; Courant de collecteur DC:21A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.9V; Dissipation de puissance Pd:150W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 400V 21A TO-252AA-3; Courant de collecteur DC:21A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.9V; Dissipation de puissance Pd:150W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 600V 100A TO-247-3; Courant de collecteur DC:100A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.5V; Dissipation de puissance Pd:500W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-
IGBT SIMPLE 600V 100A TO-247AC; Courant de collecteur DC:100A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:330W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 600V 11A TO-252; Courant de collecteur DC:11A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:58W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 600V 11A TO-263; Courant de collecteur DC:11A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:58W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 600V 16A TO-252; Courant de collecteur DC:16A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:77W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 600V 16A TO-263; Courant de collecteur DC:16A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:77W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 600V 23A TO-220AB; Courant de collecteur DC:23A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:99W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 600V 23A TO-263; Courant de collecteur DC:23A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:99W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 600V 32A TO-220AB; Courant de collecteur DC:32A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:140W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 600V 32A TO-263; Courant de collecteur DC:32A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:140W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 600V 47A TO-220AB; Courant de collecteur DC:47A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:206W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 600V 47A TO-263; Courant de collecteur DC:47A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:206W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 600V 55A TO-247-3; Courant de collecteur DC:55A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:230W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-
IGBT SIMPLE 600V 64A TO-247-3; Courant de collecteur DC:64A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.5V; Dissipation de puissance Pd:230W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-
IGBT SIMPLE 600V 65A TO-247AC; Courant de collecteur DC:65A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 600V 65A TO-247AC; Courant de collecteur DC:65A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 600V 76A TO-247AC; Courant de collecteur DC:76A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:268W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 600V 85A TO-247-3; Courant de collecteur DC:85A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:360W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-
IGBT SIMPLE 600V 95A TO-247-3; Courant de collecteur DC:95A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.5V; Dissipation de puissance Pd:360W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-
IGBT SIMPLE 600V, 100A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:100A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:595W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 600V, 100A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:100A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:417W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 600V, 16A, TO-252-3; Courant de collecteur DC:16A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:56W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 600V, 20A, TO-252-3; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:72W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 600V, 24A, TO-220F-3; Courant de collecteur DC:24A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:54W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 600V, 90A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:90A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 600V, 90A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:90A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 600V, 9A, TO-252-3; Courant de collecteur DC:9A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:49W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 650V 140A TO-247AC; Courant de collecteur DC:140A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:450W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 650V 140A TO-247AC; Courant de collecteur DC:140A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:455W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 650V 20A TO-220-3; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:115W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 650V 20A TO-263-3; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:115W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 650V 20A TO-263-3; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:115W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 650V 60A TO-220-3; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:258W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 650V 60A TO-247-3; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:258W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 650V 60A TO-247AC; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 650V 60A TO-263-3; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:258W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 650V 60A TO-263-3; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:258W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT SIMPLE 650V 90A TO-247AC; Courant de collecteur DC:90A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:300W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE 650V 90A TO-247AC; Courant de collecteur DC:90A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:325W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
IGBT SIMPLE CANAL N 1.1KV 60A TO-247-3; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:333W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.1kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT SIMPLE CANAL N 1.2KV 75A TO-247-3; Courant de collecteur DC:75A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:480W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT SMART PM 600V 10A SPM26-AA; Polarité transistor:NPN; Courant de collecteur DC:10A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.5V; Dissipation de puissance Pd:32W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:SPM26-AAA; Nombre de broches:26; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:IGBT; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT TRENCH 600V 140A TO247; Courant de collecteur DC:140A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:454W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT ULTRAFAST 600V 160A TO-264; Courant de collecteur DC:160A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.6V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 1.2KV, 40A, TO-247AD-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):4.23V; Dissipation de puissance Pd:300W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, 1.2KV, 45A, TO-247AC-3; Courant de collecteur DC:45A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.28V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, 1.2KV, 80A, TO-274AA-3; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.39V; Dissipation de puissance Pd:595W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-274AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, 1.45V, 40A, TO-3PF-3; DC Collector; IGBT, 1.45V, 40A, TO-3PF-3; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V; Power Dissipation Pd:64W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175°C; MSL:-
IGBT, 1.4V, 24A, TO-3PF-3; DC Collector; IGBT, 1.4V, 24A, TO-3PF-3; DC Collector Current:24A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.4V; Power Dissipation Pd:54W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C; MSL:-
IGBT, 1.8V, 22A, TO-262-3; DC Collector; IGBT, 1.8V, 22A, TO-262-3; DC Collector Current:22A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V; Power Dissipation Pd:156W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150 C; MSL:-
IGBT, 1.8V, 31A, TO-263AB-3; DC Collecto; IGBT, 1.8V, 31A, TO-263AB-3; DC Collector Current:31A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Power Dissipation Pd:208W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C; MSL:MSL 1 - Unlimited
IGBT, 1.9V, 70A, TO-247AC-3; DC Collecto; IGBT, 1.9V, 70A, TO-247AC-3; DC Collector Current:70A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.9V; Power Dissipation Pd:160W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150 C; MSL:-
IGBT, 1200V, 140A, TO-247AC; Courant de collecteur DC:140A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.2kV; Dissipation de puissance Pd:556W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 1200V, 15A, FS1, TO-247-3; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:156W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 1200V, 20A, FS1, TO-247-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:192W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 1200V, 21A; Courant de collecteur DC:21A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.7V; Dissipation de puissance Pd:167W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:21A; Dissipation de puissance, max..:167W; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
IGBT, 1200V, 25A, FS1, TO-247-3; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:192W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 2 PACK MOD, 1200V, 200A, M234; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:200A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:1.04kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Double; Dissipation de puissance, max..:1.04kW
IGBT, 2 PACK MOD, 1200V, 300A, M254; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:300A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:1.385kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:11; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Double; Dissipation de puissance, max..:1.385kW
IGBT, 2 PACK MOD, 1200V, 400A, M234; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:400A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:2.045kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Double; Dissipation de puissance, max..:2.045kW
IGBT, 2 PACK MOD, 1200V, 450A, M250; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:450A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:2.08kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:22; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Double; Dissipation de puissance, max..:2.08kW
IGBT, 400V, 20A, TO-263AB-3; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:125W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, 400V, 20A, TO-263AB-3; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:125W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, 600V, 11A, TO-220AB-3; Courant de collecteur DC:11A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:58W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, 600V, 140A, TO-247AC-3; Courant de collecteur DC:140A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:454W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, 600V, 15A, TO-220-3; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:117W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 600V, 15A, TO-220-3; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:117W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 600V, 15A, W/ DIODE, TO-220-3; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.5V; Dissipation de puissance Pd:117W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 600V, 16A, TO-220AB-3; Courant de collecteur DC:16A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:77W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, 600V, 240A, TO-274AA-3; Courant de collecteur DC:240A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:750W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-274AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, 600V, 24A, D2-PAK; Courant de collecteur DC:24A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:69W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 600V, 47A, TO-247AC-3; Courant de collecteur DC:47A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:192W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, 600V, 47A, TO-247AC-3; Courant de collecteur DC:47A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:206W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, 600V, 48A, TO-247AC; Courant de collecteur DC:48A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 600V, 60A, TO-220AB-3; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.68V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, 600V, 60A, WARP2, TO-247AD; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:308W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 600V, 75A, WARP2, TO-247AD; Courant de collecteur DC:75A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.35V; Dissipation de puissance Pd:390W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 600V, 80A, TO-247AC-3; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:306W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, 600V, 95A, TO-247AC-3; Courant de collecteur DC:95A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:330W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, 650V, 15A, TO220-3; Courant de collecteur DC:15A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:105W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 15A, TO220-3; Courant de collecteur DC:15A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:33.3W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 15A, TO220-3; Courant de collecteur DC:15A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:105W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 15A, TO220-3; Courant de collecteur DC:15A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:33.3W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 40A, TO220-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:255W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 40A, TO220-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:255W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 40A, TO220-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:255W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 40A, TO220-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:255W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 40A, TO247-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:255W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 40A, TO247-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:255W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 40A, TO247-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:255W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 40A, TO247-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:255W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 50A, TO247-3; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:305W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 50A, TO247-3; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:305W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 50A, TO247-3; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:305W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 50A, TO247-3; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:305W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 8A, TO220-3; Courant de collecteur DC:8A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:70W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, 650V, 8A, TO220-3; Courant de collecteur DC:8A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:31.2W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, IPM 3 PHASE, 10A, 600V, 25SDIP; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:10A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:33W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-; Type de boîtier de transistor:SDIP; Nombre de broches:25; Température de fonctionnement max..:125°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Pont triphasé; Température de fonctionnement:-40°C à +125°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT, IPM 3 PHASE, 14A, 600V, 38SDIP; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:15A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:44W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-; Type de boîtier de transistor:SDIP; Nombre de broches:38; Température de fonctionnement max..:125°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Pont triphasé; Température de fonctionnement:-40°C à +125°C; Température d'utilisation min:-40°C
IGBT, MODULE, 1.2KV, 100A; Transistor Po; IGBT, MODULE, 1.2KV, 100A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:100A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V; Power Dissipation Pd:625W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:35
IGBT, MODULE, 1.2KV, 150A; Transistor Po; IGBT, MODULE, 1.2KV, 150A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V; Power Dissipation Pd:935W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:35
IGBT, MODULE, 1.2KV, 200A; Transistor Po; IGBT, MODULE, 1.2KV, 200A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:200A; Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV; Power Dissipation Pd:1.5kW; No. of Pins:8; Operating Temperature Max:150°C; Module Configuration:Chopper
IGBT, MODULE, 1.2KV, 225A; Transistor Po; IGBT, MODULE, 1.2KV, 225A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:225A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.9V; Power Dissipation Pd:1.25kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:11
IGBT, MODULE, 1.2KV, 300A; Transistor Po; IGBT, MODULE, 1.2KV, 300A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:300A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V; Power Dissipation Pd:1.85kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:11
IGBT, MODULE, 1.2KV, 300A; Transistor Po; IGBT, MODULE, 1.2KV, 300A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:300A; Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV; Power Dissipation Pd:2.27kW; No. of Pins:8; Operating Temperature Max:150°C; Module Configuration:Chopper
IGBT, MODULE, 1.2KV, 450A; Transistor Po; IGBT, MODULE, 1.2KV, 450A; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:450A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:3.33kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:7
IGBT, MODULE, 1.2KV, 600A; Transistor Po; IGBT, MODULE, 1.2KV, 600A; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.85V; Power Dissipation Pd:4.05kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:7
IGBT, MODULE, 1.2KV, 600A; Transistor Po; IGBT, MODULE, 1.2KV, 600A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:600A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:3.33kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:11
IGBT, MODULE, 1.7KV, 200A; Transistor Po; IGBT, MODULE, 1.7KV, 200A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:200A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7kV; Power Dissipation Pd:2kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:8
IGBT, MODULE, 600V, 30A; Polarité transistor:6 NPN; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.9V; Dissipation de puissance Pd:73W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:SIP; Nombre de broches:22; Température de fonctionnement max..:100°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, MODULE, N CHANNEL, 1.2KV, 450A; Tr; IGBT, MODULE, N CHANNEL, 1.2KV, 450A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:450A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V; Power Dissipation Pd:2.775kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:11
IGBT, N CH, 1200V, 60A, TO-247AD; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.28V; Dissipation de puissance Pd:300W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:300W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, SIMPLE 1.2KV, 82A, TO-247AD; Courant de collecteur DC:82A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.2V; Dissipation de puissance Pd:1.25kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SIMPLE 412KV, 40A, TO-263-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.3V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:412V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT, SIMPLE 650V, 40A, TO-247; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.35V; Dissipation de puissance Pd:300W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SIMPLE 650V, 50A, TO-247; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:600W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SIMPLE 650V, 60A, TO-247; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.2V; Dissipation de puissance Pd:455W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SIMPLE, 1.2KV, 30A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:217W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 1.2KV, 50A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:326W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 1.2KV, 80A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:429W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 1.35KV, 60A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:349W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.35kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 600V, 100A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:100A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:333W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C
IGBT, SIMPLE, 600V, 40A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.5V; Dissipation de puissance Pd:166W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 600V, 80A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:305W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 600V, 80A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:428W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C
IGBT, SIMPLE, 650V, 16A, TO-263S-3; Courant de collecteur DC:16A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:94W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-263S; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 30A, TO-263S-3; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:133W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-263S; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 40A, TO-247N-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:144W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247N; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 40A, TO-247N-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:144W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247N; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 40A, TO-247N-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:144W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247N; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 40A, TO-263S-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:161W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-263S; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 48A, TO-247N-3; Courant de collecteur DC:48A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:174W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247N; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 50A, TO-247N-3; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:174W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247N; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 50A, TO-247N-3; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:174W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247N; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 55A, TO-247N-3; Courant de collecteur DC:55A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:194W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247N; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 58A, TO-247N-3; Courant de collecteur DC:58A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:194W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247N; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 58A, TO-247N-3; Courant de collecteur DC:58A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:194W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247N; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 70A, TO-247-3; Courant de collecteur DC:70A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:300W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SIMPLE, 650V, 70A, TO-247N-3; Courant de collecteur DC:70A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:234W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247N; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 70A, TO-247N-3; Courant de collecteur DC:70A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:234W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247N; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 70A, TO-247N-3; Courant de collecteur DC:70A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:234W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247N; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 85A, TO-247N-3; Courant de collecteur DC:85A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:277W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247N; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 85A, TO-247N-3; Courant de collecteur DC:85A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:277W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247N; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 85A, TO-247N-3; Courant de collecteur DC:85A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:277W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-247N; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 8A, TO-252-3; Courant de collecteur DC:8A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:62W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SIMPLE, 650V, 8A, TO-263S-3; Courant de collecteur DC:8A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:65W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:TO-263S; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 30A, TO-3P-3; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.3V; Dissipation de puissance Pd:186W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 35A, TO-263AB-3; Courant de collecteur DC:35A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.45V; Dissipation de puissance Pd:298W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 35A, TO-263AB-3; Courant de collecteur DC:35A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.45V; Dissipation de puissance Pd:298W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 5.3A, TO-252AA-3; Courant de collecteur DC:5.3A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SINGLE, 1.2KV, 5.3A, TO-252AA-3; Courant de collecteur DC:5.3A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SINGLE, 1.55V, 32A, TO-247AC; DCIGBT, SINGLE, 1.55V, 32A, TO-247AC; DC Collector Current:32A; Collector Emitter Voltage Vces:1.55V; Power Dissipation Pd:140W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175°C
IGBT, SINGLE, 1.55V, 32A, TO-247AD; DC C; IGBT, SINGLE, 1.55V, 32A, TO-247AD; DC Collector Current:32A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.55V; Power Dissipation Pd:140W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175 C
IGBT, SINGLE, 1.65V, 47A, TO-247AC; DC C; IGBT, SINGLE, 1.65V, 47A, TO-247AC; DC Collector Current:47A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.65V; Power Dissipation Pd:206W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175°C
IGBT, SINGLE, 1.65V, 47A, TO-247AD; DC C; IGBT, SINGLE, 1.65V, 47A, TO-247AD; DC Collector Current:47A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.65V; Power Dissipation Pd:206W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175 C
IGBT, SINGLE, 1.6V, 20A, TO-263; DC Coll; IGBT, SINGLE, 1.6V, 20A, TO-263; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:101W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175 C
IGBT, SINGLE, 1.6V, 65A, TO-247AC; DCIGBT, SINGLE, 1.6V, 65A, TO-247AC; DC Collector Current:65A; Collector Emitter Voltage Vces:1.6V; Power Dissipation Pd:250W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175°C
IGBT, SINGLE, 1.6V, 65A, TO-247AD; DC Co; IGBT, SINGLE, 1.6V, 65A, TO-247AD; DC Collector Current:65A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:250W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175 C
IGBT, SINGLE, 1.6V, 76A, TO-247AD; DC Co; IGBT, SINGLE, 1.6V, 76A, TO-247AD; DC Collector Current:76A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:268W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175 C
IGBT, SINGLE, 360V, 46A, TO-220AB-3; Courant de collecteur DC:46A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.17V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:360V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SINGLE, 360V, 46A, TO-263AB-3; Courant de collecteur DC:46A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.17V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:360V; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SINGLE, 360V, 46A, TO-263AB-3; Courant de collecteur DC:46A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.17V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:360V; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SINGLE, 400V, 21A, TO-220AB-3; Courant de collecteur DC:21A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.25V; Dissipation de puissance Pd:150W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SINGLE, 400V, 21A, TO-263AB-3; Courant de collecteur DC:21A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.25V; Dissipation de puissance Pd:150W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SINGLE, 400V, 21A, TO-263AB-3; Courant de collecteur DC:21A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.25V; Dissipation de puissance Pd:150W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SINGLE, N CH, 600V, 24A, TO-3PF-3; Courant de collecteur DC:24A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.4V; Dissipation de puissance Pd:54W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-3PF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SINGLE, N CH, 600V, 40A, TO-3PF-3; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.45V; Dissipation de puissance Pd:64W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-3PF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
IGBT, SMD, 600V, 10A, D2-PAK; Courant de collecteur DC:10A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance, max..:60W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente:82ns;
IGBT, SMD, 600V, 10A, D2-PAK; Courant de collecteur DC:10A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance, max..:60W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente:82ns;
IGBT, TO-247; Courant de collecteur DC:75A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.6V; Dissipation de puissance Pd:463W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:With flywheel diode; Courant, Ic max.. permanent a:75A; Courant, Icm impulsionnel:240A; Dissipation de puissance, max..:463W; Marquage composant:HGTG30N60A4D;
IGBT,N CH,W DIODE,600V,TO247AC; Courant de collecteur DC:75A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.35V; Dissipation de puissance Pd:390W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:390W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT,W DIODE, 600V, 60A, TO-247; Courant de collecteur DC:110A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:284W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
IGBT+ DIODE 1200V 15A TO247; Courant de collecteur DC:15A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:254W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:254W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT+ DIODE 1200V 20A TO247; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:310W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:310W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT+ DIODE 1200V 25A TO247; Courant de collecteur DC:25A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:326W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:326W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT+ DIODE 1200V 40A TO247; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:483W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:483W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT+ DIODE 1600V 30A TO247; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:312W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.6kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:312W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT+ DIODE 600V 10A TO263; Courant de collecteur DC:10A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:110W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Dissipation de puissance, max..:110W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT+ DIODE 600V 20A TO247; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:170W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT+ DIODE 600V 20A TO247; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:187W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:187W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT+ DIODE 600V 40A TO247; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:303W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:303W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT+ DIODE 600V 40A TO247; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:305W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:305W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT+ DIODE 600V 4A TO252; Courant de collecteur DC:4A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:75W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Dissipation de puissance, max..:75W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
IGBT+ DIODE 900V 30A TO247; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:428W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:900V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:428W; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR; DC Co; INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:179W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150 C; MSL:-
INTEGRATED POWER MODULE, 600V, 10A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:10A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):600V; Power Dissipation Pd:27W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:23
INTERFACES SPECIALTY / SPECIALIZED; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-20°C
INTERFACES SPECIALTY / SPECIALIZED; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-20°C
JET, N CH, 40V, 0.2A, SOT23; Tension, claquage Vbr:-40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:200µA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:1mA; Tension, Vgs off max..:-1.5V; Type de boîtier de transistor:TO-236; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:1mA; Courant, Idss min.:200µA; Dissipation de puissance Pd:350mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:200µA à
JET, N CH, 40V, 0.2A, SOT23; Tension, claquage Vbr:-40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:200µA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:1mA; Tension, Vgs off max..:-1.5V; Type de boîtier de transistor:TO-236; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:1mA; Courant, Idss min.:200µA; Dissipation de puissance Pd:350mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:200µA à
JFEET CANAL N, -30V, SOT-883-3; Tension, claquage Vbr:-30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:1.2mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:3mA; Tension, Vgs off max..:-1.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
JFEET CANAL N, -30V, SOT-883-3; Tension, claquage Vbr:-30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:1.2mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:3mA; Tension, Vgs off max..:-1.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
JFET CANAL-N 40V TO-92-3; Tension, claquage Vbr:-40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:4mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:20mA; Tension, Vgs off max..:-1.6V; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:625mW
JFET RF CANAL N 200MW SOT-23-3; Tension Vds max..:15V; Courant de drain Id:50mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:-; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1dB; Type de transistor:JFET RF
JFET, 30V, 0.3A, 0.225W, SOT-23-3; Trans; JFET, 30V, 0.3A, 0.225W, SOT-23-3; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:5mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:30mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-3V
JFET, CANAL N, 40V, SOT-883-3; Tension, claquage Vbr:40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:50µA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:130µA; Tension, Vgs off max..:4V; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
JFET, CANAL N, 40V, SOT-883-3; Tension, claquage Vbr:40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:50µA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:130µA; Tension, Vgs off max..:4V; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
JFET, N CH, 25V, 0.01A, SOT23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:1mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:5mA; Tension, Vgs off max..:-3V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:1mA à 5mA; Polarité transistor:Canal N; Température de
JFET, N CH, 25V, 0.01A, SOT23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:1mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:5mA; Tension, Vgs off max..:-3V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:1mA à 5mA; Polarité transistor:Canal N; Température de
JFET, N CHANNEL, -25V, SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:80mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:80mA; Tension, Vgs off max..:-10V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -25V, SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:80mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:80mA; Tension, Vgs off max..:-10V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -25V, SOT-23-3; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:1mA; Tension, Vgs off max..:-6V; Tension, claquage Vbr:-25V; Type de transistor:Applications générales
JFET, N CHANNEL, -25V, SOT-23-3; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:1mA; Tension, Vgs off max..:-6V; Tension, claquage Vbr:-25V; Type de transistor:Applications générales
JFET, N CHANNEL, -25V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:12mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:30mA; Tension, Vgs off max..:-4V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:FET RF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -25V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:2mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:9mA; Tension, Vgs off max..:-7V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:Commutation; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -25V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:2mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:9mA; Tension, Vgs off max..:-7V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:Commutation; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -25V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:4mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:10mA; Tension, Vgs off max..:-4V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET RF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW
JFET, N CHANNEL, -25V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:4mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:16mA; Tension, Vgs off max..:-8V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -25V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:8mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:20mA; Tension, Vgs off max..:-6V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:FET RF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW
JFET, N CHANNEL, -25V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:12mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:30mA; Tension, Vgs off max..:-4V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:FET RF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -25V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:4mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:10mA; Tension, Vgs off max..:-4V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET RF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW
JFET, N CHANNEL, -25V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:4mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:16mA; Tension, Vgs off max..:-8V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -25V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:8mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:20mA; Tension, Vgs off max..:-6V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:FET RF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW
JFET, N CHANNEL, -30V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:25mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:75mA; Tension, Vgs off max..:-5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -30V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:15mA; Tension, Vgs off max..:-6V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:FET RF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW
JFET, N CHANNEL, -30V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:30mA; Tension, Vgs off max..:-3V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -30V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:25mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:75mA; Tension, Vgs off max..:-5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -30V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:15mA; Tension, Vgs off max..:-6V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:FET RF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW
JFET, N CHANNEL, -30V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:30mA; Tension, Vgs off max..:-3V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -30V, TO-92-3; Tension, claquage Vbr:-30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:6mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:13mA; Tension, Vgs off max..:-8V; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de transistor:FET RF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -35V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-35V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:20mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:-10V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -35V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-35V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:2mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:-3V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -35V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-35V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:-5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -35V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-35V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:15mA; Tension, Vgs off max..:-6V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:FET RF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW
JFET, N CHANNEL, -35V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-35V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:20mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:-10V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -35V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-35V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:2mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:-3V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -35V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-35V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:-5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -35V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-35V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:15mA; Tension, Vgs off max..:-6V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:FET RF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW
JFET, N CHANNEL, -35V, TO-226AA-3; Tension, claquage Vbr:-35V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:20mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:-10V; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:625mW
JFET, N CHANNEL, -35V, TO-226AA-3; Tension, claquage Vbr:-35V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:-5V; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:625mW
JFET, N CHANNEL, -40V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:10mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:40mA; Tension, Vgs off max..:-2.7V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:Commutation; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, -40V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:10mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:40mA; Tension, Vgs off max..:-2.7V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:Commutation; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, 40V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:50mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:10V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:250mW
JFET, N CHANNEL, -40V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:900µA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:4.5mA; Tension, Vgs off max..:-4V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, N CHANNEL, 40V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:50mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:10V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:250mW
JFET, N CHANNEL, -40V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:900µA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:4.5mA; Tension, Vgs off max..:-4V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, P CHANNEL, 30V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-2mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-15mA; Tension, Vgs off max..:2V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW
JFET, P CHANNEL, 30V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-2mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-25mA; Tension, Vgs off max..:4V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW
JFET, P CHANNEL, 30V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-7mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-60mA; Tension, Vgs off max..:6V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW
JFET, P CHANNEL, 30V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-2mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-15mA; Tension, Vgs off max..:2V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW
JFET, P CHANNEL, 30V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-2mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-25mA; Tension, Vgs off max..:4V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW
JFET, P CHANNEL, 30V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-7mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-60mA; Tension, Vgs off max..:6V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW
JFET, P CHANNEL, 30V, TO-92-3; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-2mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-25mA; Tension, Vgs off max..:4V; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW
JFET, P CHANNEL, 40V, SOT-23-3; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-1mA; Tension, Vgs off max..:6V; Tension, claquage Vbr:40V; Type de transistor:Applications générales
JFET, P CHANNEL, 40V, SOT-23-3; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-9mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-2mA; Tension, Vgs off max..:7.5V; Tension, claquage Vbr:40V; Type de transistor:Applications générales
JFET, P CHANNEL, 40V, SOT-23-3; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-1mA; Tension, Vgs off max..:6V; Tension, claquage Vbr:40V; Type de transistor:Applications générales
JFET, P CHANNEL, 40V, SOT-23-3; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-9mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-2mA; Tension, Vgs off max..:7.5V; Tension, claquage Vbr:40V; Type de transistor:Applications générales
JFET, P CHANNEL, 40V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-4mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-16mA; Tension, Vgs off max..:9V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW
JFET, P CHANNEL, 40V, SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-4mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-16mA; Tension, Vgs off max..:9V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW
JFET/SIC DIODE CO-PACK, 1.2 kV, SOT-227;; JFET/SIC DIODE CO-PACK, 1.2 kV, SOT-227; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; Power Dissipation Pd:67W; Operating Temperature Max:-; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; No. of Pins:4
JFET; N CHANNEL JFET, -30V, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:50mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:150mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-10V
LDMOS RF 1000W HF-500MHZ 50V; Tension Vds max..:110V; Courant de drain Id:88A; Dissipation de puissance Pd:-; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:225MHz; Boîtier de transistor RF:SOT-539A; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:225°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de transistor:MOSFET RF
LDMOS, RF, 10W, HF-2.2GHZ, SOT538A; Tension Vds max..:65V; Courant de drain Id:-; Dissipation de puissance Pd:10W; Fréquence, fonctionnement min.:2.11GHz; Fréquence, fonctionnement max..:2.17GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-538; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:225°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gamme de fréquences d'utilisation:2.11GHz à 2.17GHz; Type de transistor:MOSFET
LNA, 0.5-18GHZ, E-PHEMT, VIXEN, LLP; Tension Vds max..:5V; Courant de drain Id:100mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Fréquence, fonctionnement min.:500MHz; Fréquence, fonctionnement max..:18GHz; Boîtier de transistor RF:SMD; Nombre de broches:-; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:0.81dB; Fréquence, max..:18GHz; Fréquence, min.:500MHz; Gain:9dB; Gamme de fréquence:500MHz à 18GHz; Type RF:Cellulaire, PCS, WCDMA, WiMax, WLAN; Type de boîtier CI
LNA, 0.5-26GHZ, E-PHEMT, VIXEN, LLP; Tension Vds max..:5V; Courant de drain Id:50mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Fréquence, fonctionnement min.:500MHz; Fréquence, fonctionnement max..:26.5GHz; Boîtier de transistor RF:0402 [Metric 1005]; Nombre de broches:-; Température de fonctionnement max..:-; MSL:MSL 2A - 4 semaines; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1dB; Fréquence, max..:26.5GHz; Fréquence, min.:0Hz; Gain:11dB; Gamme de fréquence:0Hz à 26.5GHz; Type RF:WiMax, WLAN, WLL; Type de
LNA, 0.5-26GHZ, E-PHEMT, VIXEN, LLP; Tension Vds max..:5V; Courant de drain Id:50mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Fréquence, fonctionnement min.:500MHz; Fréquence, fonctionnement max..:26.5GHz; Boîtier de transistor RF:0402 [Metric 1005]; Nombre de broches:-; Température de fonctionnement max..:-; MSL:MSL 2A - 4 semaines; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1dB; Fréquence, max..:26.5GHz; Fréquence, min.:0Hz; Gain:11dB; Gamme de fréquence:0Hz à 26.5GHz; Type RF:WiMax, WLAN, WLL; Type de
LOW DROP; Courant de collecteur DC:29A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.35V; Dissipation de puissance Pd:80W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:IGBT
LOW VT CODE BASED OF CSD16323Q3 MASK SET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):3.8mohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
LV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:-; MSL:MSL 1 - Illimité
LV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
LV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
LV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:58A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MODULE 1200V 50A SIC 6PACK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:87A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:337W; Température de fonctionnement max..:150°C; Nombre de broches:20; Température d'utilisation min:-40°C; Type de boîtier de transistor:Module
MODULE IGBT 1.2KV 135A; Courant de collecteur DC:135A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.2V; Dissipation de puissance Pd:560W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
MODULE IGBT 1.2KV 270A; Courant de collecteur DC:270A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.2V; Dissipation de puissance Pd:1.13kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N
MODULE IGBT 1200V 50A 4PACK; Polarité transistor:NPN; Courant de collecteur DC:66A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):4.15V; Dissipation de puissance Pd:330W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:EconoPACK; Nombre de broches:35; Température de fonctionnement max..:150°C
MODULE IGBT 1200V 75A 4PACK; Polarité transistor:NPN; Courant de collecteur DC:100A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.8V; Dissipation de puissance Pd:480W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:EconoPACK; Nombre de broches:35; Température de fonctionnement max..:150°C
MODULE IGBT 1200V 75A SOT-227; Polarité transistor:NPN; Courant de collecteur DC:131A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.3V; Dissipation de puissance Pd:658W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:SOT-227; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT 1200V 80A MTP; Polarité transistor:NPN; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):5.35V; Dissipation de puissance Pd:463W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:MTP; Nombre de broches:12; Température de fonctionnement max..:150°C; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT 1200V ECONOPACK3; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:72A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3V; Dissipation de puissance Pd:350W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:EconoPACK; Nombre de broches:17; Température de fonctionnement max..:125°C; Configuration module:Six; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Icm impulsionnel:100A; Dissipation de puissance, max..:350W; Nombre de transistors:6; Température de
MODULE IGBT 1200V ECONOPACK3; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:15A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.2V; Dissipation de puissance Pd:80W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:EconoPACK; Nombre de broches:17; Température de fonctionnement max..:125°C; Configuration module:Six; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance, max..:80W; Nombre de transistors:6; Température de
MODULE IGBT 1200V ECONOPACK3; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:35A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:EconoPACK; Nombre de broches:17; Température de fonctionnement max..:125°C; Configuration module:Six; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Courant, Icm impulsionnel:50A; Dissipation de puissance, max..:200W; Nombre de transistors:6; Température de
MODULE IGBT 1200V ECONOPIM; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:105A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.3V; Dissipation de puissance Pd:350W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:EconoPIM; Nombre de broches:24; Température de fonctionnement max..:125°C; Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:105A; Courant, Icm impulsionnel:150A; Courant, If moy.:75A; Courant, Ifs max.:500A; Dissipation de puissance,
MODULE IGBT 1200V ECONOPIM; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:55A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.3V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:EconoPIM; Nombre de broches:24; Température de fonctionnement max..:125°C; Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:55A; Courant, Icm impulsionnel:80A; Courant, If moy.:40A; Courant, Ifs max.:315A; Dissipation de puissance, max..:200W;
MODULE IGBT 6 PACK 1200V; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:1.05kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:SEMITOP 3; Nombre de broches:36; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Six; Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Ic max.. permanent b:32A; Courant, Ic moy.:40A; Courant, Icm impulsionnel:80A;
MODULE IGBT 600V 100A INT-A-PAK; Polarité transistor:NPN; Courant de collecteur DC:220A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.39V; Dissipation de puissance Pd:780W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:INT-A-PAK; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT 600V 100A SOT-227; Polarité transistor:NPN; Courant de collecteur DC:125A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:447W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:SOT-227; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT 600V 16A IMS-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:11A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:36W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:SIP; Nombre de broches:13; Température de fonctionnement max..:150°C; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT 600V 24A IMS-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:24A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:63W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:SIP; Nombre de broches:13; Température de fonctionnement max..:150°C; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MODULE IGBT 600V 60A EMIPAK2; Polarité transistor:NPN; Courant de collecteur DC:88A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.2V; Dissipation de puissance Pd:338W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:17; Température de fonctionnement max..:150°C
MODULE IGBT 600V 70A MTP; Polarité transistor:NPN; Courant de collecteur DC:100A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.8V; Dissipation de puissance Pd:347W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:MTP; Nombre de broches:12; Température de fonctionnement max..:150°C; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT 600V EMIPAK2; Polarité transistor:NPN; Courant de collecteur DC:88A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:338W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:17; Température de fonctionnement max..:150°C
MODULE IGBT 6-PACK IPM 30A 600V PT; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.7V; Dissipation de puissance Pd:85W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:15; Température de fonctionnement max..:100°C; Configuration module:Six; Courant Ic à Vce sat:30A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Icm impulsionnel:60A; Dissipation de puissance, max..:85W; Largeur
MODULE IGBT CANAL N 1.2KV 160A; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:160A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT CANAL N 1.2KV 232A; Polarité transistor:NPN; Courant de collecteur DC:232A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:-; Température de fonctionnement max..:125°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT CANAL N 1.7KV 660A; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:660A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.7kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT CHOPPER 1200V; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:105A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3V; Dissipation de puissance Pd:625W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:125°C; Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:75A; Dissipation de puissance, max..:625W; Température de fonctionnement:-40°C à +125°C; Température d'utilisation
MODULE IGBT CHOPPER 150A 1200V; Polarité transistor:NPN; Courant de collecteur DC:232A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:SEMITRANS 2; Nombre de broches:11; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT DOUBLE 1000A/1700V; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:1.4kA; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:6.25kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.7kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:12; Température de fonctionnement max..:150°C
MODULE IGBT DOUBLE 100A 1200V TRENCH; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:150A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.2V; Dissipation de puissance Pd:540W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:125°C; Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:100A; Courant, Ic max.. permanent a:150A; Courant, Icm impulsionnel:300A; Dissipation de puissance, max..:540W; Largeur
MODULE IGBT DOUBLE 100A 600V NPT; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:100A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:310W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:100A; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance, max..:310W;
MODULE IGBT DOUBLE 1200A/1200V; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:1.6kA; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.22V; Dissipation de puissance Pd:6.25kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement max..:150°C
MODULE IGBT DOUBLE 1200V; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:115A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.6V; Dissipation de puissance Pd:460W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:125°C; Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Icm impulsionnel:100A; Dissipation de puissance, max..:460W; Style de boîtier alternatif:M34a; Temps de
MODULE IGBT DOUBLE 150A 1200V TRENCH; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:200A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.3V; Dissipation de puissance Pd:735W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:150A; Courant, Ic max.. permanent a:200A; Courant, Icm impulsionnel:400A; Dissipation de puissance, max..:735W; Largeur
MODULE IGBT DOUBLE 150A 600V NPT; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:150A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.35V; Dissipation de puissance Pd:500W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:150A; Courant, Ic max.. permanent a:150A; Courant, Icm impulsionnel:300A; Dissipation de puissance, max..:500W; Largeur
MODULE IGBT DOUBLE 1700V 430A; Polarité transistor:Double NPN; Courant de collecteur DC:430A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.7kV; Type de boîtier de transistor:SEMITRANS 3; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT DOUBLE 200A 600V NPT; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:200A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.45V; Dissipation de puissance Pd:660W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:200A; Courant, Ic max.. permanent a:200A; Courant, Icm impulsionnel:400A; Dissipation de puissance, max..:660W; Largeur
MODULE IGBT DOUBLE 300A 600V NPT; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:300A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.45V; Dissipation de puissance Pd:1kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:300A; Courant, Ic max.. permanent a:300A; Courant, Icm impulsionnel:600A; Dissipation de puissance, max..:1kW; Largeur
MODULE IGBT DOUBLE 600A/1200V; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:800A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:3.35kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement max..:150°C
MODULE IGBT DOUBLE 600A/1200V; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:800A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.08V; Dissipation de puissance Pd:3.67kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement max..:150°C
MODULE IGBT DOUBLE 650A/1700V; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:900A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:4.15kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.7kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement max..:150°C
MODULE IGBT DOUBLE 800A/1200V; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:1.2kA; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.12V; Dissipation de puissance Pd:4.8kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement max..:150°C
MODULE IGBT DOUBLE 900A/1200V; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:1.2kA; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:5.1kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement max..:150°C
MODULE IGBT DOUBLE 900A/1200V; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:1.2kA; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:5.1kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement max..:150°C
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 100A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:100A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.3V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 114A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:114A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 115A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:115A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 159A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:159A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 160A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:160A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 200A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:200A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.3V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 223A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:223A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 231A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:231A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 232A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:232A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 311A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:311A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 313A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:313A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 313A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:313A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 400A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:400A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.3V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 420A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:420A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 422A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:422A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 422A; Polarité transistor:Double NPN; Courant de collecteur DC:422A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:-; Température de fonctionnement max..:125°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 612A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:612A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.2KV 616A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:616A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 1.7KV 80A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.7kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 600V 130A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:130A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.1V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 600V 195A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:195A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.45V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE CANAL N 600V 265A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:265A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.45V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MODULE IGBT DOUBLE NPN 1.55V 365A; Polarité transistor:Double NPN; Courant de collecteur DC:365A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:940W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT DOUBLE NPN 1.55V 485A; Polarité transistor:Double NPN; Courant de collecteur DC:485A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:1.25kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:650V; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT DOUBLE NPN 1.75V 240A; Polarité transistor:Double NPN; Courant de collecteur DC:240A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:1.1kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT DOUBLE NPN 1.75V 320A; Polarité transistor:Double NPN; Courant de collecteur DC:320A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:1.1kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT DOUBLE NPN 1.75V 450A; Polarité transistor:Double NPN; Courant de collecteur DC:450A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:1.6kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT DOUBLE NPN 1.75V 460A; Polarité transistor:Double NPN; Courant de collecteur DC:460A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:1.6kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT DOUBLE NPN 1.75V 520A; Polarité transistor:Double NPN; Courant de collecteur DC:520A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:2.4kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT DOUBLE NPN 1.75V 580A; Polarité transistor:Double NPN; Courant de collecteur DC:580A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:2.4kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT DOUBLE NPN 1.95V 150A; Polarité transistor:Double NPN; Courant de collecteur DC:250A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.95V; Dissipation de puissance Pd:1.1kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.7kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT DOUBLE NPN 1.95V 310A; Polarité transistor:Double NPN; Courant de collecteur DC:310A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.95V; Dissipation de puissance Pd:1.25kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.7kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT DOUBLE NPN 1.95V 440A; Polarité transistor:Double NPN; Courant de collecteur DC:440A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.95V; Dissipation de puissance Pd:1.8kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.7kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT HALFBRIDGE 50A 1200V; Polarité transistor:Double NPN; Courant de collecteur DC:81A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:SEMITRANS 2; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT NPN 1.85V 25A; Polarité transistor:NPN; Courant de collecteur DC:25A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:23; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT NPN 1.85V 50A; Polarité transistor:NPN; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:280W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:35; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-40°C
MODULE IGBT SIMPLE 1600A/1200V; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:1.6kA; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.11V; Dissipation de puissance Pd:9.61kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C
MODULE IGBT SIMPLE 1600A/1700V; Polarité transistor:Double canal N; Courant de collecteur DC:2.4kA; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.47V; Dissipation de puissance Pd:9.76kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.7kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C
MODULE IGBT SIMPLE 2400A/1200V; Polarité transistor:Canal N; Courant de collecteur DC:3.6kA; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.11V; Dissipation de puissance Pd:14.7kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:9; Température de fonctionnement max..:150°C
MODULE IGBT SIMPLE 800A/3300V; Polarité transistor:-; Courant de collecteur DC:800A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.15V; Dissipation de puissance Pd:9.6kW; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:3.3kV; Type de boîtier de transistor:Module; Nombre de broches:9; Température de fonctionnement max..:150°C
MODULE MOSFET PONT H 100V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.3V; Dissipation de puissance Pd:-; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boitier CI:A; Configuration module:Demi-pont; Courant de drain continu Id, Canal N:80A; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:120A; Diamètre, trous de fixation:2mm; Entraxe de fixation:38mm; Largeur
MODULE PUISSANCE S1200V 120A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:780W; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Nombre de broches:10; Température d'utilisation min:-40°C; Type de boîtier de transistor:Module
MODULE PUISSANCE S1200V 180A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:1.13kW; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Nombre de broches:10; Température d'utilisation min:-40°C; Type de boîtier de transistor:Module
MONOLITHIC TRANSISTOR, NPN DUAL 45V TO78; MONOLITHIC TRANSISTOR, NPN DUAL 45V TO78; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:1.8W; DC Collector Current:25mA; DC Current Gain hFE:610; No. of Pins:6; Operating Temperature Max:125 C
MOSFET & DIODE CANAL N 40V 3.6A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.6A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET & DIODE CANAL N 40V 3.6A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.6A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET & DIODE CANAL P 30V 2.3A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.135ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.3V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET & DIODE CANAL P 30V 2.3A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.135ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.3V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET & DIODE CANAL P 30V 3.6A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.051ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.3V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET & DIODE CANAL P 30V 3.6A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.051ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.3V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET 1.2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):1.95ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 1.2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):1.95ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 100V D2PAK 4MOHM @ 10V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET 100V D2PAK 4MOHM @ 10V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET 1200V 10A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):0.45ohm; Tension, mesure Rds:18V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:85W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 1200V 14A STO247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:18V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:108W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 1200V 160A S8VSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:18V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:165W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 1200V 80A S8VSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:18V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:179W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 1200V 80A S8VSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:18V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:179W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 2 CANAL N 20V 4.5A POWERPAK-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.035ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:7.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 2 CANAL P -30V -4.5A POWERPAK-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.052ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:7.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 30V 40A PPAK1212-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET 30V 40A PPAKSO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:27.7W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET 30V 50A PPAKSO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00165ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET 30V 60A PPAKSO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):830µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET 30V N72/P150MOHM SOT-26; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.072ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.14W; Type de boîtier de transistor:SOT-26; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V 100A Q101 D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00165ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:163W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V 100A Q101 D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:99W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V 100A Q101 D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.9V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V 100A Q101 I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00165ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:163W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V 120A Q101 D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:163W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V 120A Q101 TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:163W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V 195A Q101 D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00097ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.9V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V 195A Q101 D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V 195A Q101 TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V 195A Q101 TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.001ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.9V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V 195A Q101 TO-262; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:294W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V 240A Q101 D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:294W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V 240A Q101 D2-PAK-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:240A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V 240A Q101 D2-PAK-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:240A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0007ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:294W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V 240A Q101 D2-PAK-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:240A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.001ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.9V; Dissipation de puissance Pd:231W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V 50A PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 40V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 600; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 600V 8X8 PACKAGE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.117ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:202W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET 600V 8X8 PACKAGE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.117ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:202W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET 60V N72/P125MOHM TO-252-4; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.072ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:8.9W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 650; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:58A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET 650; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:84A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:450W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET 75V 75A PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0069ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 900; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):0.72ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 950; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17.5A; Tension Vds max..:950V; Résistance Rds(on):0.275ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET 950; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:950V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET AECQ101 CANAL N 100V 35A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET AECQ101 CANAL N 100V 35A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET AECQ101 CANAL N 100V 70A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0097ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET AECQ101 CANAL N 200V 88A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:88A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.0099ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET AECQ101 CANAL N 30V 70A TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET AECQ101 CANAL N 30V 70A TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET AECQ101 CANAL N 30V 90A TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET AECQ101 CANAL N 30V 90A TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET AECQ101 CANAL N 75V 30A TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0159ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET AECQ101 CANAL N 75V 30A TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0159ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET AECQ101 CANAL N 80V 1.1A DFN-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.345ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET AECQ101 CANAL N 80V 1.1A DFN-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.345ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET ARRAY, DUAL N CH, 20V, 860MA, 6-S; MOSFET ARRAY, DUAL N CH, 20V, 860MA, 6-SOT-363; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:860mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):290mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET ARRAY, DUAL N CHANNEL, 60V, 320MA; MOSFET ARRAY, DUAL N CHANNEL, 60V, 320MA, 6-SOT-363; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:320mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):900mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:6
MOSFET ARRAY, N & P CH, 300V, 340MA, 8-S; MOSFET ARRAY, N & P CH, 300V, 340MA, 8-SOIC; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:340mA; Drain Source Voltage Vds:300V; On Resistance Rds(on):6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET AUDIO CANAL N 160V 16A TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:160V; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET AUDIO CANAL N 200V 16A TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET AUDIO CANAL N 200V 16A TO-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET AUDIO CANAL NP 160V 8A TO-247; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:160V; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:-; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Courant de drain continu Id, Canal P:-8A; Courant, Id max..:8A; Tension
MOSFET AUDIO CANAL P 160V 16A TO-264; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-16A; Tension Vds max..:-160V; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-16A; Tension, Vgs max..:-20V
MOSFET AUDIO CANAL P 160V 16A TO-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-16A; Tension Vds max..:-160V; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-16A; Tension, Vgs max..:-20V
MOSFET AUDIO CANAL P 200V 16A TO-264; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-16A; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-16A; Tension, Vgs max..:-20V
MOSFET AUDIO CANAL P 200V 16A TO-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-16A; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-16A; Tension, Vgs max..:-20V
MOSFET AUDIO N 160V 8A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:160V; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8A; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET AUDIO N 200V 8A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8A; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET AUDIO P 160V 8A TO-247; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8A; Tension Vds max..:-160V; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-8A; Tension, Vgs max..:-20V
MOSFET BASSE TENSION; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET BASSE TENSION; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET BASSE TENSION; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-90A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET BASSE TENSION; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET BASSE TENSION; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET BASSE TENSION; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N & P 20V, 2.4A, MSOP-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.085ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N & P 20V, 2.4A, MSOP-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.085ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N & P 20V, 5.2A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:5.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N & P 20V, 5.2A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:5.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N & P 20V, 6.6A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N & P 20V, 6.6A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N & P 25V, 3.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.083ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N & P 25V, 3.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.083ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N & P 30V, 3.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N & P 30V, 3.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N & P 30V, 4A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N & P 30V, 4A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N & P 30V, 6.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N & P 30V, 6.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N & P 30V, 7.3A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N & P 30V, 7.3A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 1.2KV 90A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:463W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 1.2KV, 12A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):1.35ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:6.5V; Dissipation de puissance Pd:543W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 1.2KV, 20A, PLUS247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):0.57ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:6.5V; Dissipation de puissance Pd:780W; Type de boîtier de transistor:PLUS247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 1.5KV, 9A, TO-3PF-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:1.5kV; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:TO-3PF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 1000V 1.85A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.85A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):6.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 1000V 1.85A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.85A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):6.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 1000V 1.85A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.85A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):6.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 1000V 2.5A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):5.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 1000V 2.5A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):5.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 1000V 6.5A TO220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):1.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100A. 100V. PG-TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):3.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 100A. 100V. PG-TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:214W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 100A. 150V. PG-TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):6.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 100A. 150V. PG-TO262-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):6.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 100A. 150V. PG-TO263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):5.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 100A. 20V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):2.1mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:950mV; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V; Type de
MOSFET CANAL N 100A. 30V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 100A. 30V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 100A. 30V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 100A. 30V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):16.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:45A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 100A. 30V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:53A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0067ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:53A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 100A. 80V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):3.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 100A. 80V. PG-TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):3.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:214W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 100A. 80V. PG-TO262-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):2.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 100V 1.5A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):195mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 1.6A SOT-223; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de drain Id:1.6A; Dissipation de puissance Pd:1W; Nombre de broches:4; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):200mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds max..:100V; Tension de seuil Vgs:4V; Tension, mesure Rds:10V; Type de boîtier de transistor:SOT-223
MOSFET CANAL N 100V 1.6A SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 1.7A SOT-223 RL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):275mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 100V 1.7A SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):275mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 100V 1.7A SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):275mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 100V 100A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.00472ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 100A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0064ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:263W; Type de boîtier de transistor:SOT-404; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 100A PQFN56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0072ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 100V 100A PQFN56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0072ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 100V 100A SON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0053ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V 100A SON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0053ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V 100A SON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0078ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V 100A SON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0078ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V 100A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V 100A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0064ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:179W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V 100A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0087ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:188W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V 100A TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0137ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:118W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V 100A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 100V 100A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 100V 100A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V 100A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V 100A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0053ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V 100A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0053ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V 11.2A 8SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.2A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0081ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 120A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.00328ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 120A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:357W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 120A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.00445ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:357W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 120A H2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:315W; Type de boîtier de transistor:H2PAK-2; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 120A SOT226; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:338W; Type de boîtier de transistor:SOT-226; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 120A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0041ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:349W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 120A TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 120A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V 120A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V 120A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 100V 120A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 100V 120A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 100V 123A PQFN-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:123A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.6V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 150A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V 150A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V 150MA SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 100V 160A TO263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:160A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:214W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 16A MLP 3.3X3.3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0437ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.9V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 16A PUISSANCE56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.9V; Dissipation de puissance Pd:73W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 170MA SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10VDC; Tension de seuil Vgs:0.8V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 100V 180A H2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:315W; Type de boîtier de transistor:H2PAK-6; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 180A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V 180A TO263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 18A 8TSDSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:29W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 18A MLP 3.3X3.3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0189ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:41W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 100V 18A MLP 3.3X3.3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0189ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:41W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 100V 190A D2PAK-7P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:190A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:370W; Type de boîtier de transistor:TO-263CB; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 190A SOT-227; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:190A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0054ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.3V; Dissipation de puissance Pd:568W; Température de fonctionnement max..:150°C; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de boîtier de transistor:SOT-227
MOSFET CANAL N 100V 2.7A SSOT-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0854ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 2.7A SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.086ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 100V 20A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:55W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 100V 20A TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0291ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:33.8W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 21A PP SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:29.7W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 22A POWER 33-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:41W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 100V 23.4A TO220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:41.1W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 23A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:23A; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 100V 25A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:25A; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 100V 27.8A PP SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:27.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:35.7W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 3.3A SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL N 100V 3.3A SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL N 100V 3.5A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:6.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
MOSFET CANAL N 100V 3.8A TSOP-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.102ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 30A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0258ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 100V 30A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0258ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 100V 32.1A TO220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32.1A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:46.1W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 32A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0293ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:86W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 35.2A TO220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35.2A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0108ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:48.4W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 35A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0178ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:54W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 35A TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 36A TO252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:62W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 37A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:103W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 4.3A TO-251-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 4.3A TO-252-3, TRAN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 4.4A PUISSANCE33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:Power 33; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 40A 8TSDSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 40A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +175°C; Température d'utilisation min:-65°C
MOSFET CANAL N 100V 42A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:56A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 100V 43A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:43A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0155ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V 44.2A TO220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44.2A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.00815ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:52.6W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 49A PUISSANCE56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:49A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0064ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 50A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 50A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0085ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:127W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 50A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 100V 50A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 100V 50A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0126ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V 50A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0126ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V 55A TO-263AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:155W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 100V 56A TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):21mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:56A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 100V 57A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:57A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:148W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 57A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:57A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:228A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 58A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:58A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0107ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V 58A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:58A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0107ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V 59A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:59A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 100V 59A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:59A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 100V 59A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0105ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V 59A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0105ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V 61.8A TO220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:61.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 61A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:61A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0113ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 61A TO262; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:61A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0113ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 62A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:62A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0107ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 68A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:68A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0108ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 70A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0096ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 100V 70A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0096ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 100V 7A 8SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:30A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0073ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V 90A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0053ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V 90A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0053ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V 97A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:97A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0072ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V PPAK-1212; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0195ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V PPAK-1212; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V PPAK-SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V PPAK-SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V PPAK-SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.162ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:23W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 100V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0068ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.85V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0068ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.85V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V, 10A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.185ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:39W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 10A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.185ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:39W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 16A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.115ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 16A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.115ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 17A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.105ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 17A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.105ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 17A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 17A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 31A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 31A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 32A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 33A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 33A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 33A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 33A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 40A, WDSON-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0122ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:WDSON; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V, 40A, WDSON-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0122ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:WDSON; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V, 42A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 42A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 45A, TO-220FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:37.5W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 100V, 79A, TO-220FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:79A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:41W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 100V, 9.4A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.21ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 9.4A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.21ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, 90A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0057ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V, 90A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0057ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 100V, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:104A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:138W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:104A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:138W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:132A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:165W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:132A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:165W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0122ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:77W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0122ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:77W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 100V. 1.6A. SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.178ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 100V. 1.6A. SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.178ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 100V. 100A. TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):4.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 100V. 14.4A. SB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):51mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:DirectFET SB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 100V. 18A. POWERPAK8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):48mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:18A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 100V. 3.8A. SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:4.8W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:3.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL N 100V. 3.8A. SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:4.8W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:3.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL N 100V. 43A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:43A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:106W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:43A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 100V. 6.8A. SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):51mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:6.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL N 100V. 6.8A. SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):51mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:6.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL N 100V. 90A. TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):6.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:90A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 108V I2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:108V; Résistance Rds(on):0.0064ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:263W; Type de boîtier de transistor:TO-226; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 108V I2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:108V; Résistance Rds(on):0.0064ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:263W; Type de boîtier de transistor:TO-226; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 120A. 40V. PG-TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:120A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 120A. 40V. PG-TO263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:120A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 120A. 80V. PG-TO263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:120A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 120V 120A TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:120V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 120V 120A TO263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:120V; Résistance Rds(on):0.0032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 120V 180A TO263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:120V; Résistance Rds(on):0.0029ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 120V 35A PUISSANCE56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:120V; Résistance Rds(on):0.0096ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 120V 70A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:120V; Résistance Rds(on):0.0057ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:405W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 120V 75A TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:120V; Résistance Rds(on):0.0092ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 120V 98A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:98A; Tension Vds max..:120V; Résistance Rds(on):0.0066ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 120V 98A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:98A; Tension Vds max..:120V; Résistance Rds(on):0.0066ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 120V, 41A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:41A; Tension Vds max..:120V; Résistance Rds(on):0.0123ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:107W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 120V, 41A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:41A; Tension Vds max..:120V; Résistance Rds(on):0.0123ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:107W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 12V 100A POWERFLAT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.0022ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 12V 2.1A LGA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.1A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.14ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:LGA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 12V 2.1A LGA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.1A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.14ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:LGA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 12V 2.9A PICOSTAR-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.9A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:PICOSTAR; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 12V 2.9A PICOSTAR-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.9A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:PICOSTAR; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 12V 21.5A SOIC-8, TRANSI; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21.5A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.0042ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:4.45W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 12V 22A WSON-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:WSON; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 12V 3.2A DFN1010D-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:650mV; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 12V 3.2A DFN1010D-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:650mV; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 12V 3.9A WLCSP-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.057ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:WL-CSP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 12V 3.9A WLCSP-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.057ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:WL-CSP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 12V 34A SOIC-8, TRANSIST; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:34A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):2.1mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:5.7W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 12V 35A POWERPAK 1212-8,; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):3.1mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET CANAL N 12V 6.4A WLCSP-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.4A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:556mW; Type de boîtier de transistor:WL-CSP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 12V 6.4A WLCSP-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.4A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:556mW; Type de boîtier de transistor:WL-CSP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 12V MICROFOOT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.035ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:MICRO FOOT; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-50°C à +150°C; Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET CANAL N 12V, 0.03A, SOT-143-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30mA; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-143; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 12V, 0.03A, SOT-143-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30mA; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-143; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 13A. 100V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):62mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:26W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:13A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 1500V 2.5A TO3PF; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:1.5kV; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:TO-3PF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 1500V 4A TO3PF; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:1.5kV; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:TO-3PF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 1500V 8A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:1.5kV; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:320W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 150V 1.2A TSOP-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.2A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.31ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1.14W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 150V 117A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:117A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.00685ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:294W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 150V 130A TO-263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:130A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.0052ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 150V 130A TO-263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:130A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.0052ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 150V 14A TO-252AA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.101ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 150V 21A 8TDSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 150V 21A 8TDSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 150V 21A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.082ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 150V 21A TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 150V 21A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 150V 21A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 150V 27A PUISSANCE56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:27A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 150V 3.5A SOIC-8, TRANSI; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 150V 33A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 150V 33A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 150V 33A TO-262; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):56mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:130A; Différentiel de tension dv/dt:4.4V/ns; Energie avalanche répétitive max..:17mJ; Energie dissipée,
MOSFET CANAL N 150V 33A TO-3PN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.067ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 150V 35A PUISSANCE56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:49A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 150V 37A TO-263AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 150V 50A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 150V 50A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 150V 50A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.0184ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.9V; Dissipation de puissance Pd:132W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 150V 50A TO-3PN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 150V 7.5A 8SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.0173ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:30A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 150V 79A TO-263AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:79A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 150V 83A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:83A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:83A; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 150V 83A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:83A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.0091ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:214W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 150V 83A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:83A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.0091ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:214W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 150V PPAK-SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:53.7A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.0148ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 150V, 13A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.074ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 150V, 13A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.074ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 150V, 37A, TO-220FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.0091ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:40.5W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 150V, 45A, WDSON-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.0131ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:WDSON; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 150V, 45A, WDSON-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.0131ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:WDSON; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 150V. 15A. TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):77mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:62W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:15A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 17A. 30V. PG-DSO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:PG-DSO-8; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:17A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 180A. 40V. PG-TO263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:10V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:180A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 180A. 60V. PG-TO263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:180A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 180A. 80V. PG-TO263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:180A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 1KV, 18A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):0.66ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:6.5V; Dissipation de puissance Pd:830W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 200V 15.2A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15.2A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.077ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 200V 15.2A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15.2A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.077ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 200V 15.2A TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15.2A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.077ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 200V 15.2A TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15.2A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.077ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 200V 31A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.06ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:180W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:31A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 200V 34A TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:34A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 200V 34A TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:34A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 200V 34A TO263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:34A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 200V 36A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 200V 36A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 200V 4.5A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 200V 40A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 200V 62A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:62A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.0229ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:260W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 200V 7A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 200V 7A TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.194ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 200V 7A TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.194ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 200V 88A TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:88A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.0099ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 200V 88A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:88A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.0096ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 200V 88A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:88A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.0096ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 200V 960MA SOT-223-4, TR; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:960mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 200V 9A TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.4ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 200V, 11.3A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.3A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.108ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 200V, 11.3A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.3A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.108ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 200V, 18A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 200V, 18A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 200V, 50A, TO-247AC-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 200V, 5A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 200V, 5A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 200V, 7A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.194ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 200V, 7A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.194ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 200V, 88A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:88A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.0096ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 200V, 88A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:88A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.0096ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 20A. 30V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):12.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:26W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:20A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 20V 0.00155OHM 46A SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.00155ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:7.8W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 0.18A VML1006-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor:VML1006; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V 0.3A VMT3; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):700mohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:300mV; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:VMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Tension, Vgs max..:8V
MOSFET CANAL N 20V 1.2A SOT883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.27ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V 1.2A SOT883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.27ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V 1.3A SSOT3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 20V 1.3A SSOT3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 20V 1.7A SUPERSOT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.055ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 20V 1.8A SOT883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V 1.8A SOT883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V 19.8A SOIC-8, TRANSI; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:19.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.25W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 1A SOT883B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:750mV; Dissipation de puissance Pd:715mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 1A VML1006-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.34ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:VML1006; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V 2.3A SOT-23-3; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de drain Id:2.3A; Dissipation de puissance Pd:500mW; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):0.041ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:20V; Tension de seuil Vgs:550mV; Tension, mesure Rds:2.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23
MOSFET CANAL N 20V 2.3A SOT-23-3; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de drain Id:2.3A; Dissipation de puissance Pd:500mW; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):0.041ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:20V; Tension de seuil Vgs:550mV; Tension, mesure Rds:2.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23
MOSFET CANAL N 20V 2.6A SOT-23-3, TRANS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:710mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 2.6A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:710mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 27A SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:27A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:27A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 20V 28A PQFN 5X6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 3.2A DFN1010D-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:650mV; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V 3.2A DFN1010D-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:650mV; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V 3.7A SC-59; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:2.5V; Tension de seuil Vgs:550mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 3.8A SC-59; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:950mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 3.9A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 3.9A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 300MA SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.75ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 20V 5.4A CHIPFET-8, TRAN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:ChipFET; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 5.8A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 20V 6.2A SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 6.8A TO236AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:650mV; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V 6.8A TO236AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:650mV; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V 600MA SOT-416-3, TRA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.41ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 60A POWERPAK SO-8, T; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.00125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 6A DIODE SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):26500µohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:450mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:8V; Type
MOSFET CANAL N 20V 6A DIODE SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):26500µohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:450mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:8V; Type
MOSFET CANAL N 20V 6-TSOP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0225ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 7.5A TSOP6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:2.5V; Tension de seuil Vgs:550mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 750MA SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:750mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 20V 7A MFET1.6X1.6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 80A 8PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 915MA SC-75-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:915mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.127ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:760mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-75; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V 915MA SC-89-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:915mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.127ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:760mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 20V DFN2020; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-1220; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V MICROFOOT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:13W; Type de boîtier de transistor:MICRO FOOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V SC70-6L; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0125ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:19.2W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V SMINI3-G1-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 20V SSOT3 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 20V WSMINI6-F1-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:WSMini6-F1-B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET CANAL N 20V, 0.6A, SOT-883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.47ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V, 0.6A, SOT-883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.47ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V, 0.6A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.47ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V, 0.6A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.47ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V, 1.2A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.27ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V, 1.2A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.27ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V, 1.5A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.17ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V, 1.5A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.17ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V, 1A, SOT-883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:750mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V, 1A, SOT-883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:750mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V, 5.2A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V, 5.2A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V, 5.4A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:650mV; Dissipation de puissance Pd:490mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 20V, 80A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:950mV; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 20V, 80A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:950mV; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 20V. 35A. POWERPAK8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:36W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:35A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 20V. 35A. POWERPAK8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:5.2W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:35A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 240V 0.35A SOT-223-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 240V 110MA SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):7.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 24V 280A POWERSO; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:280A; Tension Vds max..:24V; Résistance Rds(on):0.0008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:PowerSO; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:280A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 250V 1.24A POWERPAK 1212; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.24A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.36ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 250V 16A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):220mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 250V 25A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 250V 25A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 250V 25A TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.051ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 250V 25A TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.0363ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.9V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 250V 25A TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.051ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 250V 25A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.051ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 250V 25A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.051ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 250V 3.8A TO-252-3, TRAN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 250V 33A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.077ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:235W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 250V 44A TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 250V 64A TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:64A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.0175ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 250V 64A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:64A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.0175ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 250V 64A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:64A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.0175ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 250V 90A ISOPLUS247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:960W; Type de boîtier de transistor:PLUS247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:90A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 250V 90A TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:960W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:90A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 250V, 10.9A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.9A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.146ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 250V, 10.9A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.9A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.146ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 250V, TO-251-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 25V 100A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.00075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.41V; Dissipation de puissance Pd:137W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 25V 100A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.00075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.41V; Dissipation de puissance Pd:137W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 25V 100A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.00105ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.45V; Dissipation de puissance Pd:179W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 25V 100A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.00105ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.45V; Dissipation de puissance Pd:179W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 25V 100A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.00099ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 25V 100A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 25V 49A PUISSANCE56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:49A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.00095ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 25V 49A PUISSANCE56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:49A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:46W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 25V 5.7A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 25V 5.7A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 25V 55A LFPAK33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.00755ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 25V 5A SON-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:10V;
MOSFET CANAL N 25V 5A SON-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:10V;
MOSFET CANAL N 25V 60A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0034ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 25V 70A LFPAK33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.00245ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.74V; Dissipation de puissance Pd:88W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 25V 70A LFPAK33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.00635ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.81V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 25V MICROFOOT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.5A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.9W; Type de boîtier de transistor:MICRO FOOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 25V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.00075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 25V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.00075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 25V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 25V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 25V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 25V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 25V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 25V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 25V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 25V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 25V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:37W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 25V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:37W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 25V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:26W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 25V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:26W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 25V, 75A, WDSON-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:WDSON; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 25V, 75A, WDSON-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:WDSON; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 25V. 100A. 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET CANAL N 25V. 100A. 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET CANAL N 25V. 60A. 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):4.4mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:25V;
MOSFET CANAL N 25V. 97A. 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:97A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:97A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET CANAL N 25V. 97A. 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:97A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:97A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET CANAL N 26V, SC-89-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:915mA; Tension Vds max..:26V; Résistance Rds(on):0.127ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:760mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 26V, SC-89-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:915mA; Tension Vds max..:26V; Résistance Rds(on):0.127ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:760mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 300V 150A TO-264AA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:1.3kW; Type de boîtier de transistor:TO-264AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 300V 210A TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:210A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):0.0145ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:1.89kW; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 300V 94A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:94A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:1.04kW; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 300V, 70A, TO-247AC-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):0.0255ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:517W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30A. 30V. PG-TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0113ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:30A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 30V 0.0032OHM 30.5A SOI; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:6.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 0.0058OHM 40A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 0.0063A SSOT-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 0.0063A SSOT-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 0.0082OHM 9A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0082ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.47W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 0.0132OHM 9A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0132ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 30V 0.0132OHM 9A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0132ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 0.0132OHM 9A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0132ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 0.01OHM 10A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 0.0215OHM 7A TSOP-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0215ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 0.18A SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-0.8A; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 0.18A SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:180mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-0.8A; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 0.18A SOT416; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:285mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-0.8A; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 0.2A SOT666; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 0.2A SOT666; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 0.2A SOT666; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-0.8A; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 0.53A SOT883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:530mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 0.53A SOT883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:530mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 0.56A SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:560mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 0.59A SOT883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:590mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.55ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:310mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 0.59A SOT883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:590mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.55ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:310mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 0.5A SOT-346; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:500mA; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 0.5A SOT-346; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:500mA; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 0.9A SOT883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.39ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 0.9A SOT883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.39ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 1.4A SC-70-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-50°C à +150°C; Température d'utilisation min:-50°C; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 30V 1.4A SOT883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.21ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 1.4A SOT883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.21ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 1.4A SUPERSOT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.092ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 30V 1.5A LGA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.185ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:LGA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 1.5A LGA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.185ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:LGA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 1.7A SUPERSOT-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 30V 1.9A SUPERSOT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.053ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 30V 100A 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 30V 100A 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.3mohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:10V
MOSFET CANAL N 30V 100A 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.9mohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:10V
MOSFET CANAL N 30V 100A 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):950µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 100A 8TDSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 100A 8TDSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 100A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00155ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:270W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 100A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00158ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 100A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00179ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:211W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 100A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00279ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:114W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 100A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:103W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 100A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00085ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.41V; Dissipation de puissance Pd:137W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 100A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00085ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.41V; Dissipation de puissance Pd:137W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 100A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00105ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.46V; Dissipation de puissance Pd:215W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 100A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00105ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.46V; Dissipation de puissance Pd:215W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 100A POWER 56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 30V 100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V 100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V 100A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.007ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:180W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 100A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 10A 8SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 10A HSMT-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0077ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:HSMT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 11.3A POWERPAK 1212-; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.006ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET CANAL N 30V 11.6A 8SOIC BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL N 30V 110A TO-263-3, TRANS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 12.7A SO-8FL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:91A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0037ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.63V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET CANAL N 30V 120A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.001ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:357W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 120A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):890µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:SOT-404; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 12A HSMT-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0066ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:HSMT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 12A PUISSANCEPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 14A SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0063ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 14A SOIC-8, TRANSIST; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0037ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 15A MLP 3.3X3.3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:18W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 15A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0049ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 30V 15A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0049ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 15A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0049ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 15A SON; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0119ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:950mV; Dissipation de puissance Pd:6W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 16A HSMT-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:HSMT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 16A MLP 3.3X3.3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0124ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:18W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 16A POWERPAK8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0105ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:27.7W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET CANAL N 30V 17.1A SO8 FL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:147A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0022ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:69.44W; Type de boîtier de transistor:SO-8 FL; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 17A 8DSO; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Type de boîtier de transistor:P-DSO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 17A I2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.168ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 17A POWERFLAT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 17A SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 30V 18.2A SOIC-8, TRANSI; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0078ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:5.2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 18A MLP 3.3X3.3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 18A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 19.3A SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 30V 19.3A SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 30V 191A DFN5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:26A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 2.2A SUPERSOT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.054ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 30V 2.3A SOT-23-3; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de drain Id:2.3A; Dissipation de puissance Pd:500mW; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):0.044ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:30V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Tension, mesure Rds:10V; Type de boîtier de transistor:SOT-23
MOSFET CANAL N 30V 2.3A SOT-23-3; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de drain Id:2.3A; Dissipation de puissance Pd:500mW; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):0.044ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:30V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Tension, mesure Rds:10V; Type de boîtier de transistor:SOT-23
MOSFET CANAL N 30V 2.7A SUPERSOT-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 20A HSOP-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:HSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 20A MLP 3.3X3.3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0085ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 20A MLP 3.3X3.3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0085ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 20A POWER33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:Power 33; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 30V 20A PUISSANCE33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0043ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:41W; Type de boîtier de transistor:Power 33; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 20A PUISSANCEPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0074ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:29.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 20A TO-252-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 21A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 23A 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 24A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0048ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:15.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 30V 27A DIRECTFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:27A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:DirectFET MX; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET CANAL N 30V 28A DIRECTFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:DirectFET MX; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET CANAL N 30V 3.1A LGA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.084ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:LGA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 3.1A LGA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.084ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:LGA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 3.2A DFN1010D-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 3.2A DFN1010D-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.049ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 3.2A DFN1010D-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 3.2A DFN1010D-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.049ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 3.3A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.046ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 30V 3.3A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.046ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 30V 3.5A TSMT-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 3.6A DIODE SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.049ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFET CANAL N 30V 3.6A DIODE SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.049ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFET CANAL N 30V 3.6A SOT-23-3, TRANS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.055ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 30A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.01917ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:41W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 30A SOIC-8, TRANSIST; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 32A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 32A I2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 32A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 35A POWERPAK8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0048ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:19A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 30V 39A LFPAK33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:39A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0135ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.66V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 4.9A CHIPFET-8, TRAN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.029ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:20V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:ChipFET; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 4.9A DIODE SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.035ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL N 30V 4.9A DIODE SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.035ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL N 30V 40A POWERPAK SO-8, T; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 40A POWERPAK8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:24.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 30V 40A SOIC-8, TRANSIST; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0029ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:54W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 40A TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 42A PUISSANCE56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 42A PUISSANCE56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 44A IPAK TRIMMED; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0082ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.45V; Dissipation de puissance Pd:35.7W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 44A SO-8 FL-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0056ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:21.6W; Type de boîtier de transistor:SO-8 FL; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 48A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:48A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.007ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 5.2A DIODE SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL N 30V 5.2A DIODE SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL N 30V 5.2A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 5.7A TO236AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:650mV; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 5.7A TO236AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:650mV; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 5.8A SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 30V 5.8A SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 30V 5.9A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.31W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 30V 50A LFPAK33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0085ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.64V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 50A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0054ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 56A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0059ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 57A SO-8 FL-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:57A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.7mohm; Tension, mesure Rds:11.5V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:41.7W; Type de boîtier de transistor:SO-8 FL; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 57A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:57A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 30V 57A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:57A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 30V 5A 6SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 5A SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 30V 5A SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 5A SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 6.1A SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0207ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 6.3A 6-SSOT RL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 30V 6.3A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 30V 6.3A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 30V 6.3A TSOP6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFET CANAL N 30V 6.3A TSOP6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFET CANAL N 30V 60A 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):5.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 60A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0042ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 60A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:2.6W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 65A SON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:65A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:65A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 30V 67A LFPAK33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:67A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00605ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 6-SC-89; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:480mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:220mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 7.2A SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
MOSFET CANAL N 30V 7.3A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N + Schottky; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 7.8A WDFN-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0203ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:550mV; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:WDFN; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 30V 70A LFPAK33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00245ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.78V; Dissipation de puissance Pd:91W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 70A SO-8 FL-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.63V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:SO-8 FL; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 75A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 7A HSMT-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:HSMT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 8.2A 6TSOP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 80A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 80A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V 80A TO-263AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:187W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
MOSFET CANAL N 30V 87A 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:87A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6.4mohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:87A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:10V
MOSFET CANAL N 30V 9.9A 8SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 90A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 30V 90A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 30V 93A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:93A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.63V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 30V 93A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:93A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.63V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 93A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:93A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.63V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 30V 93A TO-263AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:93A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V 9A MICROFET2X2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V DFN2020; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:SOT-1220; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V LFPAK33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:57A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0063ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:SOT-1210; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V LFPAK33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:91W; Type de boîtier de transistor:SOT-1210; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V LFPAK33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:91W; Type de boîtier de transistor:SOT-1210; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V LFPAK33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:SOT-1210; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V LFPAK33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:SOT-1210; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V LFPAK56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:91W; Type de boîtier de transistor:PowerSO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V LFPAK56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:91W; Type de boîtier de transistor:PowerSO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V LFPAK56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:106W; Type de boîtier de transistor:PowerSO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V LFPAK56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:106W; Type de boîtier de transistor:PowerSO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V LFPAK56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:51A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0061ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:PowerSO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V LFPAK56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:51A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0061ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:PowerSO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V PPAK-1212; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00205ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V PPAK-SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00425ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:31.2W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V PPAK-SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00205ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V PPAK-SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 30V SMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SMini3-F2-B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET CANAL N 30V SSSMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor:SOT-723; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET CANAL N 30V, 0.9A, SOT-883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.37ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:770mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 0.9A, SOT-883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.37ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:770mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 0.9A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:590mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.55ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:310mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 0.9A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.37ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:770mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 0.9A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.39ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 0.9A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:590mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.55ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:310mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 0.9A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.37ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:770mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 0.9A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.39ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 1.4A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.21ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 1.4A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.21ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 10A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0092ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 10A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0092ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 13A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 13A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 13A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 13A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 161A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:161A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 161A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:161A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 18A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 18A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 20A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.32V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:155°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 20A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.32V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:155°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 30A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0073ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 30A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0073ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 30A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0112ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 30A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0112ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 30A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0113ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 30A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0113ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 4.4A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:650mV; Dissipation de puissance Pd:490mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 4.4A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:650mV; Dissipation de puissance Pd:490mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 4.6A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 4.6A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 40A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 40A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:37W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:37W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0054ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:26W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0054ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:26W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 44A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0083ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 44A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0083ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 5.1A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 5.6A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 5.6A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 53A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:53A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0067ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 53A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:53A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0067ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 63A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:63A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 63A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:63A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 7.6A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, 78A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:78A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:37W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, 78A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:78A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:37W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 30V, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:23.6W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:23.6W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:52A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0046ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:25.5W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:52A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0046ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:25.5W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:69A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:30.5W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:69A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:30.5W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:78A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:78A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 30V. 10.9A. SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:10.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 30V. 12A. POWERPAK8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:15.6W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 30V. 14A. SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):11.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:14A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL N 30V. 14A. SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):11.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:14A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL N 30V. 18A. S08; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 30V. 19.3A. SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:19.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL N 30V. 19.3A. SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:19.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL N 30V. 50A. POWERPAK8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 30V. 60A. POLARPAK10; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:PolarPAK; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:60A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 31A. 40V. PG-TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):13.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:31A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 35A. 30V. PG-TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:35A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de puissance
MOSFET CANAL N 39A. 30V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:39A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:39A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 39A. 30V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:39A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:39A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 400V 1.8A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 400V 10A TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:147W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 400V 10A TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 400V 15A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):0.24ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 400V 23A TO-3PN-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:235W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 400V 25A TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):0.14ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:278W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 400V 25A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):0.14ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:278W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 400V 26A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:26A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:265W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 400V 3.1A TO-252-3, TRAN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 400V 4.5A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):0.83ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 400V 6A TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):0.85ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 400V 6A TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):0.85ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40A. 100V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0195ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 40A. 30V. PG-TO251-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 40A. 30V. PG-TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 40A. 30V. PG-TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 40A. 40V. PG-TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):8.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 40A. 40V. PG-TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):8.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 40A. 80V. PG-TSDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):10.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:66W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 40A. 90V. PG-TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:167W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:90A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 40V 100A 3-TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:93W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 100A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:263W; Type de boîtier de transistor:SOT-404; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 100A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00247ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:211W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 100A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00379ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:148W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 100A LFPAK56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.46V; Dissipation de puissance Pd:288W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 40V 100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 40V 100A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:234W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 100A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 40V 100A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 40V 100A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 40V 10A HSMT-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:HSMT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 40V 120A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00117ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:357W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 120A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:357W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 120A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00116ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 120A SOT226; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:338W; Type de boîtier de transistor:SOT-226; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 120A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00195ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:293W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 120A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:338W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 12A POWERPAK SC70-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:19W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 15.2A D-PAK RL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:44W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 40V 15.2A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:44W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 40V 15.2A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:44W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 40V 150A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:293W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 15A POWERFLAT; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 160A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:160A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):2.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:180A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 40V 160A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:160A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):2.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:180A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 40V 180A H2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:H2PAK-6; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 18A MLP 3.3X3.3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0197ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:24W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 18A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 195A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:270A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 40V 195A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1800µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 195A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:270A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 40V 19A SOIC-8, TRANSIST; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0074ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:6W; Type de boîtier de transistor:NSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 20A PUISSANCE33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:41W; Type de boîtier de transistor:Power 33; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 240A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:240A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1.27mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 27A LFPAK56D; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:27A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.02125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:32W; Type de boîtier de transistor:SOT-1205; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 28A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):19mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 35A POWERPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0063ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:17.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 40V 375A DIRECTFET L8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):700µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:DirectFET L8; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:375A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET CANAL N 40V 3A SOT23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 40V 3A SOT23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 40V 40A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:55W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 40V 40A LFPAK56D; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:64W; Type de boîtier de transistor:SOT-1205; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 40A PUISSANCEPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00415ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:39W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 42A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:119A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 40V 42A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:119A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 40V 47A PUISSANCEPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0074ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:36W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 50A POWERPAK SO-8, T; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 50A POWERPAK SO-8, T; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):2.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 50A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0072ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:46W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 40V 50A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0072ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:46W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 40V 50A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0053ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:77W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 40V 58A PUISSANCEPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:58A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0062ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:46W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 60A POWERPAK SO-8, T; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 69A TO-252-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:69A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0057ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 75A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:182W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 75A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:120A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 40V 75A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:120A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 40V 77A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:77A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0062ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:86W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 80A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3100µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V 80A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0054ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 40V, 100A, PQFN-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00095ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.9V; Dissipation de puissance Pd:-; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 40V, 100A, PQFN-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00095ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.9V; Dissipation de puissance Pd:-; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 40V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00085ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 40V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00085ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 40V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 40V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 40V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 40V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 40V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0029ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 40V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0029ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 40V, 100A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 40V, 100A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 40V, 180A, TO-263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 40V, 180A, TO-263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 40V, 180A, TO-263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:188W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 40V, 180A, TO-263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:188W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 40V, 18A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.25V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 40V, 18A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.25V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 40V, 195A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00097ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.9V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 40V, 195A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:294W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 40V, 240A, TO-263CB-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:240A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 40V, 240A, TO-263CB-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:240A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 40V, 240A, TO-263CB-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:240A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0007ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:245W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 40V, 56A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:98W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 40V. 100A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:131W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 40V. 100A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:131W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 40V. 100A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:106W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 40V. 100A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:106W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 40V. 100A. TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:148W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 40V. 110A. TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:312W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:110A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 40V. 70A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):6.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:70A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 40V. 70A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):6.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:70A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 40V. 77A. TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:77A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):6.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:86W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:77A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 450V 0.5A 8SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):3.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 450V 0.6A SOT 223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):3.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 450V 1.8A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):3.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:27W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 450V 600MA TO 92; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):3.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 45A. 80V. PG-TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):11.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:45A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 45A. 80V. PG-TO263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):11.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:45A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 45V 1.7A 0R25 SOT-223-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:45V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:7W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 49A. 40V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:49A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):7.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:49A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 500V 12A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 12A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 12A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 12A TO-220FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.48ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.9V; Dissipation de puissance Pd:39W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 132A TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:132A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:1.89kW; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 14A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 14A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 14A TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 14A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 15A SC-65; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):330mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:210W; Type de boîtier de transistor:SC-65; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:15A; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 500V 15A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:15A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 500V 15A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:15A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 500V 17A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.162ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 17A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.162ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 18A SC-67; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):230mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:SC-67; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 500V 18A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):225mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:223W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:18A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 500V 18A TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:39W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 2.4A TO-252-3, TRAN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 20A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.22ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 20A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:380W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 20A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:280W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 20A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:278W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 21A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.135ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 21A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.135ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 21A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.135ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 21A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.135ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 22A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.185ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:312W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 3.5A D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.6A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.85ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 3.5A D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:119W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 30A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:400W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:30A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 500V 30A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:390W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 30A TO-3P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:400W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:30A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 500V 36A SUPER-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.105ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:446W; Type de boîtier de transistor:TO-274AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 3A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):2.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 3A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):2.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 4.4A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.22ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 40A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:540W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 500V 40A TO-3P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:540W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 500V 5.3A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.3A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 5.3A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.3A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 5.3A TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.3A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 5.3A TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.3A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 53A SOT-277B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:53A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:735W; Type de boîtier de transistor:SOT-227; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 500V 53A TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:960W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 500V 5A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.73ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 5A TO 220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.73ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 5A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.73ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 60A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:1.04kW; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 7.0A TO220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.53ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 7.2A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.2A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.72ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 7A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.53ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 7A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.53ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 8.7A TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.7A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 8.7A TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.7A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V 98A TO-264AA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:98A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:1.3kW; Type de boîtier de transistor:TO-264AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 9A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 9A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 500V 9A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.65ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:135W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 500V. 20A. TO247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):225mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:292W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:20A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 50A. 150V. PG-TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 50A. 150V. PG-TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 50A. 150V. PG-TO262-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 50A. 30V. PG-TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:10V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 50A. 30V. PG-TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 50A. 60V. PG-TO263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 50V 0.2A SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):5.6ohm; Tension, mesure Rds:2.75V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 50V 200MA SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 50V 220MA SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):0.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 50V 27A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:27A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:89W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 525V 10A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:525V; Résistance Rds(on):0.41ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 525V 10A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:525V; Résistance Rds(on):0.41ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 525V 2.5A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:525V; Résistance Rds(on):2.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 525V 4.4A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:525V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 525V 4.4A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:525V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 525V 4.4A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:525V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 525V 5.0A TO220FP; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de drain Id:5A; Dissipation de puissance Pd:25W; Nombre de broches:3; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):1ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:525V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Tension, mesure Rds:10V; Type de boîtier de transistor:TO-220FP
MOSFET CANAL N 525V 5A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:525V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 525V 6.2A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:525V; Résistance Rds(on):0.72ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 525V 6A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:525V; Résistance Rds(on):0.95ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 525V 6A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:525V; Résistance Rds(on):0.95ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 52V 9A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:12V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:1.74W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 53A. 30V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:53A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:53A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 550V 13A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 550V 13A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 550V 17A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.162ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 550V 17A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 550V 23A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:192W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 550V 23A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:192W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 550V, 12A, TO-220FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.27ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 550V, 13A, TO-220FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.22ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 550V, 13A, TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.22ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:114W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 550V, 17A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 550V, 23A, TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:192W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 55A. 80V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):10.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:66W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:55A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 55V 1.9A SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.9A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 55V 228A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:228A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 55V 25A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 55V 2A SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.14ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 55V 2A SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 55V 3.1A SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 55V 30A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0106ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 55V 30A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0106ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 55V 30A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0159ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 55V 30A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0159ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 55V 44A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):27mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:107W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:160A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 55V 59A D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0111ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 55V 75A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 55V 80A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 55V 94A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):5.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:94A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 55V 94A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):5.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:94A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 55V 94A TO-262; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):5.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:94A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 55V, 1.9A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.9A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 1.9A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.9A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 110A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 110A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 17A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 55V, 17A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 55V, 17A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 17A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 17A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 17A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 2.8A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 2.8A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 28A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 28A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 29A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0286ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 55V, 29A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0286ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 55V, 3.1A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 3.1A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 3.8A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 3.8A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 30A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0113ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 55V, 30A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0113ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 55V, 42A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 42A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 42A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 42A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 47A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 55V, 47A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 560V 16A TO220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 560V, 11.6A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.6A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):0.34ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 560V, 11.6A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.6A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):0.34ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 560V, 16A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 560V, 16A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 600V 0.021A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):280ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 600V 0.021A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):280ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 600V 10.6A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.6A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.342ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 10.6A TO-220FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.6A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.342ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 10.6A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.6A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.342ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 10A POWERFLAT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 10A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.37ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 10A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.37ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 110A TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.056ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:1.89kW; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 11A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 11A I2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 12A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:147W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 600V 12A TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 600V 12A TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 600V 12A TO220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 600V 12A TO-3PN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):360mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:144W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 600V 13.8A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13.8A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.252ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 13.8A TO-220FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13.8A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.252ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:32W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 13.8A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13.8A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.252ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 13A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.26ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 13A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.26ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 13A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.26ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 14A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.27ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 15A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:180W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 600V 15A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:180W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 600V 15A TO220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 600V 16A POWERFLAT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 16A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 16A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 16A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:134.4W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 600V 17A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.168ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 17A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.17ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 17A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.168ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 17A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.17ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 17A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.17ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 17A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.17ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 17A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.275ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:277.8W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 19.5A POWERFLAT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 19.5A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 19.5A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 19A POWERFLAT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 2.4A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):3.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 2.4A TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:22.3W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 20.2A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.171ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:151W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 20.2A TO-220FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.171ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 20.2A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.171ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:151W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 20A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.135ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 20A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.135ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 20A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.26ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:214W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
MOSFET CANAL N 600V 20A TO-220AB-3; MSL:-; Courant de drain Id:20A; Dissipation de puissance Pd:150W; Nombre de broches:3; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):0.161ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:600V; Tension de seuil Vgs:3V; Tension, mesure Rds:10V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB
MOSFET CANAL N 600V 20A TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.161ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:53W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 20A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.161ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 20A TO-3P-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.161ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 21A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 21A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 21A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 21A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 21MA SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):280ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 22A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.39ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:500W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 23A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.132ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 25A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.108ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:216W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:75A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 28A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.26ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:695W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 29A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.097ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 29A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.092ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:210W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 29A TO 220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.097ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:210W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 29A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.092ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:210W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 29A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.097ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 3.7A SC-67; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:SC-67; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.7A; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 600V 30A TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.106ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 30A TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.106ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 30A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.106ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:220W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 30A TO-3P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):240mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:540W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:30A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 600V 30A TO-3P-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.106ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:220W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 33A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.083ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:278W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 600V 35A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:255W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 35A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.079ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:312.5W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:105A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 37.9A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37.9A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:278W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 37.9A TO220-FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37.9A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 39A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:39A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.2V; Dissipation de puissance Pd:255W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 4.7A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.84ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 42A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.185ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:830W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 47A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:417W; Type de boîtier de transistor:TO-247AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:141A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 47A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.059ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:390W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 47A TO-3P-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.059ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:390W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 50A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:1.04W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 51A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:51A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:350W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 5A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.84ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 5A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.9ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 5A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 5A TO 220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.84ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 6.5A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.63ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 6.5A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.63ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 6.5A TO220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.63ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 68A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:68A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:545W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 6A POWERFLAT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.26ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 7.3A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 600V 7A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 600V 7A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 600V 7A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 600V 7A TO220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 600V 8.1A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.1A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.47ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:29W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 80A TO-264AA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.077ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:1.3kW; Type de boîtier de transistor:TO-264AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 600V 8A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.53ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 8A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.57ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 8A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.53ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 8A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.57ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 8A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.53ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V 9.3OHM 1A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):9.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 600V, 9A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 0.045OHM 4A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:4A; Courant, Id max..:4A; Courant, Idm
MOSFET CANAL N 60V 0.26A SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:260mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:560mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 0.26A SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:260mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:560mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 0.29A SOT416; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:290mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:260mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 0.29A SOT416; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:290mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:260mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 0.2A SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 0.2A TO-92 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET CANAL N 60V 0.31A SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:310mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:275mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 0.31A SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:310mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:275mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 0.31A SOT416; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:310mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 0.31A SOT416; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:310mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 0.32A SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:320mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.9ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 0.32A SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:320mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.9ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 0.33A SC-75A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:330mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SC-75A; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 0.33A SC-75A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:330mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SC-75A; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 0.35A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:440mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:350mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V 0.35A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:440mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:350mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V 0.35A SOT883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 0.35A SOT883-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 0.35A SOT883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 0.35A SOT883B-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 0.36A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:360mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.9ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:360mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V 0.36A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:360mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.9ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:360mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V 0.36A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:360mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 60V 0.36A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:360mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:360mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V 0.36A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:360mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:360mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V 0.385A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:385mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):780mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 0.385A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:385mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):780mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 0.3A DIODE SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:190mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:300mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 60V 0.3A DIODE SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:190mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:300mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 60V 0.3A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V 0.3A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V 0.3A SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:310mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V 0.3A SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:310mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V 0.45A SOT883; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:450mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 0.45A SOT883; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:450mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 0.475A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:475mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.78ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 0.475A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:475mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.78ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 0.5A SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:800mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage
MOSFET CANAL N 60V 0.99A TO-205AD; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:990mA; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):1.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:725mW; Type de boîtier de transistor:TO-205AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 1.2A DFN2020MD-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12.9A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-1220; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 100A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 100A PQFN56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V 100A PQFN56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V 100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V 100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V 100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V 100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V 100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V 100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V 100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 60V 100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 60V 100A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 100A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:167W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V 100A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:167W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V 100A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0057ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 100A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0057ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 100A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 100A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 10A TO-220AB-3, TRAN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 110A TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 110A TO-263-3, TRANS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00325ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.4V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 110A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 115MA SOT-523F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.6ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.76V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-523F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-25°C
MOSFET CANAL N 60V 115MA TO-263AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 60V 11A TO-251AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):107mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 120A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00166ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 120A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 120A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:214W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V 12A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 12A SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0088ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 60V 12A TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 12A TO-252-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.089ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 130A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:130A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:293W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 130A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:130A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00317ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:263W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 14A TO-252-3, TRANSI; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 15.7A TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 150A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:349W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 150A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00197ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:326W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 15A PUISSANCEPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.006ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 16A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 60V 16A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.06ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 16A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):47mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 172A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:172A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00275ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 173A TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:173A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00275ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 173A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:173A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00275ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 180A TO-263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V 180A TO-263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V 180A TO-263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 60V 180A TO-263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL N 60V 195A TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00165ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 195A TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:294W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 195A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00165ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:341W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 195A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00165ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 195A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:294W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 2.2A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.107ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 2.3A SOT-23-3, TRANS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.66W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 2.3A SOT23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.09W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V 2.3A SOT23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.09W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V 2.7A SOT-223-4, TRAN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 2.7A SOT-223-4, TRAN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 20A 8TSDSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 20A 8TSDSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.006ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 20A 8TSDSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 20A 8TSDSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 210A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 240A TO-263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:240A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00115ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 240A TO-263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:240A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:290W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 240MA SOT-323-3, TRA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:240mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:280mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 270A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:380W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 293A D2PAK-7P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:240A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1500µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263CB; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 2A SOT-89; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):165mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Tension, Vgs max..:12V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 2A SOT-89; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):165mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Tension, Vgs max..:12V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 2A SOT-89; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 2A SOT-89; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 3.5A 8-SOIC RL; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):74mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 60V 300A D2PAK-7P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:240A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:380W; Type de boîtier de transistor:TO-263CB; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 300MA SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 60V 304MA SOT-363-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:304mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:266mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 30A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 310MA SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:310mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.86ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 60V 310MA SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:310mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.86ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 310MA SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:310mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.86ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 32.1A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32.1A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:7.8W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 37A WDFN-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0101ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:WDFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 380MA SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:380mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.19ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 60V 380MA SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:380mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.19ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 380MA SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:380mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.19ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 385MA SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:385mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):780mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 60V 3A SOT-1220-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.072ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-1220; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 3A SOT-1220-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.072ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-1220; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 3A SOT-223-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.088ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 60V 3A SOT-223-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.092ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.68V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 60V 4.1A TSOP-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.1A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.082ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 60V 40A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):4.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 40A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):4.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V 40A POWERPAK 1212-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.007ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 450MA SOT883B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:450mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:715mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 5.6A POWERPAK-1212-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 5.6A POWERPAK-1212-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 50A 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0078ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 50A 8TDSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0054ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 50A 8TDSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0078ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 50A 8TDSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 50A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0126ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:86W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 50A D-PAK RL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0094ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:135W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N 60V 50A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0063ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V 50A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0063ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V 50A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0101ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 50A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0101ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 50A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 50A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V 55A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:95W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 55A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:114W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 56A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0103ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 58A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:58A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00944ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 58A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:58A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0096ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 6.1A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.1A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0265ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 60A PUISSANCEPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 75A TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.006ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:99W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 80A PUISSANCE56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 80A TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0046ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:242W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 9.6A POWERPAK SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 90A WDSON-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:WDSON; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V 90A WDSON-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:WDSON; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V 92A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:92A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0059ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:149W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V 95A TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:95A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0049ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 60V SMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SMini3-F2-B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET CANAL N 60V SMINI6-F3-B; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET CANAL N 60V SSSMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor:SOT-723; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET CANAL N 60V, 0.27A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:270mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:310mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V, 0.27A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:270mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:310mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V, 100A, PQFN-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:-; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V, 100A, PQFN-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:-; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 60V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 60V, 100A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:167W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V, 100A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:167W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V, 100A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 60V, 100A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 60V, 12A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0088ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V, 12A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0088ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N 60V, 180A, TO-263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 60V, 180A, TO-263-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 60V, 195A, TO-247AC-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V, 45A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0045ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V, 45A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0045ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V, 45A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0049ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 60V, 45A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0049ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 60V, 50A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0071ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V, 50A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0071ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V, 56A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0066ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:99W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V, 56A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0066ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:99W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V, 7A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V, 7A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V, 84A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:84A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:41W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 60V, 90A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:167W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V, 90A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:167W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V, 90A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0037ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V, 90A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0037ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 60V, 90A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V, 90A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.7V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 60V, 90A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:167W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 60V, 90A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:167W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 60V. 100A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V. 100A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V. 2.7A. SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.078ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V. 2.7A. SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.078ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V. 59A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:89W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:59A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V. 59A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:89W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:59A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V. 76A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:76A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:106W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:76A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 60V. 76A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:76A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:106W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:76A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 620V 15A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15.5A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 2.2A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 2.2A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 2.5A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):2.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 2.5A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):2.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 2.5A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):2.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 2.7A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 2.7A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 2.7A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 3.8A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):1.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 3.8A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):1.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 3.8A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):1.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 3.8A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):1.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 4.2A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.2A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):1.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 620V 4.2A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.2A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):1.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 620V 4.2A TO 220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.2A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):1.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 620V 4.2A TO220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.2A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):1.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 620V 5.5A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):0.95ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 5.5A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):0.95ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 5.5A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):0.95ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 5.5A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):0.95ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 620V 6A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):0.78ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 620V 8.4A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.4A; Tension Vds max..:620V; Résistance Rds(on):0.68ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 63A. 100V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:63A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):12.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.85V; Dissipation de puissance Pd:114W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:63A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 650V 1.8A TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 10.6A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.6A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.34ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 10A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 11A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.34ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 11A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.199ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 650V 12A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 12A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 12A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 12A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 12A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 12A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 13.8A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13.8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:32W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 13A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.168ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:72W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 650V 13A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.168ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:72W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 650V 15A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 17A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 17A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 17A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.168ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 17A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 17A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.168ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 18A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:101W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 650V 21A TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 22A I2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 22A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 22A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 24.3A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24.3A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.14ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:240W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 650V 24A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.095ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 24A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 650V 24A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.095ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 24A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.084ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:128W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 650V 24A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.404ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:72W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 650V 25A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 27A I2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:27A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.085ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 3.2A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):1.26ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 33A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 33A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 33A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 33A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 35A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.067ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:210W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 37.9A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37.9A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:278W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 650V 37.9A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37.9A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:278W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 650V 4.5A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.85ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 650V 46A TO 3PF; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.049ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-3PF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 46A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 650V 5.7A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.68ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 650V 5.7A TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.68ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 650V 69A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:69A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:400W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 7.3A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 650V 7.3A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 650V 73A TO247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:73A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:520W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 650V 75A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:446W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 650V 7A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.56ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 7A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.56ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 7A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.56ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 7A TO220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.56ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 8.5A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.39ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 8.5A I2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.39ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 8.5A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.39ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 8.5A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.39ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 8A TO-220FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.168ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET CANAL N 650V 93A MAX247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:96A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:625W; Type de boîtier de transistor:MAX-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V 9A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.43ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V HV POWERFLAT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.27ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 29A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:18V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:165W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 46A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 650V, 46A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 650V, 4A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 4A, TO-220FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 4A, TO-251-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 4A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 4A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 4A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 4A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 5A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.79ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 5A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.98ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 5A, TO-220FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.79ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 5A, TO-251-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.79ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 5A, TO-251-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.98ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 5A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.79ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 5A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.79ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 5A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.98ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 5A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.98ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 7A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:85W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 7A, TO-250FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 7A, TO-251-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:85W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 7A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:85W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 7A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:85W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 650V, 7A, TO-281-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-281; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 67A. 100V. PG-TO262-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:67A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):9.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:67A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 700V 17.5A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17.5A; Tension Vds max..:700V; Résistance Rds(on):0.171ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 700V 17.5A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17.5A; Tension Vds max..:700V; Résistance Rds(on):0.445ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 700V 17.5A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17.5A; Tension Vds max..:700V; Résistance Rds(on):0.171ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:-; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 700V 17.5A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17.5A; Tension Vds max..:700V; Résistance Rds(on):0.171ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:-; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 700V 31.2A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31.2A; Tension Vds max..:700V; Résistance Rds(on):0.099ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:277.8W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 700V 31.2A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31.2A; Tension Vds max..:700V; Résistance Rds(on):0.099ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:-; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 700V 31.2A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31.2A; Tension Vds max..:700V; Résistance Rds(on):0.099ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:-; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 700V 43.3A TO247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:43.3A; Tension Vds max..:700V; Résistance Rds(on):0.072ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:391W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 700V 68.5A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:68.5A; Tension Vds max..:700V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:500W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 700V 7.3A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:700V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 700V 7.5A I2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:700V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 70A. 30V. PG-TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:70A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 70A. 30V. PG-TO263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:70A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 71A. 100V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:71A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.85V; Dissipation de puissance Pd:114W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:71A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 73A. 40V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:73A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:73A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 75V 100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0037ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 75V 100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0037ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 75V 120A TO 220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 75V 120A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 75V 120A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 75V 120A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 75V 170A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 75V 180A H2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:H2PAK-2; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 75V 180A H2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:H2PAK-2; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 75V 181A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:181A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 75V 56A D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7.34mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 75V 60A SC-67; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):6.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:SC-67; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 75V 80A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7340µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 75V 80A TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 75V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0029ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 75V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0029ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 75V, 183A, TO-220AB-3; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 75V, 195A, TO-220AB-3; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 75V, 195A, TO-263AB-3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 75V, 197A, TO-263CB-7; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 75V, 197A, TO-263CB-7; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 75V, 59A, TO-220AB-3; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 75V, 76A, TO-220AB-3; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 75V, 76A, TO-263AB-3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 75V, 76A, TO-263AB-3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 75V, 80A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 75V, 80A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 75V, 85A, TO-263AB-3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 75V, 87A, TO-220AB-3; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 75V. 70A. DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):20.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:114W; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:45A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 800V 17A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 800V 17A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
MOSFET CANAL N 800V 17A TO 220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 800V 17A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
MOSFET CANAL N 800V 4A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 800V 6.5A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.95ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80A. 30V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 80A. 30V. PG-TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 80A. 30V. PG-TO263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 80A. 40V. PG-TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 80V 1.9A SOT-1220-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.9A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.175ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-1220; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 80V 100A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V 100A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.00436ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:270W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V 100A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0059ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:210W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V 100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:114W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 80V 100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:114W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 80V 100A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:217W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 80V 100A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0076ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:188W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 80V 100A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 80V 100A VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 80V 120A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V 120A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V 120A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:357W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V 120A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0037ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V 120A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:338W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V 150A TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 80V 2.8A SOT-1220-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-1220; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 80V 2.8A SOT-1220-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-1220; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 80V 20A PUISSANCE33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0191ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:41W; Type de boîtier de transistor:Power 33; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V 23A 8TDSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0275ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:32W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V 23A 8TSDSON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:32W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V 4.6A TSOP-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.077ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V 40A TO-252-3, TRANSI; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V 74A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:74A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:148W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V 76A POWER 56-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:76A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V 80A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 80V 80A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 80V 90A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V 90A WDSON-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0037ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:WDSON; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 80V 90A WDSON-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0037ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:WDSON; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 80V PPAK-1212; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V PPAK-SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12.5A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):13.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V PPAK-SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0051ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:69.4W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 80V, 100A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:214W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 80V, 30A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0225ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 80V, 30A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0225ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N 80V, 80A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0046ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 80V, 80A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0046ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL N 80V. 100A. TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):3.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 80V. 100A. TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):3.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:270W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 80V. 22A. TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):37mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:22A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N 80V. 34A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:34A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:34A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 80V. 34A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:34A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:34A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 80V. 82A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:82A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):5.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:82A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 80V. 82A. SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:82A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):5.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:82A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N 81A. 40V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:81A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:81A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 850V 54.9A TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:54.9A; Tension Vds max..:850V; Résistance Rds(on):0.077ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:500W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N 8V 12A SC70-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:8V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:5V
MOSFET CANAL N 8V MICROFOOT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:8V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:350mV; Dissipation de puissance Pd:13W; Type de boîtier de transistor:MICRO FOOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 8V SC70-6L; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:8V; Résistance Rds(on):0.0078ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:350mV; Dissipation de puissance Pd:19W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 900V 12A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):900mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:380W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 900V 24A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):0.42ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:660W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:24A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 900V 5.4A TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.4A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:158W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 900V 52A PLUS264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:52A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25kW; Type de boîtier de transistor:PLUS264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:52A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N 900V 8A TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.12ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 900V 9.2A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.2A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):0.82ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 90A. 30V. PG-TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:90A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 90A. 30V. PG-TO263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:188W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:90A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 90A. 40V. PG-TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:90A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 90A. 60V. PG-TO220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:188W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:90A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de transistor:MOSFET de
MOSFET CANAL N 90A. 80V. PG-TO252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):4.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:90A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 93A. 30V. PG-TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:93A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:PG-TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:93A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N 950V 10A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:950V; Résistance Rds(on):0.68ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 950V 10A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:950V; Résistance Rds(on):0.68ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 950V 10A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:950V; Résistance Rds(on):0.69ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 950V 22A TO 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:950V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:400W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 950V 4A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:950V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 950V 4A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:950V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 950V 4A TO 220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:950V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N 950V 7.2A TO 220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.2A; Tension Vds max..:950V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N AEC-Q101 100V 70A TO263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0094ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N AEC-Q101 100V 70A TO263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0094ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N AEC-Q101 40V 150A DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N AEC-Q101 40V 150A DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N AEC-Q101 40V 2.1A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.1A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.095ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:460mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N AEC-Q101 40V 2.1A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.1A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.095ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:460mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N AEC-Q101 40V 378A DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:378A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00057ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N AEC-Q101 40V 378A DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:378A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00057ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N AEC-Q101 55V 80A TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0041ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N AEC-Q101 55V 80A TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0041ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N AEC-Q101 60V 71A DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:71A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0051ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:61W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N AEC-Q101 60V 71A DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:71A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0051ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:61W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N AEC-Q101 60V 71A DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:71A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0051ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:61W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N AEC-Q101 60V 71A DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:71A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0051ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:61W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N AEC-Q101 75V 80A TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0063ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N AEC-Q101 75V 80A TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0063ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N AUDIO 150V 35A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):32mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:144W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:35A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIO 500V 18A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.225ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:223W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 100V 40A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 100V 60A PPAK8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0059ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 100V 8.7A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 150V 5.1A SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.1A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 20V 26A PQFN33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:26A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):2mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V; Type de
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 20V 26A PQFN33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:26A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):2mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V; Type de
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 20V 50A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 10.8A SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-10.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-20V;
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 10.8A SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-10.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-20V;
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 15A SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 20A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:16V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 21A PQFN33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 50A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 84A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:84A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0053ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:88W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 8A TSOP-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:4W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 30V 8A TSOP-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:4W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 40V 20.7A SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20.7A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:7.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 40V 50A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 40V 50A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0068ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.8V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 55V 17A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:16V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 55V 20A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:27A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 55V 30A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:-; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:5V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 55V 42A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:16V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 55V 42A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:16V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 12A SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:6.8W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 12A SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:6.8W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 15A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 16A SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:7.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 23A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:37W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:60V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 25A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:62W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 50A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0064ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 50A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0064ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N AVEC DIODE 60V 50A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0071ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N CMS SO-8 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.5A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
MOSFET CANAL N CMS SOT-223 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
MOSFET CANAL N CMS SOT-223 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:670mV; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET CANAL N CMS SOT23 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET CANAL N CMS SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):220mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:900mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET CANAL N CMS SUPERSOT-6 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET CANAL N CMS TO-252 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET CANAL N DI 60V 5.6A POPAK1212; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 100V 30A PPAK12128; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:3.7W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 100V 32A PPAK8L; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 100V 40A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 100V 40A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 100V 40A TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:107W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 100V 47A TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 100V 60A PPAKSO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):7.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:5.4W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:17.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 100V 75A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:88A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 150V 25A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:107W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 150V 26A SO-8 PPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:26A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:5.2W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET CANAL N DIODE 150V 40A TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:166W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 150V 5A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N DIODE 150V 5A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N DIODE 200V 4A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.85A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N DIODE 200V 4A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.85A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N DIODE 20V 26A PQFN33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:26A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):2mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:26A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N DIODE 20V 35A PPAK1212-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:25A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 24V 195A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:24V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 250V 3.8A SO8 PPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.129ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:5.2W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET CANAL N DIODE 30V 12A PPAK1212-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:9.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:25V
MOSFET CANAL N DIODE 30V 12A SC70 PPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:11A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 30V 20A PPAK1212-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:3.4W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:10.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V
MOSFET CANAL N DIODE 30V 21A PQFN33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.8mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:21A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N DIODE 30V 21A PQFN33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 30V 35A PPAK1212-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4600µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.7W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:19A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 30V 40A PPAKSO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:28A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 30V 40A PPAKSO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2600µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:29.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 30V 42A TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3200µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N DIODE 30V 50A TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4200µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 30V 60A PPAKSO8L; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1800µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:35.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 30V 85A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:85A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:78.1W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 30V 9A SC75 PPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC75; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:5.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:8V
MOSFET CANAL N DIODE 40V 40A PPAKSO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):5400µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:20.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 40V 90A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 500V 12A TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.46ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N DIODE 500V 14A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N DIODE 500V 16A TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.31ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:16A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N DIODE 500V 16A TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.31ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:16A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N DIODE 500V 16A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.317ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:16A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL N DIODE 55V 110A TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:157W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 55V 140A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:140A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 55V 160A DPAK-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:240A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 600V 47A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.057ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:417W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:47A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 60V 24A POPAK8L; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 60V 75A TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:84A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0068ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N DIODE 60V 8.5A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N DIODE 60V 8.5A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N DIODE 60V 8A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N DIODE 60V 8A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N DIODE 60V 9.5A 12128PPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):17500µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET CANAL N DOUBL 60V 0.23A SOT-363-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.6ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.76V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N DOUBL 60V 0.23A SOT-363-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.6ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.76V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL N DOUBLE 20V 6.6A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N DOUBLE 20V 6.6A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N DOUBLE 30V 6.5A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N DOUBLE 30V 6.5A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N DOUBLE 30V 9.7A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:9.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N DOUBLE 30V 9.7A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:9.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N DOUBLE 30V SSMINI6-F3-B; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:125mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET CANAL N DOUBLE 50V 3A SOIC-3; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N DOUBLE 50V 3A SOIC-3; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N DOUBLE 55V 4.7A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.7A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N DOUBLE 55V 4.7A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.7A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N DOUBLE 60V 15A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N DOUBLE 60V 15A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N DOUBLE 60V 15A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N DOUBLE 60V 15A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N DOUBLE 60V SSMINI6-FE-B; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:125mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET CANAL N DPAK 100V 225MOHM; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:16.7W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N D-PAK BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:100A; Marquage, CMS:FDD5690; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température de
MOSFET CANAL N D-S 20V 7.9A TSOP6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N D-S 20V 7.9A TSOP6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N DUAL 30V PP 5X6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0059ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:PowerPAIR; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N DUAL 30V PP 6X5; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:PowerPAIR; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N ET P 20V 1.2A SC-70-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:1.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.132ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N SC DI 30V 60A SO8 PPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3100µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:27A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL N SC DIO 30V 35.6A SO8PPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0105ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET CANAL N SCH DIODE 40V 42A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):8230µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:77A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL N SCH DIODE 55V 150A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):3700µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:150A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL N SO-8 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS5670; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C
MOSFET CANAL N SO-8 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):12.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 25°C:11A; Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS6690A; Nombre de transistors:1;
MOSFET CANAL N SO-8 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12.5A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS6680A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
MOSFET CANAL N SO-8 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 25°C:8A; Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:50A; Courant, Idm impuls. canal N 1:50A; Marquage,
MOSFET CANAL N SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:280mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:280mA; Courant, Idm impul.:1.5A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
MOSFET CANAL N SUPERSOT-6 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.3A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDC561; Polarité, directionnelle:N; Température de
MOSFET CANAL N TO-247AC 1000V 4.3A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.3A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:4.3A; Courant, Idm impul.:17A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.83°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température,
MOSFET CANAL N TO-247AC 1000V 6.1A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:180W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:6.1A; Courant, Idm impul.:24A; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Température de
MOSFET CANAL N, 100V, 300A, HSOF-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:HSOF; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N, 100V, 300A, HSOF-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:HSOF; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N, 150V, 115A, HSOF-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:HSOF; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N, 150V, 115A, HSOF-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:HSOF; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N, 60V, 300A, HSOF-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00066ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:HSOF; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N, 60V, 300A, HSOF-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00066ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:HSOF; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL N/P 20V 0.7A SOT-363-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.325ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:340mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N/P 20V 0.7A SOT-363-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.325ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:340mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL N/P 20V 2.7A SUPERSOT; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.069ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N/P 20V 3.7A MICROFET; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N/P 20V 700MA SC-70; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N/P 20V 700MA SC-70-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N/P 20V DFN2020; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:5.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:650mV; Dissipation de puissance Pd:1.17W; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N/P 25V 220MA SC-70; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):2.6ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL N/P 30V 6.9A SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL N/P 30V SSMINI6-F3-B; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:125mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET CANAL N/P 60V 510MA SUPERSOT; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:510mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL NN 100V 3.5A 8SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL NN 20V 3.8A MFET1.6X1.6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.055ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL NN 20V MICROFET 2X2; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL NN 20V MICROFET 2X2; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL NN 30V 0.74A SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:740mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.37ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double N; Courant de drain continu Id, Canal N:740mA; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET CANAL NN 30V 0.74A SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:740mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.37ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double N; Courant de drain continu Id, Canal N:740mA; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET CANAL NN 30V 13A/22A PUISSANCE56; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0152ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL NN 30V 18A/13A PUISSANCE33; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:Power 33; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL NN 30V 40A POWERFLAT; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL NN 30V 8SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0155ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL NN 30V. 8A. SO8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Courant, Id max..:8A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.022ohm; Température de
MOSFET CANAL NN 30V. 8A. SO8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Courant, Id max..:8A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.022ohm; Température de
MOSFET CANAL NN 40V 1.7A 8SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:45V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:-; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Marquage composant:VNS1NV04DP-E; Tension, Vds typ.:40V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:5V
MOSFET CANAL NN 40V 9/5.7A 8SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0095ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double N; Courant de drain continu Id, Canal N:9A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET CANAL NN 40V 9/5.7A 8SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0095ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double N; Courant de drain continu Id, Canal N:9A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET CANAL NN 50V 3A SO8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double N; Courant de drain continu Id, Canal N:3A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.13ohm;
MOSFET CANAL NN 55V 5.1A SO8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.1A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double N; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL NN 60V 0.3A SOT363; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:295mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double N; Courant de drain continu Id, Canal N:300mA; Résistance On Rds(on), Canal N:1.3ohm;
MOSFET CANAL NN 60V 0.3A SOT363; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:295mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double N; Courant de drain continu Id, Canal N:300mA; Résistance On Rds(on), Canal N:1.3ohm;
MOSFET CANAL NN 80V 8SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.7A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL NN ASYMMETRIC 30V 56; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL NN AVEC DIODE 30V 7A SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:7A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.027ohm; Température de fonctionnement:-55°C à
MOSFET CANAL NN AVEC DIODE 30V 7A SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:7A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.027ohm; Température de fonctionnement:-55°C à
MOSFET CANAL NN AVEC DIODE 40V 8A SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:4.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.016ohm; Température de fonctionnement:-55°C à
MOSFET CANAL NN AVEC DIODE 40V 8A SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:4.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.016ohm; Température de fonctionnement:-55°C à
MOSFET CANAL NN BOBINE; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):450mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:500mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET CANAL NN DIODE 30V 8A POPAK8L; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.02ohm; Température de fonctionnement:-55°C
MOSFET CANAL NN DIODE 40V 8A POPAK8L; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.016ohm; Température de
MOSFET CANAL NN D-S 40V PPAKSO8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0048ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:60A; Courant, Id max..:18.5A; Résistance On
MOSFET CANAL NP 20V. SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:7.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):11.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:9.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:16V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL NP 20V. SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:7.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):11.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:9.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:16V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL NP 30V 6.5/4.9A SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.029ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:6.5A; Courant de drain continu Id, Canal P:-4.9A;
MOSFET CANAL NP 30V 6.5/4.9A SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.029ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:6.5A; Courant de drain continu Id, Canal P:-4.9A;
MOSFET CANAL NP 30V. SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):38mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.78W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL NP 30V. SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):38mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.78W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL NP 40V. SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.8A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):29.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:6.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL NP 40V. SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.8A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):29.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:6.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL NP 55V 4.7A 3.4A SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.7A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:4.7A; Courant de drain continu Id, Canal P:-3.4A;
MOSFET CANAL NP HALF BR DIODE 20V SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:9.1A; Courant de drain continu Id, Canal
MOSFET CANAL P 100V 1.1A SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.1A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -100V -1.5A TSMT-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.5A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -100V -13.2A POWERPAK 12; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13.2A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.119ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET CANAL P 100V 15A TO252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-15A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.14ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:128W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 100V 15A TO252-3; Tension Vds max..:-100V; Courant de drain Id:-15A; Dissipation de puissance Pd:128W; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:-; Boîtier de transistor RF:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Polarité transistor:Canal P; Résistance Rds(on):0.16ohm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension de seuil
MOSFET CANAL P -100V -1A SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):820mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P 100V 28A PUISSANCEPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-28A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.033ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -100V -3.1A TO-252-3, TR; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.1A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -100V -3.6A TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.82ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -100V -38A TO-252-3, TRA; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-38A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET CANAL P 100V 4.2A TO252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.2A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.55ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -100V -5.6A TO-252-3, TR; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.6A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.6ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 100V 6.5A TO-39; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6.5A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.345ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 100V 6.6A D-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6.6A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 100V 680MA SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-680mA; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 100V PPAK-SC75; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.153ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:13W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC75; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -12V 0.016OHM -6.8A TSS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6.8A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:-1.8V; Tension de seuil Vgs:450mV; Dissipation de puissance Pd:1.05W; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -12V -12A POWERPAKSC70-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-12A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:19W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -12V -2.3A LGA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-950mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:LGA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -12V -2.3A LGA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-950mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:LGA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -12V -2.7A SOT-363-6, TR; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.7A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:-1.8V; Tension de seuil Vgs:-450mV; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -12V -3.2A DFN1010D-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.2A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.059ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-680mV; Dissipation de puissance Pd:317mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -12V -3.2A DFN1010D-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.2A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.059ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-680mV; Dissipation de puissance Pd:317mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -12V -3.5A LGA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.5A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.066ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:LGA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -12V -3.5A LGA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.5A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.066ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:LGA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -12V -3A TSMT-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -12V -4A SOT-363-6, TRAN; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.072ohm; Tension, mesure Rds:-1.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -12V -5.3A MICRO FOOT-4,; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.031ohm; Tension, mesure Rds:-1.8V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.47W; Type de boîtier de transistor:MICRO FOOT; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -12V -7.1A TO-236-3, TRA; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.1A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.0285ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -12V -8.2A TSSOP-8, TRAN; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.2A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.0068ohm; Tension, mesure Rds:-1.8V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:1.05W; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 12V DFN2020; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-11.8A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-680mV; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-1220; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 12V MICROFOOT; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-16A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:13W; Type de boîtier de transistor:MICRO FOOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 12V PPAK-SC70; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:19W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 12V SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -12V, -11.8A, SOT-1220-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-11.8A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-680mV; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-1220; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -12V, -11.8A, SOT-1220-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-11.8A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-680mV; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-1220; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P 12V. 7.1A. SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.1A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):28.5mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-7.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:8V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL P 12V. 7.1A. SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.1A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):28.5mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-7.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:8V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL P 150V 0.69A TO-236; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-530mA; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):1.3ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4.5V; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 150V 13A DPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):295mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-13A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P 150V 3A PUISSANCEPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):0.073ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL P 150V 3A PUISSANCEPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):0.073ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL P -150V -420MA SOT-363-6,; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-420mA; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):2.05ohm; Tension, mesure Rds:-6V; Tension de seuil Vgs:-4.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -150V -8.9A POWERPAK 121; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.9A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):0.245ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET CANAL P -150V -8.9A POWERPAK-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.9A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):0.262ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET CANAL P -200V 0.8OHM -6.5A TO-2; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6.5A; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):0.8ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -200V -1.9A TO-252-3, TR; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.9A; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 200V 2.2A PUISSANCEPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.2A; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):0.145ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -200V -3.6A TO-252-3, TR; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -200V -3.7A TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.7A; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -200V -7.3A TO-263-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.3A; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -200V -7.3A TO-263-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.3A; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P -200V -7.3A TO-263-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.3A; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P -20V 0.0072OHM -35A POW; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-35A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0072ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:52.1W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET CANAL P -20V -0.1A VML1006-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-100mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):2.5ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor:VML1006; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V -1.2A DFN1010D-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V -1.2A DFN1010D-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V -1.3A SUPERSOT; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.122ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P 20V 1.4A DFN1006B-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:715mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 20V 1.5A SOT-323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL P 20V 1.5A SOT-323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL P -20V -1.6A LGA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.175ohm; Tension, mesure Rds:-8V; Tension de seuil Vgs:-950mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:LGA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V -1.6A LGA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.175ohm; Tension, mesure Rds:-8V; Tension de seuil Vgs:-950mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:LGA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V -1.6A SUPERSOT; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.088ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P 20V 10A 8SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-14A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.006ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-10A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P -20V -10A HUML2020-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-10A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:HUML2020; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V -10A SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-10A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0085ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -20V -13.5A SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0067ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -20V 1A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.148ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -20V 1A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.148ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P -20V 1A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.148ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 20V 2.1A SC-59A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.142ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V -2.5A LGA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:-8V; Tension de seuil Vgs:-950mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:LGA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V -2.5A LGA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:-8V; Tension de seuil Vgs:-950mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:LGA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V -2.8A TO236AB; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.8A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.067ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:480mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V -2.8A TO236AB; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.8A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.067ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:480mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V -20A WSON-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-20A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0199ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-850mV; Dissipation de puissance Pd:2.9W; Type de boîtier de transistor:WSON; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P 20V 26.6A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-26.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0051ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-18A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P 20V 26.6A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-26.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0051ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-18A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P 20V 2A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-750mV; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 20V 2A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-750mV; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P -20V -2A TO236AB; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:480mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V -2A TO236AB; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:480mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V -3.1A SOT-23-3, TRA; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:-2.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -20V -3.2A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-720mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P 20V 3.5A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 20V 3.5A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P -20V -3.6A TO236AB-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-650mV; Dissipation de puissance Pd:490mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V -3.6A TO236AB-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-650mV; Dissipation de puissance Pd:490mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V -3.9A TSOP-6, TRANS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.9A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:-2.5V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -20V -350MA SOT-416-3, T; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-350mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.8ohm; Tension, mesure Rds:-1.8V; Tension de seuil Vgs:-450mV; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -20V -35A VSON-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-35A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0077ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V -3A WL-CSP; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):66mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:WL-CSP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 20V 4.1A SOT457; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:530mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 20V 4.1A SOT457; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:530mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 20V 4.1A SOT457; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.22W; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 20V 4.2A SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P 20V 4.2A SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P -20V 4.2A SOT-363-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.047ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P 20V 4.4A DIODE ESD SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P 20V 4.4A DIODE ESD SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P -20V -4.5A SUPERSOT; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.039ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P 20V 4.7A 6TSOP; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.054ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -20V -4.9A SOIC-8, TRANS; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4.9A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:-2.5V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -20V -40A POWERPAK1212-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-40A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET CANAL P 20V 4A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:955mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 20V 4A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 20V 4A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 20V 4A SOT457; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:1.235W; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 20V 5.3A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:980mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 20V 5.7A SOT457; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 20V 5.7A SOT457; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.31W; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 20V 5A 6-TSOP; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.14W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P 20V 6.9A TSOP6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6.9A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -20V -60A POWERPAK SO-8,; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-60A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0024ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 20V 6A 6TSOP; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.029ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -20V -6A SOT-23-3, TRANS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 20V 6A SOT457; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:1.22W; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -20V -7.8A MICROFET; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.8A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):27mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -20V -7.8A MICROFET-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.8A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -20V 760MA SC-75-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:760mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.26ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-450mV; Dissipation de puissance Pd:301mW; Type de boîtier de transistor:SC-75; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -20V -8.4A POWERPAK 1212; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:-1.8V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -20V -8A SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -20V -8A TSOP-6, TRANSIS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:-1.8V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:2.97W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -20V -9A POWERPAK SC70-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-9A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:15.6W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET CANAL P -20V -9A POWERPAK SC75-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-9A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.085ohm; Tension, mesure Rds:-1.8V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:13W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC75; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 20V PPAK-1212; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-40A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-50°C à +150°C; Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET CANAL P 20V PPAK-1212-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-35A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 20V SC-70; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-12A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0135ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:19W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 20V SC70-6L; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-12A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:17.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 20V SMINI3-G1-B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.085ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET CANAL P 20V SOT883B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-680mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.67ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 20V WSMINI6-F1-B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:-850mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:WSMini6-F1-B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET CANAL P -20V, -0.5A, SOT-883-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-500mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):1.02ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -0.5A, SOT-883-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-500mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):1.02ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -0.5A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-500mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):1.02ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -0.5A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-500mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):1.02ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -1.4A, SOT-883-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -1.4A, SOT-883-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -2.9A, DFN1010D-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.9A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.069ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-680mV; Dissipation de puissance Pd:317mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -2.9A, DFN1010D-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.9A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.069ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-680mV; Dissipation de puissance Pd:317mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -3.2A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.077ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-680mV; Dissipation de puissance Pd:490mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -3.2A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.077ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-680mV; Dissipation de puissance Pd:490mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -3.3A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.067ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:480mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -3.3A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.067ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:480mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -4.1A, SOT-457-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:530mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -4.1A, SOT-457-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:530mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -5.6A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:490mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -5.6A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:490mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -5.7A, SOT-457-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -5.7A, SOT-457-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -20V, -60A POWERPAK SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-60A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.00125ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P 20V. 3.1A. SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-3.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:8V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL P 20V. 3.1A. SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-3.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:8V; Type de packaging:Bande
MOSFET CANAL P 20V. 5.97A. TSOP6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.97A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-5.97A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V; Type de
MOSFET CANAL P 20V. 5.97A. TSOP6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.97A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-5.97A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V; Type de
MOSFET CANAL P -250V -0.19A SOT-89-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-190mA; Tension Vds max..:-250V; Résistance Rds(on):7.7ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -250V -0.19A SOT-89-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-190mA; Tension Vds max..:-250V; Résistance Rds(on):7.7ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -250V -0.43A SOT-223-4; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-430mA; Tension Vds max..:-250V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 250V 140MA SC-59; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-140mA; Tension Vds max..:-250V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -25V -0.46 SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:460mA; Tension Vds max..:-25V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-860mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:500mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage,
MOSFET CANAL P -25V -120MA SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-120mA; Tension Vds max..:-25V; Résistance Rds(on):7.9ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P 30V 0.0049A SSOT-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.2V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -30V 0.0127OHM -19.2A S; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-19.2A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0127ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-2.1V; Dissipation de puissance Pd:5.9W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -30V -0.3A SOT883B-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-300mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -30V -0.3A SOT883B-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-300mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -30V -0.41A SOT883-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-410mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:310mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -30V -0.41A SOT883-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-410mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:310mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P 30V 0.52A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-520mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.63ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:417mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 30V 0.52A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-520mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.63ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:417mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P -30V -100A TDSON-8; Boîtier de transistor RF:TDSON; Nombre de broches:8; Courant de drain Id:-100A; Dissipation de puissance Pd:125W; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal P; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:-30V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Tension, mesure Rds:-10V; Type de boîtier de transistor:TDSON
MOSFET CANAL P -30V -100A TDSON-8; Boîtier de transistor RF:TDSON; Nombre de broches:8; Courant de drain Id:-100A; Dissipation de puissance Pd:125W; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal P; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:-30V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Tension, mesure Rds:-10V; Type de boîtier de transistor:TDSON
MOSFET CANAL P -30V -100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-100A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0041ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL P -30V -100A TDSON-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-100A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0041ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL P 30V 11.4A 8SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-11.4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0195ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -30V -11A SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-11A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0108ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -30V -11A SOIC-8, TRANSI; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-11A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.007ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 30V 12A PP CHIPFET; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0122ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 30V 12A SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-12A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P -30V -13A POWERPAK SO-8,; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0056ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -30V -13A SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):7.7mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P 30V 14.5A 8SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-14.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 30V 15A SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-15A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):5.9mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-15A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P 30V 16A SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-16A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):5.4mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-16A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P 30V 18A MLP 3.3X3.3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 30V 18A MLP 3.3X3.3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P -30V -18A MLP-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -30V -1A SOT883-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.43ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -30V -1A SOT883-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.43ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -30V -2.4A DFN1010D-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -30V -2.4A DFN1010D-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P 30V 2.4A SC-59A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -30V -2.5A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.063ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 30V 2.7A DIODE SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.158ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL P 30V 2.7A DIODE SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.158ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL P 30V 20A MLP 3.3X3.3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-20A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0086ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:41W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 30V 20A MLP 3.3X3.3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-20A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0107ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:36W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 30V 20A SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-20A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):3.9mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-20A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P -30V -22.5A TDSON-8; Boîtier de transistor RF:TDSON; Nombre de broches:8; Courant de drain Id:-22.5A; Dissipation de puissance Pd:69W; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal P; Résistance Rds(on):0.0094ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:-30V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Tension, mesure Rds:-10V; Type de boîtier de transistor:TDSON
MOSFET CANAL P -30V -22.5A TDSON-8; Boîtier de transistor RF:TDSON; Nombre de broches:8; Courant de drain Id:-22.5A; Dissipation de puissance Pd:69W; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal P; Résistance Rds(on):0.0094ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:-30V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Tension, mesure Rds:-10V; Type de boîtier de transistor:TDSON
MOSFET CANAL P 30V 25A D-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-25A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.056ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 30V 28A PUISSANCE56; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-28A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0052ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:73W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -30V -2A SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:20V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:20A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm;
MOSFET CANAL P -30V -3.4A SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.105ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 30V 3.5A SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):59mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P 30V 3.5A SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):59mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P -30V -3.5A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.15V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -30V -3.5A TSMT-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -30V -3.5A TSMT-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P 30V 3.8A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):56mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.08W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P 30V 3.8A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):56mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.08W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P -30V -35A POWERPAK 1212-; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-35A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0088ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -30V -35A POWERPAK 1212-; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-35A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0088ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 30V 35A PUISSANCEPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-35A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0103ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -30V -40A POWERPAK SO-8,; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-40A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0074ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -30V -40A TSDSON-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-40A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Boîtier de transistor RF:TSDSON
MOSFET CANAL P -30V -40A TSDSON-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-40A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Boîtier de transistor RF:TSDSON
MOSFET CANAL P 30V 49A PUISSANCE56; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-49A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0027ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:73W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -30V -4A SUPERSOT; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P 30V 5.3A SO8 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5.3A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS9435A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET CANAL P 30V 5.4A SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):48mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P 30V 5.8A 6TSOP; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -30V -5.9A SOT-23-3, TRA; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -30V -50A TO-252-5; Boîtier de transistor RF:TO-252; Nombre de broches:5; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de drain Id:-50A; Dissipation de puissance Pd:150W; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal P; Résistance Rds(on):0.0057ohm; Température de fonctionnement max..:175°C; Tension Vds max..:-30V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Tension, mesure Rds:-10V; Type de boîtier de transistor:TO-252
MOSFET CANAL P -30V -50A TO-252-5; Boîtier de transistor RF:TO-252; Nombre de broches:5; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de drain Id:-50A; Dissipation de puissance Pd:150W; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal P; Résistance Rds(on):0.0057ohm; Température de fonctionnement max..:175°C; Tension Vds max..:-30V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Tension, mesure Rds:-10V; Type de boîtier de transistor:TO-252
MOSFET CANAL P -30V -5A SOT-223 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Courant, Idm impul.:15A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm;
MOSFET CANAL P -30V -5A TSMT-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -30V -7.5A SOP-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -30V -7.6A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -30V -70A TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-70A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL P -30V -70A TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-70A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL P 30V 7A SO-8 BOBINE; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-7A; Courant, Id max..:7A; Résistance On Rds(on),
MOSFET CANAL P 30V 8.5A 6PQFN; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 30V 8.8A 8SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -30V -80A TO-220-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-80A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0037ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:137W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL P 30V 8A TSOP-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P 30V 8A TSOP-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P 30V 9.2A SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-9.2A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):15.6mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-9.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P -30V -90A TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-90A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:137W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL P -30V -90A TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-90A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:137W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL P 30V PPAK-SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:39W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 30V SSSMINI3-F2-B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-100mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor:SOT-723; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET CANAL P -30V, -0.41A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-410mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:310mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -30V, -0.41A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-410mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:310mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -30V, -1A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.43ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -30V, -1A, SOT-883B-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.43ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P 30V. 19.7A. SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-19.7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):8.1mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:5.7W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-19.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL P 30V. 3.5A. SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):73mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-3.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 30V. 3.5A. SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):73mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-3.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P -35V -4.3A SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-35V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -40V -10.8A SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-10.8A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -40V -10.8A SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-10.8A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P -40V -10.8A SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-10.8A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 40V 10.8A TO-252; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):10.1mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 40V 10.8A TO-252; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):10.1mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 40V 110A D2PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-110A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0041ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-39A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P -40V -11A SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-11A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -40V -14A TO-252; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-14A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):36mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -40V -16.1A SOIC-8, TRAN; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-16.1A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:6.3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -40V -180A TO-263-7; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-180A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL P -40V -180A TO-263-7; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-180A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL P -40V -18A POWERPAK 1212-; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:3.7W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET CANAL P 40V 2.3A SOT23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P 40V 2.3A SOT23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P -40V -32A TO-252; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-32A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P 40V 4.4A DIODE SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.4A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.064ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P 40V 4.4A DIODE SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.4A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.064ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P 40V 50A DPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P -40V -50A TO-252; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):10.1mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -40V -50A TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0092ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:58W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL P -40V -50A TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0092ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:58W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL P 40V 8.2A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.2A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 40V 8.2A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.2A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P -40V -8.2A SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.2A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P 40V 8.7A 8SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.7A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -40V -8.7A SOIC-8, TRANS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.7A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -45V -2A TSMT-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-45V; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -50V -0.23A SOT883B-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-230mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -50V -0.23A SOT883B-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-230mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -50V -130MA SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-130mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -50V -130MA SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-130mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -50V -9.9A TO-252-3, TRA; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-9.9A; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 55V 31A DPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-31A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 55V 31A D-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-31A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -60V -1.8A SOT-223-4, TR; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.8A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 60V 110A D2PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-110A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.0055ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:3.75W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-110A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P -60V 12A TO-252-4; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.155ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:55W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 60V 15.5A D-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-15.5A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.143ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -60V -15A TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-15A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-15A; Courant, Idm impul.:45A; Largeur (externe):6.6mm; Largeur, bande:16mm; Longueur/hauteur:2.3mm;
MOSFET CANAL P -60V -17A TO-220F-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-17A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.055ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 60V 18.3A TO-252; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18.3A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:38.5W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 60V 18.6A TO-252; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18.6A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -60V -18.7A TO-220-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18.7A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.102ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.7V; Dissipation de puissance Pd:81.1W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL P 60V 18.7A TO-263; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18.7A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.101ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:81.1W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -60V -185A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-185mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -60V -190MA SOT-416-3, T; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-190mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -60V -2.5A SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.5A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.095ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -60V 2.6A SOT-223-4; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.145ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -60V 3A SUPERSOT; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.082ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P 60V 4.7A 8SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.7A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -60V -50A TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -60V -61A TO-252-4; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-61A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:118W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 60V 620MA SC-59; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-360mA; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):1.3ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 60V 620MA SC-59; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-620mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.62ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 60V 8.83A DPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.83A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:-6.2V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -60V -8.8A TO-220-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.8A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL P 60V 8.8A TO-263; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.8A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.221ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -60V -80A TO-220-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-80A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:340W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET CANAL P 60V 80A TO-263; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-80A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:340W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 60V 80A TO-263; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-80A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:340W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 60V. 1.6A. SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.6A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):285mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-1.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 60V. 1.6A. SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.6A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):285mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-1.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 60V. 55A. TO-263; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-55A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:-55A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET CANAL P -6V 2A SC-70-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:-6V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:270mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration Driver:High Side; Courant, sortie cràªte:2A; Délais d'entrée:15ns; Délais de sortie:60ns; Température
MOSFET CANAL P -6V 2A SC-70-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:-6V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:270mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration Driver:High Side; Courant, sortie cràªte:2A; Délais d'entrée:15ns; Délais de sortie:60ns; Température
MOSFET CANAL P 80V 110A D2PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-110A; Tension Vds max..:-80V; Résistance Rds(on):0.0093ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-23.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P -80V -2.1A SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.1A; Tension Vds max..:-80V; Résistance Rds(on):0.147ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 80V 2.2A TO-236; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.2A; Tension Vds max..:-80V; Résistance Rds(on):0.216ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:760mW; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 80V 2.2A TO-236; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.2A; Tension Vds max..:-80V; Résistance Rds(on):0.216ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:760mW; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 80V 28A PUISSANCEPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-28A; Tension Vds max..:-80V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P 80V 28A PUISSANCEPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-28A; Tension Vds max..:-80V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -8V -12A POWERPAK SC70-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-12A; Tension Vds max..:-8V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:-1.2V; Tension de seuil Vgs:350mV; Dissipation de puissance Pd:19W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P -8V -3.7A SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.7A; Tension Vds max..:-8V; Résistance Rds(on):0.039ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET CANAL P -8V -3A DSBGA-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-8V; Résistance Rds(on):0.0162ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P -8V -3A DSBGA-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-8V; Résistance Rds(on):0.0162ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P 8V 6A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6A; Tension Vds max..:-8V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-350mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL P 8V MICROFOOT; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-9.2A; Tension Vds max..:-8V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:MICRO FOOT; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET CANAL P 8V. 5.8A. SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.8A; Tension Vds max..:-8V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-5.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:8V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P 8V. 5.8A. SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.8A; Tension Vds max..:-8V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-5.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:8V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P AEC-Q101, -20V, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P AEC-Q101, -20V, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P AEC-Q101, -20V, SOT-457-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P AEC-Q101, -20V, SOT-457-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P AEC-Q101, -20V, SOT-457-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:530mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P AEC-Q101, -20V, SOT-457-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:530mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P AEC-Q101, -20V, SOT-457-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P AEC-Q101, -20V, SOT-457-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P AEC-Q101, -20V, SOT-457-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P AEC-Q101, -20V, SOT-457-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P AEC-Q101, -40V, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.5A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:480mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P AEC-Q101, -40V, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.5A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:480mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P AVEC DIODE 100V 13A DPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.205ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:66W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-20V
MOSFET CANAL P AVEC DIODE 30V 50A TO-252; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P AVEC DIODE 40V 16A PP1212; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-16A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-20V
MOSFET CANAL P AVEC DIODE 40V 17.3A SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-17.3A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:7.14W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P AVEC DIODE 40V 50A TO-252; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0076ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P AVEC DIODE 40V 50A TO-252; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P AVEC DIODE 55V 18A DPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-20V
MOSFET CANAL P AVEC DIODE 55V 31A DPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-31A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-20V
MOSFET CANAL P AVEC DIODE 60V 20A TO-252; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-20A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.046ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:46W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-20A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):4.6mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-20A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
MOSFET CANAL P BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:27A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.055ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-27A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
MOSFET CANAL P BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:20V;
MOSFET CANAL P CI LOGIQUE SOT-223 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:20A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm;
MOSFET CANAL P CMS 3-SUPERSOT BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET CANAL P CMS 8-SOIC BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL P CMS SC89 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-350mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-350mA; Courant, Idm impul.:1A; Marquage, CMS:A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
MOSFET CANAL P CMS SOT-223 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.7V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5.9A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension,
MOSFET CANAL P CMS SSOT-3 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL P CMS SSOT-6 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):37mohm; Tension, mesure Rds:12V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension
MOSFET CANAL P CMS TO-252 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-40A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-40A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET CANAL P CMS TO-263 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-47A; Courant, Idm impul.:188A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
MOSFET CANAL P D2PPAK 100V 138MOHM; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-16.7A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.115ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:88.2W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P DI 60V 3.6A POPAK1212; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.7A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.054ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-20V
MOSFET CANAL P DIODE 100V 8.8A TO-252; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.8A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.162ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-8.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET CANAL P DIODE 150V 13A TO220AB; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-20V
MOSFET CANAL P DIODE 200V 3.8A SO8 PPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.2A; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):145mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:5.4W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET CANAL P DIODE 20V 25A PPAK1212-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-25A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0082ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-15.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-8V
MOSFET CANAL P DIODE 30V 11A PQFN33; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-11A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:-20V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-11A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P DIODE 30V 11A PQFN33; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-11A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:-20V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-11A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P DIODE 30V 13A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-8.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P DIODE 30V 13A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-8.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P DIODE 30V 14.9A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-14.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-10.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET CANAL P DIODE 30V 14.9A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-14.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-10.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET CANAL P DIODE 30V 29A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-29A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):3.9mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-19.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL P DIODE 30V 29A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-29A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):3.9mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-19.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL P DIODE 30V 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.1A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):19.5mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-8.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P DIODE 30V 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.1A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):19.5mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-8.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P DIODE 30V 9.8A SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-9.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):13.6mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-9.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET CANAL P DIODE 30V 9A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:4.2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P DIODE 30V 9A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:4.2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P DIODE 40V 30A POPAK8L; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +125°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P DIODE 40V 4.6A SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.6A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.061ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-20V
MOSFET CANAL P DIODE 55V 74A TO220AB; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-74A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-20V
MOSFET CANAL P DIODE 80V 32A POPAK8L; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-32A; Tension Vds max..:-80V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET CANAL P DOUBL 2.3A 20V SSOT6 BOBI; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):115mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
MOSFET CANAL P DOUBLE -20V -2.3A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.19ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P DOUBLE -20V -2.3A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.19ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P DOUBLE -20V -4.3A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P DOUBLE -20V -4.3A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P DOUBLE -20V -5.3A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-5.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.049ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P DOUBLE -20V -5.3A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-5.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.049ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P DOUBLE -20V -9A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-9A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P DOUBLE -20V -9A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-9A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P DOUBLE -30V -3.6A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P DOUBLE -30V -3.6A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P DOUBLE -30V -4.9A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P DOUBLE -30V -4.9A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P DOUBLE -30V -8A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P DOUBLE -30V -8A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P DOUBLE -55V -3.4A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-3.4A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):0.095ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P DOUBLE -55V -3.4A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-3.4A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):0.095ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P SOT-223 -100V -1.1A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-1.1A; Courant, Idm impul.:8.8A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:FL9110; Nombre de
MOSFET CANAL P SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.5A; Courant, Idm impul.:5A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
MOSFET CANAL P SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-120mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-120mA; Courant, Idm impul.:1A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
MOSFET CANAL P SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:180mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:180mA; Courant, Idm impul.:1A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
MOSFET CANAL P SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
MOSFET CANAL P SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
MOSFET CANAL P TO-220 100V 138MOHM; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-16.3A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.115ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:73.5W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL P TO-247AC -200V -12A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-12A; Courant, Idm impul.:48A; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.83°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs
MOSFET CANAL P TO-263 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-22A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):96mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:3.75W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:15.6mA; Courant, Idm impul.:88A; Différentiel de tension dv/dt:6V/ns; Température de fonctionnement:-55°C
MOSFET CANAL P, -100V, -13A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.205ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:66W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -100V, -13A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.205ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:66W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -150V, -2.2A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.2A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):0.24ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -150V, -2.2A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.2A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):0.24ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -150V, -27A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-27A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -150V, -27A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-27A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -20V, -15A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-15A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0082ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -20V, -15A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-15A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0082ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -20V, -4.3A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.1V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -20V, -4.3A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.1V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -20V, -4.5A, SOT-23-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.039ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P, -20V, -4.5A, SOT-23-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.039ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET CANAL P, -20V, -5.3A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.06ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -20V, -5.3A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.06ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -20V, -6.7A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -20V, -6.7A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -30V, -11A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-11A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0135ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -30V, -11A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-11A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0135ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -30V, -12.6A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-12.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0067ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.79W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL P, -30V, -12.6A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-12.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0067ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.79W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL P, -30V, -40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-40A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL P, -30V, -40A, TSDSON-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-40A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL P, -30V, -70A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-70A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL P, -30V, -70A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-70A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET CANAL P, -40V, -10.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-10.5A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -40V, -10.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-10.5A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -40V, -120A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-120A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL P, -40V, -120A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-120A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET CANAL P, -40V, -6.2A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6.2A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -40V, -6.2A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6.2A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -55V, -18A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -55V, -18A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -55V, -20A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-20A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):0.093ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -55V, -42A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-42A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL P, -55V, -42A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-42A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET CANAL PP 20V 3A MICROFET2X2; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL PP 20V 4.3A SO8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double P; Courant de drain continu Id, Canal P:-4.3A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET CANAL PP 20V 4.3A SO8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double P; Courant de drain continu Id, Canal P:-4.3A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET CANAL PP 20V 8SOIC,; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-50°C à +150°C; Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET CANAL PP 20V. 4A. SO8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):48mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-4A; Courant, Id max..:-4A; Résistance On Rds(on), Canal P:0.058ohm; Température
MOSFET CANAL PP 20V. 4A. SO8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):48mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-4A; Courant, Id max..:-4A; Résistance On Rds(on), Canal P:0.058ohm; Température
MOSFET CANAL PP 30V 4A 8SOIC; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL PP 30V. 8A. SO8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-8A; Courant, Id max..:-8A; Résistance On Rds(on), Canal P:0.029ohm; Température de
MOSFET CANAL PP 30V. 8A. SO8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-8A; Courant, Id max..:-8A; Résistance On Rds(on), Canal P:0.029ohm; Température de
MOSFET CANAL PP 60V 8SOIC; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-3.2A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.051ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL PP 60V 8SOIC; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-3.2A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.051ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET CANAL PP 60V. 3.1A. SO8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.4A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-3.1A; Courant, Id max..:-3.1A; Résistance On Rds(on), Canal P:0.12ohm;
MOSFET CANAL PP 60V. 3.1A. SO8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.4A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-3.1A; Courant, Id max..:-3.1A; Résistance On Rds(on), Canal P:0.12ohm;
MOSFET CANAL PP 80V 2.1A 8SOIC; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.1A; Tension Vds max..:-80V; Résistance Rds(on):0.148ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET COMP 30V 28/50MOHM SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUB. CANAL P -20V -3.7A MICROFET; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-3.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANAL N 100V 2.9A PQFN; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.164ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:10.4W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANAL N 12V 8A PICOSTAR-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.0099ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:950mV; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:PICOSTAR; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET DOUBLE CANAL N 12V 8A PICOSTAR-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.0099ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:950mV; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:PICOSTAR; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET DOUBLE CANAL N 20V 0.06OHM 4.1A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.06ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:ChipFET; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANAL N 20V 1.2A SC-70-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:1.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANAL N 20V 1.5A POWERPAKS; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC75; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANAL N 20V 3A SUPERSOT; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET DOUBLE CANAL N 20V 4.4A CHIPFET-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:ChipFET; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANAL N 20V 5A WSON-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:WSON; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET DOUBLE CANAL N 20V 5A WSON-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:WSON; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET DOUBLE CANAL N 20V 6.5A SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET DOUBLE CANAL N 20V DFN2020; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:650mV; Dissipation de puissance Pd:1.17W; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANAL N 30V 10A PQFN; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0122ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:19W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANAL N 30V 2.5A SUPERSOT; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.082ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET DOUBLE CANAL N 30V 40A POWERPAIR; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:PowerPAIR; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET DOUBLE CANAL N 30V 40A POWERPAIR; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:PowerPAIR; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET DOUBLE CANAL N 30V 60A POWER 56-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANAL N 30V 6A DSO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0183ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:DSO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET DOUBLE CANAL N 30V 6A DSO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0183ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:DSO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET DOUBLE CANAL N 30V 7A SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET DOUBLE CANAL N 30V SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.17ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:390mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANAL N 40V 6A SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET DOUBLE CANAL N 40V 6A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANAL N 60V 115MA SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.6ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.76V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET DOUBLE CANAL N 60V 15A SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET DOUBLE CANAL N 60V 15A SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET DOUBLE CANAL N 60V 280MA SOT563F6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:280mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.6ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.76V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-523F; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANAL P -12V -5.5A TSMT-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-5.5A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET DOUBLE CANAL P 20V DFN2020; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.066ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.21W; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANAL P -30V -6.9A SOIC; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-6.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET DOUBLE CANAL P -60V -2.4A SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.4A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANALN 12V 4.5A POWERPAK S; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:7.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANALN 20V 4.1A TSSOP-8, T; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANALN 30V 4.6A POWERPAK 1; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0333ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANALN 30V 60A SOIC-8, TRA; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0046ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANALN 30V 7.1A SOIC-8, TR; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.156ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.9W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANALP -12V 0.018OHM -7.4A; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-7.4A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:-1.8V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANALP -12V -4.5A POWERPAK; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4.5A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:-1.8V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:7.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANALP -12V -4.5A POWERPAK; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4.5A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:-1.8V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:7.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANALP -20V 0.0275OHM -8A; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-8A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0275ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET DOUBLE CANALP -20V -1.3A SOT-363-; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-1.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.64ohm; Tension, mesure Rds:-1.8V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE CANALP -40V -6A POWERPAK 1; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-6A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET DOUBLE CANALP -60V -190MA SC-89-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-190mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLE N CMS 6-SC-70 BOBINE; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:220mA; Courant, Id max..:220mA; Résistance On
MOSFET DOUBLE N CMS SC70-6 BOBINE; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:750mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:750mA; Courant, Id max..:750mA; Courant, Idm
MOSFET DOUBLE N CMS SC89 BOBINE; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):700mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:600mA; Courant, Id max..:600mA; Courant, Idm
MOSFET DOUBLE N SO-8 BOBINE; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDS6912A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
MOSFET DOUBLE NN SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 25°C:7.5A; Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDS6890A; Nombre de
MOSFET DOUBLE NN SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 25°C:7.5A; Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDS6890A; Nombre de
MOSFET DOUBLE NN SUPERSOT-6 BOBINE; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:2.7A; Courant, Id max..:2.7A; Courant, Idm
MOSFET DOUBLE NN SUPERSOT-6 BOBINE; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:510mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:510mA; Courant, Id max..:510mA; Courant, Idm
MOSFET DOUBLE NP CMS 6-SC-70 BOBINE; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:220mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET DOUBLE NP CMS SO-8 BOBINE; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:8.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:7.3A; Courant, Id cont., canal N 2:8.6A; Courant, Id imp, canal P:20A; Courant, Id max..:8.6A;
MOSFET DOUBLE NP SUPERSOT-6 BOBINE; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:680mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):450mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:1.6A; Courant, Id cont., canal N 2:2.7A; Courant, Id max..:680mA; Courant, Idm
MOSFET DOUBLE NP SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:460mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:1.6A; Courant, Id cont., canal N 2:2.7A; Courant, Id max..:680mA; Courant, Idm
MOSFET DOUBLE NP SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:460mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:1.6A; Courant, Id cont., canal N 2:2.7A; Courant, Id max..:680mA; Courant, Idm
MOSFET DOUBLE PP SO-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDS6875; Nombre de transistors:2; Température de
MOSFET DOUBLE PP SO-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDS6875; Nombre de transistors:2; Température de
MOSFET DOUBLE PP SO-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDS6975; Nombre de transistors:2; Température de
MOSFET DOUBLE PP SO-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDS6975; Nombre de transistors:2; Température de
MOSFET DOUBLE PP SUPERSOT-6 BOBINE; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-1.8A; Courant, Id max..:1.8A; Courant,
MOSFET DOUBLE PP SUPERSOT-6 BOBINE; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-1.9A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):127mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-1.9A; Courant, Id max..:-1.9A;
MOSFET DOUBLEN 20V 18MOHM TSSOP-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:300mV; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLEN 20V 23MOHM TSSOP-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DOUBLEN 30V 22MOHM SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DUA L CANAL N 60V 2.6A 8SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET DUAL N-CH 80V 3.4A SOP-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.4A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET HI-REL CANAL N 60V 0.17A TO-18; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:170mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:15V
MOSFET IC; Transistor Polarity:N Channel; MOSFET IC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):5.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:-; Power Dissipation Pd:-; No. of Pins:8
MOSFET MODULE CANAL N 200V 180A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:-; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Nombre de broches:4; Type de boîtier de transistor:Module
MOSFET N & CANAL P 12V 7.6A POWERPAK SO; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:7.6A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N & CANAL P 20V 0.03OHM 4A 1206; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:1206; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N & CANAL P 20V 4.5A POWERPAK SC; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.053ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:7.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N & CANAL P 20V 4.6A WDFN-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):37mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:WDFN; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N & CANAL P 20V 570MA SOT-563-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:540mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET N & CANAL P 20V 6.7A TSSOP-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N & CANAL P 20V 630MA SOT-363-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:630mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:920mV; Dissipation de puissance Pd:270mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET N / CANAL P 20V/20V SOT-363; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:725mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:750mV; Dissipation de puissance Pd:445mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N 100V12.4APOWER56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0063ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.9V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N 100V75ATO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0082ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N 20V5.7AMIRCOFET2X2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):16.8mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:830mV; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N 20V5.7AMIRCOFET2X2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):16.8mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:830mV; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N 30V36APOWER56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N 30V36APOWER56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N 40V25APOWER56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:49A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N 600V 0.5A D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:39W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N 600V 12ATO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.53ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:240W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N 600V 13ATO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.244ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:116W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N 600V 17ATO220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N 600V 22ATO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:205W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N 600V 22ATO247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.14ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:205W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N 600V 36AD2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.081ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:312W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N 600V 36AD2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.081ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:312W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N 600V 36ATO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.081ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:312W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N 600V 4.5ATO220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.65ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N 600V 47ATO247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.0515ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:368W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N 600V 6.5ATO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:147W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N 600V 6.8ATO220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.8A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.46ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:30.5W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N 600V 76ATO247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:76A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:543W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N 600V 9ADPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83.3W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N 600V 9ADPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83.3W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N 60V SOT-223 BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET N 60V. 0.5A. SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
MOSFET N 60V. 0.5A. SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
MOSFET N CH 20V 3.3A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:380mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N CH 240V 200MA SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.65V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N CH 30V 100A 8PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET N CH 30V 3.1A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N CH 30V 3.1A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N CH 30V 9.9A 8SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:79A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs th
MOSFET N CH 500V 20A TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.21ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:280W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N CH 500V 3A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):2.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N CH 600V 15A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N CH 600V 2.4A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):3.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET N CH 600V 2.4A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):3.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET N CH 600V 20A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.19ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N CH 600V 21A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET N CH 600V 21A TO-220 FULLPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET N CH 600V 21A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET N CH 600V 29A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.104ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET N CH 600V 3.5A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N CH 600V 3.5A TO220SIS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N CH 600V 40A TO220SIS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:320W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N CH 600V 40A TO220SIS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N CH 600V 45.8A TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45.8A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.0575ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:368W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N CH 600V 47A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.053ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:357W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET N CH 60V 1.7A TO-39; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:6.25W; Type de boîtier de transistor:TO-205AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N CH 60V 15A SOP8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0139ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N CH 60V 24A SOP8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N CH 60V 28A SOP8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0066ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N CH 60V 35A SOP8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N CH 60V 35A SOP8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N CH 650V 24A TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET N CH DI & ESD 60V 4.4A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET N CH DI & ESD 60V 4.4A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET N CH ESD 60V 2.8A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N CH ESD 60V 2.8A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N CH W ESD 60V 2A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N CH W ESD 60V 2A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N CH, 25V 38A SMD; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:38A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):1.25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:DirectFET MX; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:220A; Courant, Idm impul.:38A; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation
MOSFET N CH, 25V 38A SMD; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:38A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):1.25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:DirectFET MX; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:220A; Courant, Idm impul.:38A; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation
MOSFET N COOLMOS TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):0.85ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N DOUBLE 30V 14A PICOSTAR-10; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0066ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:LGA; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N DOUBLE 30V 14A PICOSTAR-10; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0066ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:LGA; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):32mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Nombre de
MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):32mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Nombre de
MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:100A; Marquage, CMS:FDD5690; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température de
MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:100A; Marquage, CMS:FDD5690; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température de
MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Courant, Idm impul.:20A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Nombre de transistors:1; Profondeur:10.5mm; Style
MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Courant, Idm impul.:20A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Nombre de transistors:1; Profondeur:10.5mm; Style
MOSFET N FULLPAK ((NW)); Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:29W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:68A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Profondeur:5.2mm; Température de
MOSFET N I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):1.47ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:12A; Puissance, Ptot:45W; Style de boîtier alternatif:I-PAK; Temps de descente:11ns; Temps de montée:6ns; Temps,
MOSFET N LOGIC TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:180A; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de fonctionnement:-65°C à +175°C; Température,
MOSFET N LOGIQUE SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:500mA; Courant, Idm impul.:1.5A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage,
MOSFET N LOGIQUE SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:500mA; Courant, Idm impul.:1.5A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage,
MOSFET N LOGIQUE TO-92; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Courant, Idm impul.:500mA; Marquage composant:2N7000; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Température de
MOSFET N NUMERIQUE 25V BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):3.1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET N NUMERIQUE 25V BOBINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:680mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET N RF DUAL-GATE SOT-143B; Tension Vds max..:12V; Courant de drain Id:30mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:-; Boîtier de transistor RF:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1dB; Code d'application:Dual-Gate (HF) MOSFET; Courant, Idss max..:18mA; Courant, Idss min.:2mA; Dissipation de puissance, max..:200mW; Gfs, min.:21mA/V; Nombre
MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS5670; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS5670; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):12.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 25°C:11A; Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS6690A; Nombre de transistors:1; Température de
MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):12.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 25°C:11A; Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS6690A; Nombre de transistors:1; Température de
MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.9A; Marquage, CMS:FDS2572; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, courant:25°C;
MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):38mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.5A; Courant, Idm impul.:40A; Marquage, CMS:FDS6630A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):38mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.5A; Courant, Idm impul.:40A; Marquage, CMS:FDS6630A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 25°C:8A; Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:50A; Courant, Idm impuls. canal N 1:50A; Marquage, CMS:FDS5680; Nombre de
MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 25°C:8A; Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:50A; Courant, Idm impuls. canal N 1:50A; Marquage, CMS:FDS5680; Nombre de
MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.054ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS3992; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à
MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.054ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS3992; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à
MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 25°C:7.5A; Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDS6990A; Nombre de transistors:1;
MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 25°C:7.5A; Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDS6990A; Nombre de transistors:1;
MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.9A; Marquage, CMS:FDS2572; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, courant:25°C;
MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:8A; Marquage, CMS:STN2NF10; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:260mohm; Température de
MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:8A; Marquage, CMS:STN2NF10; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:260mohm; Température de
MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:16A; Marquage, CMS:N3NF06; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:100mohm; Résistance, Rds on @ Vgs =
MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:16A; Marquage, CMS:N3NF06; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:100mohm; Résistance, Rds on @ Vgs =
MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.5A; Courant, Idm impul.:26A; Marquage, CMS:N4NF03; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:50mohm; Résistance, Rds on @ Vgs =
MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.5A; Courant, Idm impul.:26A; Marquage, CMS:N4NF03; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:50mohm; Résistance, Rds on @ Vgs =
MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:710mA; Courant, Idm impul.:8A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:ZVN2106;
MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:710mA; Courant, Idm impul.:8A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:ZVN2106;
MOSFET N SOT-23 BOBINE 3K; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:850mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10VDC; Tension de seuil Vgs:0.8V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:170mA; Courant, Idm impul.:680mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage,
MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10VDC; Tension de seuil Vgs:0.8V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:170mA; Courant, Idm impul.:680mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage,
MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:335mA; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):2.3ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET N SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.3A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDC561; Polarité, directionnelle:N; Température de fonctionnement:-55°C
MOSFET N SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.3A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDC561; Polarité, directionnelle:N; Température de fonctionnement:-55°C
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:30V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.4A; Courant, Idm impul.:770mA; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10.5A; Courant, Idm impul.:42A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:750mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:44A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:400mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12.5A; Courant, Idm impul.:50A; Résistance, Ron, max..:430mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de fonctionnement:-55°C
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:120A; Courant, Idm impul.:480A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:7.5mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.38ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:56A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:420mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Tension Vds:600V; Tension,
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:64A; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:120mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:60V;
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:270mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Tension Vds:500V; Tension,
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19.4A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1220pF; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:19.4A; Courant, Idm impul.:78A; Energie dissipée, avalanche non répétitive
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:10A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:4.5ohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):3.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Courant, Idm impul.:14A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:3.7ohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):52mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:127W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:33A; Courant, Idm impul.:132A; Marquage composant:FQP33N10; Résistance, Ron, max..:52mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):4.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:12A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:4.8ohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.3A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.9ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.3A; Courant, Idm impul.:17.2A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:2.4ohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Courant, Idm impul.:160A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:33mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:35mohm; Style de boîtier
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Courant, Idm impul.:160A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:22mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:35mohm; Style de boîtier
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:16A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:2ohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Tension Vds:600V; Tension, Vds
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.8A; Courant, Idm impul.:23.2A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:2ohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:200A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:18mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:200A; Marquage composant:FQP50N06; Résistance, Ron, max..:22mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:131W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:120A; Marquage composant:RFP50N06; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:22mohm; Température de
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:57A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:57A; Courant, Idm impul.:228A; Résistance, Ron, max..:23mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de fonctionnement:-55°C à
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:240A; Marquage composant:STP60NF06; Style de boîtier alternatif:SOT-78B
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:62A; Tension Vds max..:33V; Résistance Rds(on):12.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:62A; Courant, Idm impul.:248A; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:65A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:65A; Courant, Idm impul.:260A; Marquage composant:FQP65N06; Résistance, Ron, max..:16mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:24A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:1.2ohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:70A; Courant, Idm impul.:180A; Marquage composant:RFP70N06; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:14mohm; Température de
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.006ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:215W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:7mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, courant:25°C;
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de fonctionnement:-65°C à +175°C; Température
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:85A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:85A; Courant, Idm impul.:300A; Marquage composant:FQP85N06; Résistance, Ron, max..:10mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.78ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:900mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de
MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.1A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):6.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.1A; Courant, Idm impul.:8.4A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:6.5ohm; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température de
MOSFET N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):3.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:9.6A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:3.6ohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
MOSFET N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):4.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:12A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:4.8ohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
MOSFET N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.3A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.9ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.3A; Courant, Idm impul.:17.2A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:2.4ohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
MOSFET N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.2A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.2A; Courant, Idm impul.:20.8A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:1.8ohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
MOSFET N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.4A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 100°C:3.4A; Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:21.6A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:250mohm; Température de
MOSFET N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:200A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:18mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
MOSFET N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:32W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:24A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:1.2ohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
MOSFET N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.2A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.72ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.2A; Courant, Idm impul.:28.8A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:850mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
MOSFET N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:550mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
MOSFET N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.78ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 100°C:6A; Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:900mohm; Température de
MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.65ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10.5A; Courant, Idm impul.:42A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:750mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-249; Température de
MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.65ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:50nC; Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:36A; Différentiel de tension dv/dt:4.5V/µs; Marquage composant:STW10NK60Z; Nombre
MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.48ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:52A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:550mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-249; Température de
MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):3.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Courant, Idm impul.:14A; Nombre de transistors:1; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:3.7ohm; Température de fonctionnement:-55°C à
MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:500pF; Configuration du Brochage:G(1), S(2), D(3); Courant, Id max..:8A; Diode roue libre:Id(peak) = 8 A; Nombre de transistors:1;
MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):900mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:900mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-249; Température de
MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:170A; Courant, Idm impul.:680A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:375W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, Tj
MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:214W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:70A; Courant, Idm impul.:280A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min.:-55°C;
MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:65A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):32mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:65A; Courant, Idm impul.:260A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min.:-55°C;
MOSFET N W DIODE 100V17ADPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.073ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N W DIODE 100V17ADPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.073ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N W DIODE 100V19ADPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):68mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N W DIODE 100V19ADPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):68mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N W DIODE 100V32ADPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N W DIODE 100V32ADPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N W DIODE 30V13.2ASO8 FL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:117A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:73.5W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N W DIODE 60V20ADPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:36W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N W DIODE 60V20ADPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:36W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N W DIODE 60V40ADPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N W DIODE 60V40ADPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET N/CANAL P 12V 4.5A POWERPAK SC70; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.033ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:6.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NCANAL N 60V 0.32A SOT363; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:320mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:320mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:320mA; Courant, Id max..:320mA; Résistance On Rds(on),
MOSFET NCANAL N 60V 0.32A SOT363; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:320mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:320mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:320mA; Courant, Id max..:320mA; Résistance On Rds(on),
MOSFET NCANAL N 60V 0.34A SOT666; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:340mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:525mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:340mA; Courant, Id max..:340mA; Résistance On
MOSFET NCANAL N 60V 0.34A SOT666; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:340mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:525mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:340mA; Courant, Id max..:340mA; Résistance On
MOSFET NCANAL N DIODE 40V 5A 8-SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:1.85W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Id max..:4.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
MOSFET NCANAL N DIODE 40V 6A 8-SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7.6A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:7.6A; Courant, Id max..:6A; Résistance On Rds(on),
MOSFET NCANAL N DIODE 40V 8A 8-SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Courant, Id max..:8A; Résistance On Rds(on),
MOSFET NCANAL N DIODE 40V 8A 8-SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Courant, Id max..:8A; Résistance On Rds(on),
MOSFET NCANAL N DIODE 60V 5.3A 8-SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.046ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5.3A; Courant, Id max..:4.3A; Résistance On
MOSFET NCANAL N DIODE 60V 5.3A 8-SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.046ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5.3A; Courant, Id max..:4.3A; Résistance On
MOSFET NCANAL N HALF BR DIO 20V PPAIR6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):5500µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:4.6W; Type de boîtier de transistor:PowerPAIR; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:16A; Courant, Id max..:30A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET NCANAL P 20V CHIPFET 1206A; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.058ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:1206; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NCANAL P 20V SOT-563; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:540mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET NCANAL P 20V SOT-563; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:540mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET NCANAL P 30V 8A/5.4A 8SOIC; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET NCANAL P 30V/20V 8SOIC; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:9.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NCANAL P 55V 3.4A 8SOIC; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.7A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NCANAL P 60V SC-89; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:305mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D-PAK RL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):7.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0041ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:405W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NCH 100V 160MOHM TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 RL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET N-CH 100V 200A D15; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.007ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:700W; Type de boîtier de transistor:SEMITRANS M1; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0245ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:95W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0294ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.3V; Dissipation de puissance Pd:91W; Type de boîtier de transistor:SOT-1210; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK RL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:135W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET N-CH 100V 58A LFPAK56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:58A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:238W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 100V 69A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:69A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0116ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:195W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:296W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.104ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:37.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.117ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:37W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 120V 70 TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:120V; Résistance Rds(on):0.0062ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:349W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:140A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:500W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 20V 10A SOP-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.039ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:300mV; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:TUMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N-CH 20V 2A 3-SSOT RL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET N-CH 20V 3A 3-SSOT RL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.029ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:300mV; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET NCH 20V 75MOHM SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NCH 30V 1.59MOHM PMPAK5X6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:185A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00159ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:83.3W; Type de boîtier de transistor:PMPAK; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0117ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:401W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NCH 30V 12MOHM PMPAK5X6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:27.8W; Type de boîtier de transistor:PMPAK; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NCH 30V 2.4MOHM PMPAK5X6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:130A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:PMPAK; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NCH 30V 25MOHM TO-251; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:31.25W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NCH 30V 25MOHM TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:31.25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:26A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NCH 30V 26MOHM SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NCH 30V 28MOHM SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.38W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NCH 30V 4MOHM TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NCH 30V 5.5MOHM PMPAK5X6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:44.6W; Type de boîtier de transistor:PMPAK; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NCH 30V 9MOHM TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:53W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 30V DS PUISSANCEPAIRES 6X5; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0053ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:PowerPAIR; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 30V DS PWR PQT 1212-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:38.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.006ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:19.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.45V; Dissipation de puissance Pd:272W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:147W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 40V 26A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:26A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0227ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:37W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NCH 40V 3.6MOHM PMPAK5X6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:83.3W; Type de boîtier de transistor:PMPAK; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0178ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:52A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0088ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:52A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0093ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:525V; Résistance Rds(on):1.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:525V; Résistance Rds(on):1.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):290mohm; Tension, mesure Rds:30V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:192W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.59ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N-CH 60V 1.7A 3-SSOT RL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.073ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0029ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:238W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:195W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:195W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 60V 130A SOT78; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:130A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00294ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:263W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 60V 16.7A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:37W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:86A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.006ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:147W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 60V 87A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:87A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00527ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:147W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:20.7A; Courant, Idm impul.:62.1A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:208W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.9ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:238W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.8A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0824ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:37W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 80V 15V LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.059ohm; Tension, mesure Rds:1.7V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:62A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0113ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:147W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 80V 65A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:65A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0092ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:147W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0095ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 80V 84A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:84A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0074ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:194W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET N-CH 80V 89A LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:89A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0073ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:195W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NN CH 60V 0.32A SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:320mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.9ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double N; Courant de drain continu Id, Canal N:320mA; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET NN CH 60V 0.32A SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:320mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.9ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double N; Courant de drain continu Id, Canal N:320mA; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET NN CH 60V 0.35A SOT666; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double N; Courant de drain continu Id, Canal N:350mA; Résistance On Rds(on), Canal N:1ohm;
MOSFET NN CH 60V 0.35A SOT666; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double N; Courant de drain continu Id, Canal N:350mA; Résistance On Rds(on), Canal N:1ohm;
MOSFET NN CH W ESD 60V 1.8A SM8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.16W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.17ohm;
MOSFET NNCANAL PP MLP 4.5X5; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.085ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:22W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:12; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NN-CH 20V 9.4A 8-SOIC RL; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:9.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET NNCH 30V 4.9A 8SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET NP-CH 20V 6-SSOT RL; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET NP-CH 30V 6-SSOT RL; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.095ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET NP-CH 60V 8-SOIC RL; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET OMNIFET 70V 10A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:70V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:70V; Tension, Vgs,
MOSFET OMNIFET 70V 20A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:70V; Tension, Vgs,
MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:35A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:70V;
MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:35A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:70V;
MOSFET OMNIFET 70V 35A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:35A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:70V; Tension, Vgs,
MOSFET OMNIFETII 40V 12A TO-2203; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:45V; Tension, Vgs,
MOSFET OMNIFETII 40V 30A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:30A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:45V; Tension,
MOSFET P 20V 18A MLP3.3X3.3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0064ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:41W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P 20V 18A MLP3.3X3.3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0064ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:41W; Type de boîtier de transistor:MLP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P -20V -2.4A SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):52mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET P 20V 7.8A MIRCOFET2X2; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.8A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P 20V 7.8A MIRCOFET2X2; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.8A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P 20V 7.8AMIRCOFET2X2; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.8A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):27mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P 20V 7.8AMIRCOFET2X2; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.8A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):27mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P -60V -1.25A SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.2A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET P CH 0.1A 30V SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):12ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-100mA; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:-20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4V; Type de terminaison:CMS
MOSFET P CH -200V 3.8A POWERPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):0.86ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:3.7W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET P CH 30V 0.47A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-470mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.66ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-680mV; Dissipation de puissance Pd:417mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET P CH 30V 16A SOP8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-16A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET P CH 30V 16A SOP8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P CH 30V 16A SOP8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P CH 30V 34A SOP8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-34A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0037ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P CH 30V 34A SOP8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-34A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0037ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P CH -40V 50MA TO-206AF; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:50mA; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):180ohm; Tension, mesure Rds:-20V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:375mW; Type de boîtier de transistor:TO-206AF; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET P CH 50V 0.15A SOT323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-150mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:260mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P CH 50V 0.15A SOT323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-150mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:260mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P CH 50V 0.15A SOT416; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-150mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P CH 50V 0.15A SOT416; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-150mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P CH 50V 0.18A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-180mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P CH 50V 0.18A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-180mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P CH 50V 0.23A SOT883; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-230mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P CH 50V 0.23A SOT883; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-230mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET P CH 55V 42A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:160A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs th min.:1V
MOSFET P CH 5A 60V DPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5A; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:-20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de packaging:Bande
MOSFET P CH DUAL 2.3A 20V SSOT6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):115mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET P CH DUAL 2.3A 20V SSOT6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):115mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET P CHANNEL -100V 90A TO-263; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.0156ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET P CHANNEL -40V 18.6A SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET P CHANNEL -60V 5A SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.051ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET P I-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:9.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):185mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9.4A; Courant, Idm impul.:37.6A; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.3mm; Marquage, CMS:FQU11P06; Nombre de transistors:1;
MOSFET P LOGIC SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:20A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage,
MOSFET P LOGIC SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:20A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage,
MOSFET P SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 25°C:11A; Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS6675; Température de fonctionnement:-55°C à
MOSFET P SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 25°C:11A; Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS6675; Température de fonctionnement:-55°C à
MOSFET P SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):47mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS8433A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
MOSFET P SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):47mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS8433A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
MOSFET P SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS6375; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET P SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS6375; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET P SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.5A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-15A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:2955; Nombre de
MOSFET P SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.5A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-15A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:2955; Nombre de
MOSFET P SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:450mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:450mA; Courant, Idm impul.:4A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage,
MOSFET P SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:450mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:450mA; Courant, Idm impul.:4A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage,
MOSFET P SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:480mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):11ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:480mA; Courant, Idm impul.:1A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage,
MOSFET P SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:480mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):11ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:480mA; Courant, Idm impul.:1A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage,
MOSFET P SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Courant, Idm impul.:15A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:452A;
MOSFET P SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Courant, Idm impul.:15A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:452A;
MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.1A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage,
MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.1A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage,
MOSFET P TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:11.5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):360mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-5V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:-11.5A; Courant, Idm impul.:46A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:810mJ; Format de
MOSFET P TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:16.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:-16.5A; Courant, Idm impul.:66A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:580mJ; Format de
MOSFET P TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-17A; Courant, Idm impul.:68A; Largeur (externe):9.9mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Marquage composant:FQP17P06; Nombre de transistors:1;
MOSFET P TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-27A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:108A; Largeur (externe):9.9mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Marquage composant:FQP27P06; Nombre de transistors:1; Profondeur:29.03mm; Style
MOSFET P TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):410mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-7A; Courant, Idm impul.:28A; Largeur (externe):9.9mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Marquage composant:FQP7P06; Nombre de transistors:1;
MOSFET P TO-252; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6.7A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6.7A; Courant, Idm impul.:54A; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET P TO-252; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6.7A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6.7A; Courant, Idm impul.:54A; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET PCANAL P DIODE 30V 8A SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-8A; Courant, Id max..:-8A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET P-CH 12V 2.6A 3-SSOT RL; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-300mV; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:TUMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-300mV; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET P-CH 12V 5A TSMT6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-300mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET PCH -16V 60MOHM SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-16V; Résistance Rds(on):0.06ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:1.38W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-200mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:VMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET PCH -20V 160MOHM SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET P-CH -20V -4.3A SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.058ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-650mV; Dissipation de puissance Pd:833mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET PCH 30V 13A 8SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0077ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-13A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET PCH 30V 13A 8SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0077ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-13A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET PCH -30V 50MOHM SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET P-CH -500V -2.8A DPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:85W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC RL; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.078ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET PP 20V 3.6AMIRCOFET2X2; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-3.6A; Résistance On Rds(on), Canal P:0.04ohm;
MOSFET PP 20V 3.6AMIRCOFET2X2; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-3.6A; Résistance On Rds(on), Canal P:0.04ohm;
MOSFET PP CH 20V 3.5A SOT1118; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.058ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:515mW; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET PP CH 50V 0.16A SOT363; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-160mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:445mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double P; Courant de drain continu Id, Canal P:-160mA; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET PP CH 50V 0.16A SOT363; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-160mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:445mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double P; Courant de drain continu Id, Canal P:-160mA; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET PP CH 50V 0.17A SOT666; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-170mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double P; Courant de drain continu Id, Canal P:-170mA; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET PP-CH 60V 2.3A 8-SOIC RL; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:2.3A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.138ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
MOSFET PROTECTED LSD DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:42V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C
MOSFET QUADRUPLE 30V 33/55MOHM SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.38W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET RF 150W 125V 20A M174; Tension Vds max..:125V; Courant de drain Id:20A; Dissipation de puissance Pd:389W; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:230MHz; Boîtier de transistor RF:M174; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de transistor:RF de puissance
MOSFET RF CANAL N PP 28V 80W 400MHZ DK; Tension Vds max..:70V; Courant de drain Id:10A; Dissipation de puissance Pd:175W; Fréquence, fonctionnement min.:1MHz; Fréquence, fonctionnement max..:175MHz; Boîtier de transistor RF:DK; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:175W; Gamme de fréquences d'utilisation:1MHz à 175MHz; Type de transistor:FET RF
MOSFET RF CANAL N SE 12V 2.5W 1GHZ SO8; Tension Vds max..:40V; Courant de drain Id:2A; Dissipation de puissance Pd:17.5W; Fréquence, fonctionnement min.:1MHz; Fréquence, fonctionnement max..:2GHz; Boîtier de transistor RF:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:17.5W; Gamme de fréquences d'utilisation:1MHz à 2GHz; Type de transistor:FET RF
MOSFET RF CANAL N SE 28V 20W 175MHZ DA; Tension Vds max..:70V; Courant de drain Id:5A; Dissipation de puissance Pd:50W; Fréquence, fonctionnement min.:1MHz; Fréquence, fonctionnement max..:175MHz; Boîtier de transistor RF:DA; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:50W; Type de transistor:FET RF
MOSFET RF CANAL N SE 28V 20W 500MHZ DP; Tension Vds max..:70V; Courant de drain Id:5A; Dissipation de puissance Pd:50W; Fréquence, fonctionnement min.:10MHz; Fréquence, fonctionnement max..:500MHz; Boîtier de transistor RF:DP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:50W; Gamme de fréquences d'utilisation:10MHz à 500MHz; Type de transistor:FET RF
MOSFET TRANSISTOR N CH; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs
MOSFET TRANSISTOR N CH; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:280W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs
MOSFET TRANSISTOR N CH; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:500V;
MOSFET TRANSISTOR N CH; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.1A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:1kV; Tension, Vgs
MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor; MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.2A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.356ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; No. of Pins:3
MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor; MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:8
MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor; MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):104mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; No. of Pins:3
MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor; MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:510mA; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.9V; No. of Pins:6
MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor; MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:89A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):5.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:8
MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor; MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-10A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-20V; No. of Pins:8
MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor; MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-11A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2.5V; No. of Pins:8
MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor; MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-15A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.6V; No. of Pins:3
MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor; MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):110mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-800mV; No. of Pins:3
MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor; MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-60A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):3.75mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-2.3V; No. of Pins:8
MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor; MOSFET Transistor, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V; No. of Pins:8
MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 45; MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 450 V, 20 ohm, 0 V
MOSFET Transistor, N Channel, 6.5 A, 100; MOSFET Transistor, N Channel, 6.5 A, 100 V, 0.16 ohm, 10 V
MOSFET Transistor, N Channel, 72 mA, 350; MOSFET Transistor, N Channel, 72 mA, 350 V, 35 ohm, 0 V
MOSFET Transistor, N Channel, 9.5 A, 30; MOSFET Transistor, N Channel, 9.5 A, 30 V, 13 mohm, 10 V, 1 V
MOSFET Transistor, P Channel, -18 A, -40; MOSFET Transistor, P Channel, -18 A, -40 V, 0.008 ohm, -10 V, -2 V
MOSFET TRANSISTOR, TRANSISTOR POLARITY:P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-60A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0016ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET TRANSISTOR; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:540mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.41ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:270mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:630mA; Courant de drain continu Id, Canal P:-450mA; Courant, Id
MOSFET TRANSISTOR; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:540mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.41ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:270mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:630mA; Courant de drain continu Id, Canal P:-450mA; Courant, Id
MOSFET TRANSISTOR; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:110A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
MOSFET TRANSISTOR; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:4V
MOSFET TRANSISTOR; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs
MOSFET TRANSISTOR; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-27A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-27A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-150V; Tension, Vgs
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:D; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):61mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:2W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:D; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.3V; Power Dissipation Pd:1.9W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; Power Dissipation Pd:2.3W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:128W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.2A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):480mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Dissipation Pd:3.6W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):299mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:500mW
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.9A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:30V; Power Dissipation Pd:2.5W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0072ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Dissipation Pd:3.6W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:3.6W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.1V; Power Dissipation Pd:3.2W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0047ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:3.6W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):3.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:3.6W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:160A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):1.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:20V; Power Dissipation Pd:330W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:1.64W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.7A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:83W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:1W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):25.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:136W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:51A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.35V; Power Dissipation Pd:3.6W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:58A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):16.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:167W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:1.3V; Power Dissipation Pd:2.3W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:28W; MSL:-
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:20V; Power Dissipation Pd:75W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:79A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.35V; Power Dissipation Pd:3.6W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:20V; Power Dissipation Pd:260W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:89A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:16V; Power Dissipation Pd:3.8W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700mV; Power Dissipation Pd:900mW
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:20V; Power Dissipation Pd:3.1W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:P; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-15A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):8.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:12V; Power Dissipation Pd:2.5W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:P; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.2A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):240mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:20V; Power Dissipation Pd:2.5W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:P; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):75mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-600mV
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:P; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-60A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1.4V; No. of Pins:8
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:P; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-60A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):3.75mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-2.3V; Power Dissipation Pd:104W
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:P; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-700mA; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):2.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:20V; Power Dissipation Pd:2.5W
MOSFET, -150V, -150A, D2-PAK, FULL REEL;; MOSFET, -150V, -150A, D2-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-27A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):0.12ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-5V
MOSFET, -150V, -150A, D2-PAK; Transistor; MOSFET, -150V, -150A, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-27A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-5V; No. of Pins:3
MOSFET, 2 P-CH, -20V, -2.2A, SOT-23-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, 2 P-CH, -20V, -2.2A, SOT-23-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, 2 P-CH, -25V, -0.46A, SOT-23-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-460mA; Tension Vds max..:-25V; Résistance Rds(on):0.87ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-860mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, 2 P-CH, -25V, -0.46A, SOT-23-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-460mA; Tension Vds max..:-25V; Résistance Rds(on):0.87ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-860mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, 2 P-CH, -60V, -0.34A, SOT-23-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-340mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, 2 P-CH, -60V, -0.34A, SOT-23-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-340mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, 30V, 2.7A, SOT-23, FULL REEL; Tr; MOSFET, 30V, 2.7A, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.08ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
MOSFET, 60V, 33A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:85W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de terminaison:Traversant; Type de
MOSFET, 75V, 210A, TO-220AB; Continuous; MOSFET, 75V, 210A, TO-220AB; Continuous Drain Current Id:210A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):4.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:300W
MOSFET, CANAL N & P 60V, 3.1A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N & P 60V, 3.1A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 100V, 13A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.059ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 100V, 13A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.059ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 100V, 50A, VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0121ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 100V, 50A, VSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0121ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 100V, 58A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:58A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 100V, 69A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:69A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0099ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.84V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 100V, 70A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:72W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 100V, 80A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0062ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 120V, 100A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:120V; Résistance Rds(on):0.0041ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 120V, 41A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:41A; Tension Vds max..:120V; Résistance Rds(on):0.0126ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:107W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 150V, 83A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:83A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.0094ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:214W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 200V, 0.66A, SOT-223-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:660mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 200V, 0.66A, SOT-223-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:660mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 200V, 7A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 200V, 7A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 200V, 84A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:84A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.0106ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 20V, 2A, SC-70-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 20V, 2A, SC-70-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 20V, 2A, SOT-563-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.093ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 20V, 2A, SOT-563-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.093ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 20V, 5.5A, SC-88-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.029ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 20V, 5.5A, SC-88-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.029ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 25V, 100A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.00075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 300V, 38A, TO-247AC-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:38A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):0.056ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:341W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 30V, 4A, SC-70-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 30V, 4A, SC-70-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 35V, 2.5A, SC-88-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:35V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 35V, 2.5A, SC-88-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:35V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 35V, 3A, CPH-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:35V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:CPH; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 35V, 3A, CPH-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:35V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:CPH; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 40V, 150A, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.7W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 40V, 150A, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.7W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 40V, 200A, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 40V, 200A, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 500V, 10.5A, TO220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:114W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET, CANAL N 500V, 10.5A, TO-220FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:32W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET, CANAL N 500V, 10.5A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:114W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 10.5A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:114W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 10.5A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:114W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 10.5A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:114W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 14.5A, TO220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.243ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET, CANAL N 500V, 14.5A, TO-220FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.243ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET, CANAL N 500V, 14.5A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.243ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 14.5A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.243ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 18.5A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.17ohm; Tension, mesure Rds:13V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:127W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 18.5A, TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.17ohm; Tension, mesure Rds:13V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:127W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 19A, TO220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:179W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET, CANAL N 500V, 19A, TO-220FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET, CANAL N 500V, 19A, TO247AC-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:179W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET, CANAL N 500V, 19A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:179W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 19A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:179W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 21A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 21A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 3.1A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.26ohm; Tension, mesure Rds:13V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 3.1A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.26ohm; Tension, mesure Rds:13V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 6.1A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.1A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.59ohm; Tension, mesure Rds:13V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 6.1A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.1A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.59ohm; Tension, mesure Rds:13V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 9.9A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.9A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:13V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:73W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 500V, 9.9A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.9A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:13V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:73W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 600V, 0.12A, SOT-223-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 600V, 0.12A, SOT-223-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 600V, 11.1A, VSON-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.1A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.27ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 600V, 11.1A, VSON-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.1A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.27ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:VSON; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 600V, 12A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.22ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET, CANAL N 600V, 15A, TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET, CANAL N 600V, 2.4A, TO-251-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:22.3W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 600V, 20.2A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.17ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:151W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 600V, 21A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:192W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET, CANAL N 600V, 3.2A, TO-220FP-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.26ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:29.7W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 600V, 33A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.085ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:278W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-
MOSFET, CANAL N 600V, 39A, TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:39A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.068ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:313W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET, CANAL N 600V, 4.4A, TO-251-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.86ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:37W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 600V, 4.5A, TO-251-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.85ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 600V, 4.5A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.85ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 600V, 4.5A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.85ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 600V, 7.3A, TO-251-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 600V, 9.2A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.41ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 600V, 9.2A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.41ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 60V, 0.23A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:230mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 60V, 0.23A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:230mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 60V, 120A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:188W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 60V, 45A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0052ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 60V, 71A, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:71A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0051ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:61W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 60V, 71A, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:71A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0051ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:61W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 60V, 71A, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:71A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0051ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:61W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 60V, 71A, DFN-5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:71A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0051ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:61W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 650V, 10.6A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.6A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.34ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 650V, 10.6A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.6A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.34ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 650V, 11A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.199ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 650V, 17.5A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17.5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.171ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:151W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 650V, 3.2A, TO-251-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):1.26ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 650V, 46A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET, CANAL N 650V, 53.5A, TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:53.5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.063ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:391W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 650V, 57.7A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:57.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.067ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:480.8W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 650V, 6A, TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.594ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 650V, 6A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.594ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 650V, 6A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.594ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 650V, 8.7A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.378ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:83.3W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 650V, 8.7A, TO-263-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.378ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:83.3W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 650V, 83.2A, TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:83.2A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:500W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 75V, 100A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:214W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 75V, 80A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 800V, 11A, TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.34ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:35.7W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL N 800V, 17A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET, CANAL N 800V, 2A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):2.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30.5W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 800V, 2A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):2.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET, CANAL N 800V, 6A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.78ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 800V, 8A, TO-262-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.56ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 80V, 70A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0084ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N 900V, 15A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET, CANAL N 900V, 5.1A, TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.1A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):0.94ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
MOSFET, CANAL N DIO, 60V,100A, PPK SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, CANAL N DOUBLE 25V 40A TISON-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TISON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N DOUBLE 25V 40A TISON-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TISON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N DOUBLE 40V, 20A, TDSON-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0072ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:54W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N DOUBLE 40V, 20A, TDSON-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0072ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:54W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N DOUBLE 55V, 20A, TDSON-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:51W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N DOUBLE 55V, 20A, TDSON-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:51W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N DOUBLE 60V, 20A, TDSON-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N DOUBLE 60V, 20A, TDSON-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N DOUBLE, 30V, 8A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL N DOUBLE, 30V, 8A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL P -12V, -3A, CPH-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.054ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:CPH; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -12V, -3A, CPH-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.054ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:CPH; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -12V, -3A, SC-70-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.054ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -12V, -3A, SC-70-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.054ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -12V, -3A, SOT-563-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.064ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.3V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -12V, -3A, SOT-563-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.064ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.3V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -20V, -12A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-12A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0067ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL P -20V, -12A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-12A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0067ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL P 20V, 2.1A, SC-70-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.116ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V;
MOSFET, CANAL P -30V, -1.6A, CPH-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.233ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.6V; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:CPH; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -30V, -1.6A, CPH-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.233ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.6V; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:CPH; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -30V, -12.6A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-12.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0063ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.79W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL P -30V, -12.6A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-12.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0063ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.79W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL P -30V, -2A, SC-70-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.165ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:-1.3V; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -30V, -2A, SC-70-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.165ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:-1.3V; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -30V, -2A, SC-88-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.115ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.6V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -30V, -2A, SC-88-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.115ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.6V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -30V, -2A, SOT-563-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.115ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.6V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -30V, -2A, SOT-563-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.115ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.6V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -30V, -3.5A, SC-88-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.6V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -30V, -3.5A, SC-88-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.6V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -30V, -4.5A, SC-88-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.056ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -30V, -4.5A, SC-88-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.056ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -30V, -50A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0083ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:58W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL P -30V, -50A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0083ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:58W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL P -30V, -90A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-90A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0036ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:137W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL P -30V, -90A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-90A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0036ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:137W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL P -40V, -90A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-90A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL P -40V, -90A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-90A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL P -40V, -90A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-90A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0036ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL P -40V, -90A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-90A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0036ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL P -55V, -11A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-11A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):0.175ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -55V, -11A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-11A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):0.175ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL P -60V, -30A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-30A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.069ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL P -60V, -30A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-30A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.069ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL P -60V, -9.7A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-9.7A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL P -60V, -9.7A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-9.7A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, CANAL-N 500V, 3A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):2.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, CANAL-N 600V, 11A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, CANAL-N 900V, 2.1A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.1A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, CLASS D, 200V, TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:144W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:25A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:200V; Tension,
MOSFET, COMP, H-BRIDE, 30V, SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.98A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:870mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Demi-pont; Courant de drain continu Id, Canal N:5A; Courant de drain continu Id, Canal P:-4.1A;
MOSFET, COMP, H-BRIDE, 30V, SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.98A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:870mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Demi-pont; Courant de drain continu Id, Canal N:5A; Courant de drain continu Id, Canal P:-4.1A;
MOSFET, DOUBLE CANAL N 30V, 15A, LSON-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:6W; Type de boîtier de transistor:LSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DOUBLE CANAL N 30V, 20A, LSON-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):-; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:6W; Type de boîtier de transistor:LSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DOUBLE CANAL N 30V, 40A, LSON-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:12W; Type de boîtier de transistor:LSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N CH, 25V, 16A, POWERPAIR-6; MOSFET, DUAL N CH, 25V, 16A, POWERPAIR-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0063ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 0.25OHM, 750mA,; MOSFET, DUAL N CH, 30V, 250uOHM, 750mA, SC-70-6; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:750mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):250µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:6
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 11A, POWERPAIR-8; MOSFET, DUAL N CH, 30V, 11A, POWERPAIR-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.02ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 16A, POWERPAIR-6; MOSFET, DUAL N CH, 30V, 16A, POWERPAIR-6; Transistor Polarity:N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:6
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 24A, POWERPAIR-8; MOSFET, DUAL N CH, 30V, 24A, POWERPAIR-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:24A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:30V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.0059ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 40A, POWERPAIR-8; MOSFET, DUAL N CH, 30V, 40A, POWERPAIR-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0048ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 7.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 7.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 8.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N + Schottky; Courant de drain Id:8.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N CH, 30V, 8.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N + Schottky; Courant de drain Id:8.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N CH, 400V, 0.45A, SOP-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:450mA; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):3.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N CH, 400V, 0.45A, SOP-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:450mA; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):3.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N CH, 60V, 115MA, SOT-363;; MOSFET, DUAL N CH, 60V, 115MA, SOT-363; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:1.76V
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 12V, 4.5A, POWER; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 12V, 4.5A, POWERPAK SC70-6; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:6
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 0.16OHM, 1.; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 0.16OHM, 1.2A, SC-70-6; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:1.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:6
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 1.5A, POWER; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 1.5A, POWERPAK SC75-6; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.18ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:6
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 4.1A, TSSOP; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 4.1A, TSSOP-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:4.1A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:830mW
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 4.4A, CHIPF; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 4.4A, CHIPFET-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:4.4A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:8
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 5.2A, TSSOP; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 20V, 5.2A, TSSOP-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:5.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.0165ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:1W
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 25V, 145A, PQFN-; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 25V, 145A, PQFN-10; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:145A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):900 ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 25V, 188A, PQFN-; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 25V, 188A, PQFN-10; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:188A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):600 ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 0.0013OHM,; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 0.0013OHM, 60A, POWER 56-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 0.0093OHM,; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 0.0093OHM, 8.2A, SOIC-8, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:8.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0093ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 2OHM, 100mA; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 2OHM, 100mA, SOT-666, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:100mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4V; No. of Pins:6
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 4.6A, POWER; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 4.6A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:4.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0333ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 40A, POWERP; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 40A, POWERPAIR-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:31W
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 40A, POWERP; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 40A, POWERPAIR-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0053ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 60A, SOIC-8; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 60A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 7.1A, SOIC-; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 30V, 7.1A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id:7.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.156ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 1.6OHM, 280; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 1.6OHM, 280mA, SOT-563F-6; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:280mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; No. of Pins:6
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 4.4OHM, 115; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 4.4OHM, 115mA, SOT-363-6, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):4.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 4.4OHM, 115; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 4.4OHM, 115mA, SOT-363-6; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):4.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:6
MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 6OHM, 100mA; MOSFET, DUAL N CHANNEL, 60V, 6OHM, 100mA, SOT-666, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:100mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4V; No. of Pins:6
MOSFET, DUAL N-CH, 1.7KV, 325A, MODULE; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:325A; Tension Vds max..:1.7kV; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:1.76kW; Température de fonctionnement max..:150°C; Nombre de broches:7; Type de boîtier de transistor:Module
MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 0.7A, SC-70-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 0.7A, SC-70-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 0.7A, SC-70-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.3ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 0.7A, SC-70-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.3ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 16A, POWERPAIR;; MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 16A, POWERPAIR; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.007ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:800mV
MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 16A/35A, POWERPA; MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 16A/35A, POWERPAIR; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id, N Channel:35A; Drain Source Voltage Vds, N Channel:20V; On Resistance Rds(on), N Channel:0.0068ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
MOSFET, DUAL N-CH, 20V, SOT1118; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:510mW; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 5.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 5.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 5.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 5.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 7.9A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 7.9A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL N-CH, 40V, 8A, PPAKSO8L; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, DUAL P CHANNEL, -12V, -4.5A, POW; MOSFET, DUAL P CHANNEL, -12V, -4.5A, POWERPAK SC70-6; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.5A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.07ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.8V; No. of Pins:6
MOSFET, DUAL P CHANNEL, -20V, 0.0275OHM,; MOSFET, DUAL P CHANNEL, -20V, 0.0275OHM, -8A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0275ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:8
MOSFET, DUAL P CHANNEL, -20V, -1.3A, SOT; MOSFET, DUAL P CHANNEL, -20V, -1.3A, SOT-363-6; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.3A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.64ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.8V; No. of Pins:6
MOSFET, DUAL P CHANNEL, -30V, 0.01OHM, -; MOSFET, DUAL P CHANNEL, -30V, 0.01OHM, -5.3A, SOIC-8, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.3A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.02ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
MOSFET, DUAL P CHANNEL, 30V, 8A, SOIC-8;; MOSFET, DUAL P CHANNEL, 30V, 8A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V
MOSFET, DUAL P CHANNEL, -40V, -6A, POWER; MOSFET, DUAL P CHANNEL, -40V, -6A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-6A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:8
MOSFET, DUAL P-CH, -20V, -0.6A, SC-70-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-600mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.3ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL P-CH, -20V, -0.6A, SC-70-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-600mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.3ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL P-CH, 20V, SOT1118; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-3.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:485mW; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, DUAL P-CH, 20V, SOT1118; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.055ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-650mV; Dissipation de puissance Pd:490mW; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, DUAL P-CH, -25V, -0.41A, SC-70-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-410mA; Tension Vds max..:-25V; Résistance Rds(on):0.85ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-820mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL P-CH, -25V, -0.41A, SC-70-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-410mA; Tension Vds max..:-25V; Résistance Rds(on):0.85ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-820mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL P-CH, -30V, -2.9A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.095ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL P-CH, -30V, -2.9A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.095ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL P-CH, -60V, -2.9A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.9A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.082ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL P-CH, -60V, -2.9A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.9A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.082ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, DUAL, N-CH, 60V, 0.17A, SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, DUAL, NN, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.082ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:2.5A; Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm
MOSFET, DUAL, NN, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.082ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:2.5A; Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm
MOSFET, DUAL, NN, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:2.7A; Courant, Id max..:2.7A; Courant, Idm
MOSFET, DUAL, NN, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:2.7A; Courant, Id max..:2.7A; Courant, Idm
MOSFET, DUAL, NN, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:510mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:510mA; Courant, Id max..:510mA; Courant, Idm
MOSFET, DUAL, NN, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:510mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:510mA; Courant, Id max..:510mA; Courant, Idm
MOSFET, DUAL, NP, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:1.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.069ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:1.6A; Courant, Id cont., canal N 2:2.7A; Courant, Id max..:2.7A; Courant, Idm impul.:8A;
MOSFET, DUAL, NP, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:1.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.069ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:1.6A; Courant, Id cont., canal N 2:2.7A; Courant, Id max..:2.7A; Courant, Idm impul.:8A;
MOSFET, DUAL, NP, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:340mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:340mA; Courant, Id max..:510mA; Courant, Idm impul.:1A; Dissipation de puissance P canal
MOSFET, DUAL, NP, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:340mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:340mA; Courant, Id max..:510mA; Courant, Idm impul.:1A; Dissipation de puissance P canal
MOSFET, DUAL, PP, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:1.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.127ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-1.9A; Courant, Id max..:-1.9A; Courant, Idm
MOSFET, DUAL, PP, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:1.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.127ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-1.9A; Courant, Id max..:-1.9A; Courant, Idm
MOSFET, DUAL, PP, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-1.8A; Courant, Id max..:1.8A; Courant, Idm
MOSFET, DUAL, PP, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-1.8A; Courant, Id max..:1.8A; Courant, Idm
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:D; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:680mA; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):450mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:800mV; No. of Pins:6
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:D; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:7.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; Power Dissipation Pd:1.6W
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:D; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-700mA; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.221ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-600mV; No. of Pins:6
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.01ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:2.5W
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:800mV; Power Dissipation Pd:2.5W
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.4V; Power Dissipation Pd:2.5W
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):12.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.9V; Power Dissipation Pd:2.5W
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:900mV; Power Dissipation Pd:900mW
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:220mA; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:850mV; Power Dissipation Pd:300mW
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:280mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V; Power Dissipation Pd:300mW
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:3W
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:500mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V; Power Dissipation Pd:300mW
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; Power Dissipation Pd:1.6W
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:670mV; Power Dissipation Pd:3W
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; Power Dissipation Pd:3W
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:2.5W
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:310W
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Dissipation Pd:2.5W
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:900mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):220mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:350mW
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):17mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:2.5W
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.3A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2V; Power Dissipation Pd:500mW
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-120mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):10ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.7V; Power Dissipation Pd:360mW
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:180mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.7V; Power Dissipation Pd:360mW
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:1A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-600mV; Power Dissipation Pd:500mW
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:2.3A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):115mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-900mV; No. of Pins:6
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.4A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):55mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation Pd:500mW
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-20A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):4.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.8V; Power Dissipation Pd:2.5W
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.5A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-600mV; No. of Pins:8
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-410mA; Drain Source Voltage Vds:-25V; On Resistance Rds(on):1.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-820mV; No. of Pins:6
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:460mA; Drain Source Voltage Vds:-25V; On Resistance Rds(on):1.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-860mV; No. of Pins:3
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.6V; Power Dissipation Pd:3W
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-600mV; Power Dissipation Pd:3W
MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P; MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.6V; Power Dissipation Pd:1.6W
MOSFET, N & P CH 8SOIC; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:20V;
MOSFET, N & P CH, 130V, 6.4A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N & P CH, 130V, 6.4A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N & P CH, 25V, 0.22A, SOT-23-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):3.1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N & P CH, 25V, 0.22A, SOT-23-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):3.1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N & P CH, 30V, .25/.87OHM, 750mA; MOSFET, N & P CH, 30V, .25/.87OHM, 750mA, SC-70-6; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:750mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):250mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:6
MOSFET, N & P CHANNEL, 12V, 7.6A, POWERP; MOSFET, N & P CHANNEL, 12V, 7.6A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:7.6A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:8
MOSFET, N & P CHANNEL, 20V, 0.03OHM, 4A,; MOSFET, N & P CHANNEL, 20V, 0.03OHM, 4A, 1206-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:8
MOSFET, N & P CHANNEL, 20V, 4.5A, POWERP; MOSFET, N & P CHANNEL, 20V, 4.5A, POWERPAK SC70-6; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.053ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:6
MOSFET, N & P CHANNEL, 20V, 6.7A, TSSOP-; MOSFET, N & P CHANNEL, 20V, 6.7A, TSSOP-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:6.7A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.18ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:600mV
MOSFET, N & P CHANNEL, 30V, 0.028OHM, 6A; MOSFET, N & P CHANNEL, 30V, 0.028OHM, 6A, SOIC-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, N & P CHANNEL, 40V, 6.8A, SOIC-8; MOSFET, N & P CHANNEL, 40V, 6.8A, SOIC-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:6.8A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0295ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.4V
MOSFET, N & P-CH, 30V, 3.9A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):53mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N & P-CH, 30V, 3.9A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):53mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N & P-CH, 30V, 7A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N & P-CH, 30V, 7A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N & P-CH, 40V, 6.1A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.1A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N & P-CH, 40V, 6.1A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.1A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N & P-CH, 40V, 6.2A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.2A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N & P-CH, 40V, 6.2A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.2A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N AND P CHANNEL, 20V, 0.18OHM, 7; MOSFET, N AND P CHANNEL, 20V, 0.18OHM, 700mA, SC-70-6; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.18ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:6
MOSFET, N AND P CHANNEL, 30V, 2OHM, -100; MOSFET, N AND P CHANNEL, 30V, 2OHM, -100mA, SOT-666, FULL REEL; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:100mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4V
MOSFET, N AND P CHANNEL, 60V, 0.046OHM,; MOSFET, N AND P CHANNEL, 60V, 0.046OHM, 5.3A, SOIC-8, FULL REEL; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:5.3A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
MOSFET, N CH 100V 23A SOT78; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:99W; Type de boîtier de transistor:SOT-78A; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:23A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH 100V 33A SOT428; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):38.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:114W; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:33A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH 100V 33A SOT428; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):38.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:114W; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:33A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH 100V 4.6A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):173mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension,
MOSFET, N CH 100V 4.6A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):173mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension,
MOSFET, N CH 29A 150V, TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:135W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:29A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:150V; Tension,
MOSFET, N CH 30V 100A SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.29mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:109W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:15A; Résistance, Ron, max..:1.7mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
MOSFET, N CH 30V 100A SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.29mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:109W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:15A; Résistance, Ron, max..:1.7mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
MOSFET, N CH 30V 65A SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:65A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.92mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:51W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:65A; Résistance, Ron, max..:7mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
MOSFET, N CH 30V 65A SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:65A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.92mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:51W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:65A; Résistance, Ron, max..:7mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
MOSFET, N CH 30V 73A SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:73A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:55W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:73A; Résistance, Ron, max..:6mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
MOSFET, N CH 30V 75A SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:59A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
MOSFET, N CH 3A 80V SSOT-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.056ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:80V;
MOSFET, N CH 3A 80V SSOT-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.056ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:80V;
MOSFET, N CH 40V 56A SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:85W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:56A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:40V;
MOSFET, N CH 40V 58A SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:58A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:85W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:58A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:40V;
MOSFET, N CH 40V 58A SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:58A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:85W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:58A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:40V;
MOSFET, N CH 55V 34A SOT78; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):68mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:62W; Type de boîtier de transistor:SOT-78A; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH 55V 34A SOT78; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:34A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):32mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:85W; Type de boîtier de transistor:SOT-78A; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:34A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH 55V 5.5A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):137mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH 55V 5.5A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):137mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH 55V 5.5A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH 55V 5.5A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH 55V 75A SOT404; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:254W; Type de boîtier de transistor:SOT-404; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:126A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V;
MOSFET, N CH 55V SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.7A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH 55V SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.7A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH 56A 100V TO247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:56A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH 61A 100V, TO236AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:61A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:61A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH 61A 100V, TO236AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:61A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:61A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH 75V 34A SOT669; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:34A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:85W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:34A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:75V;
MOSFET, N CH 80A 75V, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0048ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:255W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:75V; Tension,
MOSFET, N CH, 0.1A, 20V, 2HA1B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):12ohm; Tension, mesure Rds:2.5V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor:-; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100mA; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:10V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:2.5V; Type de terminaison:CMS
MOSFET, N CH, 0.1A, 20V, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100mA; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:10V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4V; Type de
MOSFET, N CH, 0.1A, 20V, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100mA; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:10V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4V; Type de
MOSFET, N CH, 0.2A, 60V, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de
MOSFET, N CH, 0.2A, 60V, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de
MOSFET, N CH, 0.2A, 60V, US6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:US6; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:200mA; Courant, Id max..:200mA; Résistance On Rds(on), Canal N:2.2ohm; Tension
MOSFET, N CH, 0.4A, 30V, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:400mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):700mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:400mA; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de
MOSFET, N CH, 0.5A, 500V, SC-62; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):18ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SC-62; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:500mA; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de packaging:Bande
MOSFET, N CH, 1.1A, 20V, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:US6; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.1A; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:12V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4V; Type de terminaison:CMS
MOSFET, N CH, 1.2KV, 40A, HIP247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:270W; Type de boîtier de transistor:HiP247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 1.5KV, 0.1A, TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:1.5kV; Résistance Rds(on):100ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 1.5KV, 100 OHM, TO-220F-3;; MOSFET, N CH, 1.5KV, 100 OHM, TO-220F-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100mA; Drain Source Voltage Vds:1.5kV; On Resistance Rds(on):100ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-; MSL:-
MOSFET, N CH, 1.5KV, 2.5A, TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:1.5kV; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:32W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 1.5KV, 2.5A, TO-3P-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:1.5kV; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 1.5KV, 2.5A, TO-3PF-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:1.5kV; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-3PF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 1.5KV, 8OHM, TO-220F-3; Tr; MOSFET, N CH, 1.5KV, 8OHM, TO-220F-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:1.5kV; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 1.5KV, 8OHM, TO-3P-3; Tran; MOSFET, N CH, 1.5KV, 8OHM, TO-3P-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:1.5kV; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 1.5KV, 8OHM, TO-3PF-3; Tra; MOSFET, N CH, 1.5KV, 8OHM, TO-3PF-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:1.5kV; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 100V, 0.0039OHM, 120A, TO-; MOSFET, N CH, 100V, 0.0039OHM, 120A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V
MOSFET, N CH, 100V, 0.0189OHM, 18A, MLP-; MOSFET, N CH, 100V, 0.0189OHM, 18A, MLP-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0189ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
MOSFET, N CH, 100V, 0.086OHM, 2.7A, SUPE; MOSFET, N CH, 100V, 0.086OHM, 2.7A, SUPERSOT-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.086ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V
MOSFET, N CH, 100V, 0.8A, SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:800mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 100V, 0.8A, SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:800mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 100V, 1.7A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 100V, 1.7A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 100V, 10A, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.185ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 100V, 10A, TO-251AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.142ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 100V, 10A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.142ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 100V, 10A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.142ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 100V, 12.8A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.142ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 100V, 120A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:312W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:110A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension,
MOSFET, N CH, 100V, 14.4A, DIRECTFET SB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.051ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:DirectFET SB; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET, N CH, 100V, 15.6A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.074ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 100V, 15.6A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.074ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 100V, 180A, H2PAK-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:315W; Type de boîtier de transistor:H2PAK; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET, N CH, 100V, 180A, H2PAK-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:315W; Type de boîtier de transistor:H2PAK; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET, N CH, 100V, 180A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:315W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET, N CH, 100V, 18A, SOP8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de packaging:Bande
MOSFET, N CH, 100V, 18A, SOP8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de packaging:Bande
MOSFET, N CH, 100V, 1A, SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):700mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 100V, 1A, SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):700mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 100V, 2.6A, SSOT6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 100V, 2.6A, SSOT6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 100V, 25A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:25A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 100V, 25A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:25A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 100V, 3.7A, SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 100V, 3.7A, SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 100V, 32A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:95W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 100V, 32A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:95W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 100V, 33A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:127W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 100V, 33A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:127W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 100V, 35A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):38mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:35A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 100V, 35A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):38mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:35A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 100V, 38A, TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:38A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension,
MOSFET, N CH, 100V, 40A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 100V, 43.5A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:43.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:146W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 100V, 5.8A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.275ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 100V, 5.8A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.275ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 100V, 55A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:55A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 100V, 63A, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 100V, 63A, I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 100V, 6A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):220mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Température de fonctionnement:-65°C à +175°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:100V;
MOSFET, N CH, 100V, 6A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):220mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Température de fonctionnement:-65°C à +175°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:100V;
MOSFET, N CH, 100V, 75A, TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0067ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:515W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 100V, 80A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):19mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension,
MOSFET, N CH, 100V, 80A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension,
MOSFET, N CH, 120V, 14A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:120V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:120V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 120V, 80A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:120V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:120V; Tension,
MOSFET, N CH, 1500V, 2.5A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.3A; Tension Vds max..:1.5kV; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Température de fonctionnement:-50°C à +150°C; Température d'utilisation min:-50°C; Tension, Vds typ.:1.5kV;
MOSFET, N CH, 150V, 21A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:95W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 150V, 21A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:95W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 150V, 33A, TO-262; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):34.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:144W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:33A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:150V; Tension,
MOSFET, N CH, 150V, 43A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:43A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 150V, 45.6A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45.6A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:210W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 150V, 67A, DIRECTFET L8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:DirectFET L8; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:67A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET, N CH, 150V, 67A, DIRECTFET L8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:DirectFET L8; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:67A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET, N CH, 150V, 83A, TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:83A; Racine de la référence:4228; Résistance de sortie:0.012ohm; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C;
MOSFET, N CH, 1KV, 3.5A, TO220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.75A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:30V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:1kV;
MOSFET, N CH, 1KV, 8A, TO-3PN-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:225W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 200V, 0.06A, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 200V, 0.06A, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 200V, 0.85A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:850mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 200V, 0.85A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:850mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 200V, 1.1A, SOT-23-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.605ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 200V, 1.1A, SOT-23-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.605ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 200V, 15A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:15A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:200V; Tension,
MOSFET, N CH, 200V, 15A, TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:15A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:200V;
MOSFET, N CH, 200V, 18A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 200V, 18A, TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:200V;
MOSFET, N CH, 200V, 19A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 200V, 24A, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.064ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:144W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 200V, 24A, TO262; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.0637ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:144W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:24A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:200V; Tension,
MOSFET, N CH, 200V, 40A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):38mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:200V; Tension,
MOSFET, N CH, 200V, 40A, TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):38mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:200V; Tension,
MOSFET, N CH, 200V, 5A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):650mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 200V, 5A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):650mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 200V, 61A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:61A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 200V, 75A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 200V, 75A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 200V, 75A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Température de fonctionnement:-50°C à +150°C; Température d'utilisation min:-50°C; Tension, Vds typ.:200V; Tension,
MOSFET, N CH, 20V, 0.25OHM, 600mA, SC; MOSFET, N CH, 20V, 0.00024OHM, 600mA, SC-89-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:600mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.00024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N CH, 20V, 19.8A, SOIC-8; Transi; MOSFET, N CH, 20V, 19.8A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:19.8A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.0038ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N CH, 20V, 2.5A, 3-SOT-23; Trans; MOSFET, N CH, 20V, 2.5A, 3-SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):56mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:650mV; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 20V, 5.7A, 3-SOT-23; Trans; MOSFET, N CH, 20V, 5.7A, 3-SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.7A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700mV; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 20V, 5.9A, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:450mV; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 20V, 5.9A, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:450mV; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 20V, 50A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:44W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 20V, 50A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:44W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 20V, 6.2A, SSOT6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:820mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 20V, 6.2A, SSOT6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:820mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 20V, 6.3A, SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):21mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:0.9V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V; Type de
MOSFET, N CH, 20V, 6.3A, SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):21mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:0.9V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V; Type de
MOSFET, N CH, 20V, 6A, SOT457; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:530mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 20V, 700MA, SOT416; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:750mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 20V, 980MA, 3-SOT-416; Tra; MOSFET, N CH, 20V, 980MA, 3-SOT-416; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:980mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:700mV
MOSFET, N CH, 24V, 120A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:24V; Résistance Rds(on):1.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:120A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 250V, 0.1A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):7.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET, N CH, 250V, 0.36A, SOT-89-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:360mA; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 250V, 0.36A, TO-243AA-3; T; MOSFET, N CH, 250V, 0.36A, TO-243AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:360mA; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:0V; Threshold Voltage Vgs:-; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 250V, 22A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:135W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:22A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 250V, 45A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:45A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 250V, 45A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:45A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:250V; Tension,
MOSFET, N CH, 250V, 52A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:26A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:52A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:250V; Tension,
MOSFET, N CH, 25V, 100A, PQFN56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):1.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 25V, 21A, 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):3.8mohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:10V
MOSFET, N CH, 25V, 21A, 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:97A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):3.9mohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:97A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:10V
MOSFET, N CH, 25V, 31A, 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):1.9mohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:10V
MOSFET, N CH, 25V, 33A, 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):1.5mohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:10V
MOSFET, N CH, 25V, 35A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 25V, 35A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 25V, 46A, LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0077ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 25V, 46A, LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0077ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 25V, 61A, DIRECTFET L2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:61A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:4.3W; Type de boîtier de transistor:DirectFET L2; Nombre de broches:13; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:61A; Courant, Idm impul.:490A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
MOSFET, N CH, 25V, 64A, LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:64A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.54V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 300V, 0.175A, TO-92-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:175mA; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):12ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:740mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 300V, 0.2A, TO-243AA-3; Tr; MOSFET, N CH, 300V, 0.2A, TO-243AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:300V; On Resistance Rds(on):12ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:0V; Threshold Voltage Vgs:-; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 300V, 21A, TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:21A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:300V; Tension,
MOSFET, N CH, 300V, 60A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):37mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:320W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:300V; Tension,
MOSFET, N CH, 30V, 0.0016OHM, 31A, TO-26; MOSFET, N CH, 30V, 0.0016OHM, 31A, TO-263AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
MOSFET, N CH, 30V, 0.0027OHM, 93A, SOICF; MOSFET, N CH, 30V, 0.0027OHM, 93A, SOICFL-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:93A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.63V
MOSFET, N CH, 30V, 0.0049OHM, 15A, SOIC-; MOSFET, N CH, 30V, 0.0049OHM, 15A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0049ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
MOSFET, N CH, 30V, 0.0051OHM, 84A, SOT-6; MOSFET, N CH, 30V, 0.0051OHM, 84A, SOT-669-5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:84A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0051ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.54V
MOSFET, N CH, 30V, 0.0132OHM, 9A, SOIC-8; MOSFET, N CH, 30V, 0.0132OHM, 9A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0132ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
MOSFET, N CH, 30V, 0.016OHM, 6.7A, TSOP-; MOSFET, N CH, 30V, 0.016OHM, 6.7A, TSOP-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V
MOSFET, N CH, 30V, 1.4A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.119ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET, N CH, 30V, 1.4A, SOT-23-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.092ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 1.4A, SOT-23-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.092ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 1.78A, 3-SOT-883; Tra; MOSFET, N CH, 30V, 1.78A, 3-SOT-883; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.78A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):390mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:700mV
MOSFET, N CH, 30V, 1.7A, 3-SOT-23; Trans; MOSFET, N CH, 30V, 1.7A, 3-SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):117mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V
MOSFET, N CH, 30V, 1.9A, 3-SOT-23; Trans; MOSFET, N CH, 30V, 1.9A, 3-SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):77mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 30V, 100A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:349W; Type de boîtier de transistor:SOT-1023; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 100A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:349W; Type de boîtier de transistor:SOT-1023; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 100A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00079ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:238W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 100A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00079ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:238W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 100A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00096ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:194W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 100A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00096ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:194W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 100A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00111ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:166W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 100A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00111ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:166W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 10A, 4-SOT-223; Trans; MOSFET, N CH, 30V, 10A, 4-SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:4
MOSFET, N CH, 30V, 11.6A, 8SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0079ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 30V, 14.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N + Schottky; Courant de drain Id:14.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0045ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 14.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N + Schottky; Courant de drain Id:14.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0045ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 14A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
MOSFET, N CH, 30V, 15A, POWERFLAT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds
MOSFET, N CH, 30V, 15A, PQFN56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:34A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFET, N CH, 30V, 15A, PQFN56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:34A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFET, N CH, 30V, 16A, PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0057ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
MOSFET, N CH, 30V, 16A, PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0057ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
MOSFET, N CH, 30V, 19.3A, SOIC-8; Transi; MOSFET, N CH, 30V, 19.3A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):6500µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:8
MOSFET, N CH, 30V, 190A, TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:260A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 100°C:190A; Courant, Id cont. à 25°C:260A; Courant, Id max..:260A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, N CH, 30V, 19A, POWERFLAT6X5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:19A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 30V, 2.7A, SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 30V, 2.7A, SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 30V, 20A, POWERFLAT6X5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:4W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds
MOSFET, N CH, 30V, 24A, PQFN56; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:76A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFET, N CH, 30V, 30A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:30A; Température de fonctionnement:-65°C à +175°C; Température
MOSFET, N CH, 30V, 30A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:30A; Température de fonctionnement:-65°C à +175°C; Température
MOSFET, N CH, 30V, 30A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:36W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:30A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
MOSFET, N CH, 30V, 350MA, SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:260mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-0.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET, N CH, 30V, 350MA, SOT416; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-0.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET, N CH, 30V, 35A, POWERFLAT6X5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.55V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:35A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET, N CH, 30V, 35A, POWERFLAT6X5; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.55V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:PowerFLAT; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:35A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET, N CH, 30V, 35A, PPK 1212; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0045ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 30V, 37A, LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0099ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.57V; Dissipation de puissance Pd:29W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 30V, 37A, LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0099ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.57V; Dissipation de puissance Pd:29W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 30V, 38A, POLARPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:5.2W; Type de boîtier de transistor:PolarPAK; Nombre de broches:10; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs,
MOSFET, N CH, 30V, 4.9A, 3-SOT-23; Trans; MOSFET, N CH, 30V, 4.9A, 3-SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700mV; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 30V, 400MA, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:400mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-0.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 30V, 40A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
MOSFET, N CH, 30V, 44A, LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0083ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.66V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 30V, 44A, LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0083ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.66V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 30V, 47A, 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0094ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 30V, 47A, 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0094ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 30V, 48A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:48A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
MOSFET, N CH, 30V, 48A, IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:48A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 30V, 5.1A, SOT457; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 30V, 5.3A, SOT23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 30V, 5.3A, SOT23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 30V, 55A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:27.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:55A; Température de fonctionnement:-60°C à +175°C; Température d'utilisation min:-60°C; Tension, Vds typ.:30V;
MOSFET, N CH, 30V, 55A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:27.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:55A; Température de fonctionnement:-60°C à +175°C; Température d'utilisation min:-60°C; Tension, Vds typ.:30V;
MOSFET, N CH, 30V, 6.2A, SOT457; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 30V, 62A, TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:62A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension,
MOSFET, N CH, 30V, 66A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:66A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00505ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.68V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 66A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:66A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.00505ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.68V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 66A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:66A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.83V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 66A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:66A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.83V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 7.4A, SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:820mW; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 30V, 71A, LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:71A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.48V; Dissipation de puissance Pd:58W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 30V, 75A, LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:105W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 30V, 76A, TO252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:66A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
MOSFET, N CH, 30V, 78A, TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:150A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
MOSFET, N CH, 30V, 80A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
MOSFET, N CH, 30V, 80A, IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 30V, 80A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 30V, 94A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:94A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 94A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:94A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 95A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:95A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.74V; Dissipation de puissance Pd:64W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 30V, 95A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:95A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.74V; Dissipation de puissance Pd:64W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 350V, 0.072A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:72mA; Tension Vds max..:350V; Résistance Rds(on):35ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 350V, 0.12A, TO-92-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120mA; Tension Vds max..:350V; Résistance Rds(on):17ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 350V, 0.135A, SOT-89-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:135mA; Tension Vds max..:350V; Résistance Rds(on):35ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 350V, 0.135A, TO-243AA-3;; MOSFET, N CH, 350V, 0.135A, TO-243AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:135mA; Drain Source Voltage Vds:350V; On Resistance Rds(on):35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:0V; Threshold Voltage Vgs:-; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 350V, 0.23A, SOT-89-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:230mA; Tension Vds max..:350V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 350V, 0.23A, TO-243AA-3; T; MOSFET, N CH, 350V, 0.23A, TO-243AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:230mA; Drain Source Voltage Vds:350V; On Resistance Rds(on):10ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:0V; Threshold Voltage Vgs:-; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 350V, 0.5A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:350V; Résistance Rds(on):17ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:15W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 400V, 0.12A, TO-92-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120mA; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):17ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 400V, 0.5A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):17ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:15W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 400V, 10.5A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.5A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):0.43ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:135W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 400V, 5.4A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 400V, 9A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):490mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 400V, 9A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):490mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 40V, 0.004OHM, 145A, TO-25; MOSFET, N CH, 40V, 0.004OHM, 145A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:145A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.004ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
MOSFET, N CH, 40V, 0.1A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00085ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, N CH, 40V, 0.1A, TDSON-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MOSFET, N CH, 40V, 100A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00093ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:198W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 40V, 100A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00093ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:198W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 40V, 100A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00112ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:238W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 40V, 100A, SOT-669-4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00112ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:238W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 40V, 120A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:120A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:40V; Tension,
MOSFET, N CH, 40V, 12A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:45V;
MOSFET, N CH, 40V, 162A, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 40V, 195A, TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1.75mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:380W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:340A; Racine de la référence:3004; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET, N CH, 40V, 202A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:160A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:333W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 40V, 340A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:380W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:340A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 40V, 35.3A, LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35.3A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:59.4W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 40V, 42A, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 40V, 56A, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0078ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 40V, 6A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:45V;
MOSFET, N CH, 450V, 0.136A, TO-92-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:136mA; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):20ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:740mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 450V, 0.1A, SOT-89-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):60ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 450V, 0.1A, TO-243AA-3; Tr; MOSFET, N CH, 450V, 0.1A, TO-243AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100mA; Drain Source Voltage Vds:450V; On Resistance Rds(on):60ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:0V; Threshold Voltage Vgs:-; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 450V, 0.2A, SOT-89-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):20ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 45V, 6A, 0.06OHM, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:45V; Résistance Rds(on):0.06ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 4A, 20V, SSOTFMLP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:UF6; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:12V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4V; Type de terminaison:CMS
MOSFET, N CH, 500V, 0.013A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13mA; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):850ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 500V, 0.013A, TO-236AB-3;; MOSFET, N CH, 500V, 0.013A, TO-236AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13mA; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):850ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:0V; Threshold Voltage Vgs:-; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 500V, 0.03A, SOT-89-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30mA; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):850ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 500V, 0.03A, TO-92-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30mA; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):850ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:740mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 500V, 0.35A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):7ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 500V, 0.35A, TO-252AA-3; T; MOSFET, N CH, 500V, 0.35A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:350mA; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:0V; Threshold Voltage Vgs:-; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 500V, 10A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 500V, 12A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 500V, 14A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:500V; Tension,
MOSFET, N CH, 500V, 14A, TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):340mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:500V;
MOSFET, N CH, 500V, 14A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.3ohm; Tension, mesure Rds:30V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Température de fonctionnement:-50°C à +150°C; Température d'utilisation min:-50°C; Tension, Vds typ.:500V; Tension,
MOSFET, N CH, 500V, 3.6A,TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.6A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.75ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 500V, 3A, IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):2.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:500V; Tension,
MOSFET, N CH, 500V, 4.4A, IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.22ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:500V;
MOSFET, N CH, 500V, 70A, ISOTOP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:600W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:70A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:500V; Tension,
MOSFET, N CH, 50V, 0.21A, SOT-323-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:210mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):1.17ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:340mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 50V, 0.21A, SOT-323-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:210mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):1.17ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:340mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 550V, 13A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 55V, 0.54A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:540mA; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.346ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET, N CH, 55V, 10A, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.14ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 55V, 110A, TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 55V, 135A, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:135A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 55V, 17A, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 55V, 17A, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 55V, 300MA, 3-SOT-323; Tra; MOSFET, N CH, 55V, 300MA, 3-SOT-323; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300mA; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):2.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 55V, 335MA, 3-SOT-23; Tran
MOSFET, N CH, 55V, 42A, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 55V, 49A, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:49A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0175ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 55V, 49A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:49A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0175ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 55V, 51A, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:51A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 55V, 51A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:51A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 55V, 51A, TO-262; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:51A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 55V, 60A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V;
MOSFET, N CH, 55V, 60A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V;
MOSFET, N CH, 55V, 75A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 55V, 75A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0046ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 55V, 80A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V;
MOSFET, N CH, 55V, 80A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):6.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
MOSFET, N CH, 55V, 80A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V;
MOSFET, N CH, 55V, 80A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):6.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
MOSFET, N CH, 55V, 80A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):6.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
MOSFET, N CH, 55V, 89A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:89A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 55V, 91A, I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 55V, 95A, TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:95A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 5A, 60V, TO251AA,; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de terminaison:Traversant;
MOSFET, N CH, 600V, 0.081OHM, 36A, TO-26; MOSFET, N CH, 600V, 0.081OHM, 36A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:36A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.081ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CH, 600V, 0.3A, TO92; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:400mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 600V, 0.4A, TO92; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:400mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:400mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 600V, 10A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):650mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 600V, 13.5A, TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):450mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:600V;
MOSFET, N CH, 600V, 13A, TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:600V;
MOSFET, N CH, 600V, 1A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:600V;
MOSFET, N CH, 600V, 1A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:600V;
MOSFET, N CH, 600V, 1A, IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 600V, 20A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:19.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 600V, 20A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:19.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 600V, 20A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:192W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:600V; Tension,
MOSFET, N CH, 600V, 21A, TO-220AB-3; Tra; MOSFET, N CH, 600V, 21A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:227W; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 600V, 21A, TO-247AC-3; Tra; MOSFET, N CH, 600V, 21A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:227W; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-220AB-3; Tra; MOSFET, N CH, 600V, 29A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.104ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:250W; MSL:-
MOSFET, N CH, 600V, 2A, TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):4.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:600V; Tension,
MOSFET, N CH, 600V, 4.5A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 600V, 400MA, SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:400mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 600V, 400MA, SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:400mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 600V, 47A, TO-247AC-3; Tra; MOSFET, N CH, 600V, 47A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:47A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.053ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:357W; MSL:-
MOSFET, N CH, 600V, 4A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.76ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 600V, 60A, MAX247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:30V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:560W; Type de boîtier de transistor:MAX-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:600V; Tension,
MOSFET, N CH, 600V, 6A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:600V;
MOSFET, N CH, 600V, 6A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:600V;
MOSFET, N CH, 600V, 70A, ISOTOP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:600W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:70A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:600V; Tension,
MOSFET, N CH, 600V, 74A, MAX247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:447W; Type de boîtier de transistor:MAX-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:74A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:600V; Tension,
MOSFET, N CH, 600V, 7A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 600V, 7A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 600V, 7A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:600V; Tension,
MOSFET, N CH, 60V, 0.23A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:230mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT-323-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:310mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 0.31A, SOT-323-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:310mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 0.32A, SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:320mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:260mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 60V, 0.32A, SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:320mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:260mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 60V, 0.36A, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:360mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 60V, 0.36A, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:360mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, 60V, 1.2A, SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.2A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.356ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 60V, 1.2A, SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.2A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.356ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 60V, 10A, TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.088ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:24W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 11A, TO-251AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.092ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 11A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.092ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 11A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.092ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 13.6A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.088ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 16A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
MOSFET, N CH, 60V, 16A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
MOSFET, N CH, 60V, 18A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:245W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 2.8A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.088ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 2.8A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.088ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 2.8A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 2.8A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 20A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 60V, 20A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:53W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 21A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:53W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 28A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:28A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
MOSFET, N CH, 60V, 3.5A, 8SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 60V, 3.5A, 8SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 60V, 32A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):27mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 32A, TO263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 32A, TO263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 35A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:35A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
MOSFET, N CH, 60V, 35A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:35A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
MOSFET, N CH, 60V, 35A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:2.5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 60V, 35A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:2.5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 60V, 38A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):235mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:38A; Température de fonctionnement:-65°C à +175°C; Température d'utilisation
MOSFET, N CH, 60V, 43A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:43A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0126ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 60V, 4A, SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 60V, 4A, SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 60V, 50A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:27.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 60V, 50A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:27.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 60V, 50A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0115ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 60V, 50A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0115ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 60V, 50A, TO-263-3; Transi; MOSFET, N CH, 60V, 50A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 60V, 52.4A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:52.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:121W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 52.4A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:52.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:121W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 60V, 55A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:16V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:95W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:55A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 60V, 55A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:16V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:95W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:55A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 60V, 5A, 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
MOSFET, N CH, 60V, 60A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):11.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs
MOSFET, N CH, 60V, 80A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de terminaison:Traversant; Type
MOSFET, N CH, 60V, 9A, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0054ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:143W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 650V, 0.3A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 650V, 0.3A, TO-252AA-3; Tr; MOSFET, N CH, 650V, 0.3A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300mA; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:0V; Threshold Voltage Vgs:-; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 650V, 11A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 650V, 11A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 650V, 7A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:710V; Résistance Rds(on):0.56ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 6A, 30V, SOT23-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de terminaison:CMS; Type de
MOSFET, N CH, 700V, 7.5A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:700V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:700V; Tension,
MOSFET, N CH, 700V, 7.5A, TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:700V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:700V;
MOSFET, N CH, 700V, 8.6A, TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:700V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:700V;
MOSFET, N CH, 70A, 60V, T0247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:70A; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de terminaison:Traversant; Type
MOSFET, N CH, 75V, 106A, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:106A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0059ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 75V, 120A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:120A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:75V; Tension,
MOSFET, N CH, 75V, 140A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:140A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0059ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 75V, 40A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
MOSFET, N CH, 75V, 40A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
MOSFET, N CH, 75V, 42A, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0218ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 75V, 48.2A, LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:48.2A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0147ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.65V; Dissipation de puissance Pd:106W; Type de boîtier de transistor:SC-100; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 75V, 56A, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.00734ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 75V, 75A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37.5A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:75A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
MOSFET, N CH, 75V, 75A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37.5A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:75A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
MOSFET, N CH, 75V, 75A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 75V, 90A, TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:470W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, 800V, 0.25A, SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:250mA; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):13ohm; Tension, mesure Rds:30V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:250mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET, N CH, 800V, 0.25A, SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:250mA; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):13ohm; Tension, mesure Rds:30V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:250mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET, N CH, 800V, 10.5A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.25A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):650mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET, N CH, 800V, 11A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:44A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 800V, 11A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:44A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 800V, 11A, TO220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:800V; Tension,
MOSFET, N CH, 800V, 11A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:800V; Tension,
MOSFET, N CH, 800V, 1A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:800V;
MOSFET, N CH, 800V, 1A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:800V;
MOSFET, N CH, 800V, 1A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):15.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 800V, 1A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):15.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 800V, 2.5A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):3.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 800V, 2.5A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):3.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 800V, 2.5A, IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.25A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):3.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:800V;
MOSFET, N CH, 800V, 3A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:800V;
MOSFET, N CH, 800V, 3A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:800V;
MOSFET, N CH, 800V, 5.2A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 800V, 5.2A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 800V, 6.5A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.25A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):950mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:800V;
MOSFET, N CH, 800V, 8A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.29ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:178W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 80V, 75A, TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:80V; Tension,
MOSFET, N CH, 80V, 75A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0082ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:270W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 80V, 75A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0082ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:270W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 900V, 15A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.5A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:350W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:15A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:900V;
MOSFET, N CH, 900V, 2.1A, IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.05A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:900V;
MOSFET, N CH, 900V, 2.2A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):5.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:85W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 900V, 3A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):4.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 900V, 3A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):4.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 900V, 5.8A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.9A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.56ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 900V, 5.8A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.9A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.56ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N CH, 900V, 5.8A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.9A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.56ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:900V;
MOSFET, N CH, 900V, 6A, TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.93ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 900V, 8A, TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.6A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:900V;
MOSFET, N CH, 90V, 0.36A, SOT-89-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:360mA; Tension Vds max..:90V; Résistance Rds(on):3.2ohm; Tension, mesure Rds:0V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N CH, 90V, 0.36A, TO-243AA-3; Tr; MOSFET, N CH, 90V, 0.36A, TO-243AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:360mA; Drain Source Voltage Vds:90V; On Resistance Rds(on):3.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:0V; Threshold Voltage Vgs:-; No. of Pins:3
MOSFET, N CH, 9A, 900V, TO3P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9A; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de terminaison:Traversant; Type de
MOSFET, N CH, DIO, 20V, 30A, PPK SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0041ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:27.7W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, DIO, 40V, 60A, PPK SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, DIO, 40V, 60A, PPK SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, DIO, 80V, 60A, PPK SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, DIO, 80V, 60A, PPK SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, DIOD, 60V, 4.1A, SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.068ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:16W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, DIOD, 60V, 4.1A, SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.068ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:16W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, DUAL, 20V, 800MA, SOT666; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:800mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:750mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, ESD, 60V, 1.6A, SOT363; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, ESD, 60V, 1.6A, SOT363; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, HEXFET, 20V, 80A, PQFN-8;; MOSFET, N CH, HEXFET, 20V, 80A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.0023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:800mV
MOSFET, N CH, HEXFET, 30V, 8.2A, TSOP-6;; MOSFET, N CH, HEXFET, 30V, 8.2A, TSOP-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V
MOSFET, N CH, W DIO, 30V, 11.6A, SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.007ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.43W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, W DIO, 30V, 11.6A, SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.007ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.43W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, W DIODE, 20V, 4.2A, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:780mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande
MOSFET, N CH, W DIODE, 20V, 4.2A, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:780mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande
MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 16A, SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 16A, SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 2A, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:600mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 8A, SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.46W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, W DIODE, 30V, 8A, SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.46W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, W ESD, 20V, 1A, SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.3ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:290mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, W ESD, 20V, 1A, SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.3ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:290mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, W/D, 12V, 9A, PPK SC75; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:350mV; Dissipation de puissance Pd:13W; Type de boîtier de transistor:SC-75; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, W/D, 20V, 0.5A, SC75A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:630mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:240mW; Type de boîtier de transistor:SC-75A; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, W/D, 20V, 4A, SOT363; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, W/D, 20V, 4A, SOT363; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, W/D, 30V, 19.3A, SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.007ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:5.7W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N CH, W/D, 30V, 5.8A, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CH, W/D, 30V, 5.8A, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, N CHANNEL HIGH SPEED SWITCH, 200V, 18A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.18ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 1.7KV, 4.9A, TO-247-3; MOSFET, N CHANNEL, 1.7KV, 4.9A, TO-247-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.9A; Drain Source Voltage Vds:1.7kV; On Resistance Rds(on):0.95ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.4V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 0.0114OHM, 49A,; MOSFET, N CHANNEL, 100V, 0.0114OHM, 49A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0114ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 0.083OHM, 3.4A,; MOSFET, N CHANNEL, 100V, 0.083OHM, 3.4A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.4A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.083ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.9V
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 0.092OHM, 16A,; MOSFET, N CHANNEL, 100V, 0.092OHM, 16A, MLP-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 123A, PQFN-8; T; MOSFET, N CHANNEL, 100V, 123A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:123A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.6V
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 123A, PQFN-8; T; MOSFET, N CHANNEL, 100V, 123A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:123A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.6V
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 18A, POWERPAK 1; MOSFET, N CHANNEL, 100V, 18A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.048ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 20A, PQFN-8; Tr; MOSFET, N CHANNEL, 100V, 20A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.092ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1; MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1212-8, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 4.3A, TO-252-3;; MOSFET, N CHANNEL, 100V, 4.3A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.54ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
MOSFET, N CHANNEL, 100V, 90A, TO-263-3;; MOSFET, N CHANNEL, 100V, 90A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):6700 ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
MOSFET, N CHANNEL, 120V, 0.0096OHM, 35A,; MOSFET, N CHANNEL, 120V, 0.0096OHM, 35A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:120V; On Resistance Rds(on):0.0096ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, N CHANNEL, 12V, 21.5A, SOIC-8; T; MOSFET, N CHANNEL, 12V, 21.5A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21.5A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):0.0042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:400mV
MOSFET, N CHANNEL, 12V, 34A, SOIC-8; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 12V, 34A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:34A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):2.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:400mV
MOSFET, N CHANNEL, 12V, 35A, POWERPAK 12; MOSFET, N CHANNEL, 12V, 35A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):3.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:400mV
MOSFET, N CHANNEL, 150V, 0.015OHM, 49A,; MOSFET, N CHANNEL, 150V, 0.015OHM, 49A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, N CHANNEL, 150V, 0.0173OHM, 7.5A; MOSFET, N CHANNEL, 150V, 0.0173OHM, 7.5A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.5A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0173ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:5W
MOSFET, N CHANNEL, 150V, 0.041OHM, 4A, P; MOSFET, N CHANNEL, 150V, 0.041OHM, 4A, POWERPAK SO, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.041ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, N CHANNEL, 150V, 0.0439OHM, 16A,; MOSFET, N CHANNEL, 150V, 0.0439OHM, 16A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0439ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, N CHANNEL, 150V, 0.068OHM, 2.7A,; MOSFET, N CHANNEL, 150V, 0.068OHM, 2.7A, SOIC-8, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.068ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3.5A, SOIC-8; T; MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3.5A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.041ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 150V, 7.7A, POWERPAK; MOSFET, N CHANNEL, 150V, 7.7A, POWERPAK SC70; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.7A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.145ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.5V
MOSFET, N CHANNEL, 150V, 86A, TO-263-7;; MOSFET, N CHANNEL, 150V, 86A, TO-263-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:86A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0117ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V
MOSFET, N CHANNEL, 200V, 0.0625OHM, 3.7A; MOSFET, N CHANNEL, 200V, 0.0625OHM, 3.7A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.7A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.0625ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
MOSFET, N CHANNEL, 200V, 0.6OHM, 4.5A, T; MOSFET, N CHANNEL, 200V, 0.6OHM, 4.5A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V
MOSFET, N CHANNEL, 200V, 960mA, SOT-223-; MOSFET, N CHANNEL, 200V, 960mA, SOT-223-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:960mA; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.00155OHM, 46A,; MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.00155OHM, 46A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:46A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.00155ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.013OHM, 4.5A,; MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.013OHM, 4.5A, WSMINI6-F1-B, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.019OHM, 7A, MI; MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.019OHM, 7A, MICROFET-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700mV
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.021OHM, 6.2A,; MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.021OHM, 6.2A, SUPERSOT-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:6
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.025OHM, 3.9A,; MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.025OHM, 3.9A, SOT-23-3, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A,; MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:2.5V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 1.2A, SOT-23-3,; MOSFET, N CHANNEL, 20V, 1.2A, SOT-23-3, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 2.6A, SOT-23-3;; MOSFET, N CHANNEL, 20V, 2.6A, SOT-23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:400mV; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 211A, DIRECTFET; MOSFET, N CHANNEL, 20V, 211A, DIRECTFET MD-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:211A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.0005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:800mV
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 25A, POWERPAK SC; MOSFET, N CHANNEL, 20V, 25A, POWERPAK SC70-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.0079ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 4.2A, SOT-23-3,; MOSFET, N CHANNEL, 20V, 4.2A, SOT-23-3, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 5.4A, CHIPFET-8;; MOSFET, N CHANNEL, 20V, 5.4A, CHIPFET-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.4A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:600mV
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 58A, DIRECTFET S; MOSFET, N CHANNEL, 20V, 58A, DIRECTFET SA-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:58A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.0038ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:800mV
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 600mA, SOT-416-3; MOSFET, N CHANNEL, 20V, 600mA, SOT-416-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:600mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.41ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:800mV
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 60A, POWERPAK SO; MOSFET, N CHANNEL, 20V, 60A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.0012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N CHANNEL, 250V, 0.077OHM, 33A,; MOSFET, N CHANNEL, 250V, 0.077OHM, 33A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):0.077ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V
MOSFET, N CHANNEL, 250V, 3.8A, TO-252-3;; MOSFET, N CHANNEL, 250V, 3.8A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.8A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):1.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 0.0025OHM, 40A,; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 0.0025OHM, 40A, POWER 33-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:52W
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM,; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 0.0009OHM, SON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0009ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.4V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 4-SOT-669;; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, 4-SOT-669; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):900 ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, PQFN-8; Tr; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0008ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, PQFN-8; Tr; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 100A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0009ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 20A, PQFN-5; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 20A, PQFN-5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 22A, PQFN-5; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 22A, PQFN-5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 25A, PQFN-8; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 25A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 25A, PQFN-8; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 25A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0062ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 28A, PQFN-5; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 28A, PQFN-5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0017ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 30A, PQFN-8; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 30A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0038ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 30A, PQFN-8; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 30A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0053ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 30A, PQFN-8; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 30A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0072ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 30A, PQFN-8; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 30A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 40A, PQFN-5; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 40A, PQFN-5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 40A, PQFN-8; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 40A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 40A, SOIC-8, FUL; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 40A, SOIC-8, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 41A, PQFN-5; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 41A, PQFN-5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:41A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 44A, PQFN-5; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 44A, PQFN-5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):850 ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; No. of Pins:5
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 45A, PQFN-5; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 45A, PQFN-5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):850 ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; No. of Pins:5
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 49A, PQFN-5; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 49A, PQFN-5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):700 ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; No. of Pins:5
MOSFET, N CHANNEL, 25V, 60A, PQFN-30; Tr; MOSFET, N CHANNEL, 25V, 60A, PQFN-30; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0007ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0024OHM, 42A,; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0024OHM, 42A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:65W
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0029OHM, 42A,; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0029OHM, 42A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0029ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:62W
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0032OHM, 160A,; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0032OHM, 160A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:160A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0032OHM, 30.5A; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0032OHM, 30.5A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0032OHM, 70A,; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0032OHM, 70A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:70A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.63V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0038OHM, 18A,; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0038OHM, 18A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0038ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0056OHM, 44A,; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0056OHM, 44A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0056ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0058OHM, 40A,; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0058OHM, 40A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0058ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0081OHM, 22A,; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0081OHM, 22A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0081ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0082OHM, 9A, S; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0082OHM, 9A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0082ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0096OHM, 16.5A; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0096OHM, 16.5A, MLP-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0096ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:31W
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.011OHM, 40A, T; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.011OHM, 40A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.01OHM, 10A, SO; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.01OHM, 10A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.01ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0207OHM, 6.1A,; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.0207OHM, 6.1A, SUPERSOT-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0207ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:6
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.026OHM, 2.7A,; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 0.026OHM, 2.7A, SUPERSOT-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 1.9A, 3-SOT-23,; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 1.9A, 3-SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.077ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 100A, 950uOHM, S; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 100A, 950uOHM, SON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):950 ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.4V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 100A, PQFN-8; Tr; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 100A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0009ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 100A, PQFN-8; Tr; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 100A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 11.3A, POWERPAK; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 11.3A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:600mV
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 14A, SOIC-8; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 14A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0037ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:8
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 18.2A, SOIC-8; T; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 18.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0078ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 18A, PQFN-8; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 18A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0094ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 20A, POWERPAK SO; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 20A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.00425ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.1V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 20A, PQFN-8; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 20A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 25A, POWERPAK SO; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 25A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.1V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 2OHM, 100mA, SOT; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 2OHM, 100mA, SOT-723, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.1A, TSSOP-8, F; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.1A, TSSOP-8, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:3.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.044ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3;; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 3.6A, SOT-23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:600mV
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 30A, POWERPAK 12; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 30A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.1V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 30A, POWERPAK SO; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 30A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.1V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 30A, SOIC-8; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 30A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 38.3A, POWERPAK; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 38.3A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:38.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 40A, POWERPAK 12; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 40A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.00205ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 40A, POWERPAK SO; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 40A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.00205ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.1V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 40A, POWERPAK SO; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 40A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0047ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 40A, SOIC-8; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 40A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0029ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 50A, POWERPAK8;; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 50A, POWERPAK8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 5A, 0.024OHM, SO; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 5A, 0.024OHM, SON-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:1.3V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 60A, 0.0051OHM,; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 60A, 0.0051OHM, SON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):5.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 75A, SO-8FL; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 75A, SO-8FL; Transistor Polarity:N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, 9.5A, SOIC-8; Tr; MOSFET, N CHANNEL, 30V, 9.5A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.007ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V
MOSFET, N CHANNEL, 30V, SON-8; Transisto; MOSFET, N CHANNEL, 30V, SON-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:-; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):-; Rds(on) Test Voltage Vgs:-; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:6W
MOSFET, N CHANNEL, 400V, 0.83OHM, 4.5A,; MOSFET, N CHANNEL, 400V, 0.83OHM, 4.5A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):0.83ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 400V, 3.1A, TO-252-3;; MOSFET, N CHANNEL, 400V, 3.1A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.1A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):1.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0011OHM, 195A,; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0011OHM, 195A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0014OHM, 195A,; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0014OHM, 195A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0018OHM, 85A,; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0018OHM, 85A, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:85A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0024OHM, 100A,; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0024OHM, 100A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:3; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.002OHM, 120A,; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.002OHM, 120A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0033OHM, 18A,; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0033OHM, 18A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.9V
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0068OHM, 70A,; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0068OHM, 70A, TO-263AB-3, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:70A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):6.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0068OHM, 70A,; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0068OHM, 70A, TO-263AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:70A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):6.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0082OHM, 9.2A,; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 0.0082OHM, 9.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.2A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):8.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.85V
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 100A, 0.0018OHM,; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 100A, 0.0018OHM, SON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 100A, 4-SOT-669;; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 100A, 4-SOT-669; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):3.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 195A, TO-262-3;; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 195A, TO-262-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.00097ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.9V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 195A, TO-262-3;; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 195A, TO-262-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.00125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 19A, SOIC-8; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 19A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0074ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:8
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 40A, POWERPAK SO; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 40A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):5400 ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 50A, POLARPAK-10; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 50A, POLARPAK-10; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 50A, POWERPAK SO; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 50A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0036ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 50A, POWERPAK SO; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 50A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):2.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 56A, TO-252AA-3;; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 56A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.003ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V
MOSFET, N CHANNEL, 40V, 60A, POWERPAK SO; MOSFET, N CHANNEL, 40V, 60A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N CHANNEL, 500V, 0.65OHM, 9A, TO; MOSFET, N CHANNEL, 500V, 0.65OHM, 9A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.65ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 500V, 10.5A, TO-263-3; MOSFET, N CHANNEL, 500V, 10.5A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.33ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
MOSFET, N CHANNEL, 500V, 14.5A, TO-263-3; MOSFET, N CHANNEL, 500V, 14.5A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.243ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
MOSFET, N CHANNEL, 500V, 19A, TO220AB-3;; MOSFET, N CHANNEL, 500V, 19A, TO220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
MOSFET, N CHANNEL, 500V, 19A, TO-220FP-3; MOSFET, N CHANNEL, 500V, 19A, TO-220FP-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
MOSFET, N CHANNEL, 500V, 19A, TO247AC-3;; MOSFET, N CHANNEL, 500V, 19A, TO247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
MOSFET, N CHANNEL, 500V, 19A, TO-263-3;; MOSFET, N CHANNEL, 500V, 19A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
MOSFET, N CHANNEL, 500V, 2.4A, TO-252-3;; MOSFET, N CHANNEL, 500V, 2.4A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.4A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, S; MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):1.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, S; MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):1.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, S; MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-323-3, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):1.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, S; MOSFET, N CHANNEL, 50V, 1.4OHM, 200mA, SOT-323-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):1.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
MOSFET, N CHANNEL, 575V, 7A, TO-252-3; T; MOSFET, N CHANNEL, 575V, 7A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:575V; On Resistance Rds(on):0.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 12A, TO-220-3;; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 12A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.32ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 12A, TO-220AB-3; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 12A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.32ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 12A, TO-220F; T; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 12A, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.32ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 12A, TO-263-3;; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 12A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.32ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 15A, TO-220AB-3; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 15A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.23ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 15A, TO-220F; T; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 15A, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.23ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 15A, TO-263-3;; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 15A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.23ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 21A, TO-220F; T; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 21A, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 29A, TO-247AC-3; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 29A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.104ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 29A, TO-247AD-3; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 29A, TO-247AD-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:29A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.104ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 2A, TO-252-3; T; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 2A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):4.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-220AB-3; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.083ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-220AB-3; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-247AC-3; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.083ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-247AC-3; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-247AD-3; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-247AD-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.083ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-263-3;; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.083ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 47A, TO247AC-3;; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 47A, TO247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:47A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.056ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 47A, TO-247AD-3; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 47A, TO-247AD-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:47A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.053ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 73A, TO-247AC-3; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 73A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:73A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 7A, TO-251-3; T; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 7A, TO-251-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 600V, 9.3OHM, 1A, TO-; MOSFET, N CHANNEL, 600V, 9.3OHM, 1A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):9.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0033OHM, 100A,; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0033OHM, 100A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:3; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0046OHM, 80A,; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0046OHM, 80A, TO-263AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0046ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.005OHM, 100A,; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.005OHM, 100A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.9V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0076OHM, 100A,; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0076OHM, 100A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0076ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:98W
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0101OHM, 50A,; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0101OHM, 50A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0101ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0265OHM, 6.1A,; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.0265OHM, 6.1A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.1A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0265ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.077OHM, 12A, T; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.077OHM, 12A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.077ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.2OHM, 12A, TO-; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.2OHM, 12A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.305A, SC-89-6;; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 0.305A, SC-89-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:305mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:1.4V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, S; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, S; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.2OHM, 115mA, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.6OHM, 115mA, S; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 1.6OHM, 115mA, SOT-523F-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:1.76V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 100A, 0.0025OHM,; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 100A, 0.0025OHM, SON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 110A, TO-262-3;; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 110A, TO-262-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 110A, TO-263-3;; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 110A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.00325ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.4V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 110A, TO-263AB-3; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 110A, TO-263AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 12A, POWERPAK-8;; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 12A, POWERPAK-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 14A, TO-252-3; T; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 14A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 173A, TO-262-3;; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 173A, TO-262-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:173A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.00275ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 195A, TO-262-3;; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 195A, TO-262-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.00165ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 195A, TO-262-3;; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 195A, TO-262-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 195A, TO-263AB-3; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 195A, TO-263AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.00165ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 195A, TO-263AB-3; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 195A, TO-263AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3;; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.3A, SOT-23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.3A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.7A, SOT-223-4;; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.7A, SOT-223-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.7A, SOT-223-4;; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2.7A, SOT-223-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 240A, TO-263-7;; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 240A, TO-263-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:240A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.00115ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 240mA, SOT-323-3; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 240mA, SOT-323-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:240mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2OHM, 300mA, TO-; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 2OHM, 300mA, TO-236, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 4A, SOT-223; Tra; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 4A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.07ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; No. of Pins:4
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 50A, 0.0078OHM,; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 50A, 0.0078OHM, SON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0078ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.9V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 60A, POWERPAKSO-; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 60A, POWERPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 6OHM, 100mA, SOT; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 6OHM, 100mA, SOT-490, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 6OHM, 100mA, SOT; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 6OHM, 100mA, SOT-723, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 71A, TO-220-3; T; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 71A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:71A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 86A, TO-220-3; T; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 86A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:86A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 89A, 4-SOT-669;; MOSFET, N CHANNEL, 60V, 89A, 4-SOT-669; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:89A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):4.95mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 24A, TO-220AB-3; MOSFET, N CHANNEL, 650V, 24A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.12ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 24A, TO-247AC-3; MOSFET, N CHANNEL, 650V, 24A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.12ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 650V, 24A, TO-263-3;; MOSFET, N CHANNEL, 650V, 24A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.12ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
MOSFET, N CHANNEL, 80V, 0.0026OHM, 76A,; MOSFET, N CHANNEL, 80V, 0.0026OHM, 76A, POWER 56-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:76A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, N CHANNEL, 80V, 39A, DPAK, FULL; MOSFET, N CHANNEL, 80V, 39A, DPAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0225ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N CHANNEL, 80V, 39A, DPAK; Trans; MOSFET, N CHANNEL, 80V, 39A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0225ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:3
MOSFET, N CHANNEL, 80V, 40A, TO-252-3; T; MOSFET, N CHANNEL, 80V, 40A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
MOSFET, N CHANNEL, 900V, 1.8OHM, 5.4A, T; MOSFET, N CHANNEL, 900V, 1.8OHM, 5.4A, TO-263-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.4A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):1.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V
MOSFET, N D2-PAK/7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:320A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:320A; Courant, Idm impul.:1360A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:630mJ; Temps de descente:105ns; Temps de
MOSFET, N D2-PAK/7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:429A; Tension Vds max..:24V; Résistance Rds(on):0.0008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:429A; Courant, Idm impul.:1640A; Différentiel de tension dv/dt:1.6V/ns; Energie dissipée, avalanche non répétitive
MOSFET, N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:260A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:231W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:1020A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:231mJ; Temps de descente:37ns; Temps de
MOSFET, N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:130A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0039ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:40nC; Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:500A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:160A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:135W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:39nC; Courant, Id max..:160A; Courant, Idm impul.:640A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:65A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:8.5nC; Courant, Id max..:65A; Courant, Idm impul.:260A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:22nC; Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:100A; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:30V;
MOSFET, N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.35V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:8.3nC; Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:110A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
MOSFET, N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:8.1nC; Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:110A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
MOSFET, N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:17nC; Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:144A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
MOSFET, N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:30nC; Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:170A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
MOSFET, N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:127W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:33A; Courant, Idm impul.:132A; Différentiel de tension dv/dt:6V/ns; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:127W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:33A; Courant, Idm impul.:132A; Différentiel de tension dv/dt:6V/ns; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, N&P CHANNEL, 12V, 4.5A, POWERPAK; MOSFET, N&P CHANNEL, 12V, 4.5A, POWERPAK SC70; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:6
MOSFET, N, 1000V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):7.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.6mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:1kV; Tension,
MOSFET, N, 100V, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0048ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:127A; Courant, Idm impul.:560A; Racine de la référence:4310; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, N, 100V, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):7.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:97A; Courant, Idm impul.:390A; Racine de la référence:4410; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, N, 100V, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:250A; Racine de la référence:3110; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, N, 100V, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8.7A; Courant, Idm impul.:35A; Racine de la référence:120; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:127A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0056ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:120nC; Courant, Id max..:140A; Courant, Idm impul.:560A; Racine de la référence:4310; Température de
MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):4.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:370W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:150nC; Courant, Id max..:180A; Courant, Idm impul.:670A; Racine de la référence:4110; Température de
MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):72.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:15nC; Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:57A; Racine de la référence:4212; Température de fonctionnement:-55°C à
MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:97A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:83nC; Courant, Id max..:96A; Courant, Idm impul.:390A; Racine de la référence:4410; Température de fonctionnement:-55°C
MOSFET, N, 150V, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:83A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:330A; Racine de la référence:4321; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
MOSFET, N, 150V, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:83A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:71nC; Courant, Id max..:83A; Courant, Idm impul.:330A; Racine de la référence:4321; Température de fonctionnement:-55°C à
MOSFET, N, 150V, TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:78A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:310mW; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:78A; Courant, Idm impul.:330A; Marquage, CMS:310; Racine de la référence:4321; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, N, 200V, 9A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.22ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:55W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:200V; Tension,
MOSFET, N, 200V, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.9V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:18nC; Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:52A; Racine de la référence:4020; Température de fonctionnement:-55°C
MOSFET, N, 20V, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:35mW; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:37A; Courant, Idm impul.:144A; Racine de la référence:3714; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
MOSFET, N, 250V, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:45A; Courant, Idm impul.:180A; Racine de la référence:4229; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C;
MOSFET, N, 250V, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:72nC; Courant, Id max..:46A; Courant, Idm impul.:180A; Racine de la référence:4229; Température de fonctionnement:-40°C
MOSFET, N, 250V, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:390W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:99nC; Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:230A; Racine de la référence:4332; Température de fonctionnement:-40°C à
MOSFET, N, 250V, TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):38mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:180A; Marquage, CMS:310; Racine de la référence:4229; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C;
MOSFET, N, 250V, TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:57A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):29mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:120mW; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:57A; Courant, Idm impul.:230A; Marquage, CMS:120; Racine de la référence:4332; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C;
MOSFET, N, 30V, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:87A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.25V; Dissipation de puissance Pd:79mW; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:87A; Courant, Idm impul.:350A; Racine de la référence:3709; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, N, 30V, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:86A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:86A; Courant, Idm impul.:340A; Racine de la référence:3709; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
MOSFET, N, 30V, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:94A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.25V; Dissipation de puissance Pd:89mW; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:94A; Courant, Idm impul.:380A; Racine de la référence:8113; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
MOSFET, N, 40V, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:790A; Racine de la référence:1404; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, N, 40V, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:270A; Courant, Idm impul.:1080A; Racine de la référence:2804; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, N, 40V, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:710A; Racine de la référence:1404; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
MOSFET, N, 40V, SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):5mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:2.25V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:140A; Courant, sortie max.:2.5A; Racine de la référence:7842; Température de
MOSFET, N, 40V, SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):5mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:2.25V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:140A; Courant, sortie max.:2.5A; Racine de la référence:7842; Température de
MOSFET, N, 55V, 110A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:110A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs
MOSFET, N, 60V, 13.6A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de terminaison:Traversant; Type de transistor:A
MOSFET, N, 60V, 21A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:53W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de terminaison:Traversant; Type de transistor:A
MOSFET, N, 60V, 24A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):39mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:44W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de terminaison:CMS; Type de
MOSFET, N, 60V, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:160A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:230mW; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:120A; Courant, Idm impul.:620A; Racine de la référence:3306; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, N, 60V, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:210A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:120A; Courant, Idm impul.:840A; Racine de la référence:3206; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, N, 60V, SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):9.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.9V; Dissipation de puissance Pd:97mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:97A; Courant, sortie max.:2.5A; Racine de la référence:7855; Température de
MOSFET, N, 60V, SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):9.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.9V; Dissipation de puissance Pd:97mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:97A; Courant, sortie max.:2.5A; Racine de la référence:7855; Température de
MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:160A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):4.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:85nC; Courant, Id max..:120A; Courant, Idm impul.:620A; Racine de la référence:3306; Température de fonctionnement:-55°C à
MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:210A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:120nC; Courant, Id max..:210A; Courant, Idm impul.:840A; Racine de la référence:3206; Température de fonctionnement:-55°C à
MOSFET, N, 75V, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:170A; Courant, Idm impul.:670A; Racine de la référence:3207; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, N, 75V, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):5.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:79nC; Courant, Id max..:120A; Courant, Idm impul.:480A; Racine de la référence:3307; Température de fonctionnement:-55°C à
MOSFET, N, 75V, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):4.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:120nC; Courant, Id max..:120A; Courant, Idm impul.:670A; Racine de la référence:3207; Température de fonctionnement:-55°C
MOSFET, N, 80V, SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):13.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.9V; Dissipation de puissance Pd:79mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:79A; Courant, sortie max.:2.5A; Racine de la référence:7854; Température de
MOSFET, N, 900V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):2.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de terminaison:Traversant; Type de transistor:A
MOSFET, N, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Courant, Idm impul.:160A; Marquage, CMS:40NF20; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:45mohm; Température de
MOSFET, N, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Courant, Idm impul.:160A; Marquage, CMS:40NF20; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:45mohm; Température de
MOSFET, N, DIRECTFET, 25V, SQ; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.2mW; Type de boîtier de transistor:DirectFET SQ; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:130A; Marquage, CMS:2.2; Racine de la référence:6712; Température de
MOSFET, N, DIRECTFET, 40V, ST; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12.7A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0059ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.1mW; Type de boîtier de transistor:DirectFET ST; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10.1A; Courant, Idm impul.:102A; Marquage, CMS:2.1; Racine de la référence:6614; Température de
MOSFET, N, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Marquage, CMS:20NF20; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:125mohm; Température de
MOSFET, N, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Marquage, CMS:20NF20; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:125mohm; Température de
MOSFET, N, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.5A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDC645N; Polarité, directionnelle:N; Température de
MOSFET, N, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.5A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDC645N; Polarité, directionnelle:N; Température de
MOSFET, N, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:1.5kV; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:10A; Marquage, CMS:3N150; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:9ohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
MOSFET, N, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):34mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:300A; Marquage, CMS:75NF20; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:34mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
MOSFET, N, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0095ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:117nC; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Différentiel de tension dv/dt:12V/µs; Résistance, Rds on @ Vgs =
MOSFET, N, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Marquage, CMS:20NF20; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:125mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
MOSFET, N/P CH, 20/20V, 800/550MA,SOT666; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:800mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:750mV; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N/P CH, 30/30V, 350/200MA,SOT363; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:280mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-0.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
MOSFET, N/P CH, 30/30V, 400/220MA,SOT666; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:400mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-0.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
MOSFET, N-CH 100V 180A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0034ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:370W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:190A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N-CH 100V 180A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:370W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:180A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V;
MOSFET, N-CH 100V 190A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0032ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:370W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:190A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N-CH 100V 35A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):28.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:91W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:35A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V;
MOSFET, N-CH 150V 104A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:62A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.0093ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:380W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:104A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:150V; Tension,
MOSFET, N-CH 150V 33A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.0345ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:144W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:33A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N-CH 150V 33A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):42mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:144W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:33A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:150V;
MOSFET, N-CH 150V 33A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:144W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:33mA; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:150V; Tension,
MOSFET, N-CH 150V 99A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:62A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.0103ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:99A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N-CH 200V 24A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.0637ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:144W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:24A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N-CH 200V 24A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):78mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:144W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:24A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:200V;
MOSFET, N-CH 200V 72A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.0186ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:72A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N-CH 24V 195A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:24V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:340A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N-CH 24V 195A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:24V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:340A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:24V; Tension,
MOSFET, N-CH 250V 93A TO247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.0145ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:520W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:93A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:250V; Tension,
MOSFET, N-CH 25V 57A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0063ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:57A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:25V;
MOSFET, N-CH 25V 81A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:81A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:25V;
MOSFET, N-CH 30V 86A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:86A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
MOSFET, N-CH 30V 86A IPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:86A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs
MOSFET, N-CH 40V 195A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0014ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:343A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N-CH 40V 195A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:195A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:40V; Tension,
MOSFET, N-CH 40V 240A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.001ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:380W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:380A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N-CH 60V 195A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:165A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:380W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:195A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension,
MOSFET, N-CH 60V 240A D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0015ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:380W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, N-CH 60V 50A DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):6.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:143W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:99A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):7490µohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:263W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, SON-8; Transis; MOSFET, N-CH, 100V, 100A, SON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0053ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V; No. of Pins:8
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, SON-8; Transis; MOSFET, N-CH, 100V, 100A, SON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0078ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8V; No. of Pins:8
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220-3; Tran; MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0064ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220-3; Tran; MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0087ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8V
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):6400µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:263W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 100A, VSON-8; Transi; MOSFET, N-CH, 100V, 100A, VSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.004ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.6V; No. of Pins:8
MOSFET, N-CH, 100V, 10A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.142ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 100V, 10A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.142ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 100V, 11.1A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.1A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:5.7W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 11.3A, PPAKSC70-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.068ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:19W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 12.8A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.142ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 100V, 120A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):4850µohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:349W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 140A, TO-3PN-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:140A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 100V, 15.6A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.078ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 100V, 15.6A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.078ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 100V, 150A, TO-220-3; Tran; MOSFET, N-CH, 100V, 150A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
MOSFET, N-CH, 100V, 150A, TO-220-3; Tran; MOSFET, N-CH, 100V, 150A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V
MOSFET, N-CH, 100V, 19.7A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:7.8W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 2.3A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 100V, 2.3A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 100V, 2.6A, SOT-363; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.161ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 29A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.029ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.8V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 100V, 29A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.029ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.8V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 100V, 30A, TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0107ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 31A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.031ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 34A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:34A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0243ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 34A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:34A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 100V, 34A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:34A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 100V, 36.7A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:36.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:46W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 40A, POWERPAKSO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:44.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 58A, PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:58A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0106ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 60A, POWERPAKSO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0072ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 63A, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0111ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:143W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 63A, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0111ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:143W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 64A, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:61A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0113ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 66A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:66A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0125ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:182W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 72A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:72A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0102ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:182W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 8PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:43A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0112ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.9V; Dissipation de puissance Pd:54W; Type de boîtier de transistor:Power 33; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 100V, 8PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0063ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 1200V, 31.6A, SIC, TO247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31.6A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:3.2V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 150V, 2.3A, SOT-23-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.3A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.113ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 150V, 2.3A, SOT-23-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.3A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.113ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 150V, 70A, TO-3PN-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 150V, 8PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.069ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.2V; Dissipation de puissance Pd:36W; Type de boîtier de transistor:Power 33; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 1700V, 4.9A, SIC, TO247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:1.7kV; Résistance Rds(on):0.95ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 190V, 1.5A, PPAKSC75; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:190V; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:13W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC75; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 200V, 21A, TO-263AB-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.13W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 200V, 21A, TO-263AB-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.13W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 200V, 3.7A, SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.7A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.0625ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 200V, 3.7A, SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.7A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.0625ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 200V, 3.9A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.059ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 200V, 3.9A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.059ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 200V, 32A, TO-3PN-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):68mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:204W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 200V, 52A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:52A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):41mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:357W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 200V, 52A, TO-263AB-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:52A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:357W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 200V, 52A, TO-263AB-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:52A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:357W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 200V, 5A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.58ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 200V, 5A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.58ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 200V, 7.8A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 200V, 7.8A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 200V, 9.5A, TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 200V, 9A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.22ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 200V, 9A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.22ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 20V, 1.5A, SC-70-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.057ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 20V, 1.5A, SC-70-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.057ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 20V, 1.5A, SC-70-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.068ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 20V, 1.5A, SC-70-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.068ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:420mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 20V, 16A, PPAK1212-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.007ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:62W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 20V, 16A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 20V, 16A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 20V, 2.3A, MFOOT; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.087ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:MICRO FOOT; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 20V, 2.9A, MICRO FOOT-4; T; MOSFET, N-CH, 20V, 2.9A, MICRO FOOT-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:800mV
MOSFET, N-CH, 20V, 5.7A, TRENCHFET-4; Tr; MOSFET, N-CH, 20V, 5.7A, TRENCHFET-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.7A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:850mV
MOSFET, N-CH, 20V, 6A, SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 20V, 7.8A, POWERPAKSC70-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:13.6W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 20V, 8A, PPAK1212-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0235ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:18W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 20V, 8A, TSOP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 20V, SOT883B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.3ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 20V, SOT883B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 250V, 0.83A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:830mA; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):1.38ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 250V, 0.83A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:830mA; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):1.38ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 250V, 3A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.097ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 250V, 3A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.097ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 250V, 4.4A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.9ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 250V, 4.4A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.9ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 250V, 40A, TO-3PN-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.051ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:280W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 250V, 44A, TO-263AB-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:307W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 250V, 44A, TO-263AB-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:307W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 250V, 50A, TO-263AB-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.0363ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:260W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 250V, 50A, TO-263AB-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.0363ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:260W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 250V, 51A, TO-220-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:51A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:320W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 250V, 7.4A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.4A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:55W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 250V, 7.4A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.4A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:55W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 25V, 100A, 8PDFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0022ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 25V, 35A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0116ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:39W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 25V, 35A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0116ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:39W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 25V, 54A, 8PDFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0173ohm; Tension, mesure Rds:3.3V; Tension de seuil Vgs:1.35V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 25V, 54A, 8PDFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:54A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0173ohm; Tension, mesure Rds:3.3V; Tension de seuil Vgs:1.35V; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 25V, 64A, 8PDFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:48A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.35V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 25V, 64A, 8PDFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:64A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.35V; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 25V, 8PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:41W; Type de boîtier de transistor:Power 33; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 25V, 8PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:59W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 25V, 8PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:89W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 300V, 28A, TO-263AB-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):108mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 300V, 28A, TO-263AB-2; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):108mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 300V, 38A, TO-3PN-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:38A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:312W; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 30V, 10.2A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 30V, 10.2A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 30V, 100A, 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.2mohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs, mesure de
MOSFET, N-CH, 30V, 100A, LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1700µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:272W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 30V, 120A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2950µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:178W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 30V, 120A, TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 30V, 120A, TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 30V, 13A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 30V, 13A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 30V, 156A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:156A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 30V, 15A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0054ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 30V, 15A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0054ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 30V, 18.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 30V, 18.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 30V, 25A, PPAK1212-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 30V, 31.8A, LFPAK33; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0205ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.62V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:SOT-1210; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 30V, 33A, POWERPAKSO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.006ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:14.7W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 30V, 38.3A, PPAK1212-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:38.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.006ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:19.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 30V, 58A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:58A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.007ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:55W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 30V, 58A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:58A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.007ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:55W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 30V, 8A, POWERPAKSO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:4.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 30V, 8A, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 30V, 8A, TSOP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 30V, 8PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:26A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:41W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 30V, 9.5A, 8WDFN; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:9.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.88W; Type de boîtier de transistor:WDFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 30V, SOT1220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0165ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-1220; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 30V, SOT1220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-1220; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 30V, SOT883B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:930mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.38ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 400V, 2A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 400V, 2A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 400V, 2A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 40V, 10.8A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.8A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 40V, 10.8A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.8A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):2400µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:234W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, PQFN-8; Transis; MOSFET, N-CH, 40V, 100A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.00095ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.9V; No. of Pins:8
MOSFET, N-CH, 40V, 118A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:99W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 11A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 40V, 11A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.01ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 40V, 12.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12.5A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.006ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 40V, 12.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12.5A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.006ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 40V, 120A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1650µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:293W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 120A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1700µohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:293W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 120A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 120A, TO-220AB-3; Tra; MOSFET, N-CH, 40V, 120A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.4V
MOSFET, N-CH, 40V, 120A, TO-262; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 16A, PPAK1212-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:62W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 18A, PPAKSO8L; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0133ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, 7-D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:231W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, 7-D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:231W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00125ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:294W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.001ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-220AB-3; Tra; MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.4V
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-220AB-3; Tra; MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.001ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.4V
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.001ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:366W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-262; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:195A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-263AB-3; Tra; MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-263AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.4V
MOSFET, N-CH, 40V, 198A, DIRECTFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:DirectFET MX; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 198A, DIRECTFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:DirectFET MX; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 200A, TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 200A, TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 209A, DIRECTFET ME-8;; MOSFET, N-CH, 40V, 209A, DIRECTFET ME-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:209A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.001ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
MOSFET, N-CH, 40V, 240A, TO-263-7; Trans; MOSFET, N-CH, 40V, 240A, TO-263-7; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:240A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.00055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:7
MOSFET, N-CH, 40V, 375A, DIRECTFET L8-11; MOSFET, N-CH, 40V, 375A, DIRECTFET L8-11; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:375A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.00034ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
MOSFET, N-CH, 40V, 42A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0071ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 40V, 42A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0071ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 40V, 50A, TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 58A, PPAKSO8L; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:58A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 60A, POWERPAKSO-8; Tr; MOSFET, N-CH, 40V, 60A, POWERPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, N-CH, 40V, 7.6A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.6A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 40V, 7.6A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.6A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 40V, 75A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3400µohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:182W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 75A, PPAKSO8L; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 85A, PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:85A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 85A, PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:85A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 8A, TSOP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 8MLP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0074ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:Power 33; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 90A, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 90A, D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, 90A, I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 40V, I2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:72A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:20V; Dissipation de puissance Pd:182W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:110°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:0°C à +110°C; Température d'utilisation min:0°C
MOSFET, N-CH, 450V, 0.5A, TO-226AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):3.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 500V, 0.38A, TO-226AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:380mA; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):4.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:890mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 500V, 10.5A, TO220AB-3; Tr; MOSFET, N-CH, 500V, 10.5A, TO220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.33ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
MOSFET, N-CH, 500V, 10.5A, TO-220FP-3; T; MOSFET, N-CH, 500V, 10.5A, TO-220FP-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.33ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
MOSFET, N-CH, 500V, 100A, TO-264AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.043ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:2.5kW; Type de boîtier de transistor:TO-264AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 500V, 13A, TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.43ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 500V, 14.5A, TO220AB-3; Tr; MOSFET, N-CH, 500V, 14.5A, TO220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.243ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
MOSFET, N-CH, 500V, 14.5A, TO-220FP-3; T; MOSFET, N-CH, 500V, 14.5A, TO-220FP-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.243ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
MOSFET, N-CH, 500V, 18A, TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.22ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:38.5W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 500V, 19A, TO-3PN-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.22ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:239W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 500V, 24A, TO-3PN-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:270W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 500V, 48A, TO-3PN-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:48A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.089ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:625W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 500V, 5A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.14ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:73W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 500V, 5A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.14ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:73W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.76ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:89W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.76ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:89W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 500V, 9A, TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:44W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 50V, 0.22A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):1.6ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 50V, 0.22A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):1.6ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 50V, 14A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 50V, 14A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 50V, 14A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 50V, 14A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 50V, 16A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):47mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:72W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 50V, 16A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):47mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:72W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 50V, 16A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):47mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 50V, 16A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):47mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 50V, 30A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 50V, 50A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 55V, 40A, DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 55V, 75A, TO-247-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0052ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.9V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 600V, 0.2A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):9.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 600V, 0.3A, TO-226AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):9.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 600V, 1.9A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.9A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):3.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:44W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 600V, 1.9A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.9A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):3.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:44W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 600V, 10.2A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:106W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 10.2A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:106W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 10.2A, TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 10.2A, TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 10A, TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:147W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 15A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.22ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 15A, TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.22ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:36W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 15A, TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 1A, TO-251AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 600V, 2.8A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:49W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 600V, 2.8A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:49W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 600V, 20.2A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.17ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 20.2A, TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.17ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:39W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 20.6A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20.6A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 20.6A, TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20.6A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:39W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.104ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:37W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 21A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 29A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.104ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 29A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.104ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 33A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.083ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:278W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 33A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.083ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:278W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 4.5A, TO-251; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.82ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 600V, 47A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.053ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:357W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 0.2A, TO-226AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.9V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 0.2A, TO-226AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.9V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 0.3A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 0.3A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 0.4A, TO-226AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:400mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-226AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-92-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, TO-92-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 100A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3460µohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:263W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 100A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3780µohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:234W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 100A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:234W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 119A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:119A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0045ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:175W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 11A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.107ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 11A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.107ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1970µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:324W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2290µohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:324W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2730µohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:293W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2200µohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:349W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:395W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:395W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 16.8A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 16.8A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 195A, TO-220AB-3; Tra; MOSFET, N-CH, 60V, 195A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.4V
MOSFET, N-CH, 60V, 195A, TO-247AC-3; Tra; MOSFET, N-CH, 60V, 195A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
MOSFET, N-CH, 60V, 30A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 32A, POWERPAKSO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0083ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 52A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:52A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 52A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:52A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 60V, 56A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:107W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 75A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):4580µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:182W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 7A, SOIC-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.033ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 8A, POWERPAKSO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 8A, POWERPAKSO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.046ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 8A, PPAK1212-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:39W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 8A, PPAK1212-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, 8SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0037ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.1V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 60V, SOT883B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:650mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.79ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 650V, 15A, TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.36ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:38.5W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 650V, 21A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 650V, 7A, TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 650V, 7A, TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 650V, 7A, TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 75V, 50A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:135W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 75V, 50A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:135W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 78V, 0.115A, SOT-323-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:78V; Résistance Rds(on):2.53ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.76V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 78V, 0.115A, SOT-323-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:78V; Résistance Rds(on):2.53ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.76V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 800V, 0.2A, SOT-223-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):15.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 800V, 10A, TO-3PN -3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.93ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:240W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 800V, 12.6A, TO-3PN-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12.6A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.58ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 800V, 3.9A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 800V, 3.9A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 800V, 5.8A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:158W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 800V, 5.8A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:158W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 800V, 6.6A, TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.6A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.57ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 80V, 100A, TO-220-3; Trans; MOSFET, N-CH, 80V, 100A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.6V
MOSFET, N-CH, 80V, 100A, TO-220-3; Trans; MOSFET, N-CH, 80V, 100A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0076ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8V
MOSFET, N-CH, 80V, 120A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):3100µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:324W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):3600µohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:349W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 80V, 150A, TO-220-3; Trans; MOSFET, N-CH, 80V, 150A, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.6V
MOSFET, N-CH, 80V, 6.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 80V, 6.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 80V, 60A, POWERPAKSO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0046ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 80V, 60A, POWERPAKSO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0052ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 80V, 75A, D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):8300µohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:182W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, 80V, 8.9A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.9A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 80V, 8.9A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.9A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 900V, 11A, TO-3PN-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):0.91ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 900V, 4A, TO-220AB-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 900V, 4A, TO-220F-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 900V, 6A, TO-3PN-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.93ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:198W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, 900V, 9A, TO-3PN-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.12ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:280W; Type de boîtier de transistor:TO-3PN; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, N-CH, DUAL, 25V/12V, 8PQFN; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:Power 33; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, N-CH, DUAL, 30V/12V, 8PQFN; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:Power 33; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, NN CH, 0.1A, 50V, SC70; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):20ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:US6; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:100mA; Courant, Id max..:100mA; Résistance On Rds(on), Canal N:22ohm; Tension
MOSFET, NN CH, 100V, TO-220 F-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):58mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:18W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:11A; Courant, Id max..:11A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.058ohm;
MOSFET, NN CH, 150V, TO-220 F-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.7A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.9V; Dissipation de puissance Pd:18W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8.7A; Courant, Id max..:8.7A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.08ohm;
MOSFET, NN CH, 200V, TO-220 F-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.1A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.9V; Dissipation de puissance Pd:21W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:9.1A; Courant, Id max..:9.1A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.08ohm;
MOSFET, NN CH, 20V, 1.3A, SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:1.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.165ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1.3A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, NN CH, 20V, 1.3A, SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:1.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.165ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1.3A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, NN CH, 20V, 5A, 8-SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5A; Courant, Id max..:5A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, NN CH, 20V, 5A, 8-SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5A; Courant, Id max..:5A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, NN CH, 25V, 0.22A, SSOT6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:220mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET, NN CH, 25V, 0.22A, SSOT6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:220mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET, NN CH, 25V, 4.5A, 12DSBGA; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.029ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:12; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double N; Courant de drain continu Id, Canal N:4.5A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, NN CH, 25V, 4.5A, 12DSBGA; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.029ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:12; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double N; Courant de drain continu Id, Canal N:4.5A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, NN CH, 30V, 3.5A, 8SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, NN CH, 30V, 3.5A, 8SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
MOSFET, NN CH, 30V, 3A, 8-SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3A; Courant, Id max..:3A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, NN CH, 30V, 3A, 8-SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3A; Courant, Id max..:3A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, NN CH, 30V, PPAIR 6X5; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0059ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:PowerPAIR; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:24A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.0059ohm; Température de
MOSFET, NN CH, 30V, SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:250mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:272mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:250mA; Courant, Id max..:250mA; Température de
MOSFET, NN CH, SCH DIODE, 30V, SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.98W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.014ohm; Température
MOSFET, NN CH, W DIOD, 30V, 6.9A, SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:6.9A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.022ohm;
MOSFET, NN CH, W ESD, 60V, SOT563; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:410mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:580mW; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:410mA; Résistance On Rds(on), Canal N:1.2ohm;
MOSFET, NN CH, W/D, 40V, 9.2A, SO8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:9.2A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0165ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:9.2A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.0165ohm;
MOSFET, NN CH, W/D, 40V, 9.2A, SO8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:9.2A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0165ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:9.2A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.0165ohm;
MOSFET, NN CH, W/D, 60V, 6A, SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5.4A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.045ohm;
MOSFET, NN CH, W/D, 60V, 6A, SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5.4A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.045ohm;
MOSFET, NP CH, , 30V, 3.4, ATSOT23; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.12W; Type de boîtier de transistor:TSOT-26; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3.4A; Courant de drain continu Id, Canal P:-2.8A; Résistance On
MOSFET, NP CH, 20V, W DIODE, SOT563F; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:220mW; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Cà´té haut; Courant de drain continu Id, Canal N:600mA; Courant de drain continu Id,
MOSFET, NP CH, 20V, W DIODE, SOT563F; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:220mW; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Cà´té haut; Courant de drain continu Id, Canal N:600mA; Courant de drain continu Id,
MOSFET, NP CH, 30V, 2.5/2A, SSOT6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.095ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET, NP CH, 30V, 2.5/2A, SSOT6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.095ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET, NP CH, 30V, 3.7/-2.9A, 8SOIC; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.06ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET, NP CH, 30V, W DIODE, SOT363; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.323ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:340mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:700mA; Courant de drain continu Id, Canal
MOSFET, NP CH, 30V, W DIODE, SOT363; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.323ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:340mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:700mA; Courant de drain continu Id, Canal
MOSFET, NP CH, 30V, W DIODE, TSOP6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.062ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3A; Courant de drain continu Id, Canal P:-2A;
MOSFET, NP CH, 30V, W DIODE, TSOP6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.062ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3A; Courant de drain continu Id, Canal P:-2A;
MOSFET, NP CH, 60V, 4.7A/3.9A, SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:4.7A; Courant de drain continu Id, Canal P:-3.9A;
MOSFET, NP CH, COMP PAIR, 20V, TSOT26; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:1.13W; Type de boîtier de transistor:TSOT-26; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:4.5A; Courant de drain continu Id, Canal P:3.1A;
MOSFET, NP CH, W DIODE, 30V, SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:7.1A; Courant de drain continu Id, Canal P:-7.4A;
MOSFET, NP CH, W DIODE, 30V, SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:7.1A; Courant de drain continu Id, Canal P:-7.4A;
MOSFET, NP CH, W/D,12V, PPAK SC70-6L; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.033ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:6.5W; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:4.5A; Courant de drain continu Id, Canal
MOSFET, NP CH, W/DIODE, 40V, SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0145ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:10A; Courant de drain continu Id, Canal P:-9.2A;
MOSFET, NP CH, W/DIODE, 40V, SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0145ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:10A; Courant de drain continu Id, Canal P:-9.2A;
MOSFET, NP CHANNEL, 30V, 6/-4.3A, SOIC-8; MOSFET, NP CHANNEL, 30V, 6/-4.3A, SOIC-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.038ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET, NP CHANNEL, 40V, 10/-9.2A, SOIC-; MOSFET, NP CHANNEL, 40V, 10/-9.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0145ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:800mV
MOSFET, P CH -1.5A -20V SSOT-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET, P CH -1.5A -20V SSOT-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET, P CH, 0.1A, 20V, 2-2H1B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor:-; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-100mA; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:-10V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4V; Type de packaging:Bande découpée;
MOSFET, P CH, 0.1A, 20V, 2-2H1B; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:100mW; Type de boîtier de transistor:-; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-100mA; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs max..:-10V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:4V; Type de packaging:Bande découpée;
MOSFET, P CH, 100V, 2.6A, SOT223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.6A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, 100V, 2.6A, SOT223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.6A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, -12V, -16A, SOIC-8; Transi; MOSFET, P CH, -12V, -16A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-16A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.007ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:900mV
MOSFET, P CH, 200V, 0.035A, SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-35mA; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):80ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, 200V, 0.035A, SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-35mA; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):80ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, -20V, 0.019OHM, -7.8A, MIC; MOSFET, P CH, -20V, 0.019OHM, -7.8A, MICROFET-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-7.8A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-5V; Power Dissipation Pd:2.4W
MOSFET, P CH, -20V, 0.026OHM, 5.8A, SUPE; MOSFET, P CH, -20V, 0.026OHM, 5.8A, SUPERSOT-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:5.8A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V
MOSFET, P CH, -20V, 0.5OHM, -350mA, SC-8; MOSFET, P CH, -20V, 0.5OHM, -350mA, SC-89-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-350mA; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V
MOSFET, P CH, -20V, -0.83A, SC-89-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-830mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P CH, -20V, -0.83A, SC-89-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-830mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P CH, -20V, -1A, SOT323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.175ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:290mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P CH, -20V, -2.7A, SOT-363-6; Tr; MOSFET, P CH, -20V, -2.7A, SOT-363-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.126ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-2.5V; Threshold Voltage Vgs:-1.5V
MOSFET, P CH, -20V, -3.9A, 3-SOT-23; Tra; MOSFET, P CH, -20V, -3.9A, 3-SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.3A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.058ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-650mV
MOSFET, P CH, 20V, 480MA, SOT416; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-480mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.67ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P CH, 20V, 4A, 9DSBGA; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:9; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P CH, 20V, 5.7A, SOT457; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P CH, 20V, 5A, 6SON; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):39mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-650mV; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, 20V, 5A, SOT457; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P CH, -30V, 0.015OHM, -18A, MLP-; MOSFET, P CH, -30V, 0.015OHM, -18A, MLP-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.9V
MOSFET, P CH, -30V, 0.069OHM, 3A, SOIC-8; MOSFET, P CH, -30V, 0.069OHM, 3A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.069ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2.1V
MOSFET, P CH, 30V, 200MA, SOT323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-200mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:260mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-0.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET, P CH, 30V, 200MA, SOT416; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-200mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-0.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET, P CH, -30V, -230MA, SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-230mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-0.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET, P CH, -30V, -2A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.062ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET, P CH, 30V, 3.8A, SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:760mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, 30V, 3.8A, SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:760mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, 30V, 5.4A, SOT223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, 30V, 5.4A, SOT223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, -40V, 0.011OHM, -10.8A, SO; MOSFET, P CH, -40V, 0.011OHM, -10.8A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-10.8A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:5W
MOSFET, P CH, 55V, 19A, TO-220AB; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-19A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P CH, 55V, 74A, TO-262; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:74A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-74A; Courant, Idm impul.:260A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
MOSFET, P CH, -60V, -0.33A, SOT-23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-330mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET, P CH, 60V, 1.7A, SOT223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.7A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.39ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, 60V, 1.7A, SOT223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.7A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.39ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, -60V, -8.6A, POWERPAK SO-8; MOSFET, P CH, -60V, -8.6A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.6A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-3V
MOSFET, P CH, DUAL, 20V, 550MA, SOT666; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-550mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.67ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P CH, ESD, 8V, 9A, PPK SC75; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-9A; Tension Vds max..:-8V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-350mV; Dissipation de puissance Pd:13W; Type de boîtier de transistor:SC-75; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P CH, ESD,-20V,-3.6A, SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:810mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande
MOSFET, P CH, ESD,-20V,-3.6A, SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:810mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande
MOSFET, P CH, HEXFET, -20V, -6.9A, TSOP-; MOSFET, P CH, HEXFET, -20V, -6.9A, TSOP-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.9A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:2W
MOSFET, P CH, PNP, VEC8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):62mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:VEC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-3A; Tension, Vgs max..:10V
MOSFET, P CH, W DIO, 30V, 5A, SOT26; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.25mW; Type de boîtier de transistor:SOT-26; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, W DIO, 30V, 5A, SOT26; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.25mW; Type de boîtier de transistor:SOT-26; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, W ESD, 12V, SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5.2A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-0.55V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P CH, W/D, 12V, 5A, SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-450mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P CH, W/D, 20V, 1.4A, SOT323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.125ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:450mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-50°C à +150°C; Température d'utilisation min:-50°C; Type de packaging:Bande
MOSFET, P CH, W/D, 20V, 1.4A, SOT323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.125ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:450mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-50°C à +150°C; Température d'utilisation min:-50°C; Type de packaging:Bande
MOSFET, P CH, W/D, 20V, 13.4A, SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0125ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, W/D, 20V, 13.4A, SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0125ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, W/D, 20V, 18.6A, SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.006ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, W/D, 20V, 18.6A, SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.006ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, W/D, 20V, 3.9A, SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.9A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-450mV; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P CH, W/D, 20V, 6A, SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, W/D, 20V, 6A, SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, W/D, 30V, 50A, TO263; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P CH, W/D, 40V, 7.2A, SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.2A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:4.2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, W/D, 40V, 7.2A, SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.2A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:4.2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, W/D, 8V, 0.9A, SOT323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-900mA; Tension Vds max..:-8V; Résistance Rds(on):0.280ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-50°C à +150°C; Température d'utilisation min:-50°C; Type de packaging:Bande
MOSFET, P CH, W/D, 8V, 0.9A, SOT323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-900mA; Tension Vds max..:-8V; Résistance Rds(on):0.280ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-50°C à +150°C; Température d'utilisation min:-50°C; Type de packaging:Bande
MOSFET, P CH, W/DIO, 60V, 3A, SOT223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.096ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, W/DIO, 60V, 3A, SOT223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.096ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET, P CH, W/ESD, 20V, 2A, SOT363; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande
MOSFET, P CH, W/ESD, 20V, 2A, SOT363; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande
MOSFET, P CHANNEL, -100V, 0.82OHM, -3.6A; MOSFET, P CHANNEL, -100V, 0.82OHM, -3.6A, TO-252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.6A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.82ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; No. of Pins:3
MOSFET, P CHANNEL, -100V, -13.2A, POWERP; MOSFET, P CHANNEL, -100V, -13.2A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-13.2A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.119ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:8
MOSFET, P CHANNEL, -100V, -3.1A, TO-252-; MOSFET, P CHANNEL, -100V, -3.1A, TO-252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.1A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2V
MOSFET, P CHANNEL, -100V, -38A, TO-252-3; MOSFET, P CHANNEL, -100V, -38A, TO-252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-38A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.036ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V
MOSFET, P CHANNEL, -100V, -5.6A, TO-252-; MOSFET, P CHANNEL, -100V, -5.6A, TO-252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.6A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2V
MOSFET, P CHANNEL, -12V, 0.014OHM, -10A,; MOSFET, P CHANNEL, -12V, 0.014OHM, -10A, MICROFET-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-10A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:6
MOSFET, P CHANNEL, -12V, 0.016OHM, -6.8A; MOSFET, P CHANNEL, -12V, 0.016OHM, -6.8A, TSSOP-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.8A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.8V; No. of Pins:8
MOSFET, P CHANNEL, -12V, 0.026OHM, -4A,; MOSFET, P CHANNEL, -12V, 0.026OHM, -4A, WSMINI6-F1-B, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V
MOSFET, P CHANNEL, -12V, 0.026OHM, -4A,; MOSFET, P CHANNEL, -12V, 0.026OHM, -4A, WSMINI6-F1-B, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V
MOSFET, P CHANNEL, -12V, -10.2A, MICRO F; MOSFET, P CHANNEL, -12V, -10.2A, MICRO FOOT-4; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-10.2A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:4
MOSFET, P CHANNEL, -12V, -4.3A, SOT-23-3; MOSFET, P CHANNEL, -12V, -4.3A, SOT-23-3, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.3A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:3
MOSFET, P CHANNEL, -12V, -4A, SOT-363-6;; MOSFET, P CHANNEL, -12V, -4A, SOT-363-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.072ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.5V; Threshold Voltage Vgs:400mV
MOSFET, P CHANNEL, -12V, -7.1A, TO-236-3; MOSFET, P CHANNEL, -12V, -7.1A, TO-236-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-7.1A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.0285ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-400mV
MOSFET, P CHANNEL, -12V, -8.2A, TSSOP-8;; MOSFET, P CHANNEL, -12V, -8.2A, TSSOP-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.2A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):0.0112ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.8V; Threshold Voltage Vgs:-400mV
MOSFET, P CHANNEL, -150V, -8.9A, POWERPA; MOSFET, P CHANNEL, -150V, -8.9A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.9A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):0.245ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; No. of Pins:8
MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A,; MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.5OHM, -12A, TO-247-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):0.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-2V
MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.8OHM, -6.5A,; MOSFET, P CHANNEL, -200V, 0.8OHM, -6.5A, TO-263-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.5A; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):0.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; No. of Pins:3
MOSFET, P CHANNEL, -200V, 1.1OHM, -3.7A,; MOSFET, P CHANNEL, -200V, 1.1OHM, -3.7A, TO-252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.7A; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):1.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; No. of Pins:3
MOSFET, P CHANNEL, -200V, -1.9A, TO-252-; MOSFET, P CHANNEL, -200V, -1.9A, TO-252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.9A; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2V
MOSFET, P CHANNEL, -200V, -3.6A, TO-252-; MOSFET, P CHANNEL, -200V, -3.6A, TO-252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.6A; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2V
MOSFET, P CHANNEL, -20V, 0.0072OHM, -35A; MOSFET, P CHANNEL, -20V, 0.0072OHM, -35A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-35A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0072ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:8
MOSFET, P CHANNEL, -20V, 0.036OHM, -3A,; MOSFET, P CHANNEL, -20V, 0.036OHM, -3A, WSMINI6-F1-B, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.036ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4V
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -16.7A, MICRO F; MOSFET, P CHANNEL, -20V, -16.7A, MICRO FOOT; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-16.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -25A, POWERPAK-; MOSFET, P CHANNEL, -20V, -25A, POWERPAK-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-25A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0082ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-400mV
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -3.1A, SOT-23-3; MOSFET, P CHANNEL, -20V, -3.1A, SOT-23-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.1A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.11ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-2.5V; Threshold Voltage Vgs:-400mV
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -3.7A, SOT-23,; MOSFET, P CHANNEL, -20V, -3.7A, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:3
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -350mA, SOT-416; MOSFET, P CHANNEL, -20V, -350mA, SOT-416-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-350mA; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):1.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.8V; Threshold Voltage Vgs:800mV
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -4.5A, POWERPAK; MOSFET, P CHANNEL, -20V, -4.5A, POWERPAK SC70; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.5A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.044ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:6
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -4.9A, SOIC-8;; MOSFET, P CHANNEL, -20V, -4.9A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.9A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.04ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-2.5V; Threshold Voltage Vgs:-600mV
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -4A, SOIC-8; Tr; MOSFET, P CHANNEL, -20V, -4A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-2.5V; Threshold Voltage Vgs:-600mV
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -60A, POWERPAK; MOSFET, P CHANNEL, -20V, -60A, POWERPAK SO-8, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-60A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:8
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -60A, POWERPAK; MOSFET, P CHANNEL, -20V, -60A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-60A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.00125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:104W
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -60A, POWERPAK; MOSFET, P CHANNEL, -20V, -60A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-60A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -6A, SOT-23-3;; MOSFET, P CHANNEL, -20V, -6A, SOT-23-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-400mV
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -8A, TSOP-6; Tr; MOSFET, P CHANNEL, -20V, -8A, TSOP-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0347ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.8V; Threshold Voltage Vgs:-400mV
MOSFET, P CHANNEL, -20V, -9A, POWERPAK S; MOSFET, P CHANNEL, -20V, -9A, POWERPAK SC75-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-9A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.085ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.8V; Power Dissipation Pd:13W
MOSFET, P CHANNEL, -30V, 0.0027OHM, -49A; MOSFET, P CHANNEL, -30V, 0.0027OHM, -49A, POWER 56-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-49A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; No. of Pins:8
MOSFET, P CHANNEL, -30V, 0.0107OHM, -20A; MOSFET, P CHANNEL, -30V, 0.0107OHM, -20A, MLP-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-20A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0107ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:36W
MOSFET, P CHANNEL, -30V, 0.0127OHM, -19.; MOSFET, P CHANNEL, -30V, 0.0127OHM, -19.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-19.2A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0127ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:8
MOSFET, P CHANNEL, -30V, 0.01OHM, -8.8A,; MOSFET, P CHANNEL, -30V, 0.01OHM, -8.8A, SOIC-8, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.01ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
MOSFET, P CHANNEL, -30V, 0.105OHM, -3.4A; MOSFET, P CHANNEL, -30V, 0.105OHM, -3.4A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.4A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.105ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; No. of Pins:8
MOSFET, P CHANNEL, -30V, -18A, POWERPAK1; MOSFET, P CHANNEL, -30V, -18A, POWERPAK1212-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:27.8W
MOSFET, P CHANNEL, -30V, -19.7A, SOIC-8;; MOSFET, P CHANNEL, -30V, -19.7A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-19.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):8100 ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.2V
MOSFET, P CHANNEL, -30V, -2.7A, SOT-363-; MOSFET, P CHANNEL, -30V, -2.7A, SOT-363-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.08ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-2.5V; Threshold Voltage Vgs:-1.6V
MOSFET, P CHANNEL, -30V, -24A, PQFN-8; T; MOSFET, P CHANNEL, -30V, -24A, PQFN-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-24A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.01ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-20V; Threshold Voltage Vgs:-1.8V
MOSFET, P CHANNEL, -30V, -35A, POWERPAK; MOSFET, P CHANNEL, -30V, -35A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-35A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0088ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:52W
MOSFET, P CHANNEL, -30V, -40A, POWERPAK; MOSFET, P CHANNEL, -30V, -40A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-40A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0074ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:48W
MOSFET, P CHANNEL, -30V, 4OHM, -100mA, S; MOSFET, P CHANNEL, -30V, 4OHM, -100mA, SOT-723, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-100mA; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4V; No. of Pins:3
MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3; MOSFET, P CHANNEL, -30V, -5.9A, SOT-23-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.9A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.037ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.2V
MOSFET, P CHANNEL, -30V, -8A, TSOP-6; Tr; MOSFET, P CHANNEL, -30V, -8A, TSOP-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V
MOSFET, P CHANNEL, -35V, 0.045OHM, -4.3A; MOSFET, P CHANNEL, -35V, 0.045OHM, -4.3A, SUPERSOT-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.3A; Drain Source Voltage Vds:-35V; On Resistance Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; No. of Pins:6
MOSFET, P CHANNEL, -40V, -16.1A, SOIC-8;; MOSFET, P CHANNEL, -40V, -16.1A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-16.1A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1.2V
MOSFET, P CHANNEL, -40V, -18A, POWERPAK; MOSFET, P CHANNEL, -40V, -18A, POWERPAK 1212-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V
MOSFET, P CHANNEL, -40V, -4.4A, SOT-23-3; MOSFET, P CHANNEL, -40V, -4.4A, SOT-23-3, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.4A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.064ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; No. of Pins:3; MSL:-
MOSFET, P CHANNEL, -40V, -4.4A, SOT-23-3; MOSFET, P CHANNEL, -40V, -4.4A, SOT-23-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.4A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.064ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.2V
MOSFET, P CHANNEL, -40V, -50A, TO-252-3;; MOSFET, P CHANNEL, -40V, -50A, TO-252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-50A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):6.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V
MOSFET, P CHANNEL, -40V, -50A, TO-252-3;; MOSFET, P CHANNEL, -40V, -50A, TO-252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-50A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):7500 ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V
MOSFET, P CHANNEL, -40V, -8.7A, SOIC-8;; MOSFET, P CHANNEL, -40V, -8.7A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.7A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V
MOSFET, P CHANNEL, -50V, 1.2OHM, -130mA,; MOSFET, P CHANNEL, -50V, 1.2OHM, -130mA, SOT-23-3, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-130mA; Drain Source Voltage Vds:-50V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-5V; No. of Pins:3
MOSFET, P CHANNEL, -50V, 1.2OHM, -130mA,; MOSFET, P CHANNEL, -50V, 1.2OHM, -130mA, SOT-23-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-130mA; Drain Source Voltage Vds:-50V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-5V; No. of Pins:3; MSL:-
MOSFET, P CHANNEL, -50V, -9.9A, TO-252-3; MOSFET, P CHANNEL, -50V, -9.9A, TO-252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-9.9A; Drain Source Voltage Vds:-50V; On Resistance Rds(on):0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2V
MOSFET, P CHANNEL, -60V, 0.015OHM, -55A,; MOSFET, P CHANNEL, -60V, 0.015OHM, -55A, TO-263, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-55A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:3
MOSFET, P CHANNEL, -60V, 0.016OHM, -61A,; MOSFET, P CHANNEL, -60V, 0.016OHM, -61A, TO-252-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-61A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:3
MOSFET, P CHANNEL, -60V, 0.051OHM, -3.2A; MOSFET, P CHANNEL, -60V, 0.051OHM, -3.2A, POWERPAK SO, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.2A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.051ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V
MOSFET, P CHANNEL, -60V, -1.6A, SOT-23-3; MOSFET, P CHANNEL, -60V, -1.6A, SOT-23-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.6A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.36ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V
MOSFET, P CHANNEL, -60V, -1.8A, SOT-223-; MOSFET, P CHANNEL, -60V, -1.8A, SOT-223-4; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.8A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2V
MOSFET, P CHANNEL, -60V, -190mA, SC-89-6; MOSFET, P CHANNEL, -60V, -190mA, SC-89-6; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-190mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-2V
MOSFET, P CHANNEL, -60V, -190mA, SOT-416; MOSFET, P CHANNEL, -60V, -190mA, SOT-416-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-190mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-2V
MOSFET, P CHANNEL, -80V, 0.147OHM, -2.1A; MOSFET, P CHANNEL, -80V, 0.147OHM, -2.1A, SUPERSOT-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.1A; Drain Source Voltage Vds:-80V; On Resistance Rds(on):0.147ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; No. of Pins:6
MOSFET, P CHANNEL, -8V, -12A, POWERPAK S; MOSFET, P CHANNEL, -8V, -12A, POWERPAK SC70-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-8V; On Resistance Rds(on):0.037ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.2V; Threshold Voltage Vgs:350mV
MOSFET, P, -100V, -40A, TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-40A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-40A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-100V;
MOSFET, P, 150V, 18A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:204W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-150V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de terminaison:Traversant; Type de
MOSFET, P, 60V; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-30A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:62W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-60V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:-10V; Type de terminaison:Traversant; Type de transistor:A
MOSFET, P, SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-8.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-30V;
MOSFET, P, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.039ohm; Tension, mesure Rds:12V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.5A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDC638P; Polarité, directionnelle:P; Température de
MOSFET, P, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.039ohm; Tension, mesure Rds:12V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.5A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDC638P; Polarité, directionnelle:P; Température de
MOSFET, P, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDC658P; Polarité, directionnelle:P; Température de
MOSFET, P, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDC658P; Polarité, directionnelle:P; Température de
MOSFET, P, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5.5A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDC604P; Polarité, directionnelle:P; Température de
MOSFET, P, SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5.5A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDC604P; Polarité, directionnelle:P; Température de
MOSFET, P-CH, -100V, -33.5A, TO-263AB-2; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-33.5A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.049ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:3.75W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, -100V, -33.5A, TO-263AB-2; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-33.5A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.049ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:3.75W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, -100V, -6.6A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6.6A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.41ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:44W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, -100V, -6.6A, TO-252AA-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6.6A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.41ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:44W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, 20V, 16A, MFOOT; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-16A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:13W; Type de boîtier de transistor:MICRO FOOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P-CH, -20V, -2.6A, SC-70-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.073ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, -20V, -2.6A, SC-70-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.073ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, -20V, -24A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-24A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, -20V, -24A, TO-263AB-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-24A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, 20V, 29.7A, POWERPAKSC70-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-29.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:19W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-50°C
MOSFET, P-CH, 20V, 35A, PPAK1212-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-35A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0031ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P-CH, -20V, -4A, SOT-23-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, -20V, -4A, SOT-23-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, -20V, -4A, SOT-23-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.054ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, -20V, -4A, SOT-23-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.054ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, -20V, -6.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, -20V, -6.5A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, 20V, 6MLP; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-9.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P-CH, 30V, 2.3A, MFOOT; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.105ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:MICRO FOOT; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P-CH, -30V, -3.6A, SOT-23-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.063ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, -30V, -3.6A, SOT-23-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.063ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, 30V, 35A, PPAK1212-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-35A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0058ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P-CH, 30V, 7.7A, MFOOT; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:7.7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:MICRO FOOT; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P-CH, -30V, -8.8A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, -30V, -8.8A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.016ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, 30V, SOT1118; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de drain Id:-3.4A; Dissipation de puissance Pd:485mW; Nombre de broches:8; Polarité transistor:Canal P; Résistance Rds(on):0.085ohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température de fonctionnement max..:150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds max..:-30V; Tension de seuil Vgs:-780mV; Tension, mesure Rds:-4.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-1118
MOSFET, P-CH, -35V, -13A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13A; Tension Vds max..:-35V; Résistance Rds(on):9.7mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, -35V, -13A, TO-252-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13A; Tension Vds max..:-35V; Résistance Rds(on):9.7mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, -40V, -10.8A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-10.8A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0105ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, -40V, -10.8A, SOIC-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-10.8A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0105ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
MOSFET, P-CH, 40V, 35A, PPAK1212-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-35A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0097ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P-CH, 40V, 7.4A, TSOP; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.4A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P-CH, 60V, 5.5A, TSOP; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.5A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.067ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, P-CH, -6V, 2A, SC-70-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:-6V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:270mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration Driver:High Side; Courant, sortie cràªte:2A; Délais d'entrée:15ns; Délais de sortie:60ns; Température
MOSFET, P-CH, -6V, 2A, SC-70-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:-6V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:270mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration Driver:High Side; Courant, sortie cràªte:2A; Délais d'entrée:15ns; Délais de sortie:60ns; Température
MOSFET, P-CH, DUAL, 30V/25V, 6MLP; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-3.3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.069ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, PP 30V, 4.5A,POWERPAK SC70; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-4.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.071ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:6.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-4.5A; Résistance On Rds(on), Canal P:0.071ohm; Température de
MOSFET, PP CH, 20V, 1.2A, 6DSBGA; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-1.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double P; Courant de drain continu Id, Canal P:-1.2A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, PP CH, 20V, 1.2A, 6DSBGA; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-1.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):95mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-650mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double P; Courant de drain continu Id, Canal P:-1.2A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, PP CH, 20V, 1.2A, 6DSBGA; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-1.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):95mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-650mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double P; Courant de drain continu Id, Canal P:-1.2A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, PP CH, 20V, 3A, 9DSBGA; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:9; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Canal double P; Courant de drain continu Id, Canal P:-3A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, PP CH, 30V, 2.9A, W/D, TSOP6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.092ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-2.9A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, PP CH, 30V, 6A,PPK CHIPFET; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:10.4W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-6A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, PP CH, 60V, 2.3A, 8SOIC; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.3A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET, PP CH, 60V, 2.3A, 8SOIC; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-2.3A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
MOSFET, PP CH, 60V, 4.8A, SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.7A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.055ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-4.8A; Résistance On Rds(on), Canal P:0.055ohm;
MOSFET, PP CH, 60V, 4.8A, SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.7A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.055ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-4.8A; Résistance On Rds(on), Canal P:0.055ohm;
MOSFET, PP CH, W DIO, 30V, 6.9A, SO8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-6.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-6.9A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, PP CH, W/D DIOD, 40V, 8A,SO8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-8A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-8A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, PP CH, W/D DIOD, 40V, 8A,SO8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-8A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-8A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFET, SINGLE, N-CH, 60V, 0.17A, SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:220mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, SINGLE, N-CH, 60V, 0.19A, SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:190mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:265mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFET, SIX N-CH, 1.2KV, 29.5A, MODULE; Polarité transistor:6 canal N; Courant de drain Id:29.5A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:167W; Température de fonctionnement max..:150°C; Nombre de broches:28; Type de boîtier de transistor:Module
MOSFET, TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14mA; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:50V; Tension, Vgs
MOSFET,,N CH,40V,179A,DIRECTFET,M4; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:DirectFET M4; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET,+SCH,N CH,30V,11A,SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.55W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET,+SCH,N CH,30V,11A,SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.55W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET,N CH,100V,36A,D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:92W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,100V,36A,TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:92W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,100V,73A,D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:73A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,100V,73A,TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:73A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,100V,75A,D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:130A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0056ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,20V,4.9A,SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:650mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:8V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET,N CH,20V,4.9A,SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:650mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:8V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET,N CH,20V,4.9A,SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET,N CH,20V,4.9A,SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET,N CH,20V,9.8A,SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V;
MOSFET,N CH,20V,9.8A,SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V;
MOSFET,N CH,24V,240A,D2PAK-7P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:429A; Tension Vds max..:24V; Résistance Rds(on):800µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,30V,0.75A,DFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:910mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):460mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:450mV; Dissipation de puissance Pd:470mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:910mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET,N CH,30V,0.75A,DFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:910mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):460mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:450mV; Dissipation de puissance Pd:470mW; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:910mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET,N CH,30V,3.5A,SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.046ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET,N CH,30V,3.5A,SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.046ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET,N CH,30V,4.5A,SOT26; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-26; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET,N CH,30V,6.7A,SOT26; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-26; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET,N CH,30V,6.7A,SOT26; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-26; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
MOSFET,N CH,40V,120A,SOT78; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:120A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:16V
MOSFET,N CH,55V,160A,D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:210A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,55V,160A,D2PAK7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:240A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,55V,160A,TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:210A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,55V,30A,DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,55V,42A,DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0111ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,55V,51A,D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:51A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0111ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,55V,51A,TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:51A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0111ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,55V,72A,SOT404; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):5.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:158W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET,N CH,55V,72A,SOT78; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):5.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:158W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:16V
MOSFET,N CH,55V,75A,D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0049ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,55V,75A,TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0049ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,55V,90A,SOT428; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):6.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:158W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:90A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:16V
MOSFET,N CH,600V,10.6A,TO252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.6A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.34ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:10.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET,N CH,600V,10.6A,TO263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.6A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.34ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:10.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET,N CH,600V,13.8A,TO247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13.8A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:13.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET,N CH,600V,23.8A,TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23.8A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.14ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:176W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:23.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET,N CH,600V,23.8A,TO247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23.8A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.14ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:176W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:23.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET,N CH,600V,30A,TO220-FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:30A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET,N CH,600V,7.3A,TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:TO-2220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:7.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET,N CH,600V,77.5A,TO247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:77.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:481W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:77.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET,N CH,650V,7A,ITO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:ITO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:30V
MOSFET,N CH,75V,120A,SOT226; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):3600µohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:SOT-226; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:120A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:16V
MOSFET,N CH,75V,120A,SOT404; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):3.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:120A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET,N CH,75V,170A,TO247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,75V,22A,TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,75V,42A,DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0176ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,75V,52A,SOT428; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:74A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):9.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:158W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:74A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:16V;
MOSFET,N CH,75V,52A,SOT428; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:74A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):9.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:158W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:74A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:16V;
MOSFET,N CH,75V,54A,SOT404; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:78A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):8.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:158W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:78A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:16V
MOSFET,N CH,75V,57A,SOT428; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:57A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):12.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:128W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:57A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:16V
MOSFET,N CH,75V,75A,TO220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFET,N CH,W DI,100V,72A,TO220AB FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:72A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):3.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:61W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de terminaison:Traversant
MOSFET,N CHANNEL,20V,6A,DIODE,SOT23; Tra; MOSFET,N CHANNEL,20V,6A,DIODE,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):26500 ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:450mV; MSL:-
MOSFET,N CHANNEL,30V,6.3A,TSOP6; Transis; MOSFET,N CHANNEL,30V,6.3A,TSOP6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):33mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.2V; No. of Pins:6
MOSFET,N CHANNEL,DIODE,20V,35A,PPAK1212-; MOSFET,N CHANNEL,DIODE,20V,35A,PPAK1212-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.003ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
MOSFET,N CHANNEL,D-S,20V,7.9A,TSOP6; Tra; MOSFET,N CHANNEL,D-S,20V,7.9A,TSOP6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:400mV
MOSFET,NN CH, 30V, 350MA, SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:445mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-0.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET,NN CH, 30V, 400MA, SOT666; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:400mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-0.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
MOSFET,NN CH,W DIODE,30V,8.1A,SO8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8.1A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.017ohm;
MOSFET,P CH,20V,3.3A,SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.055ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-12V; Type de packaging:Bande
MOSFET,P CH,20V,3.3A,SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.055ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-12V; Type de packaging:Bande
MOSFET,P CH,20V,4.7A,SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.031ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-8V; Type de packaging:Bande
MOSFET,P CH,20V,4.7A,SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.031ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-8V; Type de packaging:Bande
MOSFET,P CH,20V,4A,SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-8V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET,P CH,20V,4A,SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-8V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET,P CH,30V,3A,SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.064ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-20V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET,P CH,30V,3A,SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.064ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-20V; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET,P CH,30V,5.3A,SOT26; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-26; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-20V; Type de
MOSFET,P CH,30V,5.3A,SOT26; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-26; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:-20V; Type de
MOSFET,P CH,W DIODE,20V,2.6A,SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.1V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET,P CH,W DIODE,20V,2.6A,SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.1V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
MOSFET,PP CH, 30V, 200MA, SOT363; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-200mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:280mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-0.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
MOSFET,PP CH, 30V, 220MA, SOT666; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-220mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:-0.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
MOSFET.CANAL P100V0.7ASOT23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-700mA; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-700mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET.CANAL P100V0.7ASOT23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-700mA; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-700mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0082ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:58W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0101ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:41W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; C
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; C; MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Power Dissipation Pd:2.5W; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Drain Source On Resistance @ 10V:4mohm; Drain Source On Resistance @ 4.5V:4.8mohm
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; C; MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.2A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):44mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Power Dissipation Pd:3W; No. of Pins:8
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; C; MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8; Leaded Process Compatible:Yes; Package / Case:SOIC-8
MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; D
MOSFET+DIODE CANAL N 30V 7.3A SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL N100V0.17ASOT23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:170mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL N100V0.17ASOT23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:170mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL N100V0.17ASOT23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:170mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL N100V0.17ASOT23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:170mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL N100V17ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):56.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFETCANAL N100V17ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):56.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFETCANAL N100V28.1ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28.1A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):30.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:28.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL N100V28.1ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28.1A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):30.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:28.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL N100V32ATO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):29.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:86W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:32A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFETCANAL N100V37ATO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):21mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:103W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:37A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFETCANAL N100V42ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):21.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:89W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFETCANAL N100V42ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):21.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:89W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFETCANAL N100V51ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:51A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):12.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:117W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:51A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFETCANAL N100V51ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:51A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):12.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:117W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:51A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFETCANAL N100V89ATO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:89A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):8.16mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:211W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:89A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFETCANAL N100V96ATO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:57A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:148W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFETCANAL N20V6.5ASOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):21mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL N20V6.5ASOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):21mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL N30V100ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:109W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL N30V100ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:109W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL N30V100ATO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:306W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFETCANAL N30V100ATO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.7mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:211W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFETCANAL N30V100ATO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFETCANAL N30V100ATO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:103W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFETCANAL N30V21AQFN3333; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:QFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:21A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFETCANAL N40V100ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):2.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:117W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFETCANAL N40V100ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):2.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:117W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFETCANAL N40V46ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:46A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type
MOSFETCANAL N40V46ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:46A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type
MOSFETCANAL N40V90ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:89W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:90A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFETCANAL N40V90ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:89W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:90A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFETCANAL N50V0.2ASOT23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL N50V0.2ASOT23-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL N60V1.3ASOT23F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, Vgs max..:6V;
MOSFETCANAL N60V1.3ASOT23F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, Vgs max..:6V;
MOSFETCANAL N60V100ATO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):3.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:211W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFETCANAL N60V29ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):19.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:29A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFETCANAL N60V29ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):19.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:29A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFETCANAL N60V44ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:44A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFETCANAL N60V50ATO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:86W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFETCANAL N60V89ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:89A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):4.95mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:117W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:89A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFETCANAL N60V89ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:89A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):4.95mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:117W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:89A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V;
MOSFETCANAL N80V100ATO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):5.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:210W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFETCANAL N80V24ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):37mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:24A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type
MOSFETCANAL N80V24ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):37mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:24A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type
MOSFETCANAL N80V45ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:89W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:45A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type
MOSFETCANAL N80V45ALFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:89W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:45A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type
MOSFETCANAL N80V50ATO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):13.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:103W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFETCANAL N80V90ATO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:90A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
MOSFETCANAL NN30V9.1ASO8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0137ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:11A; Courant, Id max..:11A; Résistance On Rds(on), Canal
MOSFETCANAL NN60V8ASO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0137ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Courant, Id max..:8A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.0137ohm;
MOSFETCANAL P -60V -2.9A SOT-223-4; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.9A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Température d'utilisation min:-55°C
MOSFETCANAL P100V1.3ASOT23-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL P100V1.3ASOT23-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL P100V3.8ADPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.9A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:4.3W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL P100V3.8ADPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.9A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:4.3W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL P20V4ASOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):31mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-550mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL P20V4ASOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):31mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-550mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL P45V0.09ASOT23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-90mA; Tension Vds max..:-45V; Résistance Rds(on):9ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-90mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL P45V0.09ASOT23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-90mA; Tension Vds max..:-45V; Résistance Rds(on):9ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-90mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL P50V0.13ASOT23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:130mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-130mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL P50V0.13ASOT23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:130mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-130mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL P60V0.9ASOT23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.1A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL P60V0.9ASOT23-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.1A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL P60V3ASOT23-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFETCANAL P60V3ASOT23-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs
MOSFET-SCHOTTKY, 20V, SOT1118; Polarité transistor:Canal P + Schottky; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:485mW; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
MV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:214W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0016ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0139ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:43A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0147ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0062ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):0.371ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:33.8W; Type de boîtier de transistor:TSDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:63A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0098ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0072ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:83A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.005ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:78W; Type de boîtier de transistor:WDSON; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
MV POWER MOS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0063ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:114W; Type de boîtier de transistor:TDSON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
N CH DIGITAL AUDIO MOSFET, 150V, 17A, TO; N CH DIGITAL AUDIO MOSFET, 150V, 17A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.9V
N CH MOSFET, 150V, 41A, TO-220FP; Transi; N CH MOSFET, 150V, 41A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:41A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5.5V
N CH MOSFET, 200V, 2.6A, POWERPAK; Trans; N CH MOSFET, 200V, 2.6A, POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.6A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):250mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:6V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
N CH MOSFET, 200V, 20A, 3-DPAK; Transist; N CH MOSFET, 200V, 20A, 3-DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):120mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V
N CH MOSFET, 20V, 100A, 3-DPAK; Transist; N CH MOSFET, 20V, 100A, 3-DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):3.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:800mV; No. of Pins:3
N CH MOSFET, 20V, 19.5A, POWERPAK; Trans; N CH MOSFET, 20V, 19.5A, POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):9.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:12V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; No. of Pins:8
N CH MOSFET, 20V, 21.1A, POWERPAK, FULL; N CH MOSFET, 20V, 21.1A, POWERPAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21.1A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):7.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CH MOSFET, 20V, 285mA, SOT-723; Transi; N CH MOSFET, 20V, 285mA, SOT-723; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:285mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):3.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:400mV
N CH MOSFET, 20V, 6.2A, SUPER SOT-6; Tra; N CH MOSFET, 20V, 6.2A, SUPER SOT-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):24mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:820mV
N CH MOSFET, 25V, 34A, 8-PWR56; Transist; N CH MOSFET, 25V, 34A, 8-PWR56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:34A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):1.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; No. of Pins:8
N CH MOSFET, 25V, 39A, 8-PWR56; Transist; N CH MOSFET, 25V, 39A, 8-PWR56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:39A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):1.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; No. of Pins:8
N CH MOSFET, 25V, 42A, 8-PWR56; Transist; N CH MOSFET, 25V, 42A, 8-PWR56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; No. of Pins:8
N CH MOSFET, 25V, 5.8A, 3-SOT-23; Transi; N CH MOSFET, 25V, 5.8A, 3-SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.8A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; No. of Pins:3
N CH MOSFET, 25V, 9.9A, 6-PQFN; Transist; N CH MOSFET, 25V, 9.9A, 6-PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.9A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V
N CH MOSFET, 300V, 38A, TO-3PN; Transist; N CH MOSFET, 300V, 38A, TO-3PN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:38A; Drain Source Voltage Vds:300V; On Resistance Rds(on):0.07ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; No. of Pins:3
N CH MOSFET, 30V, 1.7A, SUPER SOT-3; Tra; N CH MOSFET, 30V, 1.7A, SUPER SOT-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):125mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V
N CH MOSFET, 30V, 10A, DIRECTFET SQ; Tra; N CH MOSFET, 30V, 10A, DIRECTFET SQ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V
N CH MOSFET, 30V, 156A, TO-220AB; Transi; N CH MOSFET, 30V, 156A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:156A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; No. of Pins:3
N CH MOSFET, 30V, 2.7A, SUPER SOT; Trans; N CH MOSFET, 30V, 2.7A, SUPER SOT; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):46mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; No. of Pins:3
N CH MOSFET, 30V, 28A DIRECTFET MX; Tran; N CH MOSFET, 30V, 28A DIRECTFET MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:170A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V
N CH MOSFET, 30V, 5A, 3-SOT-23; Transist; N CH MOSFET, 30V, 5A, 3-SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:800mV; No. of Pins:3
N CH MOSFET, 30V, 8.7A, 6-PQFN; Transist; N CH MOSFET, 30V, 8.7A, 6-PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.1V
N CH MOSFET, 30V, 8.8A, 6-PQFN; Transist; N CH MOSFET, 30V, 8.8A, 6-PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V
N CH MOSFET, 30V,8.1A, TO-252; Transisto; N CH MOSFET, 30V,8.1A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; No. of Pins:3
N CH MOSFET, 400V, 5.5A, SMD-220; Transi; N CH MOSFET, 400V, 5.5A, SMD-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
N CH MOSFET, 40V, 16.4A, POWERPAK; Trans; N CH MOSFET, 40V, 16.4A, POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16.4A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):7.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; No. of Pins:8
N CH MOSFET, 40V, 24A, 8-PQFN; Transisto; N CH MOSFET, 40V, 24A, 8-PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):2.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:8
N CH MOSFET, 600V, 10A, TO-220VAR; Trans; N CH MOSFET, 600V, 10A, TO-220VAR; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CH MOSFET, 600V, 40A, SUPER-247; Trans; N CH MOSFET, 600V, 40A, SUPER-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; No. of Pins:3
N CH MOSFET, 60V, 33A, DIRECTFET L8; Tra; N CH MOSFET, 60V, 33A, DIRECTFET L8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.9V; No. of Pins:8
N CH MOSFET, 60V, 8.7A, POWERPAK 1212; T; N CH MOSFET, 60V, 8.7A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.7A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):36mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:8
N CH MOSFET, AUTOMOTIVE, 24V, 240A, TO-2; N CH MOSFET, AUTOMOTIVE, 24V, 240A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:240A; Drain Source Voltage Vds:24V; On Resistance Rds(on):0.00116ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:300W
N CH MOSFET, AUTOMOTIVE, 40V, 240A, TO-2; N CH MOSFET, AUTOMOTIVE, 40V, 240A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:240A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.00127ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:375W
N CH MOSFET, FULL REEL; Transistor Polar; N CH MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.3A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:5.2W
N CH MOSFET, HEXFET, 250V, 46A, TO-220AB; N CH MOSFET, HEXFET, 250V, 46A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:46A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):38mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V
N CH MOSFET, HEXFET, 60V, 79A, D2PAK; Tr; N CH MOSFET, HEXFET, 60V, 79A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:79A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):7.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CH MOSFET, TRENCH AUTOMOTIVE, 30V, 34A; N CH MOSFET, TRENCH AUTOMOTIVE, 30V, 34A, 3TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:300W
N CH MOSFET, UNITFET, 500V, 4.2A, TO-220; N CH MOSFET, UNITFET, 500V, 4.2A, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.2A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1.57ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; MSL:-
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Chann; N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:2.5W
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Chann; N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:600mV; Power Dissipation Pd:3W
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Chann; N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):82mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:2W
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Chann; N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:5.4W
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Chann; N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:800mV; Power Dissipation Pd:5.4W
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Chann; N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):19mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:1.31W
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Chann; N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:1.7W
N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Chann; N CH MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:85A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):21mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Dissipation Pd:2.4W; MSL:-
N CH POWER MOSFET, 30V, 171A, SO-8FL; Tr; N CH POWER MOSFET, 30V, 171A, SO-8FL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:171A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 85A, D2; N CH POWER MOSFET, HEXFET, 100V, 85A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:85A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 23A, PQF; N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 23A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:23A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 27A, PQF; N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 27A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:27A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
N CH POWER MOSFET, NEXFET, 25V, 100A, SO; N CH POWER MOSFET, NEXFET, 25V, 100A, SON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):1.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:1.1V
N CH POWER MOSFET,HEXFET, 60V, 120A, D2P; N CH POWER MOSFET,HEXFET, 60V, 120A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):3.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
N CH, DMOS FET, 20V, 1.05A, 3-SOT-23; Tr; N CH, DMOS FET, 20V, 1.05A, 3-SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.05A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:570mV
N CH, DMOS FET, 300V, 350MA, 3-SOT-223;; N CH, DMOS FET, 300V, 350MA, 3-SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:350mA; Drain Source Voltage Vds:300V; On Resistance Rds(on):6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
N CHAN MOSFET, 100V, 16A, DPAK; Transist; N CHAN MOSFET, 100V, 16A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.115ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL JFET, -25V, SOT-23; Transistor; N CHANNEL JFET, -25V, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-25V; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-8V; Power Dissipation Pd:350mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; No. of Pins:3
N CHANNEL JFET, -25V, SOT-23; Transistor; N CHANNEL JFET, -25V, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:24mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:60mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-6.5V
N CHANNEL JFET, -25V, SOT-23; Transistor; N CHANNEL JFET, -25V, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:24mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:60mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:25V; No. of Pins:3
N CHANNEL JFET, -25V, SOT-23; Transistor; N CHANNEL JFET, -25V, SOT-23; Transistor Type:RF FET; Breakdown Voltage Vbr:25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:12mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:30mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL JFET, -25V, SOT-23; Transistor; N CHANNEL JFET, -25V, SOT-23; Transistor Type:RF FET; Breakdown Voltage Vbr:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:8mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:20mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-6V; No. of Pins:3
N CHANNEL JFET, -25V, SUPERSOT-3; Breakdown Voltage Vbr:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:80mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:80mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-10V; Transistor Type:JFET
N CHANNEL JFET, -30V, SOT-23; Transistor; N CHANNEL JFET, -30V, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-30V; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-5V; Power Dissipation Pd:350mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; No. of Pins:3; Current Rating:75mA
N CHANNEL JFET, -35V, SOT-23; Breakdown Voltage Vbr:-35V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:2mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-3V; Transistor Type:JFET; No. of Pins:3
N CHANNEL JFET, -36V, TO-206AF; Breakdow; N CHANNEL JFET, -36V, TO-206AF; Breakdown Voltage Vbr:-36V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:15mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-6V; Transistor Type:JFET; No. of Pins:4
N CHANNEL JFET, -40V, SOT-23, FULL REEL;; N CHANNEL JFET, -40V, SOT-23, FULL REEL; Breakdown Voltage Vbr:-40V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:900 A; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:4.5mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-4V; Transistor Type:JFET
N CHANNEL JFET, -40V, SOT-23; Breakdown Voltage Vbr:-40V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:30mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-10V; Transistor Type:JFET; No. of Pins:3
N CHANNEL JFET, -40V, SOT-23; Transistor; N CHANNEL JFET, -40V, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:40V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:900µA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:4.5mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL JFET, -50V, TO-92; Breakdown Voltage Vbr:-50V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:500 A; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:12mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-1.5V; Transistor Type:RF FET
N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A; Transistor; N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):270mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:4
N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.5A, SOT-223; T; N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.5A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):540mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:2V
N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.6A SOT-23, FUL; N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.6A SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.178ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.6A SOT-23; Tra; N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.6A SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):220mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 100V, 10A, D-PAK; Tran; N CHANNEL MOSFET, 100V, 10A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):185mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 100V, 110A TO-263; Tra; N CHANNEL MOSFET, 100V, 110A TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):9.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
N CHANNEL MOSFET, 100V, 130A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:130A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):5.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 100V, 14A, D2-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 100V, 14A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):160mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 100V, 14A, TO-204AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 100V, 14A, TO-220; Tra; N CHANNEL MOSFET, 100V, 14A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):110mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:100V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 100V, 16A, D-PAK; Tran; N CHANNEL MOSFET, 100V, 16A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):115mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 100V, 17A, D-PAK, FULL; N CHANNEL MOSFET, 100V, 17A, D-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.105ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
N CHANNEL MOSFET, 100V, 17A, D-PAK; Tran; N CHANNEL MOSFET, 100V, 17A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):105mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 100V, 180A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:180A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):4.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 100V, 18A, POWERPAK; T; N CHANNEL MOSFET, 100V, 18A, POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):58mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:4.4V
N CHANNEL MOSFET, 100V, 2.4A, TSOP-6; Tr; N CHANNEL MOSFET, 100V, 2.4A, TSOP-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.4A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):170mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
N CHANNEL MOSFET, 100V, 28A, D2-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 100V, 28A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):77mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 100V, 290A, TO-247AC;; N CHANNEL MOSFET, 100V, 290A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:290A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):2.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 100V, 3.5A, TO-205AF; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 100V, 31A, TO-247; Tra; N CHANNEL MOSFET, 100V, 31A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:31A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):77mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 100V, 33A, D2-PAK, FUL; N CHANNEL MOSFET, 100V, 33A, D2-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.044ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
N CHANNEL MOSFET, 100V, 33A, D2-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 100V, 33A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):44mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 100V, 33A, TO-262; Tra; N CHANNEL MOSFET, 100V, 33A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):44mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 100V, 38A, TO-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:38A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):55mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:2
N CHANNEL MOSFET, 100V, 4.5A, SOIC, FULL; N CHANNEL MOSFET, 100V, 4.5A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
N CHANNEL MOSFET, 100V, 4.5A, SOIC; Tran; N CHANNEL MOSFET, 100V, 4.5A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5.5V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 100V, 55mA; Transistor; N CHANNEL MOSFET, 100V, 55mA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:55mA; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 100V, 6.5A D2-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 100V, 6.5A D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):44mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
N CHANNEL MOSFET, 100V, 60A; Transistor; N CHANNEL MOSFET, 100V, 60A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):18.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 100V, 7.5A, SOIC; Tran; N CHANNEL MOSFET, 100V, 7.5A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 100V, 7.7A, D-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 100V, 7.7A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):270mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 100V, 7.7A, IPAK; Tran; N CHANNEL MOSFET, 100V, 7.7A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.7A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):270mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 100V, 7.8A, SOIC, FULL; N CHANNEL MOSFET, 100V, 7.8A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.8A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:4V
N CHANNEL MOSFET, 100V, 75A, TO-220AB; T; N CHANNEL MOSFET, 100V, 75A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 100V, 75A, TO-247; Tra; N CHANNEL MOSFET, 100V, 75A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 100V, 75mA; Transistor; N CHANNEL MOSFET, 100V, 75mA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75mA; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 100V, 80A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 100V, 9.3A, PQFN; Tran; N CHANNEL MOSFET, 100V, 9.3A, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.3A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.7V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 100V, 9.4A, D-PAK, FUL; N CHANNEL MOSFET, 100V, 9.4A, D-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.4A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.21ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
N CHANNEL MOSFET, 100V, 9.4A, D-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 100V, 9.4A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.4A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):210mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
N CHANNEL MOSFET, 100V, 9.4A, D-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 100V, 9.4A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.4A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):210mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 12V, 21.5A, SOIC, FULL; N CHANNEL MOSFET, 12V, 21.5A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21.5A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):0.0042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:1V
N CHANNEL MOSFET, 12V, 22A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 12V, 22A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:1.4V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 12V, 4.5A; Transistor; N CHANNEL MOSFET, 12V, 4.5A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):19.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; No. of Pins:6
N CHANNEL MOSFET, 12V, 40A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 12V, 40A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):4.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:1V
N CHANNEL MOSFET, 12V, 50A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 12V, 50A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):72mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:1V
N CHANNEL MOSFET, 12V, 6A, 1206; Transis; N CHANNEL MOSFET, 12V, 6A, 1206; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):27mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 12V, 9.5A; Transistor; N CHANNEL MOSFET, 12V, 9.5A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.5A; Drain Source Voltage Vds:12V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:600mV
N CHANNEL MOSFET, 150V, 1.5A, TSOP; Tran; N CHANNEL MOSFET, 150V, 1.5A, TSOP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):400mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:6V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:6
N CHANNEL MOSFET, 150V, 2.7A, SOIC-8; Tr; N CHANNEL MOSFET, 150V, 2.7A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):68mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 150V, 26A, SOIC-8; Tra; N CHANNEL MOSFET, 150V, 26A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:26A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 150V, 3.4A, POWERPAK 1; N CHANNEL MOSFET, 150V, 3.4A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.4A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.112ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:4V
N CHANNEL MOSFET, 150V, 30A, SOIC, FULL; N CHANNEL MOSFET, 150V, 30A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):38mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:4V
N CHANNEL MOSFET, 150V, 33A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):34.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 150V, 3A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 150V, 3A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):95mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:6V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 150V, 4.1A, SOIC; Tran; N CHANNEL MOSFET, 150V, 4.1A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.1A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):66mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 150V, 4.8A, SOIC; Tran; N CHANNEL MOSFET, 150V, 4.8A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.8A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):95mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 150V, 5A, 8-PQFN; Tran; N CHANNEL MOSFET, 150V, 5A, 8-PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):45.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 150V, 6A, D-PAK; Trans; N CHANNEL MOSFET, 150V, 6A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 150V, 900mA, TSOP, FUL; N CHANNEL MOSFET, 150V, 900mA, TSOP, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:900mA; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5.5V
N CHANNEL MOSFET, 150V, 900mA, TSOP; Tra; N CHANNEL MOSFET, 150V, 900mA, TSOP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:900mA; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5.5V
N CHANNEL MOSFET, 1KV, 1.6mA; Transistor; N CHANNEL MOSFET, 1KV, 1.6mA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A; Drain Source Voltage Vds:1kV; On Resistance Rds(on):9ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 1KV, 3.1A, TO-247; Tra; N CHANNEL MOSFET, 1KV, 3.1A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.1A; Drain Source Voltage Vds:1kV; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 200V, 1.5A, SOIC; Tran; N CHANNEL MOSFET, 200V, 1.5A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):480mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220; Tra; N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-262; Tra; N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):150mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 200V, 2.6A, SC-70, FUL; N CHANNEL MOSFET, 200V, 2.6A, SC-70, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.6A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):3.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:16V; Threshold Voltage Vgs:1.4V
N CHANNEL MOSFET, 200V, 2.6A, SC-70; Tra; N CHANNEL MOSFET, 200V, 2.6A, SC-70; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.6A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):3.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:16V; Threshold Voltage Vgs:1.4V
N CHANNEL MOSFET, 200V, 21A, D2PAK; Tran; N CHANNEL MOSFET, 200V, 21A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21mA; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V
N CHANNEL MOSFET, 200V, 25A, SOIC, FULL; N CHANNEL MOSFET, 200V, 25A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):76mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:4V
N CHANNEL MOSFET, 200V, 3.6A TO-252; Tra; N CHANNEL MOSFET, 200V, 3.6A TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
N CHANNEL MOSFET, 200V, 30A, TO-247; Tra; N CHANNEL MOSFET, 200V, 30A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):85mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 200V, 44A, D2-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 200V, 44A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):54mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 200V, 46A, TO-247AC; T; N CHANNEL MOSFET, 200V, 46A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:46A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 200V, 4A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 200V, 4A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 200V, 5.2A D2-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 200V, 5.2A D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.2A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 200V, 5.2A TO-220; Tra; N CHANNEL MOSFET, 200V, 5.2A TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.2A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 200V, 52A, D2-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 200V, 52A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:52A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):49mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 200V, 52A, TO-220; Tra; N CHANNEL MOSFET, 200V, 52A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:52A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):41mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:30V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V
N CHANNEL MOSFET, 200V, 9A, TO-220; Tran; N CHANNEL MOSFET, 200V, 9A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):400mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 20V, 1.5A, SC-70, FULL; N CHANNEL MOSFET, 20V, 1.5A, SC-70, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.068ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700mV
N CHANNEL MOSFET, 20V, 1.9A, SC-70; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):115mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:900mV
N CHANNEL MOSFET, 20V, 10A; Transistor P; N CHANNEL MOSFET, 20V, 10A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):18.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.55V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 20V, 12A POWERPAK, FUL; N CHANNEL MOSFET, 20V, 12A POWERPAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):21mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:1V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 12A, SC-70; Trans; N CHANNEL MOSFET, 20V, 12A, SC-70; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):18.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:6
N CHANNEL MOSFET, 20V, 2.9A, TO-236; Tra; N CHANNEL MOSFET, 20V, 2.9A, TO-236; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):75mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:2.5V; Threshold Voltage Vgs:850mV; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 20V, 200mA, SC-89, FUL; N CHANNEL MOSFET, 20V, 200mA, SC-89, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:6V; Threshold Voltage Vgs:700mV
N CHANNEL MOSFET, 20V, 200mA, SC-89; Tra; N CHANNEL MOSFET, 20V, 200mA, SC-89; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:6V; Threshold Voltage Vgs:700mV; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 20V, 20A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 20V, 20A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:16V; Threshold Voltage Vgs:2.1V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 20A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 20V, 20A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 20A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 20V, 20A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):4.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 21A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 20V, 21A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):4.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 20V, 22A POWERPAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 20V, 22A POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):6.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 20V, 238mA, SC-75; Tra; N CHANNEL MOSFET, 20V, 238mA, SC-75; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:238mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 20V, 25A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 20V, 25A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):4.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:12V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 25A, SOIC; Contin; N CHANNEL MOSFET, 20V, 25A, SOIC; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:20V; Filter Terminals:Surface Mount; No. of Pins:8; On Resistance Rds(on):4.7mohm; Operating Temperature Max:150°C; Package / Case:8-SOIC
N CHANNEL MOSFET, 20V, 3.2A, MICRO6; Tra; N CHANNEL MOSFET, 20V, 3.2A, MICRO6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:700mV
N CHANNEL MOSFET, 20V, 3.2A, SOT-23; Tra; N CHANNEL MOSFET, 20V, 3.2A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 300mA SOT-23; Tra; N CHANNEL MOSFET, 20V, 300mA SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 20V, 300mA, SC-70; Tra; N CHANNEL MOSFET, 20V, 300mA, SC-70; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 20V, 35A POWERPAK, FUL; N CHANNEL MOSFET, 20V, 35A POWERPAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):5.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 35A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 20V, 35A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):5.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, -20V, -3A, WL-CSP; Tra; N CHANNEL MOSFET, -20V, -3A, WL-CSP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):67mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-600mV
N CHANNEL MOSFET, 20V, 4.1A, 3-SOT-23, F; N CHANNEL MOSFET, 20V, 4.1A, 3-SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.1A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:12V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 40A, 8-PQFN; Tran; N CHANNEL MOSFET, 20V, 40A, 8-PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:26A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:800mV; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 20V, 5.1A, TSOP; Trans; N CHANNEL MOSFET, 20V, 5.1A, TSOP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.1A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:850mV; No. of Pins:6
N CHANNEL MOSFET, 20V, 500mA, SC-89; Tra; N CHANNEL MOSFET, 20V, 500mA, SC-89; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:600mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):700mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:6V; Threshold Voltage Vgs:900mV
N CHANNEL MOSFET, 20V, 50A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 20V, 50A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.0023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.6V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 50A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 20V, 50A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.6V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 20V, 6.3A, 3-SOT-23, F; N CHANNEL MOSFET, 20V, 6.3A, 3-SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.3A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):21mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:12V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 6.5A, MICRO6, FUL; N CHANNEL MOSFET, 20V, 6.5A, MICRO6, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 6.5A, MICRO6; Tra; N CHANNEL MOSFET, 20V, 6.5A, MICRO6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 60A POWERPAK, FUL; N CHANNEL MOSFET, 20V, 60A POWERPAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.00125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 60A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 20V, 60A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.3V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 60A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 20V, 60A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):2.55mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.3V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 20V, 6A, 1206, FULL RE; N CHANNEL MOSFET, 20V, 6A, 1206, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:12V; Threshold Voltage Vgs:1.5V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 7.5A, 1206; Trans; N CHANNEL MOSFET, 20V, 7.5A, 1206; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):39mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:2.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 700mA, FULL REEL;; N CHANNEL MOSFET, 20V, 700mA, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:700mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.2V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 750mA SOT-23; Tra; N CHANNEL MOSFET, 20V, 750mA SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:750mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):90mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 85A TO-220AB; Tra; N CHANNEL MOSFET, 20V, 85A TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:85A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:450mV
N CHANNEL MOSFET, 20V, 8A, TSOP, FULL RE; N CHANNEL MOSFET, 20V, 8A, TSOP, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:1V
N CHANNEL MOSFET, 20V, 915mA, SC-75, FUL; N CHANNEL MOSFET, 20V, 915mA, SC-75, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:915µA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):230mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:760mV
N CHANNEL MOSFET, 20V, 915mA, SC-89; Tra; N CHANNEL MOSFET, 20V, 915mA, SC-89; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:915mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):230mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:760mV
N CHANNEL MOSFET, 20V, 9A; Transistor Po; N CHANNEL MOSFET, 20V, 9A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; No. of Pins:6
N CHANNEL MOSFET, 20V, SOT-563; Transist; N CHANNEL MOSFET, 20V, SOT-563; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:540mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:6
N CHANNEL MOSFET, 250V, 14A SMD-220; Tra; N CHANNEL MOSFET, 250V, 14A SMD-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 250V, 14A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 250V, 2.7A TO-220; Tra; N CHANNEL MOSFET, 250V, 2.7A TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 250V, 23A, TO-247; Tra; N CHANNEL MOSFET, 250V, 23A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:23A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 250V, 25.5A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25.5A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):110mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 250V, 3.8A, SOIC; Tran; N CHANNEL MOSFET, 250V, 3.8A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.8A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):162mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:6V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
N CHANNEL MOSFET, 250V, 44A, D2-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 250V, 44A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):690mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 250V, 5.6A, TO-220FP;; N CHANNEL MOSFET, 250V, 5.6A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.6A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):450mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 250V, 7.9A, TO-220FP;; N CHANNEL MOSFET, 250V, 7.9A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.9A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 250V, 8.1A TO-220; Tra; N CHANNEL MOSFET, 250V, 8.1A TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.1A; Drain Source Voltage Vds:250V; On Resistance Rds(on):450mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 25V, 100A, FULL REEL;; N CHANNEL MOSFET, 25V, 100A, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):1.15mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
N CHANNEL MOSFET, 25V, 100A, SON; Transi; N CHANNEL MOSFET, 25V, 100A, SON; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):1.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 25V, 100A; Transistor; N CHANNEL MOSFET, 25V, 100A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):1.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.1V
N CHANNEL MOSFET, 25V, 30A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 25V, 30A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 25V, 35A TO-252AA; Tra; N CHANNEL MOSFET, 25V, 35A TO-252AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):18.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:1.5V
N CHANNEL MOSFET, 25V, 35A TO-252AA; Tra; N CHANNEL MOSFET, 25V, 35A TO-252AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):4.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 25V, 5.8A, 3-SOT-23, F; N CHANNEL MOSFET, 25V, 5.8A, 3-SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.8A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
N CHANNEL MOSFET, 25V, 50A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 25V, 50A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.6V
N CHANNEL MOSFET, 25V, 50A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 25V, 50A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0025ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.6V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 25V, 56A, SON; Transis; N CHANNEL MOSFET, 25V, 56A, SON; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):12ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 25V, 60A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 25V, 60A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):2.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 25V, 60A, SOIC; Contin; N CHANNEL MOSFET, 25V, 60A, SOIC; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:25V; Filter Terminals:Surface Mount; No. of Pins:8; On Resistance Rds(on):2.5mohm; Operating Temperature Max:150°C; Package / Case:8-SOIC
N CHANNEL MOSFET, 25V, 60A, SON; Transis; N CHANNEL MOSFET, 25V, 60A, SON; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 25V, 750mA, SOT-323; T; N CHANNEL MOSFET, 25V, 750mA, SOT-323; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:750mA; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):350mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:650mV
N CHANNEL MOSFET, 30V, 10.1A, SC-70, FUL; N CHANNEL MOSFET, 30V, 10.1A, SC-70, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0158ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 10.1A, SC-70; Tra; N CHANNEL MOSFET, 30V, 10.1A, SC-70; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0158ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 10.2A, SOIC; Tran; N CHANNEL MOSFET, 30V, 10.2A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 10.2A, SOT-223, F; N CHANNEL MOSFET, 30V, 10.2A, SOT-223, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):120mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 10A; Transistor P; N CHANNEL MOSFET, 30V, 10A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.01ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 11.7A, POWERPAK,; N CHANNEL MOSFET, 30V, 11.7A, POWERPAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 11A; Transistor P; N CHANNEL MOSFET, 30V, 11A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:10V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 12.5A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A POWERPAK, FUL; N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A POWERPAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A POWERPAK, FUL; N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A POWERPAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):18.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A; Transistor P; N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 13.1A, DFN5; Tran; N CHANNEL MOSFET, 30V, 13.1A, DFN5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:57A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; No. of Pins:5
N CHANNEL MOSFET, 30V, 13.6A, SOIC, FULL; N CHANNEL MOSFET, 30V, 13.6A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 13.6A, SOIC; Tran; N CHANNEL MOSFET, 30V, 13.6A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 13A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 30V, 13A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 14A POWERPAK, FUL; N CHANNEL MOSFET, 30V, 14A POWERPAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 150A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:150A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.3V; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 30V, 154mA, SC-75; Tra; N CHANNEL MOSFET, 30V, 154mA, SC-75; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:154mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 30V, 15A, SOIC; Contin; N CHANNEL MOSFET, 30V, 15A, SOIC; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:30V; Filter Terminals:Surface Mount; No. of Pins:8; On Resistance Rds(on):30mohm; Operating Temperature Max:150°C; Package / Case:8-SOIC
N CHANNEL MOSFET, 30V, 16A POWERPAK, FUL; N CHANNEL MOSFET, 30V, 16A POWERPAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0105ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 16A, PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0057ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 16A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 30V, 16A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):9.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 16A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 30V, 16A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:25V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.6V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 16A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 30V, 16A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 18A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 30V, 18A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0039ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 19A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 30V, 19A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):9.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 2.1A, SOT-23; Tra; N CHANNEL MOSFET, 30V, 2.1A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 2.5A, SOT-23; Tra; N CHANNEL MOSFET, 30V, 2.5A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.75V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.32V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC; Contin; N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:30V; Filter Terminals:Surface Mount; No. of Pins:8; On Resistance Rds(on):11mohm; Operating Temperature Max:150°C; Package / Case:8-SOIC
N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 21A, SOIC; N CHANNEL MOSFET, 30V, 21A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.35V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 24.5A, SOIC, FULL; N CHANNEL MOSFET, 30V, 24.5A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):6.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.6V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 25A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 30V, 25A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.2A, MICRO6, FUL; N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.2A, MICRO6, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.2A, MICRO6; Tra; N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.2A, MICRO6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.2A, TO-236; Tra; N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.2A, TO-236; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):105mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.4A, 3-SOT-23, F; N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.4A, 3-SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):46mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:800mV
N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.4A, 3-SOT-23; T; N CHANNEL MOSFET, 30V, 3.4A, 3-SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):46mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:800mV
N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, DFN5; Transi; N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, DFN5; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):10.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, POWER 33; Tr; N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, POWER 33; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):33mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A POWERPAK, FUL; N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A POWERPAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0048ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A POWERPAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:12V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A POWERPAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 30V, 35A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 4.5A, TO-236; Tra; N CHANNEL MOSFET, 30V, 4.5A, TO-236; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 30V, 4.6A SOT-223; Tra; N CHANNEL MOSFET, 30V, 4.6A SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):31mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 30V, 4.6A SOT-223; Tra; N CHANNEL MOSFET, 30V, 4.6A SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):31mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 30V, 4.6A; Transistor; N CHANNEL MOSFET, 30V, 4.6A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):34mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:6
N CHANNEL MOSFET, 30V, 40A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 30V, 40A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0029ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.4V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 40A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 30V, 40A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0047ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 40A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 30V, 40A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.6V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 4A, SOT-23, FULL; N CHANNEL MOSFET, 30V, 4A, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 4A, SOT-23; Trans; N CHANNEL MOSFET, 30V, 4A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 30V, 4A, TO-236; Trans; N CHANNEL MOSFET, 30V, 4A, TO-236; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 30V, 5.3A, SOT-23, FUL; N CHANNEL MOSFET, 30V, 5.3A, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 50A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 30V, 50A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 560mA SOT-23, FUL; N CHANNEL MOSFET, 30V, 560mA SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:560mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4V; Threshold Voltage Vgs:800mV
N CHANNEL MOSFET, 30V, 560mA SOT-23; Tra; N CHANNEL MOSFET, 30V, 560mA SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:560mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4V; Threshold Voltage Vgs:800mV
N CHANNEL MOSFET, 30V, 56A; Transistor P; N CHANNEL MOSFET, 30V, 56A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:56A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):12.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 30V, 5A; Transistor Po; N CHANNEL MOSFET, 30V, 5A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:800mV; No. of Pins:6
N CHANNEL MOSFET, 30V, 6.1A; Transistor; N CHANNEL MOSFET, 30V, 6.1A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):42mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 60A TO-263AB, FUL; N CHANNEL MOSFET, 30V, 60A TO-263AB, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.9V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 60A, SOIC; Contin; N CHANNEL MOSFET, 30V, 60A, SOIC; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; Filter Terminals:Surface Mount; No. of Pins:8; On Resistance Rds(on):4.5mohm; Operating Temperature Max:150°C; Package / Case:8-SOIC
N CHANNEL MOSFET, 30V, 60A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 30V, 60A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 60A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 30V, 60A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):14.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 65A, D-PAK; Trans; N CHANNEL MOSFET, 30V, 65A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 66A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:66A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 30V, 6A, 1206, FULL RE; N CHANNEL MOSFET, 30V, 6A, 1206, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:25V; Threshold Voltage Vgs:2.3V
N CHANNEL MOSFET, 30V, 7.5mA; Transistor; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.5mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
N CHANNEL MOSFET, 30V, 7.8A, WDFN6; Tran; N CHANNEL MOSFET, 30V, 7.8A, WDFN6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:550mV
N CHANNEL MOSFET, 30V, 75A TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):2.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 30V, 7A; Transistor Po; N CHANNEL MOSFET, 30V, 7A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:2.5W
N CHANNEL MOSFET, 30V, 8.5A, SOIC; Trans; N CHANNEL MOSFET, 30V, 8.5A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.5A; On Resistance Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:2.5W; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 8.8A, 6-PQFN; Tra; N CHANNEL MOSFET, 30V, 8.8A, 6-PQFN; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; No. of Pins:6
N CHANNEL MOSFET, 30V, 80A, TO-220; Tran; N CHANNEL MOSFET, 30V, 80A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):3.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 30V, 8A, TSOP; Transis; N CHANNEL MOSFET, 30V, 8A, TSOP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):38mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; No. of Pins:6
N CHANNEL MOSFET, 30V, 9.5A, SOIC; Trans; N CHANNEL MOSFET, 30V, 9.5A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):21mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, 93A TO-263AB; Tra; N CHANNEL MOSFET, 30V, 93A TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:93A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 30V, 9A, SOIC; Transis; N CHANNEL MOSFET, 30V, 9A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):18.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.9V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 400V, 1.7A, D-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 400V, 1.7A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.7A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):3.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 400V, 10A, I2-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 400V, 10A, I2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):550mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 400V, 10A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):550mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 400V, 14A, TO-204AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 400V, 2A, D2-PAK; Tran; N CHANNEL MOSFET, 400V, 2A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):3.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 400V, 3A TO-205AF; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 400V, 5.5A, TO-204AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:2
N CHANNEL MOSFET, 40V, 10A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 40V, 10A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:800mV; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 40V, 11A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 40V, 11A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V
N CHANNEL MOSFET, 40V, 12.5A, SOIC; Tran; N CHANNEL MOSFET, 40V, 12.5A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12.5A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.9V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 40V, 12A POWERPAK, FUL; N CHANNEL MOSFET, 40V, 12A POWERPAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 40V, 130A; Transistor; N CHANNEL MOSFET, 40V, 130A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:130A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):4.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 40V, 162A, TO-262; Tra; N CHANNEL MOSFET, 40V, 162A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:162A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
N CHANNEL MOSFET, 40V, 27.2A, SOIC, FULL; N CHANNEL MOSFET, 40V, 27.2A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:27.2A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:25V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 40V, 28A, TO-252; Tran; N CHANNEL MOSFET, 40V, 28A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):19mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.1V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 40V, 3.9A, TO-236, FUL; N CHANNEL MOSFET, 40V, 3.9A, TO-236, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.036ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 40V, 30A; Transistor P; N CHANNEL MOSFET, 40V, 30A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):10.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 40V, 33A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 40V, 33A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):4.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.8V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 40V, 35A; Transistor P; N CHANNEL MOSFET, 40V, 35A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0063ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 40V, 50A TO-263AB; Tra; N CHANNEL MOSFET, 40V, 50A TO-263AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):8.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:1.9V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 40V, 50A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 40V, 50A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0036ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:25V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 40V, 7.6A, SOIC; Trans; N CHANNEL MOSFET, 40V, 7.6A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.6A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):29mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.9V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 40V, 9A; Transistor Po; N CHANNEL MOSFET, 40V, 9A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):21mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:2.5W
N CHANNEL MOSFET, 500V, 12A, TO-204AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):400mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 500V, 14A, TO-3P; Tran; N CHANNEL MOSFET, 500V, 14A, TO-3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):400mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 500V, 16A, TO-220; Tra; N CHANNEL MOSFET, 500V, 16A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):320mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 500V, 3.3A, IPAK; Tran; N CHANNEL MOSFET, 500V, 3.3A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.3A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V
N CHANNEL MOSFET, 500V, 4.5A, TO-220FP;; N CHANNEL MOSFET, 500V, 4.5A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):850mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 500V, 5A, I2-PAK; Tran; N CHANNEL MOSFET, 500V, 5A, I2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 500V, 6.6A, TO-220FP;; N CHANNEL MOSFET, 500V, 6.6A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.6A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):520mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 500V, 8.8A TO-247; Tra; N CHANNEL MOSFET, 500V, 8.8A TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.8A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):850mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB; Tra; N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):850mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 500V, 9A, TO-3P; Trans; N CHANNEL MOSFET, 500V, 9A, TO-3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):700mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 50V, 1.7A, DIP; Transi; N CHANNEL MOSFET, 50V, 1.7A, DIP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.7A; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):160mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:4
N CHANNEL MOSFET, 50V, 14mA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 50V, 15A TO-220AB; Tra; N CHANNEL MOSFET, 50V, 15A TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 50V, 200mA SOT-23, FUL; N CHANNEL MOSFET, 50V, 200mA SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):5.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:2.75V; Threshold Voltage Vgs:500mV
N CHANNEL MOSFET, 50V, 200mA SOT-23; Tra; N CHANNEL MOSFET, 50V, 200mA SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):5.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:2.75V; Threshold Voltage Vgs:500mV
N CHANNEL MOSFET, 50V, 30A TO-220AB; Tra; N CHANNEL MOSFET, 50V, 30A TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 50V, 30A, TO-220AB; Tr; N CHANNEL MOSFET, 50V, 30A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:50V; On Resistance Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 55V, 1.9A SOT-223; Tra; N CHANNEL MOSFET, 55V, 1.9A SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.9A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):160mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 55V, 104A, D2-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 55V, 104A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:104A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 55V, 17A TO-220AB; Tra; N CHANNEL MOSFET, 55V, 17A TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
N CHANNEL MOSFET, 55V, 17A, D-PAK, FULL; N CHANNEL MOSFET, 55V, 17A, D-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
N CHANNEL MOSFET, 55V, 17A, D-PAK; Trans; N CHANNEL MOSFET, 55V, 17A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 55V, 17A, DPAK; Transi; N CHANNEL MOSFET, 55V, 17A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):75mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 55V, 17A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 55V, 3.7A SOT-223; Tra; N CHANNEL MOSFET, 55V, 3.7A SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.7A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 55V, 3.7A SOT-223; Tra; N CHANNEL MOSFET, 55V, 3.7A SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.7A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 55V, 3.8A SOT-223, FUL; N CHANNEL MOSFET, 55V, 3.8A SOT-223, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.8A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.04ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
N CHANNEL MOSFET, 55V, 3.8A SOT-223; Tra; N CHANNEL MOSFET, 55V, 3.8A SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.8A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 55V, 30A, D2-PAK; Tran; N CHANNEL MOSFET, 55V, 30A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V
N CHANNEL MOSFET, 55V, 36A TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:36A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 55V, 4.4A SOT-223; Tra; N CHANNEL MOSFET, 55V, 4.4A SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.4A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 55V, 42A, D-PAK; N CHANNEL MOSFET, 55V, 42A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):27mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 55V, 44A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:44A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):27mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 55V, 47A, D2-PAK; Tran; N CHANNEL MOSFET, 55V, 47A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:47A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V
N CHANNEL MOSFET, 55V, 49A TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0175ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 55V, 75A, D2-PAK; Tran; N CHANNEL MOSFET, 55V, 75A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):3.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
N CHANNEL MOSFET, 55V, 80A, TO-220; Tran; N CHANNEL MOSFET, 55V, 80A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 55V, 89A, D-PAK; Trans; N CHANNEL MOSFET, 55V, 89A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:89A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V
N CHANNEL MOSFET, 560V, 18A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:560V; On Resistance Rds(on):225mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; No. of Pins:3; MSL:-
N CHANNEL MOSFET, 600V, 1.4A, IPAK; Tran; N CHANNEL MOSFET, 600V, 1.4A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.4A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
N CHANNEL MOSFET, 600V, 16A, TO-247; Tra; N CHANNEL MOSFET, 600V, 16A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):400mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 600V, 2.2A TO-220; Tra; N CHANNEL MOSFET, 600V, 2.2A TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):4.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 600V, 2.4A, TO-220FP;; N CHANNEL MOSFET, 600V, 2.4A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.4A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 600V, 20A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 600V, 3.6A TO-220; Tra; N CHANNEL MOSFET, 600V, 3.6A TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):2.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 600V, 3.6A TO-262; Tra; N CHANNEL MOSFET, 600V, 3.6A TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):2.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V
N CHANNEL MOSFET, 600V, 320mA, HD-1; Tra; N CHANNEL MOSFET, 600V, 320mA, HD-1; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:320mA; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):4.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:4
N CHANNEL MOSFET, 600V, 6.2A D2-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 600V, 6.2A D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 0.5A, SOT-23; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 0.5A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:500mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):7.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 10.3A, SOIC, FULL; N CHANNEL MOSFET, 60V, 10.3A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.3A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):31mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 10.3A, SOIC-8, FU; N CHANNEL MOSFET, 60V, 10.3A, SOIC-8, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.3A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 10A POWERPAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 10A POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):28mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:3.5V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 60V, 10A; Transistor P; N CHANNEL MOSFET, 60V, 10A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:43W
N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA SOT-23, FUL; N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):7.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA SOT-23, FUL; N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):7.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA SOT-23; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):7.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA TO-236, FUL; N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA TO-236, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):7.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA, SOT-23, FU; N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10VDC; Threshold Voltage Vgs:1V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA, SOT-23; Tr; N CHANNEL MOSFET, 60V, 115mA, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 11A TO-251AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):107mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 12A POWERPAK, FUL; N CHANNEL MOSFET, 60V, 12A POWERPAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 12A TO-252AA; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 12A TO-252AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11mA; Drain Source Voltage Vds:60V; Power Dissipation Pd:38W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 12A, SO-8; Transi; N CHANNEL MOSFET, 60V, 12A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):9.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:20V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 12A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 12mA; Transistor; N CHANNEL MOSFET, 60V, 12mA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 60V, 130A, D2-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 130A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:130A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:60V; Threshold Voltage Vgs:3.1V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 14A, IPAK; Transi; N CHANNEL MOSFET, 60V, 14A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 16A, TO-220; Tran; N CHANNEL MOSFET, 60V, 16A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 17mA; Transistor; N CHANNEL MOSFET, 60V, 17mA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):63mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 2.3A, TO-236, FUL; N CHANNEL MOSFET, 60V, 2.3A, TO-236, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.3A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 2.7A SOT-223; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 2.7A SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:4
N CHANNEL MOSFET, 60V, 2.7A, SOT-23, FUL; N CHANNEL MOSFET, 60V, 2.7A, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.078ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 200mA, TO-92, FUL; N CHANNEL MOSFET, 60V, 200mA, TO-92, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 20A, D-PAK, FULL; N CHANNEL MOSFET, 60V, 20A, D-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):48mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:1.6V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 20A, POWERPAK SO,; N CHANNEL MOSFET, 60V, 20A, POWERPAK SO, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 20A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 60V, 20A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):8.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 60V, 20A, TO-220; Tran; N CHANNEL MOSFET, 60V, 20A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236, FUL; N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:240mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 240mA TO-236; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:240mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 300mA TO-236; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 300mA TO-236; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:190mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220; Tran; N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220; Tran; N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 30A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 32A, TO-220; Tran; N CHANNEL MOSFET, 60V, 32A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:32A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):27mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 340mA, SC-70, FUL; N CHANNEL MOSFET, 60V, 340mA, SC-70, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:340mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 340mA, SC-70; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 340mA, SC-70; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:340mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 37A, TO-220; Tran; N CHANNEL MOSFET, 60V, 37A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:37A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 380mA SOT-23; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 380mA SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:380mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.3V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 3A, SOT-223; Tran; N CHANNEL MOSFET, 60V, 3A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):120mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:1.68V; No. of Pins:4
N CHANNEL MOSFET, 60V, 45A, D2-PAK; Tran; N CHANNEL MOSFET, 60V, 45A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 4A, SOT-223; Tran; N CHANNEL MOSFET, 60V, 4A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8V; No. of Pins:4
N CHANNEL MOSFET, 60V, 5.6A, POWERPAK 12; N CHANNEL MOSFET, 60V, 5.6A, POWERPAK 1212, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.6A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92, FUL; N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:500mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:500mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 500mA, TO-92; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:500mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.1V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A, TO-220; Tran; N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):28mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A; Transistor P; N CHANNEL MOSFET, 60V, 50A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):28mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:150W
N CHANNEL MOSFET, 60V, 57A TO-220AB; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 57A TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:57A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 65A, TO-220; Tran; N CHANNEL MOSFET, 60V, 65A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 6A, POWERPAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 6A, POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):72mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 60V, 6A, POWERPAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 6A, POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):72mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 7.7A, IPAK; Trans; N CHANNEL MOSFET, 60V, 7.7A, IPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.7A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 70A, TO-247; Tran; N CHANNEL MOSFET, 60V, 70A, TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:70A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 8.5A, SOIC-8, FUL; N CHANNEL MOSFET, 60V, 8.5A, SOIC-8, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 8A, SOIC, FULL RE; N CHANNEL MOSFET, 60V, 8A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 8A, SOIC; Transis; N CHANNEL MOSFET, 60V, 8A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 60V, 8A, SOIC; Transis; N CHANNEL MOSFET, 60V, 8A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):36mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 60V, 8A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0137ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 60V, 8A, TO-220; Trans; N CHANNEL MOSFET, 60V, 8A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V
N CHANNEL MOSFET, 60V, 90A, TO-263; Tran; N CHANNEL MOSFET, 60V, 90A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):13.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 9A, TO-252, FULL; N CHANNEL MOSFET, 60V, 9A, TO-252, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL MOSFET, 650V, 11A, TO-220; Tra; N CHANNEL MOSFET, 650V, 11A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):450mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 75V, 16A POWERPAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 75V, 16A POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):46mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.3V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 75V, 16A POWERPAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 75V, 16A POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):46mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:2.3V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 75V, 28A, SOIC, FULL R; N CHANNEL MOSFET, 75V, 28A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):11mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
N CHANNEL MOSFET, 75V, 28A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 75V, 28A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):11mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 75V, 60A, SOIC-8; Tran; N CHANNEL MOSFET, 75V, 60A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 75V, 80A TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.0048ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 75V, 82A, D2-PAK; Tran; N CHANNEL MOSFET, 75V, 82A, D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:82A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 800V, 1.8A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.8A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):4.9ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 800V, 1mA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):15.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 800V, 3A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.75V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 80V, 30A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 80V, 30A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):21mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, 80V, 6.5A, SOIC, FULL; N CHANNEL MOSFET, 80V, 6.5A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V
N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220; Tra; N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.2A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 900V, 14A, TO-3P; Tran; N CHANNEL MOSFET, 900V, 14A, TO-3P; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:14A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):630mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 900V, 3.6A TO-220; Tra; N CHANNEL MOSFET, 900V, 3.6A TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):3.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 900V, 4.7A TO-247; Tra; N CHANNEL MOSFET, 900V, 4.7A TO-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.7A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):2.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, 900V, 8A, TO-220; Tran; N CHANNEL MOSFET, 900V, 8A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):1.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V
N CHANNEL MOSFET, 900V, 8A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):1.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3.75V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, AUTOMOTIVE, 100V, 42A, TO-251AA; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V
N CHANNEL MOSFET, AUTOMOTIVE, 30V, 160A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:160A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
N CHANNEL MOSFET, AUTOMOTIVE, 40V, 87A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:87A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0078ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
N CHANNEL MOSFET, AUTOMOTIVE, 55V, 49A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:49A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.0175ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
N CHANNEL MOSFET, AUTOMOTIVE, 75V, 75A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:75A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):0.013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V
N CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor; N CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):250mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor; N CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:8
N CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor; N CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:240V; On Resistance Rds(on):4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:800mV; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor; N CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):105mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; No. of Pins:3
N CHANNEL MOSFET, UNITFET, 600V, 6.5A, T; N CHANNEL MOSFET, UNITFET, 600V, 6.5A, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):1.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V
N CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:N; N CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:2.5W
N CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:N; N CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.08ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:5.4W
N CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:N; N CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:1.9W
N CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:N; N CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):36mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Dissipation Pd:750mW
N CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:N; N CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0049ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.2V; Power Dissipation Pd:6.25W
N CHANNEL NEXFET POWER MOSFET, 30V, 100A; N CHANNEL NEXFET POWER MOSFET, 30V, 100A, SON-8, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; No. of Pins:8
N CHANNEL POWER MOSFET, 30V, 47A, SON-8,; N CHANNEL POWER MOSFET, 30V, 47A, SON-8, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:47A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:1.3V
N CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, 150V, 33; N CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, 150V, 33A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):34mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V
N CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, 60V, 270; N CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, 60V, 270A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:270A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):1.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
N CHANNEL POWER MOSFET, SYNCHRONOUS BUCK; N CHANNEL POWER MOSFET, SYNCHRONOUS BUCK NEXFET, 30V, 40A, SON-8, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):6.8mohm; Threshold Voltage Vgs:2.1V
N CHANNEL, DMOS FET, 20V, 1.05A, 3-SOT-2; N CHANNEL, DMOS FET, 20V, 1.05A, 3-SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.05A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.14ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:3
N CHANNEL, MOSFET, 20V, 10.3A, POWERPAK;; N CHANNEL, MOSFET, 20V, 10.3A, POWERPAK; Continuous Drain Current Id:10.3A; Drain Source Voltage Vds:20V; Filter Terminals:Surface Mount; No. of Pins:6; On Resistance Rds(on):28mohm; Operating Temperature Max:150°C
N CHANNEL, MOSFET, 25V, 19A, DIRECTFET; N CHANNEL, MOSFET, 25V, 19A, DIRECTFET SQ; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
N CHANNEL, MOSFET, 30V, 10.3A, POWERPAK;; N CHANNEL, MOSFET, 30V, 10.3A, POWERPAK; Continuous Drain Current Id:10.7A; Drain Source Voltage Vds:30V; Filter Terminals:Surface Mount; No. of Pins:6; On Resistance Rds(on):27mohm; Operating Temperature Max:150°C
N CHANNEL, MOSFET, 30V, 30A, PowerPAK SO; N CHANNEL, MOSFET, 30V, 30A, PowerPAK SO, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; No. of Pins:8
N CHANNEL, MOSFET, 30V, 30A, PowerPAK SO; N CHANNEL, MOSFET, 30V, 30A, PowerPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V
N CHANNEL, MOSFET, 30V, 60A, SON; Trans; N CHANNEL, MOSFET, 30V, 60A, SON; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V
N CHANNEL, MOSFET, 40V, 3.6 A, SOT-23; T; N CHANNEL, MOSFET, 40V, 3.6 A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):56mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
N CHANNEL, MOSFET, 500V, 15A, TO-220; Tr; N CHANNEL, MOSFET, 500V, 15A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15mA; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):330mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; MSL:-
N VOIES MOSFET 200V 9A, TRANSISTOR P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-55°C
N VOIES MOSFET 20V 140MA SC-75A, TRA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:140mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SC-75A; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
N VOIES MOSFET 20V 200MA SC-89, TRA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
N VOIES MOSFET 20V 22A PUISSANCEPAK, TRA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0041ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
N VOIES MOSFET 20V 60A SOIC, TRANSI; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
N VOIES MOSFET 25V 50A SOIC, TRANSI; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
N VOIES MOSFET 30V 10.1A SC-70, TRA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0158ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:19.2W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
N VOIES MOSFET 30V 30A SOIC, TRANSI; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:41.7W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
N VOIES MOSFET 30V 5A, TRANSISTOR PO; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:1.14W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
N VOIES MOSFET 30V 60A SOIC, TRANSI; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:5.4W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
N VOIES MOSFET 600V 9.2A I2-PAK, TRA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-55°C
N VOIES MOSFET 75V 16A PUISSANCEPAK, TRA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.031ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
NCH 1.7A 30V SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.145ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
NCH 1.7A 30V SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.145ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
NCH 10V DRIVE SERIES; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.2A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
NCH 10V DRIVE SERIES; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.2A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.5V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
NCH DUAL 400V 0.7A SOIC8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):9.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
NCH DUAL 400V 0.7A SOIC8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):9.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
N-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET; N-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:38A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00093ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
NFET SO8FL 60V 289A 1.2MO; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:38A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.00093ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
NFET SO8FL 60V 92A 4.5MOH; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:DFN; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
NPN DARL 8; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
NPN TRANS; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:18; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
NPN TRANS; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:5; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
NPN TRANS; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:25MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
NPN TRANS; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
NPN TRANS; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:5; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
NPN TRANS; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
NPN TRANS; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:700V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:5; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
NPN TRANS; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:800V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:24A; Gain en courant DC hFE:6.5; Type de boîtier de transistor:ISOWATT-218FX; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
NPN/PNP MOSFET, 60V, SOIC; Transistor Po; NPN/PNP MOSFET, 60V, SOIC; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):46mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; No. of Pins:8
OMNIFET 45; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:45V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
OMNIFET 45; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:45V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:500mV; Dissipation de puissance Pd:7W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:-; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
P CH MOSFET, -100V, 4A, TO-205AF; Transi; P CH MOSFET, -100V, 4A, TO-205AF; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V
P CH MOSFET, -150V, 3A, POWER 33; Transi; P CH MOSFET, -150V, 3A, POWER 33; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:3A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-3.8V; Threshold Voltage Vgs:30V; No. of Pins:8
P CH MOSFET, -150V, 690mA, TO-236; Trans; P CH MOSFET, -150V, 690mA, TO-236; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-690mA; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):1.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-6V; Threshold Voltage Vgs:-4.5V
P CH MOSFET, -200V, 6.1A, TO-220FP; Tran; P CH MOSFET, -200V, 6.1A, TO-220FP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.1A; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):500mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V
P CH MOSFET, -200V, 6.5A, TO-204AA; Tran; P CH MOSFET, -200V, 6.5A, TO-204AA; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.5A; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V
P CH MOSFET, -20V, 1A, SUPER SOT-3; Tran; P CH MOSFET, -20V, 1A, SUPER SOT-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:1A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-600mV
P CH MOSFET, -20V, 400mA, SOT-23; Transi; P CH MOSFET, -20V, 400mA, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:400mA; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.9V
P CH MOSFET, -30V, 1.95A, SOT-23; Transi; P CH MOSFET, -30V, 1.95A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.95A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CH MOSFET, -30V, 9.8A, POWERPAK; Trans; P CH MOSFET, -30V, 9.8A, POWERPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-9.8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):43mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V
P CH MOSFET, -60V, 190mA, SC-75A, FULL R; P CH MOSFET, -60V, 190mA, SC-75A, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-190mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CH MOSFET, -60V, 2.6A, SOT-223; Transi; P CH MOSFET, -60V, 2.6A, SOT-223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:2.6A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):170mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; No. of Pins:3
P CH MOSFET, -8V, 10.2A, MICRO FOOT; Tra; P CH MOSFET, -8V, 10.2A, MICRO FOOT; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-10.2A; Drain Source Voltage Vds:-8V; On Resistance Rds(on):98mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:-600mV
P CH MOSFET, DUAL, AUTOMOTIVE, -30V, -4.; P CH MOSFET, DUAL, AUTOMOTIVE, -30V, -4.9A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.9A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.076ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:8
P CH MOSFET,-30V,-8.1A, SOIC-8; Transist; P CH MOSFET,-30V,-8.1A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.1A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):19.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; No. of Pins:8
P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Chann; P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.49A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):150mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Power Dissipation Pd:700mW
P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Chann; P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-11.4A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):19mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-400mV; Power Dissipation Pd:2.5W
P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Chann; P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.2A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-950mV; Power Dissipation Pd:700mW
P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Chann; P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.3A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Dissipation Pd:750mW
P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Chann; P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.5A; Drain Source Voltage Vds:-8V; On Resistance Rds(on):44mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-800mV; Power Dissipation Pd:1.25W
P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Chann; P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.1A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation Pd:750mW
P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Chann; P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):23mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Dissipation Pd:1.5W
P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Chann; P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.1A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):27mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Dissipation Pd:2W
P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Chann; P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.2A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-600mV; Power Dissipation Pd:2.5W
P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Chann; P CH MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Dissipation Pd:2.5W
P CH POWER MOSFET, -20V, -5A, SON-6; Tra; P CH POWER MOSFET, -20V, -5A, SON-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):39mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-650mV
P CH POWER MOSFET, HEXFET, -20V, -2.6A,; P CH POWER MOSFET, HEXFET, -20V, -2.6A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.6A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.09ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:1.3W
P CH POWER MOSFET, HEXFET, -20V, -4.3A,; P CH POWER MOSFET, HEXFET, -20V, -4.3A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.3A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:3
P CH, DMOS FET, -250V, -225MA, 4-SOT-223; P CH, DMOS FET, -250V, -225MA, 4-SOT-223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-225mA; Drain Source Voltage Vds:-250V; On Resistance Rds(on):10ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2.8V
P CH, DMOS FET, -300V, -210MA, 3-SOT-223; P CH, DMOS FET, -300V, -210MA, 3-SOT-223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-210mA; Drain Source Voltage Vds:-300V; On Resistance Rds(on):17ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-2.8V
P CHANNEL JFET CHOPPER, 30V, SOT-23, FUL; P CHANNEL JFET CHOPPER, 30V, SOT-23, FULL REEL; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-1.5mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-20mA; Power Dissipation Pd:225mW
P CHANNEL JFET, 30V, SOT-23; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-7mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-60mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:6V; Transistor Type:JFET; No. of Pins:3
P CHANNEL JFET, 30V, SOT-23; Transistor; P CHANNEL JFET, 30V, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-2mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-15mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:2V; No. of Pins:3
P CHANNEL JFET, 30V, SOT-23; Transistor; P CHANNEL JFET, 30V, SOT-23; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:7mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:60mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:6V; No. of Pins:3
P CHANNEL JFET, 40V, SOT-23; Breakdown Voltage Vbr:40V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-4mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-16mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:9V; Transistor Type:JFET; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, -100V, 13A, D-PAK, FUL; P CHANNEL MOSFET, -100V, 13A, D-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-13A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.205ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -100V, 19A D2-PAK; Tra; P CHANNEL MOSFET, -100V, 19A D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-19A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -100V, 1A SOT-223; Tra; P CHANNEL MOSFET, -100V, 1A SOT-223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):820mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -100V, 28A, SOIC, FULL; P CHANNEL MOSFET, -100V, 28A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-28A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CHANNEL MOSFET, -100V, 28A, SOIC; Tran; P CHANNEL MOSFET, -100V, 28A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-28A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.033ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CHANNEL MOSFET, -100V, -33.5A; Transis; P CHANNEL MOSFET, -100V, -33.5A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-33.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, -100V, 33.5mA, FULL RE; P CHANNEL MOSFET, -100V, 33.5mA, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-33.5A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):0.049ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -100V, 40A D2-PAK, FUL; P CHANNEL MOSFET, -100V, 40A D2-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-40A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -100V, 40A D2-PAK; Tra; P CHANNEL MOSFET, -100V, 40A D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-40A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -100V, 5.6A D-PAK; Tra; P CHANNEL MOSFET, -100V, 5.6A D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.6A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -100V, 6.6A D-PAK, FUL; P CHANNEL MOSFET, -100V, 6.6A D-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.6A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):480mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -100V, 6.8A, D2-PAK; T; P CHANNEL MOSFET, -100V, 6.8A, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.8A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, 10A; Transistor Polari; P CHANNEL MOSFET, 10A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-10A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-20V; Power Dissipation Pd:2.5W
P CHANNEL MOSFET, 11A; Transistor Polari; P CHANNEL MOSFET, 11A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-11A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-2.5V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.1A TO-236, FUL; P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.1A TO-236, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.1A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):32mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V
P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.5A; Transistor; P CHANNEL MOSFET, -12V, 4.5A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.5A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; No. of Pins:6
P CHANNEL MOSFET, -150V, 13A D2-PAK; Tra; P CHANNEL MOSFET, -150V, 13A D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-13A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):290mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V
P CHANNEL MOSFET, -150V, 13A, D-PAK, FUL; P CHANNEL MOSFET, -150V, 13A, D-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-13A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):295mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -150V, 690mA, TO-236,; P CHANNEL MOSFET, -150V, 690mA, TO-236, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-690mA; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):1.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:6V; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, -200V 5.7mA D-PAK; Tra; P CHANNEL MOSFET, -200V 5.7mA D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:5.7mA; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):690mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V
P CHANNEL MOSFET, -200V, -11.5A, D2PAK;; P CHANNEL MOSFET, -200V, -11.5A, D2PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-11.5A; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):470mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V
P CHANNEL MOSFET, -200V, 3.8A, POWERPAK-; P CHANNEL MOSFET, -200V, 3.8A, POWERPAK-SO, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.8A; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):0.145ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -200V, 400mA HD-1; Tra; P CHANNEL MOSFET, -200V, 400mA HD-1; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-400mA; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -200V, 560mA HD-1; Tra; P CHANNEL MOSFET, -200V, 560mA HD-1; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-560mA; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -200V, 6.5A, D2-PAK; T; P CHANNEL MOSFET, -200V, 6.5A, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.5A; Drain Source Voltage Vds:-200V; On Resistance Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -20V, 1.3A SOT-23; Tra; P CHANNEL MOSFET, -20V, 1.3A SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.3A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V
P CHANNEL MOSFET, -20V, 10A, SOIC; Trans; P CHANNEL MOSFET, -20V, 10A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-880mV
P CHANNEL MOSFET, -20V, 13.7A, SOIC; Tra; P CHANNEL MOSFET, -20V, 13.7A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:13.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-2.5V; Threshold Voltage Vgs:-1.4V
P CHANNEL MOSFET, -20V, 14A, SOIC; Trans; P CHANNEL MOSFET, -20V, 14A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-14A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):13.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:-800mV
P CHANNEL MOSFET, -20V, 15A, SOIC; Trans; P CHANNEL MOSFET, -20V, 15A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-15A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):8.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1.2V
P CHANNEL MOSFET, -20V, 2.45A, TSOP; Tra; P CHANNEL MOSFET, -20V, 2.45A, TSOP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.45A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):90mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-850mV
P CHANNEL MOSFET, -20V, 2.9A, SC-70; Tra; P CHANNEL MOSFET, -20V, 2.9A, SC-70; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.9A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):115mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-450mV
P CHANNEL MOSFET, -20V, 20A, SOIC; Trans; P CHANNEL MOSFET, -20V, 20A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-20A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:-900mV; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -20V, 26.6A; Transisto; P CHANNEL MOSFET, -20V, 26.6A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-26.6A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0051ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1.5V
P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.1A TO-236, FUL; P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.1A TO-236, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.1A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):142mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:2.5V; Power Dissipation Pd:860mW
P CHANNEL MOSFET, -20V, -3.2A SOT-23; Tr; P CHANNEL MOSFET, -20V, -3.2A SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.2A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-720mV
P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.3A, TSOP; Tran; P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.3A, TSOP; Transistor Polarity:P Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id:-3.3A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):84mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.5V
P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.7A; Transistor; P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.7A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V; No. of Pins:4
P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.8A; Transistor; P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.8A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.8A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):104mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1.5V; No. of Pins:4
P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.8A; Transistor; P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.8A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.8A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):66mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:-400mV; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.2A, SC-88; Tra; P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.2A, SC-88; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-400mV
P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.5mA; Transisto; P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.5mA; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4.5mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):53mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V
P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.7A TO-236, FUL; P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.7A TO-236, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:-1V
P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.7A TO-236, FUL; P CHANNEL MOSFET, -20V, 4.7A TO-236, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):39mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V
P CHANNEL MOSFET, -20V, 6.7A, SOIC, FULL; P CHANNEL MOSFET, -20V, 6.7A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.04ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:2.5W
P CHANNEL MOSFET, -20V, 6.7A, TSOP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.024ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V
P CHANNEL MOSFET, -20V, 600mA; Transisto; P CHANNEL MOSFET, -20V, 600mA; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id, P Channel:-600mA; Drain Source Voltage Vds, P Channel:-20V; On Resistance Rds(on), P Channel:0.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V
P CHANNEL MOSFET, -20V, 61A, 1206; Trans; P CHANNEL MOSFET, -20V, 61A, 1206; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.1A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs Typ:12V
P CHANNEL MOSFET, -20V, 7.1A; Transistor; P CHANNEL MOSFET, -20V, 7.1A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-7.1A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):41mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.5V
P CHANNEL MOSFET, -20V, 760mA SC-75; Tra; P CHANNEL MOSFET, -20V, 760mA SC-75; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:760mA; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.26ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-450mV
P CHANNEL MOSFET, -20V, 780mA, SOT-23, F; P CHANNEL MOSFET, -20V, 780mA, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-780mA; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, -20V, 8A; Transistor P; P CHANNEL MOSFET, -20V, 8A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):52mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1.4V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -20V, SC-89; Transisto; P CHANNEL MOSFET, -20V, SC-89; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-350mA; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):2.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:6V; Threshold Voltage Vgs:-450mV; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, -20V, SOT-363; Transis; P CHANNEL MOSFET, -20V, SOT-363; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:880mA; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.215ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1.2V
P CHANNEL MOSFET, -250V, 2.7A, IPAK; Tra; P CHANNEL MOSFET, -250V, 2.7A, IPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.7A; Drain Source Voltage Vds:-250V; On Resistance Rds(on):3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 1.3A, SC-70, FUL; P CHANNEL MOSFET, -30V, 1.3A, SC-70, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.3A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):90mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:290mW
P CHANNEL MOSFET, -30V, 1.3A, SC-70; Tra; P CHANNEL MOSFET, -30V, 1.3A, SC-70; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.3A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):90mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.15V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 11.7A, POWERPAK,; P CHANNEL MOSFET, -30V, 11.7A, POWERPAK, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-11.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -30V, 11A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-11A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):13.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2.5V
P CHANNEL MOSFET, -30V, -11A; Transistor; P CHANNEL MOSFET, -30V, -11A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-11A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-2V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -30V, 12.6A, SOIC; Tra; P CHANNEL MOSFET, -30V, 12.6A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12.6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):19.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:12V; Threshold Voltage Vgs:-1.4V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 12.6A, SOIC; Tra; P CHANNEL MOSFET, -30V, 12.6A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12.6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):19.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-2.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.4V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 12A, SC-70; Tran; P CHANNEL MOSFET, -30V, 12A, SC-70; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):56mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:-3V; No. of Pins:6
P CHANNEL MOSFET, -30V, 13A, SOIC; Trans; P CHANNEL MOSFET, -30V, 13A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-13A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:25V; Threshold Voltage Vgs:-3V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -30V, 13A, SOIC; Trans; P CHANNEL MOSFET, -30V, 13A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-13A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):7.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.9V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 15A, SOIC; Trans; P CHANNEL MOSFET, -30V, 15A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-15A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -30V, 18A, SOIC; Conti; P CHANNEL MOSFET, -30V, 18A, SOIC; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:-30V; Filter Terminals:Surface Mount; No. of Pins:8; On Resistance Rds(on):13mohm; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.7A TO-236, FUL; P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.7A TO-236, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):138mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.7A TO-236; Tra; P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.7A TO-236; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):330mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.9mA; Transisto; P CHANNEL MOSFET, -30V, 2.9mA; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:2.9mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -30V, 29A, SOIC, FULL; P CHANNEL MOSFET, -30V, 29A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-29A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):3.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2.5V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 3.5A SOT-23; Tra; P CHANNEL MOSFET, -30V, 3.5A SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.5A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.15V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 3.8A, TSOP; Tran; P CHANNEL MOSFET, -30V, 3.8A, TSOP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):98mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-20V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 3A, SOT-23, FULL; P CHANNEL MOSFET, -30V, 3A, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):98mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2.5V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 4.6A, SOIC; Tran; P CHANNEL MOSFET, -30V, 4.6A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):130mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 4.7A, TSOP; P CHANNEL MOSFET, -30V, 4.7A, TSOP; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; No. of Pins:6
P CHANNEL MOSFET, -30V, 4.9mA, FULL REEL; P CHANNEL MOSFET, -30V, 4.9mA, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4.9mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.036ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.2V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236; Tran; P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):53mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236; Tran; P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):53mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, -30V, 4mA; Transistor; P CHANNEL MOSFET, -30V, 4mA; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:4mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):500mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V; No. of Pins:6
P CHANNEL MOSFET, -30V, 5.3A, SOIC; Tran; P CHANNEL MOSFET, -30V, 5.3A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.3A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):50mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.7V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 5.9A, 1206; Tran; P CHANNEL MOSFET, -30V, 5.9A, 1206; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.9A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:-3V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -30V, 50A, D2-PAK, FUL; P CHANNEL MOSFET, -30V, 50A, D2-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:1.5V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 50A, D2-PAK; Tra; P CHANNEL MOSFET, -30V, 50A, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):25mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, -30V, 760mA, SOT-23, F; P CHANNEL MOSFET, -30V, 760mA, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-760mA; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, -30V, 7A, MICRO8; Tran; P CHANNEL MOSFET, -30V, 7A, MICRO8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2.5V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 8.8A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.016ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2.1V
P CHANNEL MOSFET, -30V, 8A; Transistor P; P CHANNEL MOSFET, -30V, 8A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):32mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-2.5V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -30V, 9A, SOIC; Transi; P CHANNEL MOSFET, -30V, 9A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-9A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):49mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:-2.5V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC; Transistor; P CHANNEL MOSFET, -30V, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.9A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.9V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -35V, 13A, TO-252; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-13A; Drain Source Voltage Vds:-35V; On Resistance Rds(on):9.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.6V
P CHANNEL MOSFET, -35V, 35A, FULL REEL;; P CHANNEL MOSFET, -35V, 35A, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-35A; Drain Source Voltage Vds:-35V; On Resistance Rds(on):0.0103ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2.5V
P CHANNEL MOSFET, -40V, 10.5A, SOIC; Tra; P CHANNEL MOSFET, -40V, 10.5A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-10.5A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CHANNEL MOSFET, -40V, 10.5A, SOIC; Tra; P CHANNEL MOSFET, -40V, 10.5A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-10.5A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):21mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V
P CHANNEL MOSFET, -40V, 18.6A, SOIC-8, F; P CHANNEL MOSFET, -40V, 18.6A, SOIC-8, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18.6A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.0075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -40V, 18.6A, SOIC-8; T; P CHANNEL MOSFET, -40V, 18.6A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18.6A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.0075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CHANNEL MOSFET, -40V, 3A, TO-236, FULL; P CHANNEL MOSFET, -40V, 3A, TO-236, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CHANNEL MOSFET, -40V, 4.5A, SOIC; Tran; P CHANNEL MOSFET, -40V, 4.5A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.5A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):72mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:16V; Threshold Voltage Vgs:-2.2V
P CHANNEL MOSFET, -40V, 40A; Transistor; P CHANNEL MOSFET, -40V, 40A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-40A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):4.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-2.2V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -40V, 6.2A, SOIC; Tran; P CHANNEL MOSFET, -40V, 6.2A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.2A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CHANNEL MOSFET, -40V, 6.7A TO-252; Tra; P CHANNEL MOSFET, -40V, 6.7A TO-252; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.7A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):36mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:-1.6V
P CHANNEL MOSFET, -40V, 8.4mA; Transisto; P CHANNEL MOSFET, -40V, 8.4mA; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:8.4mA; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):270mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, -40V, 8.7A, SOIC-8, FU; P CHANNEL MOSFET, -40V, 8.7A, SOIC-8, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.7A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -50V, 1.1A, HD-1; Tran; P CHANNEL MOSFET, -50V, 1.1A, HD-1; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.1A; Drain Source Voltage Vds:-50V; On Resistance Rds(on):350mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -50V, 18A, TO-220AB; T; P CHANNEL MOSFET, -50V, 18A, TO-220AB; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18A; Drain Source Voltage Vds:-50V; On Resistance Rds(on):93mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; MSL:-
P CHANNEL MOSFET, -50V, 9.9A, D-PAK; Tra; P CHANNEL MOSFET, -50V, 9.9A, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-9.9A; Drain Source Voltage Vds:-50V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -55V, 11A, D-PAK, FULL; P CHANNEL MOSFET, -55V, 11A, D-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-11A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):0.175ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -55V, 11A, D-PAK; Tran; P CHANNEL MOSFET, -55V, 11A, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-11A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):175mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2V
P CHANNEL MOSFET, -55V, 18A, D-PAK, FULL; P CHANNEL MOSFET, -55V, 18A, D-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):0.11ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -55V, 18A, D-PAK; Tran; P CHANNEL MOSFET, -55V, 18A, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):110mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -55V, 19A, TO-262; Tra; P CHANNEL MOSFET, -55V, 19A, TO-262; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-19A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; MSL:-
P CHANNEL MOSFET, -55V, 31A, D2-PAK; Tra; P CHANNEL MOSFET, -55V, 31A, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-31A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -55V, 31A, D-PAK, FULL; P CHANNEL MOSFET, -55V, 31A, D-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-31A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -55V, 31A, D-PAK, FULL; P CHANNEL MOSFET, -55V, 31A, D-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-31A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -55V, 31A, D-PAK; Tran; P CHANNEL MOSFET, -55V, 31A, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-31A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, -55V, 42A, D2-PAK; Tra; P CHANNEL MOSFET, -55V, 42A, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-42A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V
P CHANNEL MOSFET, -55V, 74A, D2-PAK, FUL; P CHANNEL MOSFET, -55V, 74A, D2-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-74A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -55V, 74A, D2-PAK; Tra; P CHANNEL MOSFET, -55V, 74A, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-74A; Drain Source Voltage Vds:-55V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -60V, 1.6A, HD-1; Tran; P CHANNEL MOSFET, -60V, 1.6A, HD-1; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.6A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V
P CHANNEL MOSFET, -60V, 11A, TO-220; Tra; P CHANNEL MOSFET, -60V, 11A, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-11A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; MSL:-
P CHANNEL MOSFET, -60V, 11A, TO-263, FUL; P CHANNEL MOSFET, -60V, 11A, TO-263, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-11A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.0055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CHANNEL MOSFET, -60V, 12A, D-PAK, FULL; P CHANNEL MOSFET, -60V, 12A, D-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:12mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-2.8V
P CHANNEL MOSFET, -60V, 12A, IPAK; Trans; P CHANNEL MOSFET, -60V, 12A, IPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):135mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, -60V, 14.4A, SOIC, FUL; P CHANNEL MOSFET, -60V, 14.4A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-14.4A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):19mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CHANNEL MOSFET, -60V, 18.5A, D2-PAK; T; P CHANNEL MOSFET, -60V, 18.5A, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:18.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-5V; Threshold Voltage Vgs:-1.5V
P CHANNEL MOSFET, -60V, 18.5A, D2-PAK; T; P CHANNEL MOSFET, -60V, 18.5A, D2-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:18.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-5V; Threshold Voltage Vgs:-1.5V
P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220; Tra; P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-18A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):140mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; MSL:-
P CHANNEL MOSFET, -60V, 19A, TO-252, FUL; P CHANNEL MOSFET, -60V, 19A, TO-252, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-19A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.048ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CHANNEL MOSFET, -60V, 3.6A, POWERPAK;; P CHANNEL MOSFET, -60V, 3.6A, POWERPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.6A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):54mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CHANNEL MOSFET, -60V, 47A, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:47A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, -60V, 5.7A, POWER 33;; P CHANNEL MOSFET, -60V, 5.7A, POWER 33; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.7A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.084ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.95V
P CHANNEL MOSFET, -60V, 50A, TO-252, FUL; P CHANNEL MOSFET, -60V, 50A, TO-252, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-50A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CHANNEL MOSFET, -60V, 5A, SOIC; Transi; P CHANNEL MOSFET, -60V, 5A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.051ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:-3V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A; Transistor; P CHANNEL MOSFET, -60V, 6.7A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.7A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):500mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, -60V, 8.8A, D-PAK; Tra; P CHANNEL MOSFET, -60V, 8.8A, D-PAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.8A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V
P CHANNEL MOSFET, -60V, 8A POWERPAK; Tra; P CHANNEL MOSFET, -60V, 8A POWERPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):146mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CHANNEL MOSFET, -60V, 9.4A, IPAK; Tran; P CHANNEL MOSFET, -60V, 9.4A, IPAK; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-9.4A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):185mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; MSL:-
P CHANNEL MOSFET, -80V, 28A, SOIC; Trans; P CHANNEL MOSFET, -80V, 28A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-28A; Drain Source Voltage Vds:-80V; On Resistance Rds(on):29mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-3V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, 8A; Transistor Polarit; P CHANNEL MOSFET, 8A; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):35mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation Pd:2.5W
P CHANNEL MOSFET, -8V, 1.4A SOT-323; Tra; P CHANNEL MOSFET, -8V, 1.4A SOT-323; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:1.4A; Drain Source Voltage Vds:-8V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-700mV
P CHANNEL MOSFET, -8V, 1.6A, SC-70; Tran; P CHANNEL MOSFET, -8V, 1.6A, SC-70; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A; Drain Source Voltage Vds:-8V; On Resistance Rds(on):424mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:-800mV
P CHANNEL MOSFET, -8V, 12A, SC-70; Trans; P CHANNEL MOSFET, -8V, 12A, SC-70; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-8V; On Resistance Rds(on):95mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1V; No. of Pins:6
P CHANNEL MOSFET, -8V, 13.7A, SOIC; Tran; P CHANNEL MOSFET, -8V, 13.7A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-13.7A; Drain Source Voltage Vds:-8V; On Resistance Rds(on):0.0075ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:-0.45V
P CHANNEL MOSFET, -8V, 13.7A, SOIC; Tran; P CHANNEL MOSFET, -8V, 13.7A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:13.7A; Drain Source Voltage Vds:-8V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1.8V; Threshold Voltage Vgs:-450mV
P CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor; P CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-185mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor; P CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.4A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-950mV; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor; P CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):86mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V; No. of Pins:3
P CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor; P CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor; P CHANNEL MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; No. of Pins:8
P CHANNEL MOSFET,-30V,-8.1A, SOIC-8, FUL; P CHANNEL MOSFET,-30V,-8.1A, SOIC-8, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8.1A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):19.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V
P CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:P; P CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):18mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-500mV; Power Dissipation Pd:3.5W
P CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:P; P CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3A; Drain Source Voltage Vds:-12V; On Resistance Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-900mV; Power Dissipation Pd:750mW
P CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:P; P CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.1A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):33mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-3V; Power Dissipation Pd:1.3W
P CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:P; P CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.2A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):31mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation Pd:1.6W
P CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:P; P CHANNEL MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.7A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation Pd:2.5W
P CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, -20V, -2; P CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, -20V, -2.6A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.6A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.09ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; No. of Pins:3
P CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, -20V, -4; P CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, -20V, -4.3A, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.3A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V
P CHANNEL, DMOS FET, -30V, -520MA, 3-SOT; P CHANNEL, DMOS FET, -30V, -520MA, 3-SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-520mA; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.63ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.9V
P CHANNEL, DMOS FET, -60V, -300MA, 3-SOT; P CHANNEL, DMOS FET, -60V, -300MA, 3-SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-300mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):2.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; No. of Pins:3
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -11A, PQFN; P CHANNEL, MOSFET, -30V, -11A, PQFN; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-11A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.8V
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -12A, SOIC; Tra; P CHANNEL, MOSFET, -30V, -12A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-12A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):10mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.8V
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -15A, SOIC; Tra; P CHANNEL, MOSFET, -30V, -15A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-15A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):5.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.8V
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -16A, SOIC, FUL; P CHANNEL, MOSFET, -30V, -16A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-16A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):5.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.8V
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -16A, SOIC; Tra; P CHANNEL, MOSFET, -30V, -16A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-16A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):5.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.8V
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -2.3 A, SOT-23;; P CHANNEL, MOSFET, -30V, -2.3 A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.3A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):165mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.3V
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -20A, SOIC, FUL; P CHANNEL, MOSFET, -30V, -20A, SOIC, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-20A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):3.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.8V
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -20A, SOIC; Tra; P CHANNEL, MOSFET, -30V, -20A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-20A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):3.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.8V
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -3.6 A, SOT-23,; P CHANNEL, MOSFET, -30V, -3.6 A, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.051ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; No. of Pins:3
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -3.6 A, SOT-23;; P CHANNEL, MOSFET, -30V, -3.6 A, SOT-23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.6A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):64mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.3V
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -5.4A, SOIC; Tr; P CHANNEL, MOSFET, -30V, -5.4A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.4A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):48mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.8V
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -8A, SOIC; Tran; P CHANNEL, MOSFET, -30V, -8A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):17mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.8V
P CHANNEL, MOSFET, -30V, -9.2A, SOIC; Tr; P CHANNEL, MOSFET, -30V, -9.2A, SOIC; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-9.2A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):15.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.8V
P CHANNEL, MOSFET, -60V, -500mA, SC-89,; P CHANNEL, MOSFET, -60V, -500mA, SC-89, FULL REEL; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-500mA; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; No. of Pins:6
P MOSFET, -20V, 3.1A, MICROFET 2X2; Tran; P MOSFET, -20V, 3.1A, MICROFET 2X2; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.1A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):95mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-1V; Threshold Voltage Vgs:12V; No. of Pins:6
P MOSFET, -20V, 3.7A, MICROFET 2X2; Tran; P MOSFET, -20V, 3.7A, MICROFET 2X2; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.7A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Threshold Voltage Vgs:-700mV
P MOSFET, -20V, 4.5A, SUPER SOT-6; Trans; P MOSFET, -20V, 4.5A, SUPER SOT-6; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-4.5A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):37mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:12V; Threshold Voltage Vgs:-800mV
P MOSFET, -30V, 6.8A, MICROFET 2X2; Tran; P MOSFET, -30V, 6.8A, MICROFET 2X2; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-6.8A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):30mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:25V; Threshold Voltage Vgs:-2.1V
P VOIES MOSFET -12V 12A SC-70, TRAN; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-12A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:19W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SC70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
P VOIES MOSFET -30V 12.6A SOIC, TRA; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-9.7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0088ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
P VOIES MOSFET -30V 2.2A SC-70, TRA; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:950mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
P VOIES MOSFET -8V 13.7A SOIC, TRAN; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:13.7A; Tension Vds max..:-8V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-0.45V; Dissipation de puissance Pd:6.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
PCH 1.5A 30V SOT-363; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-1.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.458ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:-2.6V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
PCH 1.5A 30V SOT-363; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-1.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.458ohm; Tension, mesure Rds:-4V; Tension de seuil Vgs:-2.6V; Dissipation de puissance Pd:800mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, FULL REEL;; P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-13A; Drain Source Voltage Vds:-35V; On Resistance Rds(on):9.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1.6V
PNP TRAN 1; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
PNP TRAN 8; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
PNP TRANS; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
PNP TRANS; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:560; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
PNP TRANS; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:560; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
PNP TRANS; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 260A, TO-263;; POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 260A, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:260A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0026ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:330W
POWER MOSFET; POWER MOSFET
POWER TRANSISTOR, NPN, 100V, D2-PAK; Tra; POWER TRANSISTOR, NPN, 100V, D2-PAK; Transistor Polarity:NPN / PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:65W; DC Collector Current:6A; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C
POWER TRANSISTOR, NPN, 100V, D2-PAK; Tra; POWER TRANSISTOR, NPN, 100V, D2-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:65W; DC Collector Current:6A; DC Current Gain hFE:25; No. of Pins:3
POWER TRANSISTOR, NPN, 100V, D-PAK; Tran; POWER TRANSISTOR, NPN, 100V, D-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:40MHz; Power Dissipation Pd:12.5W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:4
POWER TRANSISTOR, NPN, 200V, TO-3; Trans; POWER TRANSISTOR, NPN, 200V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:200V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:250W; DC Collector Current:16A; DC Current Gain hFE:15; No. of Pins:2; MSL:-
POWER TRANSISTOR, NPN, 30V, TO-220; Tran; POWER TRANSISTOR, NPN, 30V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:7A; DC Current Gain hFE:4; No. of Pins:3; MSL:-
POWER TRANSISTOR, NPN, 30V, TO-92; Trans; POWER TRANSISTOR, NPN, 30V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3
POWER TRANSISTOR, NPN, 36V, TO-220; Tran; POWER TRANSISTOR, NPN, 36V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:36V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:2.2A; DC Current Gain hFE:-; No. of Pins:3; Packaging:Each
POWER TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-225; Tran; POWER TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:12.5W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3; MSL:-
POWER TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-225; Tran; POWER TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:5; No. of Pins:3; MSL:-
POWER TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-3; Transi; POWER TRANSISTOR, NPN, 60V, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:2.5MHz; Power Dissipation Pd:115W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:2; MSL:-
POWER TRANSISTOR, NPN, 70V, 7A, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:70V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:7A; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3; MSL:-
POWER TRANSISTOR, NPN, 70V, TO-220; Tran; POWER TRANSISTOR, NPN, 70V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:70V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:7A; DC Current Gain hFE:4; No. of Pins:3; MSL:-
POWER TRANSISTOR, NPN, 80V, 3MHZ, TO-220; POWER TRANSISTOR, NPN, 80V, 3MHZ, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3; MSL:-
POWER TRANSISTOR, NPN, 80V, D2-PAK; Tran; POWER TRANSISTOR, NPN, 80V, D2-PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3
POWER TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-220; Tran; POWER TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3; MSL:-
POWER TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-225; Tran; POWER TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:12.5W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3; MSL:-
POWER TRANSISTOR, PNP, -100V D2-PAK; Tra; POWER TRANSISTOR, PNP, -100V D2-PAK; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:65W; DC Collector Current:-6A; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C
POWER TRANSISTOR, PNP, -100V, I-PAK; Tra; POWER TRANSISTOR, PNP, -100V, I-PAK; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:40MHz; Power Dissipation Pd:12.5W; DC Collector Current:-4A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3
POWER TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-225; Tra; POWER TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-225; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:12.5W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3; MSL:-
POWER TRANSISTOR, PNP, -50V, TO-220; Tra; POWER TRANSISTOR, PNP, -50V, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:-7A; DC Current Gain hFE:10; No. of Pins:3; MSL:-
POWER TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-3; Trans; POWER TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:2.5MHz; Power Dissipation Pd:115W; DC Collector Current:-15A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:2; MSL:-
POWER TRANSISTOR, PNP, -60V, TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:2.5MHz; Power Dissipation Pd:115W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:70; No. of Pins:2; MSL:-
POWER TRANSISTOR, PNP, -70V, TO-220; Tra; POWER TRANSISTOR, PNP, -70V, TO-220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:70V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:7A; DC Current Gain hFE:4; No. of Pins:3; MSL:-
POWER TRANSISTOR, PNP, -80V, 3MHZ, TO220; POWER TRANSISTOR, PNP, -80V, 3MHZ, TO220; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3; MSL:-
POWER TRANSISTOR, PNP, -80V, D2-PAK; Tra; POWER TRANSISTOR, PNP, -80V, D2-PAK; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:40MHz; Power Dissipation Pd:50W; DC Collector Current:-10A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3
POWER TRANSISTOR, PNP, -80V, D-PAK, FULL; POWER TRANSISTOR, PNP, -80V, D-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:90MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:-8A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3
POWER TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-225; Tra; POWER TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-225; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:12.5W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3; MSL:-
POWERPAIR DOUBLE CANAL N 30V 9.3/3.9MOHM; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:PowerPAIR; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
POWERPAIR DOUBLE CANAL N 9.3/4.7 MOHM; Polarité transistor:Double canal N + Schottky; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:27W; Type de boîtier de transistor:PowerPAIR; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Température d'utilisation min:-55°C
PRE-BIASED DIG TRANSISTOR, 50V, TO-92; T; PRE-BIASED DIG TRANSISTOR, 50V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3
Pre-Biased ''Digital'' Transistor,50V V(BR; Pre-Biased ''Digital'' Transistor,50V V(BR)CEO,100mA I(C),SOT-363
P-VOIES 30-V (D-S) MOSFET; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-10.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0063ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
QFN 2X2 SIMPLE N 24V 25M 1.6NC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:10V;
QFN 3X3 SIMPLE N 25V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:56A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:25V; Tension,
QFN 3X3 SIMPLE P 20V 8.7M 8.8NC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0088ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-60A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
QFN 5X6 SIMPLE N 25V 2.1M 14NC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0019ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
RESEAU 7NPN DARLINGTON CMS; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7; Racine de la
RESEAU DE DARLINGTON 7NPN CMS 2004; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Marquage composant:ULN2004ADE4; Nombre de transistors:7; Température d'utilisation min:-20°C; Type de transistor:Puissance Darlington
RESEAU DE DARLINGTON 7NPN CMS 2004; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Marquage composant:ULN2004ADE4; Nombre de transistors:7; Température d'utilisation min:-20°C; Type de transistor:Puissance Darlington
RESEAU DE DARLINGTON 7NPN DIP16; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7; Racine de la référence:2003;
RESEAU DE DARLINGTON CMS BOBINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C; Type de packaging:Bande et Bobine
RESEAU DE DARLINGTON NPN 50V 0.5A SOIC; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-40°C
RESEAU DE DARLINGTON TRANS NPN 50V SOP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Nombre de drivers:7; Température de fonctionnement:-20°C à +70°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tension, sortie:50V
RESEAU DE DARLINGTON TRANS NPN 50V SOP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Nombre de drivers:7; Température de fonctionnement:-20°C à +70°C; Température d'utilisation min:-20°C; Tension, sortie:50V
RESEAU DE DARLINGTON TRANS NPN 50V TSSOP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:105°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Nombre de drivers:7; Température de fonctionnement:-40°C à +105°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, sortie:50V
RESEAU DE DARLINGTON TRANS NPN 50V TSSOP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:105°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Nombre de drivers:7; Température de fonctionnement:-40°C à +105°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, sortie:50V
RESEAU DE DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:350mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Marquage composant:ULN2004AN; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7; Racine de la
RESEAU DE TRANSISTOR 8NPN 50V 18-SOIC; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:18; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Marquage composant:ULN2803ADW; Nombre de transistors:8; Racine de la référence:2803;
RESEAU DE TRANSISTOR 8NPN 50V 18-SOIC; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:18; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Marquage composant:ULN2803ADW; Nombre de transistors:8; Racine de la référence:2803;
RESEAU DE TRANSISTOR CMS; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant de la sortie, sortant min.:500mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Gamme de température, circuit
RESEAU DE TRANSISTOR CMS; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Quadruple; Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Courant, sortie max.:20mA; Fréquence de transition ft:350MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:350MHz;
RESEAU DE TRANSISTOR CMS; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:-20mA; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Quadruple; Courant, Ic max.. permanent a:-20mA; Courant, sortie max.:20mA; Fréquence de transition ft:325MHz; Gain Bande-passante ft,
RESEAU DE TRANSISTOR CMS; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Courant, sortie max.:20mA; Fréquence de transition ft:350MHz; Gain Bande-passante ft,
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 4NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Quadruple; Courant, Ic max.. permanent a:1.75A; Courant, sortie max.:1.5A; Nombre de transistors:4; Nombre de voies:4; Racine de la référence:2064;
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 4NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Quadruple; Courant, Ic max.. permanent a:1.75A; Courant, sortie max.:1.5A; Nombre de transistors:4; Nombre de voies:4; Racine de la référence:2068;
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 7NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:350mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Marquage composant:ULN2003AD; Nombre de transistors:7; Nombre de
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 7NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:350mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Marquage composant:ULN2003AD; Nombre de transistors:7; Nombre de
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 7NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Marquage composant:ULN2001A; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7;
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 7NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Marquage composant:ULN2002A; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7;
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 7NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Marquage composant:ULN2003A; Nombre de transistors:7; Nombre de
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 7NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Marquage composant:ULN2004A; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7;
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 8NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:2.25W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:18; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Gain en courant DC (hfe) max..:1000; Nombre de transistors:8; Nombre de
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 8NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:2.25W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:18; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Marquage composant:ULN2803A; Nombre de transistors:8; Nombre de voies:8;
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON 8NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:2.25W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:18; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Gain en courant DC (hfe) max..:1000; Marquage composant:ULN2804A; Nombre
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON CMS; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7; Racine de la
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON HI V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:105°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Marquage composant:ULN2003AIDG4; Nombre de transistors:7; Racine de la référence:2003;
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON HI V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:105°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Marquage composant:ULN2003AIDG4; Nombre de transistors:7; Racine de la référence:2003;
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON TEMP IND; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:105°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Nombre de drivers:7; Température de fonctionnement:-40°C à +105°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, sortie:50V
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:105°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:18; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Nombre de transistors:8; Température de fonctionnement:-40°C à +85°C; Température d'utilisation
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
RESEAU DE TRANSISTOR DARLINGTONE/LIN -40; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
RESEAU DE TRANSISTOR NPN 2003 DIP16; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, sortie max.:500mA; Marquage composant:ULN2003AN; Nombre de transistors:7; Racine de la référence:2003; Température de
RESEAU DE TRANSISTOR NPN CMS BOBINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:350mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Nombre de transistors:7; Température de fonctionnement:-20°C à +70°C; Température
RESEAU DE TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Courant, sortie max.:20mA; Fréquence de transition ft:350MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:350MHz; Nombre de
RESEAU DE TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Quadruple; Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Courant, sortie max.:20mA; Fréquence de transition ft:350MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:350MHz; Nombre de
RESEAU DE TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:-20mA; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Quadruple; Courant, Ic max.. permanent a:-20mA; Courant, sortie max.:20mA; Fréquence de transition ft:325MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:325MHz; Nombre de
RESEAU MOSFET NP SOT-363; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):13.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:115mA; Courant de drain continu Id, Canal P:-130mA;
RESEAU MOSFET NP SOT-363; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):13.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:115mA; Courant de drain continu Id, Canal P:-130mA;
RESEAU TRANSI DARLINGTON NPN 50V SOIC16; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:105°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
RESEAU TRANSI DARLINGTON NPN 50V SOIC16; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:950mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:105°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
RESEAU TRANSI DARLINGTON NPN 50V SOIC16; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:950mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
RESEAU TRANSISTOR DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:18; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Nombre de transistors:8; Racine de la référence:2803; Température de
RESEAU TRANSISTOR DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:18; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Nombre de transistors:8; Température de fonctionnement:-40°C à +85°C; Température d'utilisation
RESEAU TRANSISTOR DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:18; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Nombre de transistors:8; Température de fonctionnement:-40°C à +85°C; Température d'utilisation
RESEAU TRANSISTOR NPN 5 15V SOIC; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Dissipation de puissance Pd:750mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:550MHz; Température d'utilisation min:-40°C
RESEAU TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:8V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:37mA; Gain en courant DC hFE:130; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Cinq; Courant, Ic max.. permanent a:11.3mA; Fréquence de transition ft:8GHz; Gain Bande-passante ft, typ.:8GHz; Nombre de transistors:5;
RESEAUX DE DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:105°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:600mA; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7; Racine de la référence:2004; Température de
RF BIPOLAR TRANSISTOR; Tension Vds max..:3V; Courant de drain Id:500mA; Dissipation de puissance Pd:500mW; Fréquence, fonctionnement min.:450MHz; Fréquence, fonctionnement max..:6GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:0.5dB; Gamme de fréquences d'utilisation:450MHz à 6GHz; Sortie IP3:30.5dB; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type
RF BIPOLAR TRANSISTOR; Tension Vds max..:3V; Courant de drain Id:500mA; Dissipation de puissance Pd:500mW; Fréquence, fonctionnement min.:450MHz; Fréquence, fonctionnement max..:6GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:0.5dB; Gamme de fréquences d'utilisation:450MHz à 6GHz; Sortie IP3:30.5dB; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type
RF BJT, NPN, 25V, 6A, 27MHZ, TO-220AB; T; RF BJT, NPN, 25V, 6A, 27MHZ, TO-220AB; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Transition Frequency ft:27MHz; Power Dissipation Pd:18W; DC Collector Current:6A; DC Current Gain hFE:180; No. of Pins:3; MSL:-
RF FET, 130V, M174; Transistor Type:RF M; RF FET, 130V, M174; Transistor Type:RF MOSFET; Drain Source Voltage Vds:130V; Continuous Drain Current Id:20A; Power Dissipation Pd:300W; RF Transistor Case:M174; No. of Pins:4; Package / Case:M174; Packaging:Each
RF FET, 80V; Transistor Type:RF MOSFET;; RF FET, 80V; Transistor Type:RF MOSFET; Drain Source Voltage Vds:80V; Continuous Drain Current Id:40A; Power Dissipation Pd:500W; RF Transistor Case:-; No. of Pins:5; Packaging:Each
RF FET, N CH, 20V, 25MA, 3-SOT-23; Trans; RF FET, N CH, 20V, 25MA, 3-SOT-23; Transistor Type:RF FET; Breakdown Voltage Vbr:-20V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:10mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:25mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-1.2V; MSL:-
RF FET, N-CH, 900V, STAC177B-4; Tension Vds max..:900V; Courant de drain Id:-; Dissipation de puissance Pd:-; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:27MHz; Boîtier de transistor RF:STAC177B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
RF JFET, N CH, 20V, 7MA, 3-SOT-23; Trans; RF JFET, N CH, 20V, 7MA, 3-SOT-23; Transistor Type:RF JFET; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:7mA; Power Dissipation Pd:250mW; Noise Figure Typ:1.5dB; RF Transistor Case:SOT-23; No. of Pins:3; MSL:-
RF JFET, N CH, 25V, 10MA, 3-SOT-23; Tran; RF JFET, N CH, 25V, 10MA, 3-SOT-23; Transistor Type:RF JFET; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:10mA; Power Dissipation Pd:250mW; RF Transistor Case:SOT-23; No. of Pins:3
RF JFET, N CH, 25V, 40MA, 3-SOT-23; Tran; RF JFET, N CH, 25V, 40MA, 3-SOT-23; Transistor Type:RF JFET; Breakdown Voltage Vbr:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:40mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-2V; MSL:-
RF JFET, N CH, 25V, 60MA, 6-SOT-363; Tra; RF JFET, N CH, 25V, 60MA, 6-SOT-363; Transistor Type:RF JFET; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:60mA; Power Dissipation Pd:190mW; RF Transistor Case:SOT-363; No. of Pins:6
RF JFET, N CH, 30V, 135MA, 3-SOT-23; Tra; RF JFET, N CH, 30V, 135MA, 3-SOT-23; Transistor Type:RF JFET; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:20mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:135mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:10V
RF JFET, N CH, 30V, 20MA, 3-SOT-23; Drai; RF JFET, N CH, 30V, 20MA, 3-SOT-23; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:20mA; Power Dissipation Pd:300mW; Operating Frequency Min:-; Operating Frequency Max:-; RF Transistor Case:SOT-23; No. of Pins:3; MSL:-
RF JFET, N CH, 30V, 25MA, 3-SOT-23; Drai; RF JFET, N CH, 30V, 25MA, 3-SOT-23; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:25mA; Power Dissipation Pd:250mW; RF Transistor Case:SOT-23; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C; MSL:-; Package / Case:3-SOT-23
RF JFET, N CH, 30V, 35MA, 3-SOT-23; Tran; RF JFET, N CH, 30V, 35MA, 3-SOT-23; Transistor Type:RF JFET; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:2mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:35mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:4V; MSL:-
RF JFET, N CHANNEL, 20V, 25MA, 3-SOT-23,; RF JFET, N CHANNEL, 20V, 25MA, 3-SOT-23, FULL REEL; Breakdown Voltage Vbr:-20V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:10mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:25mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-1.2V; MSL:-
RF JFET, N CHANNEL, 40V, 2MA, 3-SOT-23;; RF JFET, N CHANNEL, 40V, 2MA, 3-SOT-23; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:2mA; Power Dissipation Pd:300mW; Operating Frequency Min:-; Operating Frequency Max:-; RF Transistor Case:SOT-23; No. of Pins:3; MSL:-
RF MOSFET, N CHANNEL, 110V, 375D-05; Dra
RF MOSFET, N CHANNEL, 110V, 375D-05; Dra
RF TRANSISTOR, NPN 100V 3MHZ TO-220; Tra; RF TRANSISTOR, NPN 100V 3MHZ TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:75; RF Transistor Case:TO-220
RF TRANSISTOR, NPN 100V 3MHZ TO-247; Tra; RF TRANSISTOR, NPN 100V 3MHZ TO-247; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:125W; DC Collector Current:25A; DC Current Gain hFE:75; No. of Pins:3; MSL:-
RF TRANSISTOR, NPN 15V 600MHZ TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:600MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:50mA; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:3
RF TRANSISTOR, NPN 25V 65MHZ TO-225; Tra; RF TRANSISTOR, NPN 25V 65MHZ TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Transition Frequency ft:65MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:65; No. of Pins:3; MSL:-
RF TRANSISTOR, NPN, 200V, 15MHZ, TO-225;; RF TRANSISTOR, NPN, 200V, 15MHZ, TO-225; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:200V; Transition Frequency ft:15MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:15; No. of Pins:3
RF TRANSISTOR, NPN, 250V, 10MHZ, TO-220;; RF TRANSISTOR, NPN, 250V, 10MHZ, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:250V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:10; No. of Pins:3; MSL:-
RF TRANSISTOR, NPN, 30V, 100MHZ, SOT-323; RF TRANSISTOR, NPN, 30V, 100MHZ, SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:290; No. of Pins:3
RF TRANSISTOR, NPN, -3V, 200MHZ, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:240; No. of Pins:3; MSL:-
RF TRANSISTOR, NPN, 40V, 300MHZ, SOT-23;; RF TRANSISTOR, NPN, 40V, 300MHZ, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3
RF TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MHZ, SOT-23;; RF TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MHZ, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
RF TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MHZ, SOT-323; RF TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MHZ, SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:180; No. of Pins:3
RF TRANSISTOR, NPN, 600mV, 70MHZ; Transi; RF TRANSISTOR, NPN, 600mV, 70MHZ; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600mV; Transition Frequency ft:70MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200; RF Transistor Case:-
RF TRANSISTOR, NPN, 80V 50MHZ TO-92; Tra; RF TRANSISTOR, NPN, 80V 50MHZ TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3
RF TRANSISTOR, PNP, -100V, 3MHZ, TO-247;; RF TRANSISTOR, PNP, -100V, 3MHZ, TO-247; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:125W; DC Collector Current:25A; DC Current Gain hFE:75; No. of Pins:3
RF TRANSISTOR, PNP, -25V, 65MHZ, TO-225;; RF TRANSISTOR, PNP, -25V, 65MHZ, TO-225; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Transition Frequency ft:65MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:65; No. of Pins:3; MSL:-
RF TRANSISTOR, PNP, -30V 100MHZ SUPERSOT; RF TRANSISTOR, PNP, -30V 100MHZ SUPERSOT; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-30V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3
RF TRANSISTOR, PNP, -3V, 25MHZ; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:200V; Transition Frequency ft:25MHz; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:160; RF Transistor Case:-
RF TRANSISTOR, PNP, -40V, 50MHZ, TO-92;; RF TRANSISTOR, PNP, -40V, 50MHZ, TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3
RF TRANSISTOR, PNP, -60V, 50MHZ, TO-225;; RF TRANSISTOR, PNP, -60V, 50MHZ, TO-225; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:1.5W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3; MSL:-
RF TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-92; Transis; RF TRANSISTOR, PNP, -80V, TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:-800A; DC Current Gain hFE:250; RF Transistor Case:TO-92; No. of Pins:3
RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 10V, 8GHZ,; RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 10V, 8GHZ, 3-SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:10V; Transition Frequency ft:8GHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:50mA; DC Current Gain hFE:100; MSL:-
RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 12V, 6GHZ,; RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 12V, 6GHZ, 4-SOT-143B; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:6GHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:35mA; DC Current Gain hFE:90; MSL:-
RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 1.6GHZ; RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 1.6GHZ, 3-SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:1.6GHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:25mA; No. of Pins:3
RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 5GHZ,; RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 5GHZ, 3-SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:5GHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:25mA; DC Current Gain hFE:90
RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 7GHZ,; RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 7GHZ, 3-SOT-223, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:7GHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:150mA; DC Current Gain hFE:130
RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 7GHZ,; RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 7GHZ, 3-SOT-223, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:7GHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:90
RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 9GHZ,; RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 9GHZ, 3-SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:9GHz; Power Dissipation Pd:650mW; DC Collector Current:120mA; DC Current Gain hFE:120; MSL:-
RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 9GHZ,; RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 9GHZ, 3-SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:9GHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:70mA; DC Current Gain hFE:120; MSL:-
RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 9GHZ,; RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 15V, 9GHZ, 4-SOT-343N; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:9GHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:70mA; DC Current Gain hFE:120
RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 4.5V, 17GHZ; RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 4.5V, 17GHZ, 4-SOT-343R; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:4.5V; Transition Frequency ft:17GHz; Power Dissipation Pd:16mW; DC Collector Current:3.6mA; DC Current Gain hFE:80
RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 4.5V, 18GHZ; RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 4.5V, 18GHZ, 4-SOT-343R; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:4.5V; Transition Frequency ft:18GHz; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:40
RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 4.5V, 25GHZ; RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 4.5V, 25GHZ, 4-SOT-343R; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:4.5V; Transition Frequency Typ ft:25GHz; Power Dissipation Pd:135mW; DC Collector Current:30mA; DC Current Gain hFE:80
RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 4.5V, 25GHZ; RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 4.5V, 25GHZ, 4-SOT-343R; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:4.5V; Transition Frequency Typ ft:25GHz; Power Dissipation Pd:135mW; DC Collector Current:30mA; DC Current Gain hFE:80
RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 5V, 5GHZ, 3; RF WIDEBAND TRANSISTOR, NPN, 5V, 5GHZ, 3-SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:5V; Transition Frequency ft:5GHz; Power Dissipation Pd:32mW; DC Collector Current:6.5mA; DC Current Gain hFE:80; MSL:-
RF WIDEBAND TRANSISTOR, PNP, -12V, 5GHZ,; RF WIDEBAND TRANSISTOR, PNP, -12V, 5GHZ, 3-SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-12V; Transition Frequency ft:5GHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:-35mA; No. of Pins:3
RF WIDEBAND TRANSISTOR, PNP, -15V, 4GHZ,; RF WIDEBAND TRANSISTOR, PNP, -15V, 4GHZ, 3-SOT-323; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-15V; Transition Frequency ft:4GHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:-35mA; DC Current Gain hFE:50; MSL:-
RF WIDEBAND TRANSISTOR, PNP, -15V, 5GHZ,; RF WIDEBAND TRANSISTOR, PNP, -15V, 5GHZ, 3-SOT-223; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-15V; Transition Frequency ft:5GHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:25; MSL:-
RF WIDEBAND TRANSISTOR, PNP, -15V, 5GHZ,; RF WIDEBAND TRANSISTOR, PNP, -15V, 5GHZ, 3-SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-15V; Transition Frequency ft:5GHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:-25mA; No. of Pins:3
RF WIDEBAND TRANSISTOR, PNP, -15V, 5GHZ,; RF WIDEBAND TRANSISTOR, PNP, -15V, 5GHZ, 3-SOT-89, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-15V; Transition Frequency ft:5GHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:-100mA; No. of Pins:3; MSL:-
RF WIDEBAND TRANSISTOR, PNP, -15V, 5GHZ,; RF WIDEBAND TRANSISTOR, PNP, -15V, 5GHZ, 3-SOT-89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-15V; Transition Frequency ft:5GHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:50; MSL:-
SIC CO-PACK, 1.2kV, TO-227; Drain Source; SIC CO-PACK, 1.2kV, TO-227; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; Continuous Drain Current Id:100A; Power Dissipation Pd:133W; Operating Frequency Min:-; Operating Frequency Max:-; RF Transistor Case:SOT-227; No. of Pins:4; Packaging:Each
SIC CO-PACK, 1.2kV, TO-263; Drain Source; SIC CO-PACK, 1.2kV, TO-263; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; Continuous Drain Current Id:20A; Power Dissipation Pd:157W; Operating Frequency Min:-; Operating Frequency Max:-; RF Transistor Case:TO-263; No. of Pins:3; Packaging:Each
SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 10A, TO-; SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 10A, TO-247AB; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; Power Dissipation Pd:91W; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175 C; MSL:-; Operating Temperature Min:-55 C
SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 10A, TO-; SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 10A, TO-263; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; Power Dissipation Pd:94W; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175 C; MSL:MSL 1 - Unlimited; Packaging:Each
SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 20A, TO-; SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 20A, TO-247AB; Continuous Drain Current Id:20A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; Power Dissipation Pd:5W; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175 C; MSL:-; Operating Temperature Min:-55 C
SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 50A, TO-; SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 50A, TO-247AB; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; Power Dissipation Pd:308W; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175 C; MSL:-; Operating Temperature Min:-55 C
SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 5A, TO-2; SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 5A, TO-247AB; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; Power Dissipation Pd:57W; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175 C; MSL:-; Operating Temperature Min:-55 C
SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 5A, TO-2; SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 5A, TO-263; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; Power Dissipation Pd:58W; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175 C; MSL:MSL 1 - Unlimited; Packaging:Each
SIC JUNCTION TRANSISTOR, 650V, 7A, TO-25; SIC JUNCTION TRANSISTOR, 650V, 7A, TO-257-3; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-; MSL:-
SIC JUNCTION TRANSISTOR, 650V, 8A, TO-27; SIC JUNCTION TRANSISTOR, 650V, 8A, TO-276-3; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-
SIC MOSFET, N CHANNEL, 1.2KV, 17.7A, TO-; SIC MOSFET, N CHANNEL, 1.2KV, 17.7A, TO-247-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17.7A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; On Resistance Rds(on):0.16ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
SIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB;; SIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:100nA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-; MSL:-
SIC SUPER JUNCTION TRANSITOR, TO-247AB;; SIC SUPER JUNCTION TRANSITOR, TO-247AB; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:0.2µA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:10µA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-; MSL:-
SIC SUPER JUNCTION TRANSITOR, TO-247AB;; SIC SUPER JUNCTION TRANSITOR, TO-247AB; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:100nA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-; MSL:-
SILICON PNP TRANSISTOR, 60V, 30A, TO-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:5W; DC Collector Current:30A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3; MSL:-
SINGLE IGBT, 1.2KV, 11A, TO-262; DC Coll; SINGLE IGBT, 1.2KV, 11A, TO-262; DC Collector Current:11A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:60W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C; MSL:-
SINGLE IGBT, 1.2KV, 12A; DC Collector Cu; SINGLE IGBT, 1.2KV, 12A; DC Collector Current:12A; Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV; Power Dissipation Pd:89W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C; MSL:-; Packaging:Each
SINGLE IGBT, 1.2KV, 45A; DC Collector Cu; SINGLE IGBT, 1.2KV, 45A; DC Collector Current:45A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C; MSL:-
SINGLE IGBT, 1.2KV, 80A; DC Collector Cu; SINGLE IGBT, 1.2KV, 80A; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:595W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C; MSL:-
SINGLE IGBT, 18V, 57A; DC Collector Curr; SINGLE IGBT, 18V, 57A; DC Collector Current:57A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:155 C; MSL:-
SINGLE IGBT, 600V, 14A; DC Collector Cur; SINGLE IGBT, 600V, 14A; DC Collector Current:14A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.56V; Power Dissipation Pd:49W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150°C; MSL:-
SINGLE IGBT, 600V, 16A; DC Collector Current:16A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.01V; Power Dissipation Pd:60W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150 C; Packaging:Each
SINGLE IGBT, 600V, 200A; Transistor Pola; SINGLE IGBT, 600V, 200A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:200A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.92V; Power Dissipation Pd:500W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:4; Packaging:Each
SINGLE IGBT, 600V, 31A; Transistor Type:; SINGLE IGBT, 600V, 31A; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:31A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Power Dissipation Pd:208W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Min:-55°C; No. of Pins:3
SINGLE IGBT, 600V, 80A; Transistor Type:; SINGLE IGBT, 600V, 80A; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Voltage Vces:600V; Power Dissipation Pd:250W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
SINGLE IGBT, 600V, 96A; DC Collector Current:96A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.65V; Power Dissipation Pd:330W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175 C; MSL:-
SMALL REEL VERSION OF THE CSD23202W10; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.2A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SMALL REEL VERSION OF THE CSD23202W10; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.2A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SMALL SIGNAL+P-CH; Nombre de broches:3; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de drain Id:-1.5A; Dissipation de puissance Pd:500mW; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal P; Résistance Rds(on):0.105ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:-20V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Tension, mesure Rds:-4.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23
SMALL SIGNAL+P-CH; Nombre de broches:3; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de drain Id:-1.5A; Dissipation de puissance Pd:500mW; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal P; Résistance Rds(on):0.113ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:-30V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Tension, mesure Rds:-10V; Type de boîtier de transistor:SOT-23
SMALL SIGNAL+P-CH; Nombre de broches:3; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de drain Id:21mA; Dissipation de puissance Pd:500mW; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):310ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:600V; Tension de seuil Vgs:2V; Tension, mesure Rds:10V; Type de boîtier de transistor:SOT-23
SMALL SIGNAL+P-CH; Nombre de broches:3; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de drain Id:230mA; Dissipation de puissance Pd:360mW; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):1.7ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:60V; Tension de seuil Vgs:-2.8V; Tension, mesure Rds:10V; Type de boîtier de transistor:SOT-23
SMALL SIGNAL+P-CH; Nombre de broches:3; Courant de drain Id:300mA; Dissipation de puissance Pd:500mW; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):1.6ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:60V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Tension, mesure Rds:10V; Type de boîtier de transistor:SOT-23
SMALL SIGNAL+P-CH; Nombre de broches:6; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de drain Id:880mA; Dissipation de puissance Pd:500mW; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Double canal N; Résistance Rds(on):0.27ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:20V; Tension de seuil Vgs:550mV; Tension, mesure Rds:2.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-363
SMALL SIGNAL+P-CH; Nombre de broches:6; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de drain Id:-1.5A; Dissipation de puissance Pd:560mW; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal P; Résistance Rds(on):0.131ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:-20V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Tension, mesure Rds:-4.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-363
SMALL SIGNAL+P-CH; Nombre de broches:6; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de drain Id:300mA; Dissipation de puissance Pd:500mW; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Double canal N; Résistance Rds(on):1.6ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:60V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Tension, mesure Rds:10V; Type de boîtier de transistor:SOT-363
SMALL SIGNAL+P-CH; Nombre de broches:6; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de drain Id:950mA; Dissipation de puissance Pd:500mW; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Complémentaire N et P; Résistance Rds(on):0.266ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:20V; Tension de seuil Vgs:950mV; Tension, mesure Rds:4.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-363
SMALL SIGNAL+P-CH; Nombre de broches:8; Courant de drain Id:-30A; Dissipation de puissance Pd:89W; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:Canal P; Résistance Rds(on):0.0061ohm; Température de fonctionnement max..:150°C; Tension Vds max..:-30V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Tension, mesure Rds:-10V; Type de boîtier de transistor:TDSON
SMALL SIGNAL+P-CH; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-15A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.14ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:128W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
Soft Recovery Diode; DC Collector Curren; Soft Recovery Diode; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):3.6V; Power Dissipation Pd:370W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150 C; MSL:-
SS SC70 GP XSTR NPN 80V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SC70 GP XSTR PNP 40V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de
SS SC70 GP XSTR PNP 45V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SC70 GP XSTR PNP 65V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SC75 GP XSTR NPN 45V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SC-75; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SC75 GP XSTR PNP 45V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SC88 GP XSTR DUAL 45V; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Boîtier de transistor RF:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
SS SC88 GP XSTR NPN 45V; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SC88 GP XSTR PNP 45V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:475; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
SS SC88 GP XSTR PNP 45V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SC88 GP XSTR PNP 65V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:100MHz; Température d'utilisation min:-55°C
SS SOT223 GP XSTR NPN 80V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT223 GP XSTR PNP 80V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT223 HC XSTR NPN 20V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT223 HV XTR PNP 300V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:15MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT223 SW XTR PNP 60V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Circuit complémentaire:PZT2222AT1; Configuration du Brochage:B(1), C(2+4), E(3); Courant de collecteur continu Ic
SS SOT23 DL XSTR NPN 30V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 DL XSTR NPN 30V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
SS SOT23 DL XSTR NPN PBFR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:20; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
SS SOT23 DR XSTR PNP 60V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 DR XSTR PNP 80V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 GP XSTR NPN 15V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 GP XSTR NPN 15V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Hfe, min.:20; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
SS SOT23 GP XSTR NPN 20V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 GP XSTR NPN 30V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 GP XSTR NPN 32V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 GP XSTR NPN 45V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 GP XSTR NPN 45V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
SS SOT23 GP XSTR NPN 45V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 GP XSTR NPN 50V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 GP XSTR NPN 50V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 GP XSTR PNP 30V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):250mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:125; Température
SS SOT23 GP XSTR PNP 30V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 GP XSTR PNP 32V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-32V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:215; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 GP XSTR PNP 45V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:215; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
SS SOT23 GP XSTR PNP 45V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 GP XSTR PNP 45V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 HV XSTR NPN 160V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:60mA; Hfe, min.:250; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
SS SOT23 HV XSTR NPN 350V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
SS SOT23 HV XSTR PNP 350V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-350V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 LN XSTR NPN 35V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 LN XSTR NPN 45V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:700MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 LN XSTR NPN 60V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 LS XSTR PNP 50V; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 VHF XSTR NPN 15V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:600MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS SOT23 VHF XSTR NPN 25V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:650MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:4mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain Bande-passante ft, typ.:650MHz; Hfe, min.:60; Puissance, Ptot:300mW; Température de
SS T092 GP XSTR NPN 300V; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
SS XSTR NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:265mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-723; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
SWITCH, INTEGRATED LOAD, SMD; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, alimentation max..:8V; Tension, alimentation min.:2.5V
SWITCH, INTEGRATED LOAD, SMD; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, alimentation max..:8V; Tension, alimentation min.:2.5V
SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 15V, 200MA, 3; SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 15V, 200MA, 3-SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:15V; Transition Frequency ft:500MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:40
SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 100MA, 3; SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 100MA, 3-SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:180MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:100
SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 200MA, 3; SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 200MA, 3-SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:100
SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 200MA, 3; SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 200MA, 3-SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:100
SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 600MA, 3; SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 600MA, 3-SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:250MHz; Power Dissipation Pd:1.15W; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100
SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 600MA, 3; SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 600MA, 3-SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:300MHz; Power Dissipation Pd:1.15W; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100
SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 600MA, 3; SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 600MA, 3-SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100
SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 600MA, 3; SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 600MA, 3-SOT-323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100
SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 600MA, 3; SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 600MA, 3-SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:250MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100
SWITCHING TRANSISTOR, PNP, -40V, -200MA,; SWITCHING TRANSISTOR, PNP, -40V, -200MA, 3-SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:100
SWITCHING TRANSISTOR, PNP, -40V, -600MA,; SWITCHING TRANSISTOR, PNP, -40V, -600MA, 3-SOT-323; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency Typ ft:200MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-600mA
SWITCHING TRANSISTOR, PNP, -60V, -600MA,; SWITCHING TRANSISTOR, PNP, -60V, -600MA, 3-SOT-323; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency Typ ft:200MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-600mA
SYNC BUCK NEXFET 8SON; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):4.6ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:6W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration Driver:Demi-pont; Configuration module:Demi-pont; Délais d'entrée:5.3ns; Délais de sortie:15.8ns; Température
SYNC BUCK NEXFET 8SON; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):1.8mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:13W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
SYNC BUCK NexFET POWER BLOCK MOSFET PAIR; SYNC BUCK NexFET POWER BLOCK MOSFET PAIR, 25V, 65A, SON-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):-; Rds(on) Test Voltage Vgs:-; No. of Pins:8
T-PNP SI- AF AMP; T-PNP SI- AF AMP
T-PNP SI- AMP DRIVER; T-PNP SI- AMP DRIVER
T-PNP SI- GEN PUR AMP; T-PNP SI- GEN PUR AMP
TRAN PNP 22K/47K 50V 0.1A SOT23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:22kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.47; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de boîtier de Triac:SOT-23
TRANS AEC-Q101, PNP, -140V, SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-140V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS AEC-Q101, PNP, -140V, SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-140V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS AUDIO NPN 230V 15A TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:230V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz
TRANS AUDIO NPN 230V 18A TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:230V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:300W; Courant de collecteur DC:18A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz
TRANS AUDIO NPN 230V 30A TO-264; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:230V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:400W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz
TRANS AUDIO NPN 260V 15A TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:260V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz
TRANS AUDIO NPN 260V 30A TO-264; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:260V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:400W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz
TRANS AUDIO PNP 230V 18A TO-3P; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-230V; Fréquence de transition ft:35MHz; Dissipation de puissance Pd:300W; Courant de collecteur DC:-18A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:35MHz
TRANS AUDIO PNP 230V 30A TO-264; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-230V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:400W; Courant de collecteur DC:-30A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:35MHz
TRANS AUDIO PNP 260V 15A TO-3P; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-260V; Fréquence de transition ft:35MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:-15A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:35MHz
TRANS BIAS NPN/PNP, AECQ101, 47K/47K; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:DFN1010B; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BIAS NPN/PNP, AECQ101, 47K/47K; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:DFN1010B; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BIPOL NPN/PNP 40V SOT-363-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS BIPOL PNP DOUBLE -30V SOT-143B; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS BIPOL PNP QUAD -40V SOIC-16; Polarité transistor:Quad PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS BIPOL PNP QUAD -40V SOIC-16; Polarité transistor:Quad PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS BRT AEC-Q101, 10K/10KOHM, SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 10K/10KOHM, SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 10K/10KOHM, SOT23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 10K/10KOHM, SOT23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 10K/10KOHM, SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 10K/10KOHM, SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 10K/10KOHM, SOT-323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 10K/10KOHM, SOT-323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 1K/10KOHM, SOT323-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:1kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 1K/10KOHM, SOT323-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:1kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AECQ101, 1K/10KOHM, SOT-323-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:1kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AECQ101, 1K/10KOHM, SOT-323-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:1kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 1K/1KOHM, SOT-323-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:1kohm; Résistance base-émetteur R2:1kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 1K/1KOHM, SOT-323-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:1kohm; Résistance base-émetteur R2:1kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 1K/1KOHM, SOT-323-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:1kohm; Résistance base-émetteur R2:1kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 1K/1KOHM, SOT-323-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:1kohm; Résistance base-émetteur R2:1kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AECQ101, 2.2K/10KOHM, SOT-323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.22; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AECQ101, 2.2K/10KOHM, SOT-323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.22; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 2.2K/10KOHM, SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.22; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 2.2K/10KOHM, SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.22; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AECQ101, 2.2K/2.2KOHM, SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:2.2kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AECQ101, 2.2K/2.2KOHM, SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:2.2kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AECQ101, 2.2K/2.2KOHM, SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:2.2kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AECQ101, 2.2K/2.2KOHM, SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:2.2kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 4.7K/10KOHM, SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.47; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 4.7K/10KOHM, SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.47; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 4.7K/10KOHM, SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.47; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 4.7K/10KOHM, SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.47; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 4.7K/4.7KOHM, SOT23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:4.7kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 4.7K/4.7KOHM, SOT23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:4.7kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AECQ101, 4.7K/4.7KOHM, SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:4.7kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AECQ101, 4.7K/4.7KOHM, SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-500mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:4.7kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 47K/47KOHM, SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS BRT AEC-Q101, 47K/47KOHM, SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANS DARL NPN 115V 12A TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS DARL NPN 120V 1A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS DARL NPN 120V 1A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS DARL NPN 400V 8A TO263AB; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANS DARLINGTON HIGH V & I; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Marquage composant:ULN2003AD; Racine de la référence:2003; Température de fonctionnement:-20°C à +70°C; Température d'utilisation
TRANS DARLINGTON NPN, 60V, 5A, TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):3A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température, puissance:25°C; Température
TRANS DOUBLE NPN AECQ101 65V SOT-363-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:0.9; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS DOUBLE NPN AECQ101 65V SOT-363-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:0.9; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS DOUBLE PNP AECQ101 -65V SOT-363; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:0.9; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS DOUBLE PNP AECQ101 -65V SOT-363; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:0.9; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS MOSFET CANAL N NIV LOGIQUE SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:500mA; Courant, Idm impul.:6A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm;
TRANS MOSFET CANAL N NIV LOGIQUE SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:500mA; Courant, Idm impul.:6A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm;
TRANS NPN 100V 1A L SAT SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS NPN 100V 1A L SAT SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS NPN 100V 6A POWERDI5; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:230; Type de boîtier de transistor:PowerDI5; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type
TRANS NPN 10K 50V 0.1A SC-75; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Gain en courant DC hFE:35; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température de
TRANS NPN 10K 50V 0.1A SC-75; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Gain en courant DC hFE:35; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température de
TRANS NPN 12V 5.3A L SAT SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:5.3A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANS NPN 30V 5.5A L SAT SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5.5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS NPN 30V 5.5A L SAT SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5.5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS NPN 50V W/RES SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANS NPN 60V 5.2A L SAT SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5.2A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS NPN 60V 5.2A L SAT SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5.2A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS NPN 60V 6A POWERDI5; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:PowerDI5; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type
TRANS NPN 60V 6A POWERDI5; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:3.2W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:PowerDI5; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type
TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:3A; Hfe, min.:1000; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension
TRANS NPN FAST SW 30V SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:210; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANS NPN FAST SW 30V SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:210; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANS NPN LV FAST SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:180; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANS NPN LV FAST SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:180; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANS NPN W/RES 2X47K 50V SOT23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Fréquence de transition ft:230MHz; Gain en courant DC hFE:80; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN; Température de
TRANS NPN W/RES 2X47K 50V SOT23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Fréquence de transition ft:230MHz; Gain en courant DC hFE:80; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN; Température de
TRANS NPN W/RES 2X47K 50V SOT23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANS NPN/NPN 120V 1A DFN2020-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANS NPN/NPN 30V 1A DFN2020-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:165MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANS NPN/NPN 30V 2A DFN2020-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANS NPN/NPN 60V 1A DFN2020-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:175MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANS NPN/NPN 60V 2A DFN2020-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANS NPN/PNP 30V 1A DFN2020-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:165MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANS NPN/PNP 30V 2A DFN2020-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANS NPN/PNP 60V 1A DFN2020-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:175MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANS NPN/PNP 60V 2A DFN2020-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANS PNP 12V 5.3A L SAT SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:5.3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANS PNP 250V 17A BIPO TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-250V; Fréquence de transition ft:25MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:-17A; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-8A; Gain Bande-passante ft, typ.:25MHz; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C;
TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:3A; Hfe, min.:1000; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension
TRANS PNP W/RES 2X10K 50V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS PNP W/RES 2X10K 50V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS PNP/PNP 120V 1A DFN2020-6; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-120V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANS PNP/PNP 30V 1A DFN2020-6; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANS PNP/PNP 30V 2A DFN2020-6; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:95MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANS PNP/PNP 60V 1A DFN2020-6; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANS PNP/PNP 60V 2A DFN2020-6; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-1118; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
Trans RF MOSFET N-CH 65V 12-Pin HVSON EP; Trans RF MOSFET N-CH 65V 12-Pin HVSON EP T/R
TRANS RF NPN 25V 650MHZ TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:650MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-; Gain en courant DC hFE:60; Boîtier de transistor RF:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS RF NPN 4.7V 45GHZ SOT-343-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.7V; Fréquence de transition ft:45GHz; Dissipation de puissance Pd:160mW; Courant de collecteur DC:45mA; Gain en courant DC hFE:160; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANS RF NPN 4.7V 45GHZ SOT-343-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.7V; Fréquence de transition ft:45GHz; Dissipation de puissance Pd:160mW; Courant de collecteur DC:45mA; Gain en courant DC hFE:160; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANS SWITCH NPN 40V 100MA SOT-89; SWITCHING TRANSISTOR, NPN, 40V, 100MA, 3-SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:100
TRANS, AEC-Q101, NPN, 60V, SOT-223-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, AEC-Q101, NPN, 60V, SOT-223-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, AEC-Q101, PNP, -600V, SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-600V; Fréquence de transition ft:38MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, AEC-Q101, PNP, -600V, SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-600V; Fréquence de transition ft:38MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, AEC-Q101, PNP, -600V, SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-600V; Fréquence de transition ft:38MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, AEC-Q101, PNP, -600V, SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-600V; Fréquence de transition ft:38MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, AEC-Q101, PNP, -60V, SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, AEC-Q101, PNP, -60V, SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, BIPOL, AEC-Q101, NPN, 40V, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:540mW; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:370; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AEC-Q101, NPN, 40V, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:540mW; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:370; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AEC-Q101, NPN, 60V, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AEC-Q101, NPN, 60V, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AEC-Q101, NPN, 80V, SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AEC-Q101, NPN, 80V, SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AECQ101, PNP, -30V, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AECQ101, PNP, -30V, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AEC-Q101, PNP, -30V, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AEC-Q101, PNP, -30V, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AEC-Q101, PNP, -32V, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-32V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:215; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AEC-Q101, PNP, -32V, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-32V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:215; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AEC-Q101, PNP, -40V, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:710mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AEC-Q101, PNP, -40V, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:710mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AEC-Q101, PNP, -60V, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AEC-Q101, PNP, -60V, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AEC-Q101, PNP, -80V, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, AEC-Q101, PNP, -80V, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANS, BIPOL, NPN, QUAD, 40V, SOIC-16; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, BIPOL, NPN, QUAD, 40V, SOIC-16; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, BIPOL, PNP, -120V, TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-120V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, BIPOL, PNP, -120V, TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-120V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:430; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, BIPOL, PNP, -160V, TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-160V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, BIPOL, PNP, -160V, TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-160V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, BIPOL, PNP, QUAD, -60V, SOIC-16; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, BIPOL, PNP, QUAD, -60V, SOIC-16; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, BIPOL, QUAD, NPN, PNP, 40V, SOIC; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, BIPOL, QUAD, NPN, PNP, 40V, SOIC; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, DOUBLE NPN AECQ101 100V SOT1205; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-1205; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, DOUBLE NPN AECQ101 100V SOT1205; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-1205; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, DOUBLE NPN AECQ101 100V SOT1205; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-1205; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, DOUBLE NPN AECQ101 100V SOT1205; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-1205; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, DOUBLE NPN AECQ101 45V DFN1010B; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:DFN1010B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, DOUBLE NPN AECQ101 45V DFN1010B; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:DFN1010B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, DOUBLE NPN, 65V, SOT-363-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:0.9; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, DOUBLE NPN, 65V, SOT-363-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:0.9; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, DOUBLE PNP AECQ101 -100V SOT1205; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-1205; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, DOUBLE PNP AECQ101 -100V SOT1205; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-1205; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, DOUBLE PNP AECQ101 -100V SOT1205; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-1205; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, DOUBLE PNP AECQ101 -100V SOT1205; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-1205; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, DOUBLE PNP AECQ101 -45V, DFN1010B; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:DFN1010B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, DOUBLE PNP AECQ101 -45V, DFN1010B; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:DFN1010B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, DOUBLE PNP, -65V, SOT-363-6; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:0.9; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, DOUBLE PNP, -65V, SOT-363-6; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:0.9; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, NPN W/RES, 50V, SOT883B; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANS, NPN W/RES, 50V, SOT883B; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANS, NPN W/RES, 50V, SOT883B; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANS, NPN/PNP, AECQ101, 100V, SOT1205; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-1205; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, NPN/PNP, AECQ101, 100V, SOT1205; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-1205; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, NPN/PNP, AECQ101, 45V, DFN1010B; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:230mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:DFN1010B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, NPN/PNP, AECQ101, 45V, DFN1010B; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:230mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:DFN1010B; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, NPNNPN MAT, 180V, 0.2A, SOT26; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-26; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS, NPNNPN MAT, 180V, 0.2A, SOT26; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-26; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS, NPNNPN MAT, 40V, 0.2A, SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS, NPNNPN MAT, 40V, 0.2A, SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANS, PNP W/RES, 50V, SOT883B; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANS, PNP, 15V, 0.5A, SOT883B; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-15V; Fréquence de transition ft:280MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANS, PNP, 40V, 0.5A, SOT883B; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANS, RF, NPN, 25V, 650MHZ, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:650MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-; Gain en courant DC hFE:60; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS, RF, NPN, 25V, 650MHZ, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:650MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-; Gain en courant DC hFE:60; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANS. IGBT BOITIER TO-220FP 600V 11.8A; Courant de collecteur DC:11.8A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.16V; Dissipation de puissance Pd:34W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:11.8A; Courant, Icm impulsionnel:52A; Dissipation de puissance, max..:34W; Marquage composant:IRG4IBC20WPbF; Nombre de
TRANS. IGBT BOITIER TO-220FP 600V 23.5A; Courant de collecteur DC:23.5A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:45W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:23.5A; Courant, Icm impulsionnel:68A; Dissipation de puissance, max..:45W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente,
TRANS. IGBT BOITIER TO-247AC 1200V 11A; Courant de collecteur DC:11A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.17V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:11A; Courant, Icm impulsionnel:22A; Dissipation de puissance, max..:60W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N;
TRANS. IGBT BOITIER TO-247AC 1200V 30A; Courant de collecteur DC:41A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.43V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance, max..:160W; Marquage composant:IRG4PH40UD; Nombre de
TRANS. IGBT BOITIER TO-247AC 1200V 30A; Courant de collecteur DC:41A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.43V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance, max..:160W; Marquage composant:IRG4PH40U; Nombre de transistors:1;
TRANS. IGBT BOITIER TO-247AC 1200V 45A; Courant de collecteur DC:45A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.77V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:45A; Courant, Icm impulsionnel:90A; Dissipation de puissance, max..:200W; Marquage composant:IRG4PH50KDPBF; Nombre de
TRANS. IGBT BOITIER TO-247AC 1200V 45A; Courant de collecteur DC:45A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.7V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:45A; Courant, Icm impulsionnel:180A; Dissipation de puissance, max..:200W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N;
TRANS. IGBT BOITIER TO-247AC 1200V 57A; Courant de collecteur DC:57A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.47V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:57A; Courant, Icm impulsionnel:114A; Dissipation de puissance, max..:200W; Marquage composant:IRG4PH50S; Polarité
TRANS. IGBT BOITIER TO-274AA 1200V 78A; Courant de collecteur DC:78A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.9V; Dissipation de puissance Pd:350W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-274AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:78A; Courant, Icm impulsionnel:42A; Dissipation de puissance, max..:350W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N;
TRANS. IGBT BOITIER TO-274AA 1200V 80A; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.5V; Dissipation de puissance Pd:595W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-274AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:80A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance, max..:595W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente,
TRANS. MOSFET CANAL N D2-PAK 100V 5.6A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:5.6A; Courant, Idm impul.:20A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.7W; Marquage, CMS:IRF510S; Résistance thermique,
TRANS. MOSFET CANAL N D2-PAK 200V 44A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):54mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:320W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:180A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.47°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANS. MOSFET CANAL N D2-PAK 200V 9.5A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.3A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:82W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:575pF; Charge, porte, canal N:35nC; Courant Iar:9.3A; Courant, Id max..:9.3A; Courant, Idm
TRANS. MOSFET CANAL N SOT-223 100V 1.5A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:1.5A; Courant, Idm impul.:12A; Marquage, CMS:FL110; Résistance thermique, jonction-carcasse:60°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANS. MOSFET CANAL N SOT-223 100V 1.5A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:1.5A; Courant, Idm impul.:12A; Marquage, CMS:LL110; Résistance thermique, jonction-carcasse:60°C/W; Température, courant:25°C; Température,
TRANS. MOSFET CANAL N SOT-223 150V 2.6A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):185mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.6A; Courant, Idm impul.:21A; Résistance thermique, jonction-carcasse:45°C/W; Résistance, Rds on
TRANS. MOSFET CANAL N SOT-223 200V 0.96A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:960mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:960mA; Courant, Idm impul.:7.7A; Marquage, CMS:FL210; Résistance thermique, jonction-carcasse:60°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANS. MOSFET CANAL N SOT-223 250V 0.79A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:790mA; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:790mA; Courant, Idm impul.:6.3A; Marquage, CMS:FL214; Résistance thermique, jonction-carcasse:60°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANS. MOSFET CANAL N SOT-223 30V 4.6A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):31mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.6A; Courant, Idm impul.:37A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm;
TRANS. MOSFET CANAL N SOT-223 30V 4.6A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):31mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.6A; Courant, Idm impul.:37A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm;
TRANS. MOSFET CANAL N SOT-223 30V 5.5A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.9A; Courant, Idm impul.:16A; Marquage, CMS:LL2703; Nombre de transistors:1; Résistance
TRANS. MOSFET CANAL N SOT-223 55V 1.9A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:190pF; Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:64nC; Courant Iar:1.7A; Courant, Id max..:1.9A; Courant, Idm
TRANS. MOSFET CANAL N SOT-223 55V 3.8A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.8A; Courant, Idm impul.:30A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm;
TRANS. MOSFET CANAL N SOT-223 55V 4.4A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.1A; Courant, Idm impul.:12A; Marquage, CMS:LL024N; Nombre de transistors:1; Résistance thermique,
TRANS. MOSFET CANAL N SOT-223 55V 5.1A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.1A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0462ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.1A; Courant, Idm impul.:41A; Résistance thermique, jonction-carcasse:45°C/W; Résistance, Rds on
TRANS. MOSFET CANAL N SOT-223 60V 2.7A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:2.7A; Courant, Idm impul.:22A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:FL014; Nombre de
TRANS. MOSFET CANAL N SOT-223 60V 2.7A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:2.7A; Courant, Idm impul.:22A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:LL014; Nombre de
TRANS. MOSFET CANAL N SUPER 220 200V 98A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:98A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:650W; Type de boîtier de transistor:TO-273AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:98A; Courant, Idm impul.:390A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.23°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANS. MOSFET CANAL N SUPER 247 500V 43A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):78mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:540W; Type de boîtier de transistor:TO-274AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:47A; Courant, Idm impul.:190A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.28°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 1000V 1.4A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.3A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):11.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:1.4A; Courant, Idm impul.:5.2A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.3°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 1000V 3.1A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:3.1A; Courant, Idm impul.:12A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 100V 9.2A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.2A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:9.2A; Courant, Idm impul.:37A; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.5°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 200V 3.3A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.3A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:36W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Idm impul.:10A; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.5°C/W; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 200V 42.6A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42.6A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:180A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.5°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 200V 5.2A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.2A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Capacité, Ciss typ:350pF; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:5.2A; Courant, Idm impul.:18A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:160mJ;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 200V 9.5A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.3A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:82W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9.3A; Courant, Idm impul.:37A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.83°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 400V 3.3A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:3.3A; Courant, Idm impul.:12A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 400V 5.5A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:5.5A; Courant, Idm impul.:22A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7°C/W; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:400V;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 400V 5.5A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:5.5A; Courant, Idm impul.:22A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7°C/W; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:400V;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 500V 2.5A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:10A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 500V 4.5A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:18A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7°C/W; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:500V;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 600V 3.6A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.6A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:3.1A; Courant, Idm impul.:14A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 600V 6.1A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:6.2A; Courant, Idm impul.:25A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.3°C/W; Température de fonctionnement:-55°C
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 600V 9.2A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:9.2A; Courant, Idm impul.:37A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 800V 4.1A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.1A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:4.1A; Courant, Idm impul.:16A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:2°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220 900V 1.7A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:54W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:1.7A; Courant, Idm impul.:3.1A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.3°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 100V 11A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:60A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.7°C/W;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 100V 17A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):77mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:0°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 100V 18A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):52mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:110A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.8°C/W;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 100V 20A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):44mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:23A; Courant, Idm impul.:120A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.8°C/W;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 100V 7.7A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:27W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8.1A; Courant, Idm impul.:35A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:5°C/W;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 200V 5.9A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.9A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:32W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Idm impul.:24A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.6°C/W; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 200V 5.9A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.9A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:32W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Idm impul.:25A; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.6°C/W; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs th max..:2V
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 400V 2.6A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant Iar:2.6A; Courant, Id max..:2.6A; Courant, Idm impul.:10A; Courant, Idss max..:25µA; Différentiel de tension dv/dt:4V/ns; Energie avalanche répétitive
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 400V 5.4A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.4A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:5.4A; Courant, Idm impul.:22A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.1°C/W; Température, courant:25°C;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 500V 2.1A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.1A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:2.1A; Courant, Idm impul.:8.4A; Résistance thermique, jonction-carcasse:4.1°C/W; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 500V 3.1A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:32W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:3.1A; Courant, Idm impul.:12A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.6°C/W; Température, courant:25°C;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 500V 4.6A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:4.6A; Courant, Idm impul.:18A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.1°C/W; Température, courant:25°C;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 55V 19A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:100A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:4.1°C/W; Température
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 55V 28A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:31A; Courant, Idm impul.:160A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.3°C/W; Température
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 55V 56A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:64A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:64A; Courant, Idm impul.:390A; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.4°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 600V 5.5A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:5.5A; Courant, Idm impul.:37A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.1°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 60V 30A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:120A; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.1°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
TRANS. MOSFET CANAL N TO-220FP 650V 5.1A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.1A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):930mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:5.1A; Courant, Idm impul.:21A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.1°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 100V 51A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:57A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:57A; Courant, Idm impul.:180A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.83°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 100V 72A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:72A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:72A; Courant, Idm impul.:300A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.81°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 150V 43A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:43A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):42mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:43A; Courant, Idm impul.:150A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 200V 30A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:214W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:120A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.83°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 200V 30A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:180W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:120A; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 200V 49A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:200A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.5°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 200V 94A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:94A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:580W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:94A; Courant, Idm impul.:380A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.26°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 250V 38A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:38A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:280W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:38A; Courant, Idm impul.:150A; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.45°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 400V 11A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:44A; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.83°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 400V 16A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:16A; Courant, Idm impul.:64A; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 400V 23A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:23A; Courant, Idm impul.:92A; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.45°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 400V 23A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:280W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:23A; Courant, Idm impul.:92A; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.45°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 500V 14A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:56A; Marquage composant:IRFP450A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 500V 20A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:280W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Idm impul.:80A; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.45°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 500V 20A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:280W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:80A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.45°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 500V 22A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):230mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:277W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:88A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.45°C/W; Température de fonctionnement:-55°C
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 500V 23A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):235mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:370W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:23A; Courant, Idm impul.:92A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.34°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:235mohm; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 500V 31A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:460W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:31A; Courant, Idm impul.:124A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.26°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:180mohm; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 500V 32A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:460W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:32A; Courant, Idm impul.:130A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.26°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:160mohm; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 55V 160A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:160A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):5.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:95A; Courant, Idm impul.:640A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.49°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 55V 98A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:98A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:110A; Courant, Idm impul.:390A; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W;
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 600V 11A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:180W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:44A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Résistance, Ron, max..:600mohm; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 600V 27A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:27A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):220mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:500W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:27A; Courant, Idm impul.:110A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.29°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:220ohm; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 600V 6.8A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.8A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:6.8A; Courant, Idm impul.:27A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.83°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température,
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 75V 170A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):4.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:90A; Courant, Idm impul.:680A; Marquage composant:IRFP2907Z; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:4.5ohm; Température
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 75V 177A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:209A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):4.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:470W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:209A; Courant, Idm impul.:840A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.45°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL N TO-247AC 900V 6.7A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.7A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:6.7A; Courant, Idm impul.:27A; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL P D-PAK -100V -3.1A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-3.1A; Courant, Idm impul.:12A; Marquage, CMS:IRFR9110; Résistance thermique, jonction-carcasse:5°C/W; Style de boîtier
TRANS. MOSFET CANAL P D-PAK -100V -6.5A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6.6A; Courant, Idm impul.:26A; Marquage, CMS:IRFR9120N; Résistance thermique,
TRANS. MOSFET CANAL P D-PAK -200V -1.9A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.9A; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-1.9A; Courant, Idm impul.:7.6A; Marquage, CMS:IRFR9210; Résistance thermique, jonction-carcasse:5°C/W; Style de boîtier
TRANS. MOSFET CANAL P D-PAK -200V -3.6A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.6A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-3.6A; Courant, Idm impul.:14A; Marquage, CMS:IRFR9220; Résistance thermique, jonction-carcasse:3°C/W; Style de boîtier
TRANS. MOSFET CANAL P D-PAK -400V -1.8A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):7ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-1.8A; Courant, Idm impul.:7.2A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Nombre de transistors:1; Profondeur:10.5mm;
TRANS. MOSFET CANAL P D-PAK -60V -5.1A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5.1A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-5.1A; Courant, Idm impul.:20A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR9014; Nombre de
TRANS. MOSFET CANAL P I-PAK -100V -5.6A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-5.6A; Courant, Idm impul.:25A; Longueur cordon:9.65mm; Nombre de transistors:1; Pas:2.28mm; Résistance thermique,
TRANS. MOSFET CANAL P I-PAK -60V -5.1A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-5.1A; Courant, Idm impul.:22A; Longueur cordon:9.65mm; Nombre de transistors:1; Pas:2.28mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:5°C/W;
TRANS. MOSFET CANAL P I-PAK -60V -8.8A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:8.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-8.8A; Courant, Idm impul.:35A; Longueur cordon:9.65mm; Nombre de transistors:1; Pas:2.28mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:3°C/W;
TRANS. MOSFET CANAL P MICRO 3 -12V -4.3A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-550mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.3A; Courant, Idm impul.:34A; Résistance thermique, jonction-carcasse:100°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs
TRANS. MOSFET CANAL P MICRO 3 -12V -4.3A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-550mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.3A; Courant, Idm impul.:34A; Résistance thermique, jonction-carcasse:100°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs
TRANS. MOSFET CANAL P MICRO-3 30V 0.61A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:610mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:610mA; Courant, Idm impul.:4.8A; Résistance thermique, jonction-carcasse:230°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANS. MOSFET CANAL P MICRO-3 30V 0.61A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:610mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:610mA; Courant, Idm impul.:4.8A; Résistance thermique, jonction-carcasse:230°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANS. MOSFET CANAL P SOT-223 -60V -1.8A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-1.8A; Courant, Idm impul.:14A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:FL9014; Nombre de
TRANS. MOSFET CANAL P TO-220 -100V -12A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:88W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:-12A; Courant, Idm impul.:48A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
TRANS. MOSFET CANAL P TO-220 -100V -14A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:-14A; Courant, Idm impul.:52A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage
TRANS. MOSFET CANAL P TO-220 -100V -19A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:-19A; Courant, Idm impul.:72A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:100V;
TRANS. MOSFET CANAL P TO-220 -100V -23A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-19A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):117mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Idm impul.:76A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage composant:IRF9540N; Nombre
TRANS. MOSFET CANAL P TO-220 -200V -11A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:44A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage composant:IRF9640; Nombre de
TRANS. MOSFET CANAL P TO-220 -55V -12A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.175ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:-12A; Courant, Idm impul.:48A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de
TRANS. MOSFET CANAL P TO-220 -55V -17A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:-19A; Courant, Idm impul.:68A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de
TRANS. MOSFET CANAL P TO-220 -55V -31A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-31A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:-31A; Courant, Idm impul.:-110A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage
TRANS. MOSFET CANAL P TO-220 -55V -74A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-74A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Idm impul.:260A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANS. MOSFET CANAL P TO-220FP 100V 13A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:44A; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.6°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
TRANS. MOSFET CANAL P TO-220FP 100V 7.7A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:7.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:-7.7A; Courant, Idm impul.:31A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.6°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL P TO-220FP 200V 4.3A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4.3A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-4.3A; Courant, Idm impul.:17A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.6°C/W; Température de
TRANS. MOSFET CANAL P TO-220FP -60V -12A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:-12A; Courant, Idm impul.:48A; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.6°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
TRANS. SOT-89 BCE PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:82; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Hfe, min.:180; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANS. SOT-89 BCE PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:82; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Hfe, min.:180; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSI PNP COMMUT CHARGE 20V 1.8A SOT457; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:480mW; Courant de collecteur DC:-1.8A; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSI PNP COMMUT CHARGE 20V 1.8A SOT457; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:480mW; Courant de collecteur DC:-1.8A; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSI PNP COMMUT CHARGE 60V 1.5A SOT457; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:480mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:285; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSI PNP COMMUT CHARGE 60V 1.5A SOT457; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:480mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:285; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSI PNP COMMUT CHARGE 60V 1.5A SOT457; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:480mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:285; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSI PNP COMMUT CHARGE 60V 1.5A SOT457; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:480mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:285; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSI PNP COMMUT CHARGE 60V 1.5A SOT457; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:480mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:285; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSI QUADRUPLE NPN 40V 0.5A 16NSOIC; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:300MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR AF NUMERIQUE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Rapport de résistance R1/R2:0.21; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm
TRANSISTOR AF; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSISTOR AF; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-125V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSISTOR AMPLIFICATEUR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:250; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR ARRAY, 7 NPN, 16SOIC; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7; Racine de la
TRANSISTOR ARRAY, 7 NPN, 16SOIC; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Nombre de transistors:7; Nombre de voies:7; Racine de la
TRANSISTOR ARRAY, 8 NPN, 18DIP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:2.25W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:18; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Huit; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, sortie max.:500mA; Nombre de transistors:8; Nombre de voies:18; Racine de la référence:2802;
TRANSISTOR ARRAY, DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Nombre de transistors:7; Température de fonctionnement:0°C à +70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension,
TRANSISTOR ARRAY, DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Nombre de transistors:7; Température de fonctionnement:0°C à +70°C; Température d'utilisation min:0°C; Tension,
TRANSISTOR ARRAY, NPN, SMD; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Nombre de transistors:7; Température de fonctionnement:-20°C à +70°C; Température d'utilisation min:-20°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR ARRAY, NPN, SMD; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:16; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Sept; Nombre de transistors:7; Température de fonctionnement:-20°C à +70°C; Température d'utilisation min:-20°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR ARRAY; Transistor Polarity:Du; TRANSISTOR ARRAY; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:2.9A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):71mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-600mV; No. of Pins:6
TRANSISTOR BIP PNP DOUBLE -30V SOT-143B; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR BIP PNP DOUBLE -30V SOT-143B; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR BIPOL DOUBLE NPN 40V SC70-6; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL DOUBLE NPN 40V SC70-6; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL DOUBLE PNP -45V SC70; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL DOUBLE PNP -45V SC70; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 100V TO-220-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 100V TO-220AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 100V TO-220AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 100V TO-220AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 100V TO-220AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 100V TO-220AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 100V TO-220AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 100V TO-220AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 100V TO-225AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 100V TO-252-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:25MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 100V TO-252-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:25MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 120V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 120V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 12V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:400MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 12V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:400MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 15V TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:1.1GHz; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:97; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 200V TO-220AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:200V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 20V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:260MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:30mA; Gain en courant DC hFE:65; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 20V SOT-89-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 250V TO-220AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 25V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 25V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 25V TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 25V TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 25V TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 25V TO-252-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:65MHz; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 25V TO-252-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:65MHz; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 300V TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 30V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 30V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 30V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 30V SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 400V TO-220AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 400V TO-225AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:14; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 400V TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 400V TO-252-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 400V TO-252-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 40V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 40V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 40V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 40V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 40V SOT-523F-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-523F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 40V SOT-523F-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-523F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 40V SOT-89-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 40V SOT-923F-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:227mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-923F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 40V SOT-923F-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:227mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-923F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 40V TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 40V TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 40V TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 450V TO-220F-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 45V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 45V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSISTOR BIPOL NPN 45V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSISTOR BIPOL NPN 45V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 45V SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 45V SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 45V TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:270MHz; Dissipation de puissance Pd:450mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 50V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 50V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 60V SOT-223-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:75MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 60V SOT-223-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:75MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 60V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 60V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 60V TO-220AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 60V TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 60V TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:160MHz; Dissipation de puissance Pd:750mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 60V TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:160MHz; Dissipation de puissance Pd:750mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 80V SOT-223-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 80V SOT-223-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 80V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 80V SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 80V TO-225AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 80V TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL NPN 80V TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:830mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -100V TO-220-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -100V TO-220-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):300A; Hfe, min.:30; Marquage composant:BD244C
TRANSISTOR BIPOL PNP -150V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -150V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -25V TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-25V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -25V TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-25V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -25V TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-25V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -300V TO-226AA; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -30V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -30V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-1.2A; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -30V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -30V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-1.2A; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -30V TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:30000; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -32V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-32V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -400V TO-226AA; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-300mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -40V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -40V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -40V SOT-523F-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-523F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -40V SOT-523F-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-523F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -45V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -45V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR BIPOL PNP -45V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR BIPOL PNP -45V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -45V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -45V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -45V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -45V SOT-323-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -45V SOT-323-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -45V SOT-323-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -45V TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -45V TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -50V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -50V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -60V SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:75MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -60V SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:75MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -60V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -60V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:75MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -60V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -60V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -60V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:75MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -60V SOT-89-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -60V SOT-89-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -60V SOT-89-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -60V TO-225AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -60V TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -60V TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -60V TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -60V TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -65V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -65V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -80V SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -80V SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -80V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -80V SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOL PNP -80V TO-225AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10A; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:0.5; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10A; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:0.5; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE DARLINGTON; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:4A; Hfe, min.:750; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension
TRANSISTOR BIPOLAIRE NW; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:700mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:700mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:50; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C;
TRANSISTOR BIPOLAIRE PNP -80V TO126-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:12; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence de transition ft:220MHz; Gain en courant DC hFE:500; Courant de collecteur continu Ic:1A; Bruit:-; Rapport de transfert de courant direct:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Gain de puissance Gp:-; Dissipation de puissance Pd:420mW; Puissance à compression de gain 1dB, P1dB:-; Boîtier de transistor RF:SOT-457; Nombre de broches:6; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:1A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:190mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1g, 2s, 3d; Courant, Id max..:190mA; Courant, Idm impul.:800mA; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:830mW;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:100; Nombre de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:60; Nombre de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:170MHz; Hfe, min.:160; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:1200; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):100µA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:45MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:30mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:30mA; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de terminaison:Traversant
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:200; Puissance,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:80; Puissance,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100; Puissance,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):20µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:30; Puissance,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:80; Puissance,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:30; Puissance,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):0mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:56; Puissance,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:10000; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-250mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:150; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-250V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-30mA; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:50; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):100µA; Courant, Ic max.. permanent a:2A;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:145MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:200; Puissance,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):20µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:30; Puissance,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:60; Puissance,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-20mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:80; Puissance,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:-500mA; Hfe, min.:70; Résistance, R1:1kohm; Résistance, R2:10kohm; Température de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Hfe, min.:70; Résistance, R1:2.2kohm; Résistance,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:2A;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:60;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:68; Puissance,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:-2.7A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:100A; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Dissipation de puissance Pd:220mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:100MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:1.35A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1.35A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:370mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:100MHz; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:180mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:150mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Fréquence de transition
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de transition
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:100; Nombre de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:200; Nombre de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:30; Nombre de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:30; Nombre de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:100; Nombre de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:80; Nombre de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Courant de collecteur DC:6.7A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5A; Hfe, min.:1; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:4.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:5.1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:60mA; Hfe, min.:250; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:60mA; Hfe, min.:250; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:33MHz; Dissipation de puissance Pd:730mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:240; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:33MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Hfe, min.:20; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Hfe, min.:20; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:300mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:300mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:280; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:165MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:4.3A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:450MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:85; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic:25mA; Courant de collecteur continu Ic max.:25mA; Courant, Ic (hfe):7mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:1200; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):30µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):250µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:50mA; Courant, Ic (hfe):25mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:2.6A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:380; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:70MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:70MHz; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:20MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1mA; Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Hfe, min.:50; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:20MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:25MHz; Dissipation de puissance Pd:730mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:155; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:25MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:300; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:300; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.15W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de terminaison:Traversant
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:240mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:380MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:67; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:25mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:25mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:70MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:160; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:450; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:450; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:6dB; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:500V; Fréquence de transition ft:35MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:35MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:230MHz; Nombre de transistors:2; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température, puissance:25°C;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:100; Nombre de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:200; Nombre de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de transition
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic (hfe):5mA; Fréquence de transition ft:230MHz; Hfe, min.:60; Nombre de transistors:2; Puissance, Ptot:300mW; Résistance R1
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de transition
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:210; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Hfe, min.:250; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:4.7A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:175MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:3.8A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:250; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:270mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-225; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:150; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:450; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:450; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:450; Courant DC Gain Hfe min.:200; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:450; Courant DC Gain Hfe min.:200; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de pic Icm:1A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):4mA; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:5MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:5; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Gain Bande-passante ft, typ.:5MHz; Hfe, min.:150; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:115MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-1A; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:160; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:HS; Courant de collecteur continu Ic max.:-50mA; Courant, Ic (hfe):-25mA; Courant, Ic max.. permanent a:-50mA;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:800; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:800; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-5.3A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:250; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:160MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:-2.4A; Gain en courant DC hFE:320; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-32V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:730mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:65; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:55MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-250mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:55MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:55MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-250mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:55MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic (hfe):2mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Marquage, CMS:3F; Puissance, Ptot:300mW; Puissance,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:475; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:475; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:175MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Fréquence de transition ft:80MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Hfe, min.:160;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:HS; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:HS; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:70MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:210; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-500V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-500V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-250mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de transition
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de transition
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:20;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:50;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:145MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:270mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:1.15W; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:175MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-70V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:-7A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:2.3; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C;
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:45; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:250; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:250; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:-; Rapport de résistance R1/R2:-; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Gain en courant DC hFE:200; Hfe, min.:200; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN; Température de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:22kohm; Résistance base-émetteur R2:22kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:-; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:4.7kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:-100mA; Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence de transition ft:180MHz; Gain en courant DC hFE:30; Hfe, min.:30; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:4.7; Boîtier de transistor RF:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Gain en courant DC hFE:100; Hfe, min.:100; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN; Température de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.047; Boîtier de transistor RF:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur DC:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence de
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:-; Rapport de résistance R1/R2:-; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:-; Rapport de résistance R1/R2:-; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.47; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.47; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:4.7kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:1kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:1kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.1; Boîtier de transistor RF:SOT-457; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.22; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR BIPOLAIRE; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:2.2kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR BIPOLAR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:16A; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:20; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR BIPOLAR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:75V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:10W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-
TRANSISTOR BOITIER SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Fréquence de
TRANSISTOR BOITIER SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Fréquence de
TRANSISTOR BOITIER SOT457; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:1.35A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1.35A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR BOITIER SOT457; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:1.35A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1.35A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR BOITIER SOT457; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:370mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:50mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR BOITIER SOT457; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:370mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:50mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR BOITIER TO-264; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:260V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:175; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Courant, Icm
TRANSISTOR CMS. SC-59 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:10000; Température de
TRANSISTOR CMS. SC-59 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR CMS. SC-59 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR CMS. SC-59 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:10000; Température de
TRANSISTOR DARL NPN 1.5A 100V SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:1000; Température de
TRANSISTOR DARL NPN 60V 0.5A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:10000; Température de
TRANSISTOR DARL NPN 60V 0.5A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:10000; Température de
TRANSISTOR DARL PNP SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de
TRANSISTOR DARL PNP SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de
TRANSISTOR DARLING NPN 400V TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:40A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR DARLING NPN 400V TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR DARLING NPN 500V TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:500V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR DARLINGT PNP -200V-15A TO247; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-200V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:-15A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:2500; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:12; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Courant,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:5000; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Courant, Ic
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:5000; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-120V; Fréquence de transition ft:160MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:3000; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:5000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Courant,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:5000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Courant,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:160MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:3000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:160MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:3000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:300mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:300mA; Courant,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:300mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:300mA; Courant,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:60000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Gain
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:60000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Gain
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-93; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Gain
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER SOT-93; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Gain
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:1MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:1MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:1MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-218; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:160W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:18000; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:20A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Ic moy.:20A; Gain
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-218; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:70V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-93; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Hfe, min.:20;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:85W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Gain
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:200V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:375; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:5A; Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:-12A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:85W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Gain
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Gain en
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:15000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:6MHz; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:16A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Gain
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:6MHz; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:16A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Gain
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Gain en
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-247; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:30A; Courant, Ic (hfe):20A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Ic moy.:30A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-120V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:-30A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:30A; Courant, Ic (hfe):20A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Ic moy.:30A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON BOITIER TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:380V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe, min.:200;
TRANSISTOR DARLINGTON CMS TO-252; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR DARLINGTON ISOWATT-218; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-3PF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de collecteur continu Ic max.:30A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A;
TRANSISTOR DARLINGTON NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR DARLINGTON NPN SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR DARLINGTON NPN SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR DARLINGTON NPN SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR DARLINGTON NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:115V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR DARLINGTON NPN, 200V, TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:200V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR DARLINGTON NPN, 250V, TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-218; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR DARLINGTON NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10A; Hfe, min.:500; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension
TRANSISTOR DARLINGTON PNP, -120V TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR DARLINGTON PNP, -250V, TO-247; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR DARLINGTON PNP, -60V, TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR DARLINGTON PNP, -60V, TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR DARLINGTON PNP, -80V, TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:14W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-2A; Hfe, min.:750; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):-2.8V; Type de
TRANSISTOR DARLINGTON PNP, -80V, TO-225; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR DARLINGTON SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:15000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:3A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR DARLINGTON SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:15000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:3A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR DARLINGTON SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:1A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR DARLINGTON SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:1A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR DARLINGTON SOT-227; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225W; Courant de collecteur DC:100A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ib:5A; Courant, Ic (hfe):85A; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR DARLINGTON SOT-227; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:84A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant de collecteur continu Ic max.:84A; Courant, Ib:8A; Courant, Ic (hfe):70A; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR DARLINGTON SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:300mA; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:1.2A; Courant, Ic
TRANSISTOR DARLINGTON SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:300mA; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:1.2A; Courant, Ic
TRANSISTOR DARLINGTON SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:900mA; Gain en courant DC hFE:60000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:930mA; Courant de collecteur continu Ic max.:900mA; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max..
TRANSISTOR DARLINGTON SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:900mA; Gain en courant DC hFE:60000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:930mA; Courant de collecteur continu Ic max.:900mA; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max..
TRANSISTOR DARLINGTON SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:300mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR DARLINGTON SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:300mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR DARLINGTON SOT-93; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:3000; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:16A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR DARLINGTON TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe, min.:750; Nombre
TRANSISTOR DARLINGTON TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR DARLINGTON TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe, min.:750; Nombre de
TRANSISTOR DARLINGTON TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe, min.:750; Nombre de
TRANSISTOR DARLINGTON TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe, min.:750; Nombre de
TRANSISTOR DARLINGTON TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe, min.:750; Nombre
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:15000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:1000; Nombre de
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic moy.:5A; Hfe, min.:1000; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:65W; Température, puissance:25°C; Tension
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):3A; Hfe, min.:1000; Marquage composant:TIP121; Nombre de transistors:1; Température, puissance:25°C; Tension saturation
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:1000; Nombre de
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe, min.:1000; Nombre
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Hfe, min.:1000; Nombre de
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Hfe, min.:1000; Nombre de
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:2A; Hfe, min.:1000; Nombre de
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:1000; Puissance,
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:B(1), C(2+case), E(3); Courant Ic à Vce sat:5A; Courant de collecteur continu Ic max.:7A; Courant, Ib:1.5A; Courant, Ic
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de pic Icm:10A; Courant, Ib:1.5A; Courant, Ic (hfe):7A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Hfe, min.:15; Température de
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1500; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1500; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:750; Nombre de
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:2700; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:750;
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe, min.:750; Nombre
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:1000; Nombre
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:1; Puissance,
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:2700; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:750; Nombre
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1500; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:85W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:12A; Courant, Ic (hfe):6A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic moy.:12A; Hfe, min.:100; Nombre
TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:30A; Courant, Ic (hfe):20A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Ic moy.:30A; Hfe, min.:1000; Nombre
TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300W; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:50A; Courant, Ic (hfe):25A; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Ic moy.:50A; Hfe, min.:1000; Nombre
TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:60A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:60A; Courant, Ic (hfe):15A; Courant, Ic max.. permanent a:60A; Courant, Ic moy.:60A; Hfe, min.:75; Nombre de
TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:8A; Hfe, min.:300; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Type de terminaison:Traversant; Type de
TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:20A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Ic moy.:20A; Hfe, min.:40; Nombre de
TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300W; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:50A; Courant, Ic (hfe):25A; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Ic moy.:60A; Hfe, min.:1000; Nombre
TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe, min.:1000; Nombre de
TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:6A; Courant de collecteur continu Ic max.:12A; Courant, Ic (hfe):6A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic
TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300W; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:50A; Courant, Ic (hfe):25A; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Ic moy.:50A; Hfe, min.:1000; Nombre
TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:30A; Courant, Ic (hfe):20A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Ic moy.:30A; Hfe, min.:1000;
TRANSISTOR DARLINGTON TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:18000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:6A; Courant de collecteur continu Ic max.:12A; Courant, Ic (hfe):6A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Ic
TRANSISTOR DARLINGTON TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:55MHz; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:5000; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):7A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Gain Bande-passante ft, typ.:55MHz; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON TO-3P; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:5000; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):7A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe,
TRANSISTOR DARLINGTON TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:e; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR DE COMMUTATION BOITIER SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Fréquence de transition
TRANSISTOR DE COMMUTATION BOITIER SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Fréquence de transition
TRANSISTOR DE PUISSANCE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:36V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:130mA; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:130mA; Courant, sortie max.:100mA; Marquage composant:LP395Z; Nombre de transistors:1; Nombre de voies:1;
TRANSISTOR DE PUISSANCE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:36V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:2.2A; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:2.2A; Courant, sortie max.:1A; Nombre de transistors:2; Nombre de voies:1; Racine de la référence:395; Température de
TRANSISTOR DIGITAL NPNNPN SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR DIGITAL NPNNPN SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR DIODE NPN 400V 1.5A TO92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:17; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR DOUBLE EMT6 PNP+NPN; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Fréquence de transition ft:180MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:120;
TRANSISTOR DOUBLE EMT6 PNP+NPN; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Fréquence de transition ft:180MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:120;
TRANSISTOR DOUBLE NPN 45V 200MA SC70-6; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:200MHz; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR DOUBLE NPN 45V SC-88; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:220mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:100MHz; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR DOUBLE NPN BOITIER SOT143; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-143; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):100µA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR DOUBLE NPN BOITIER SOT143; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-143; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):100µA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR DOUBLE NPN SOT-143; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Type de boîtier de transistor:SOT-143; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Configuration du Brochage:a; Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic
TRANSISTOR DOUBLE NPN SOT-143; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Type de boîtier de transistor:SOT-143; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Configuration du Brochage:a; Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic
TRANSISTOR DOUBLE PNP BOITIER SOT143; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-143; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:100A; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR DOUBLE PNP BOITIER SOT143; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-143; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:100A; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR DOUBLE PNP SC-88; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:100MHz; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR DOUBLE PNP SOT-143; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Type de boîtier de transistor:SOT-143; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration du Brochage:b; Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR DOUBLE PNP SOT-143; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Type de boîtier de transistor:SOT-143; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration du Brochage:b; Configuration module:Double; Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR DOUBLE PNP SOT-666; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:175MHz; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR DOUBLE PNP SOT-666; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:175MHz; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR DOUBLE SC-74 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Fréquence de transition ft:180MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe,
TRANSISTOR DOUBLE SC-74 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Fréquence de transition ft:180MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe,
TRANSISTOR DOUBLE SC-74 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR DOUBLE SC-74 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Fréquence de transition ft:140MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:120;
TRANSISTOR DOUBLE SC-74 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Fréquence de transition ft:140MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:120;
TRANSISTOR DOUBLE SC-74 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Fréquence de transition ft:140MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:120;
TRANSISTOR DOUBLE SC-74A NPN/NPN; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SC-74A; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Fréquence de transition ft:140MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe,
TRANSISTOR DOUBLE SC-74A NPN/NPN; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SC-74A; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Fréquence de transition ft:140MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe,
TRANSISTOR DOUBLE SC-74A NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SC-74A; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR DOUBLE SC-74A NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SC-74A; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68;
TRANSISTOR DOUBLE UM5 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-353; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR DOUBLE UM5 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-353; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR DOUBLE UM5 PNP/NPN; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-353; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Fréquence de transition ft:140MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe,
TRANSISTOR DOUBLE UM5 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-353; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR DOUBLE UM5 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-353; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR DOUBLE UM6 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR DOUBLE UM6 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR DOUBLE UM6 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Fréquence de transition ft:180MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:120;
TRANSISTOR DOUBLE UM6 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:56; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:56;
TRANSISTOR DOUBLE UM6 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:56; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:56;
TRANSISTOR DOUBLE UM6 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68;
TRANSISTOR DOUBLE UM6 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68;
TRANSISTOR DOUBLE UM6 NPN/NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Fréquence de transition ft:180MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:120;
TRANSISTOR DOUBLE UM6 PNP/NPN; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe,
TRANSISTOR DOUBLE UM6 PNP/NPN; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe,
TRANSISTOR DOUBLE UM6 PNP/NPN; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Fréquence de transition ft:180MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe,
TRANSISTOR DOUBLE UM6 PNP/NPN; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Fréquence de transition ft:180MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe,
TRANSISTOR DOUBLE UM6 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68;
TRANSISTOR DOUBLE UM6 PNP/PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68;
TRANSISTOR D-PAK BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Hfe, min.:1000; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR D-PAK BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Hfe, min.:1000; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR EMT3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:270; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR EMT3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:270; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR FAIBLE BRUIT GAAS; Tension Vds max..:5.5V; Courant de drain Id:305mA; Dissipation de puissance Pd:600mW; Fréquence, fonctionnement min.:450MHz; Fréquence, fonctionnement max..:10GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:160°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:0.5dB; Courant, Id max..:305mA; Courant, Idm impul.:305mA; Gain Bande-passante ft, typ.:10GHz; Marquage, CMS:3Px; Nombre de transistors:1; Tension de
TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0013ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:56A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0042ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):6.2mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.6W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:81A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0041ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:81A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:81A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.0041ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:81A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR FET N SIMPLE 25V 8SON; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.7W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:56A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR FET P SIMPLE 12V 4DSBGA; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.066ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR FET P SIMPLE 12V 4DSBGA; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.066ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:DSBGA; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR FET P SIMPLE 20V 8SON; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.0088ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:SON; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-60A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR HAUTE FREQ GAAS; Tension Vds max..:3V; Courant de drain Id:40mA; Dissipation de puissance Pd:180mW; Fréquence, fonctionnement min.:1.5GHz; Fréquence, fonctionnement max..:18GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1.2dB; Courant, Id max..:40mA; Courant, Idm impul.:40mA; Gain Bande-passante ft, typ.:12GHz; Style de boîtier alternatif:SC-70; Tension de seuil Vgs:-3V; Tension, Vds
TRANSISTOR HAUTE LIN GAAS; Tension Vds max..:7V; Courant de drain Id:1A; Dissipation de puissance Pd:2.25W; Fréquence, fonctionnement min.:400MHz; Fréquence, fonctionnement max..:3.9GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-89; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1.1dB; Configuration du Brochage:G(1), S(2), D(3); Courant, Id cont. à 25°C:1A; Courant, Id max..:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:2GHz; Marquage, CMS:0Gx; Nombre
TRANSISTOR HAUTE LIN GAAS; Tension Vds max..:7V; Courant de drain Id:1A; Dissipation de puissance Pd:3W; Fréquence, fonctionnement min.:50MHz; Fréquence, fonctionnement max..:6GHz; Boîtier de transistor RF:LPCC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1.4dB; Configuration du Brochage:S(1), G(2), D(7),N/C(3+5+6+8) ; Gain Bande-passante ft, typ.:6GHz; Nombre de transistors:1; Type de terminaison:CMS; Type de transistor:FET RF; ft,
TRANSISTOR HAUTE LIN GAAS; Tension Vds max..:7V; Courant de drain Id:300mA; Dissipation de puissance Pd:1W; Fréquence, fonctionnement min.:50MHz; Fréquence, fonctionnement max..:6GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:0.85dB; Configuration du Brochage:D(1),S(2),G(3); Courant, Id cont. à 25°C:300mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:6GHz; Gamme de
TRANSISTOR HAUTE LIN GAAS; Tension Vds max..:7V; Courant de drain Id:300mA; Dissipation de puissance Pd:1W; Fréquence, fonctionnement min.:50MHz; Fréquence, fonctionnement max..:6GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:0.85dB; Configuration du Brochage:D(1),S(2),G(3); Courant, Id cont. à 25°C:300mA; Dissipation de puissance, max..:1W; Gain Bande-passante ft, typ.:6GHz; Gamme de
TRANSISTOR HAUTE LIN GAAS; Tension Vds max..:7V; Courant de drain Id:500mA; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Fréquence, fonctionnement min.:50MHz; Fréquence, fonctionnement max..:6GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-89; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1.5dB; Configuration du Brochage:D(1),S(2),G(3); Courant, Id cont. à 25°C:500mA; Courant, Id max..:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:6GHz; Marquage, CMS:2Gx;
TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:14; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:1A; Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR HIREL NPN 15V 0.2A LCC1; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:360mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:LCC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:500MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR HIREL NPN 40V 0.6A LCC1; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:LCC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR HIREL PNP 60V 0.6A LCC1; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:LCC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR IGBT +D 600V TO-3P(LH); Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.45V; Dissipation de puissance Pd:240W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Icm impulsionnel:100A; Dissipation de puissance, max..:240W; Polarité transistor:Canal N; Résistance thermique,
TRANSISTOR IGBT +D 600V TO-3P(N); Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.45V; Dissipation de puissance Pd:170W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:30A; Courant, Icm impulsionnel:60A; Dissipation de puissance, max..:170W; Polarité transistor:Canal N; Résistance thermique,
TRANSISTOR IGBT 1200V 50A SOT227; Courant de collecteur DC:84A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.22V; Dissipation de puissance Pd:431W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:SOT-227; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:431W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
TRANSISTOR IGBT 1200V D2-PAK; Courant de collecteur DC:11A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.17V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Icm impulsionnel:22A; Dissipation de puissance, max..:60W; Polarité transistor:Canal N; Style de boîtier
TRANSISTOR IGBT 600V 70A SOT227; Courant de collecteur DC:111A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.23V; Dissipation de puissance Pd:447W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:SOT-227; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Dissipation de puissance, max..:447W; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation min:-40°C; Type de transistor:IGBT
TRANSISTOR IGBT BOITIER D2-PAK; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:430V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:20A; Dissipation de puissance, max..:125W; Marquage, CMS:GS14C40L; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:2.8ns;
TRANSISTOR IGBT BOITIER D2-PAK; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance, max..:160W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:23ns;
TRANSISTOR IGBT BOITIER D-PAK 600V 14A; Courant de collecteur DC:14A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:38W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:14A; Courant, Icm impulsionnel:18A; Dissipation de puissance, max..:38W; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 430V 20A; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.75V; Dissipation de puissance Pd:125W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:430V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:20A; Dissipation de puissance, max..:125W; Marquage composant:IRGB14C40LPbF; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 13A; Courant de collecteur DC:13A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:90W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:13A; Courant, Icm impulsionnel:26A; Dissipation de puissance, max..:90W; Marquage, CMS:IRGB6B60K; Polarité transistor:Canal N;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 13A; Courant de collecteur DC:13A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:90W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:13A; Courant, Icm impulsionnel:26A; Dissipation de puissance, max..:90W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente:22ns; Temps
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 13A; Courant de collecteur DC:13A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:13A; Courant, Icm impulsionnel:52A; Dissipation de puissance, max..:60W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 13A; Courant de collecteur DC:13A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:13A; Courant, Icm impulsionnel:52A; Dissipation de puissance, max..:60W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 16A; Courant de collecteur DC:16A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.66V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Icm impulsionnel:64A; Dissipation de puissance, max..:60W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente,
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 16A; Courant de collecteur DC:16A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.66V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Icm impulsionnel:64A; Dissipation de puissance, max..:60W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente,
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 17A; Courant de collecteur DC:28A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.2V; Dissipation de puissance Pd:167W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:28A; Courant, Icm impulsionnel:56A; Dissipation de puissance, max..:167W; Marquage, CMS:IRGB8B60K; Polarité transistor:Canal N;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 22A; Courant de collecteur DC:22A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.2V; Dissipation de puissance Pd:104W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:22A; Courant, Icm impulsionnel:44A; Dissipation de puissance, max..:156W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente:32ns;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 23A; Courant de collecteur DC:23A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.52V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:23A; Courant, Icm impulsionnel:92A; Dissipation de puissance, max..:100W; Marquage composant:IRG4BC30UDPbF; Nombre de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 28A; Courant de collecteur DC:28A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.21V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:28A; Courant, Icm impulsionnel:58A; Dissipation de puissance, max..:100W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 31A; Courant de collecteur DC:31A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:31A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance, max..:100W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente,
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 31A; Courant de collecteur DC:31A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.9V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:31A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance, max..:100W; Marquage composant:IRG4BC30FDPBF; Nombre de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 31A; Courant de collecteur DC:31A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:139W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:31A; Courant, Icm impulsionnel:62A; Dissipation de puissance, max..:208W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente:26ns;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 34A; Courant de collecteur DC:34A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:34A; Courant, Icm impulsionnel:68A; Dissipation de puissance, max..:100W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220 600V 78A; Courant de collecteur DC:78A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.35V; Dissipation de puissance Pd:370W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:78A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance, max..:370W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente:40ns;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220; Courant de collecteur DC:31A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.9V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:31A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance, max..:100W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance, max..:160W; Marquage composant:IRG4BC40UPBF; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance, max..:160W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220; Courant de collecteur DC:49A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:49A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance, max..:160W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-220; Courant de collecteur DC:54A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.7V; Dissipation de puissance Pd:167W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:54A; Courant, Icm impulsionnel:96A; Dissipation de puissance, max..:167W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO220FP 600V 12A; Courant de collecteur DC:12A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.2V; Dissipation de puissance Pd:39W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:12A; Courant, Icm impulsionnel:24A; Dissipation de puissance, max..:39W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente:42ns;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO220FP 600V 17A; Courant de collecteur DC:17A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.95V; Dissipation de puissance Pd:45W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:17A; Courant, Icm impulsionnel:92A; Dissipation de puissance, max..:45W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Courant de collecteur DC:11A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.17V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:11A; Courant, Icm impulsionnel:22A; Dissipation de puissance, max..:60W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.1V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Icm impulsionnel:40A; Dissipation de puissance, max..:100W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.1V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Icm impulsionnel:40A; Dissipation de puissance, max..:100W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Courant de collecteur DC:23A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.52V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:23A; Courant, Icm impulsionnel:92A; Dissipation de puissance, max..:100W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Courant de collecteur DC:49A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:49A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance, max..:160W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Courant de collecteur DC:54A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.7V; Dissipation de puissance Pd:167W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:54A; Courant, Icm impulsionnel:96A; Dissipation de puissance, max..:167W; Marquage composant:HGTG12N60A4D; Nombre de transistors:1; Polarité
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Courant de collecteur DC:55A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:55A; Courant, Icm impulsionnel:220A; Dissipation de puissance, max..:200W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Courant de collecteur DC:70A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.79V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:70A; Courant, Icm impulsionnel:280A; Dissipation de puissance, max..:200W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-247; Courant de collecteur DC:70A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.79V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:70A; Courant, Icm impulsionnel:280A; Dissipation de puissance, max..:200W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 23A; Courant de collecteur DC:23A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.52V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:23A; Courant, Icm impulsionnel:92A; Dissipation de puissance, max..:100W; Marquage composant:IRG4PC30UPbF; Nombre de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 40A; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.15V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance, max..:160W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente,
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 40A; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.35V; Dissipation de puissance Pd:215W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:80A; Dissipation de puissance, max..:215W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:5ns;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 40A; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.35V; Dissipation de puissance Pd:220W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:80A; Dissipation de puissance, max..:220W; Marquage composant:IRGP20B60PDPbF; Polarité
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 40A; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance, max..:160W; Marquage composant:IRG4PC40UDPbF; Nombre de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 40A; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance, max..:160W; Marquage composant:IRG4PC40UPbF; Nombre de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 40A; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance, max..:160W; Marquage composant:IRG4PC40WPbF; Nombre de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 40A; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.15V; Dissipation de puissance Pd:308W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance, max..:308W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:6ns;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 49A; Courant de collecteur DC:49A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.85V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:49A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance, max..:160W; Marquage composant:IRG4PC40FDPBF; Nombre de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 52A; Courant de collecteur DC:52A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.84V; Dissipation de puissance Pd:104W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:52A; Courant, Icm impulsionnel:104A; Dissipation de puissance, max..:200W; Marquage composant:IRG4PC50KDPBF; Nombre de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 55A; Courant de collecteur DC:55A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.3V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:55A; Courant, Icm impulsionnel:220A; Dissipation de puissance, max..:200W; Marquage composant:IRG4PC50W; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 55A; Courant de collecteur DC:55A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:55A; Courant, Icm impulsionnel:220A; Dissipation de puissance, max..:200W; Marquage composant:IRG4PC50U; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 55A; Courant de collecteur DC:55A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:55A; Courant, Icm impulsionnel:220A; Dissipation de puissance, max..:200W; Marquage composant:IRG4PC50UD; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 60A; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:60A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance, max..:160W; Marquage composant:IRG4PC40SPbF; Nombre de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 600V 75A; Courant de collecteur DC:75A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.35V; Dissipation de puissance Pd:390W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:75A; Courant, Icm impulsionnel:150A; Dissipation de puissance, max..:390W; Marquage composant:IRGP50B60PD1PbF; Polarité
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 900V 51A; Courant de collecteur DC:51A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.25V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:900V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:51A; Courant, Icm impulsionnel:204A; Dissipation de puissance, max..:200W; Marquage composant:IRG4PF50WDPbF; Nombre de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO247AC 900V 51A; Courant de collecteur DC:51A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.7V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:900V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:51A; Courant, Icm impulsionnel:204A; Dissipation de puissance, max..:200W; Marquage composant:IRG4PF50WPbF; Nombre de
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO-248; Courant de collecteur DC:70A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.7V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:70A; Courant, Icm impulsionnel:280A; Dissipation de puissance, max..:290W; Marquage composant:HGTG20N60A4D; Nombre de transistors:1; Polarité
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO274AA 600V 85A; Courant de collecteur DC:85A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.95V; Dissipation de puissance Pd:350W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-274AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:85A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance, max..:350W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N;
TRANSISTOR IGBT BOITIER TO274AA 600V 85A; Courant de collecteur DC:85A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.3V; Dissipation de puissance Pd:350W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-274AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:85A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance, max..:350W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N;
TRANSISTOR IGBT CANAL N BOITIER TO-224; Courant de collecteur DC:34A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.7V; Dissipation de puissance Pd:125W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:34A; Courant, Icm impulsionnel:56A; Dissipation de puissance, max..:125W; Format de broche:GCE; Nombre de transistors:1; Polarité
TRANSISTOR IGBT CANAL N BOITIER TO-249; Courant de collecteur DC:54A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.7V; Dissipation de puissance Pd:390W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:18A; Courant, Ic max.. permanent a:54A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance, max..:390W; Marquage
TRANSISTOR IGBT CANAL N BOITIER TO-250; Courant de collecteur DC:75A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.6V; Dissipation de puissance Pd:463W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:75A; Courant, Icm impulsionnel:240A; Dissipation de puissance, max..:463W; Format de broche:GCE; Marquage composant:HGTG30N60A4;
TRANSISTOR IGBT CANAL N BOITIER TO-255; Courant de collecteur DC:70A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.7V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:70A; Courant, Icm impulsionnel:280A; Dissipation de puissance, max..:290W; Format de broche:GCE; Marquage composant:HGTG20N60A4;
TRANSISTOR IGBT COPAK TO-220; Courant de collecteur DC:24A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.55V; Dissipation de puissance Pd:140W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:24A; Courant, Icm impulsionnel:48A; Dissipation de puissance, max..:140W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:17ns; Température de
TRANSISTOR IGBT COPAK TO-220; Courant de collecteur DC:48A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:48A; Courant, Icm impulsionnel:96A; Dissipation de puissance, max..:250W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:22ns; Température de
TRANSISTOR IGBT COPAK TO-247; Courant de collecteur DC:48A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.65V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:48A; Courant, Icm impulsionnel:96A; Dissipation de puissance, max..:250W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:22ns; Température de
TRANSISTOR IGBT D2-PAK; Courant de collecteur DC:31A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:17A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance, max..:100W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente, max.:230ns;
TRANSISTOR IGBT ISOI4-PAC; Courant de collecteur DC:44A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.7kV; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS i4-PAC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:Single; Courant, Ic max.. permanent a:26A; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:Canal N; Résistance thermique,
TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Courant de collecteur DC:16A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):5V; Dissipation de puissance Pd:120W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.7kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:Copack (FRD); Courant, Ic max.. permanent a:16A; Dissipation de puissance, max..:120W; Polarité transistor:Canal N; Résistance thermique,
TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Courant de collecteur DC:26A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.7kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:Copack (FRD); Courant, Ic max.. permanent a:38A; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:Canal N; Résistance thermique,
TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:Single; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:Canal N; Résistance thermique,
TRANSISTOR IGBT ISOPLUS247; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:Copack (FRD); Courant, Ic max.. permanent a:50A; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:Canal N; Résistance thermique,
TRANSISTOR IGBT N 10A 600V TO-220; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:110W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Dissipation de puissance, max..:110W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température
TRANSISTOR IGBT N 1200V 3A TO-220FP; Courant de collecteur DC:6A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.8V; Dissipation de puissance Pd:25W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:10A; Dissipation de puissance, max..:25W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:3.5ns; Température
TRANSISTOR IGBT N 15A 600V TO-220; Courant de collecteur DC:30A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:130W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Dissipation de puissance, max..:130W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température
TRANSISTOR IGBT N 20A 600V TO-220; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:166W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Ic max.. permanent b:20A; Courant, Icm impulsionnel:60A; Dissipation de puissance, max..:166W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N;
TRANSISTOR IGBT N 25A 1200V TO-247; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.2V; Dissipation de puissance Pd:190W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Dissipation de puissance, max..:190W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température
TRANSISTOR IGBT N 30A 600V TO-247; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.05V; Dissipation de puissance Pd:187W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Dissipation de puissance, max..:187W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température
TRANSISTOR IGBT N 3-TO-247; Courant de collecteur DC:24A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:104W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:24A; Dissipation de puissance, max..:104W; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR IGBT N 40A 1200V TO-247; Courant de collecteur DC:75A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.3V; Dissipation de puissance Pd:270W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:40A; Dissipation de puissance, max..:270W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température
TRANSISTOR IGBT N 50A 600V TO-247; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:333W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Dissipation de puissance, max..:333W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR IGBT N 600V 10A D²PAK; Courant de collecteur DC:10A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:65W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Icm impulsionnel:40A; Dissipation de puissance, max..:65W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:5ns;
TRANSISTOR IGBT N 600V 19A TO-220; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:130W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:19A; Courant, Icm impulsionnel:40A; Dissipation de puissance, max..:130W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:7ns; Température de
TRANSISTOR IGBT N 600V 19A TO-247; Courant de collecteur DC:42A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:22A; Courant, Icm impulsionnel:35A; Dissipation de puissance, max..:125W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:7ns; Température de
TRANSISTOR IGBT N 600V 50A ISOTOP; Courant de collecteur DC:100A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:260W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Icm impulsionnel:250A; Dissipation de puissance, max..:260W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:17ns; Température
TRANSISTOR IGBT N 600V 50A ISOTOP; Courant de collecteur DC:90A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:260W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance, max..:260W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:17ns; Température
TRANSISTOR IGBT N 600V 9A TO-220FP; Courant de collecteur DC:16A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:35W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:9A; Courant, Icm impulsionnel:40A; Dissipation de puissance, max..:32W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:7ns; Température de
TRANSISTOR IGBT N 600V TO-247; Courant de collecteur DC:70A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:290W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:70A; Dissipation de puissance, max..:290W; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR IGBT N 72A 1200V TO-247; Courant de collecteur DC:72A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.7V; Dissipation de puissance Pd:500W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:72A; Dissipation de puissance, max..:500W; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR IGBT N 75A 600V TO-247; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Dissipation de puissance Pd:428W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:75A; Dissipation de puissance, max..:428W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR IGBT N 8A 1200V TO-247; Courant de collecteur DC:16A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.2V; Dissipation de puissance Pd:70W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Dissipation de puissance, max..:70W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-40°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR IGBT N TO-220AB 600V 16A; Courant de collecteur DC:16A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.27V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:16A; Dissipation de puissance, max..:60W; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR IGBT N; Courant de collecteur DC:43A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:298W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:43A; Dissipation de puissance, max..:298W; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR IGBT N; Courant de collecteur DC:8.5A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):600V; Dissipation de puissance Pd:38W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:8.5A; Dissipation de puissance, max..:38W; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR IGBT NPT TO-264; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.9V; Dissipation de puissance Pd:180W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1kV; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:60A; Courant, Ic max.. permanent a:60A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance, max..:180W; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT NPT TO-264; Courant de collecteur DC:64A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.2V; Dissipation de puissance Pd:500W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:64A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance, max..:500W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:20ns; Température de
TRANSISTOR IGBT NPT TO-3P; Courant de collecteur DC:50A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:312W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:25A; Courant, Icm impulsionnel:75A; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:50ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR IGBT RAPIDE; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.4V; Dissipation de puissance Pd:179W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant Ic à Vce sat:20A; Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:80A; Dissipation de puissance, max..:179W; Format de broche:1G, 2C, 3E; Marquage composant:SKW20N60; Nombre de
TRANSISTOR IGBT SOT-227; Courant de collecteur DC:200A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.2V; Dissipation de puissance Pd:600W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150A; Courant, Icm impulsionnel:400A; Dissipation de puissance, max..:600W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:112ns; Température de
TRANSISTOR IGBT TO-220; Courant de collecteur DC:15A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:56W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Icm impulsionnel:21A; Dissipation de puissance, max..:56W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:5ns; Température de
TRANSISTOR IGBT TO-220; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:60W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:9A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance, max..:60W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:6ns; Température de
TRANSISTOR IGBT TO-220; Courant de collecteur DC:25A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:80W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:11A; Courant, Icm impulsionnel:50A; Dissipation de puissance, max..:80W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:8.5ns; Température de
TRANSISTOR IGBT TO-220FP; Courant de collecteur DC:11A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:28W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:11A; Courant, Icm impulsionnel:50A; Dissipation de puissance, max..:28W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:8.5ns; Température de
TRANSISTOR IGBT TO-220FP; Courant de collecteur DC:15A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.6V; Dissipation de puissance Pd:25W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Icm impulsionnel:20A; Dissipation de puissance, max..:25W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:250ns; Température de
TRANSISTOR IGBT TO-220FP; Courant de collecteur DC:19A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.2V; Dissipation de puissance Pd:52W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:19A; Courant, Icm impulsionnel:38A; Dissipation de puissance, max..:52W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:35ns; Température de
TRANSISTOR IGBT TO-220FP; Courant de collecteur DC:20A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:25W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Icm impulsionnel:100A; Dissipation de puissance, max..:25W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:460ns; Température de
TRANSISTOR IGBT TO-220FP; Courant de collecteur DC:6A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:20W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Icm impulsionnel:21A; Dissipation de puissance, max..:20W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:5ns; Température de
TRANSISTOR IGBT TO-220FP; Courant de collecteur DC:9A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:25W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:9A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance, max..:25W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:6ns; Température de
TRANSISTOR IGBT TO-220FP; Courant de collecteur DC:9A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:25W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:9A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Dissipation de puissance, max..:24W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:6ns; Température de
TRANSISTOR IGBT TO-247; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.8V; Dissipation de puissance Pd:165W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:With flywheel diode; Courant, Ic max.. permanent a:40A; Courant, Icm impulsionnel:160A; Dissipation de puissance, max..:165W; Marquage
TRANSISTOR IGBT TO-247; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:60A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:12ns; Température de
TRANSISTOR IGBT TO-247; Courant de collecteur DC:70A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.7V; Dissipation de puissance Pd:200W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:70A; Courant, Icm impulsionnel:250A; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:70ns; Température de
TRANSISTOR IGBT TO-247; Courant de collecteur DC:80A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:70A; Courant, Icm impulsionnel:220A; Dissipation de puissance, max..:250W; Polarité transistor:Canal N; Temps de montée:13ns; Température de
TRANSISTOR IGBT TO-247AC; Courant de collecteur DC:40A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.2V; Dissipation de puissance Pd:300W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Icm impulsionnel:120A; Dissipation de puissance, max..:300W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT TO-247AC; Courant de collecteur DC:42A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.6V; Dissipation de puissance Pd:160W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:42A; Courant, Ic moy.:42A; Courant, Icm impulsionnel:84A; Dissipation de puissance, max..:160W; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT TO-274AA; Courant de collecteur DC:99A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.7V; Dissipation de puissance Pd:350W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-274AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50A; Courant, Icm impulsionnel:200A; Dissipation de puissance, max..:350W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Temps de
TRANSISTOR IGBT; Courant de collecteur DC:60A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.45V; Dissipation de puissance Pd:208W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:60A; Dissipation de puissance, max..:208W; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR IGBT+DIODE 1200V 105A; Courant de collecteur DC:105A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.75V; Dissipation de puissance Pd:595W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:1.2kV; Type de boîtier de transistor:TO-274AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:105A; Courant, Icm impulsionnel:240A; Dissipation de puissance, max..:595W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente, max.:58ns;
TRANSISTOR IGBT+DIODE 1200V 60A TO247AC; Courant de collecteur DC:28A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.7V; Dissipation de puissance Pd:100W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:28A; Courant, Icm impulsionnel:58A; Dissipation de puissance, max..:100W; Polarité transistor:Canal N; Temps de descente,
TRANSISTOR JFET 30V -20MA SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-1.5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-20mA; Tension, Vgs off max..:2.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:225mW; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR JFET 30V -60MA TO-92-3; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-7mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-60mA; Tension, Vgs off max..:6V; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR JFET 30V -60MA TO-92-3; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-7mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-60mA; Tension, Vgs off max..:6V; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR JFET -40V 1MA SOT-23-3; Tension, claquage Vbr:-40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:200µA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:1mA; Tension, Vgs off max..:-1.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR JFET CANAL N 20V SOT-23; Tension Vds max..:20V; Courant de drain Id:7mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:-; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:7mA; Courant, Idss min.:2.5mA; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension Zéro Gate
TRANSISTOR JFET CANAL N 20V SOT-23; Tension Vds max..:30V; Courant de drain Id:13mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:-; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:25mA; Courant, Idss min.:12mA; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:12mA à 25mA; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR JFET CANAL N 20V SOT-23; Tension Vds max..:30V; Courant de drain Id:13mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:-; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:25mA; Courant, Idss min.:12mA; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:12mA à 25mA; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR JFET CANAL N BOITIER TO-92; Tension, claquage Vbr:-35V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:2mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:-3V; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:SW; Configuration du Brochage:m; Courant, Idss max..:2mA; Courant, Idss min.:2mA; Courant, Ig:50mA; Dissipation de
TRANSISTOR JFET CANAL N BOITIER TO-92; Tension, claquage Vbr:-35V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:5V; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:SW; Configuration du Brochage:m; Courant, Idss max..:5mA; Courant, Idss min.:5mA; Courant, Ig:50mA; Dissipation de
TRANSISTOR JFET DOUBLE P; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-20mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-135mA; Tension, Vgs off max..:10V; Type de boîtier de transistor:TO-236; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:135mA; Courant, Idss min.:20mA; Dissipation de puissance Pd:350mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:-20mA à
TRANSISTOR JFET DOUBLE P; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-20mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-135mA; Tension, Vgs off max..:10V; Type de boîtier de transistor:TO-236; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:135mA; Courant, Idss min.:20mA; Dissipation de puissance Pd:350mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:-20mA à
TRANSISTOR JFET N 25V SOT-23 0.005A; Tension, claquage Vbr:-; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:1mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:5mA; Tension, Vgs off max..:-2.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:250mW; Polarité transistor:Canal N; Tension Vds max..:25V; Type de packaging:Bande découpée; Type de terminaison:CMS
TRANSISTOR JFET N 25V SOT-23 0.005A; Tension, claquage Vbr:-; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:1mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:5mA; Tension, Vgs off max..:-2.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:250mW; Polarité transistor:Canal N; Tension Vds max..:25V; Type de packaging:Bande découpée; Type de terminaison:CMS
TRANSISTOR JFET N 25V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:12mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:30mA; Tension, Vgs off max..:-4V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss max..:5pF; Courant, Idss max..:30mA; Courant, Idss min.:12mA; Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte logique
TRANSISTOR JFET N 25V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:12mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:30mA; Tension, Vgs off max..:-4V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss max..:5pF; Courant, Idss max..:30mA; Courant, Idss min.:12mA; Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte logique
TRANSISTOR JFET N 25V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:24mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:60mA; Tension, Vgs off max..:-6.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss max..:5pF; Courant, Idss max..:60mA; Courant, Idss min.:24mA; Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte
TRANSISTOR JFET N 25V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:24mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:60mA; Tension, Vgs off max..:-6.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss max..:5pF; Courant, Idss max..:60mA; Courant, Idss min.:24mA; Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte
TRANSISTOR JFET N 25V SOT-23; Tension, claquage Vbr:25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:24mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:60mA; Tension, Vgs off max..:6V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss max..:5pF; Courant, Idss max..:60mA; Courant, Idss min.:24mA; Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte logique
TRANSISTOR JFET N 25V SOT-23; Tension, claquage Vbr:25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:24mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:60mA; Tension, Vgs off max..:6V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss max..:5pF; Courant, Idss max..:60mA; Courant, Idss min.:24mA; Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte logique
TRANSISTOR JFET N 30V SOT-23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:25mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:75mA; Tension, Vgs off max..:-5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss max..:14pF; Courant, Idss max..:150mA; Courant, Idss min.:50mA; Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte logique
TRANSISTOR JFET N 30V SOT-23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:25mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:75mA; Tension, Vgs off max..:-5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss max..:14pF; Courant, Idss max..:150mA; Courant, Idss min.:50mA; Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte logique
TRANSISTOR JFET N 30V SOT-23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:30mA; Tension, Vgs off max..:-3V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss max..:14pF; Courant, Idss max..:150mA; Courant, Idss min.:50mA; Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte logique
TRANSISTOR JFET N 30V SOT-23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:30mA; Tension, Vgs off max..:-3V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss max..:14pF; Courant, Idss max..:150mA; Courant, Idss min.:50mA; Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte logique
TRANSISTOR JFET N CMS 3-SOT-23; Tension, claquage Vbr:40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:8mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:80mA; Tension, Vgs off max..:4V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:80mA; Courant, Idss min.:8mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:8mA à 80mA;
TRANSISTOR JFET N CMS 3-SOT-23; Tension, claquage Vbr:40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:8mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:80mA; Tension, Vgs off max..:4V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:80mA; Courant, Idss min.:8mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:8mA à 80mA;
TRANSISTOR JFET N CMS SOT-323; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:50mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:150mA; Tension, Vgs off max..:10V; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:150mA; Courant, Idss min.:50mA; Dissipation de puissance Pd:350mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:50mA à
TRANSISTOR JFET N RF SOT23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:6mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:15mA; Tension, Vgs off max..:7.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:S(1), D(2), G(3); Courant, Idss max..:15mA; Courant, Idss min.:6mA; Courant, Ig:10mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Gamme de
TRANSISTOR JFET N RF SOT23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:6mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:15mA; Tension, Vgs off max..:7.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:S(1), D(2), G(3); Courant, Idss max..:15mA; Courant, Idss min.:6mA; Courant, Ig:10mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Gamme de
TRANSISTOR JFET N RF SOT23; Tension, claquage Vbr:40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:3V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:D(1),S(2),G(3); Courant, Idss min.:5mA; Courant, Ig:50mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Polarité transistor:Canal N; Puissance,
TRANSISTOR JFET N RF SOT23; Tension, claquage Vbr:40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:3V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:D(1),S(2),G(3); Courant, Idss min.:5mA; Courant, Ig:50mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Polarité transistor:Canal N; Puissance,
TRANSISTOR JFET N SOT-23; Tension, claquage Vbr:-; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:200µA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:1.5mA; Tension, Vgs off max..:2V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GPA; Courant, Idss max..:60mA; Courant, Idss min.:1mA; Courant, Ig:5mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Gamme de courant porte logique zéro
TRANSISTOR JFET N SOT-23; Tension, claquage Vbr:-; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:200µA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:1.5mA; Tension, Vgs off max..:2V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GPA; Courant, Idss max..:60mA; Courant, Idss min.:1mA; Courant, Ig:5mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Gamme de courant porte logique zéro
TRANSISTOR JFET N SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:24mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:60mA; Tension, Vgs off max..:-6.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:60mA; Courant, Idss min.:12mA; Courant, Ig:50mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:24mA à
TRANSISTOR JFET N SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:24mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:60mA; Tension, Vgs off max..:-6.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:60mA; Courant, Idss min.:12mA; Courant, Ig:50mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:24mA à
TRANSISTOR JFET N SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:24mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:60mA; Tension, Vgs off max..:-6.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:HFA; Courant, Idss max..:60mA; Courant, Idss min.:24mA; Dissipation de puissance Pd:350mW; Gamme de courant porte logique zéro
TRANSISTOR JFET N SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:24mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:60mA; Tension, Vgs off max..:-6.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:HFA; Courant, Idss max..:60mA; Courant, Idss min.:24mA; Dissipation de puissance Pd:350mW; Gamme de courant porte logique zéro
TRANSISTOR JFET N TO-92; Tension Vds max..:35V; Courant de drain Id:-; Dissipation de puissance Pd:625mW; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:-; Boîtier de transistor RF:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss min.:20mA; Courant, Ig:50mA; Marquage composant:J111; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR JFET N TO-92; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:40mA; Tension, Vgs off max..:6V; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss min.:40mA; Dissipation de puissance Pd:625mW; Polarité transistor:Canal N; Puissance, Ptot:625mW; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR JFET N TO-92; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:500mA; Tension, Vgs off max..:10V; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss min.:500mA; Dissipation de puissance Pd:625mW; Polarité transistor:Canal N; Puissance, Ptot:625mW; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR JFET N TO-92; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:100mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:4.5V; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:100mA; Courant, Idss min.:100mA; Dissipation de puissance Pd:625mW; Polarité transistor:Canal N; Puissance, Ptot:625mW;
TRANSISTOR JFET NAN 20V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-20V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:10mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:25mA; Tension, Vgs off max..:-1.2V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:25mA; Courant, Idss min.:10mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:10mA à 25mA; Polarité
TRANSISTOR JFET NAN 20V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-20V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:10mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:25mA; Tension, Vgs off max..:-1.2V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:25mA; Courant, Idss min.:10mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:10mA à 25mA; Polarité
TRANSISTOR JFET NAN 25V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:40mA; Tension, Vgs off max..:-2V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:-; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss min.:40mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR JFET NAN 25V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:40mA; Tension, Vgs off max..:-2V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:-; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss min.:40mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR JFET NAN 25V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:80mA; Tension, Vgs off max..:-3V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:-; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss min.:80mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR JFET NAN 25V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:80mA; Tension, Vgs off max..:-3V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:-; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss min.:80mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR JFET NAN 25V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:10mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:-500mV; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:-; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss min.:10mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR JFET NAN 25V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:10mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:-500mV; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:-; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss min.:10mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR JFET NAN 25V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:6mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:15mA; Tension, Vgs off max..:-1.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:15mA; Courant, Idss min.:6mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:6mA à 15mA; Polarité
TRANSISTOR JFET NAN 25V SOT-23; Tension, claquage Vbr:-25V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:6mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:15mA; Tension, Vgs off max..:-1.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:15mA; Courant, Idss min.:6mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:6mA à 15mA; Polarité
TRANSISTOR JFET P 30V SOT-23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-1.5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-20mA; Tension, Vgs off max..:2.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss max..:11pF; Courant, Idss max..:20mA; Courant, Idss min.:1.5mA; Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte
TRANSISTOR JFET P 30V SOT-23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-1.5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-20mA; Tension, Vgs off max..:2.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss max..:11pF; Courant, Idss max..:20mA; Courant, Idss min.:1.5mA; Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte
TRANSISTOR JFET P 30V SOT-23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:20mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:135mA; Tension, Vgs off max..:10V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:135mA; Courant, Idss min.:20mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:20mA à 135mA; Polarité
TRANSISTOR JFET P 30V SOT-23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:20mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:135mA; Tension, Vgs off max..:10V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:135mA; Courant, Idss min.:20mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:20mA à 135mA; Polarité
TRANSISTOR JFET P 30V SOT-23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:2mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:35mA; Tension, Vgs off max..:4V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:35mA; Courant, Idss min.:2mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:2mA à 35mA; Polarité
TRANSISTOR JFET P 30V SOT-23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:2mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:35mA; Tension, Vgs off max..:4V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:35mA; Courant, Idss min.:2mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:2mA à 35mA; Polarité
TRANSISTOR JFET P CMS SOT-23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-1.5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-20mA; Tension, Vgs off max..:2.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:20mA; Courant, Idss min.:1.5mA; Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:-1.5mA
TRANSISTOR JFET P CMS SOT-23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-1.5mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-20mA; Tension, Vgs off max..:2.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss max..:20mA; Courant, Idss min.:1.5mA; Dissipation de puissance Pd:225mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:-1.5mA
TRANSISTOR JFET; Tension, claquage Vbr:35V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:20mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:-; Tension, Vgs off max..:10V; Type de boîtier de transistor:TO-92; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idss min.:20mA; Courant, Ig:50mA; Dissipation de puissance Pd:625mW; Format de broche:m; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N;
TRANSISTOR MOFSFET P D-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:10.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:4.3W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-10.4A; Courant, Idm impul.:37.5A; Dissipation de puissance PD pour CI 50mm²:4.3W; Largeur (externe):6.8mm;
TRANSISTOR MOFSFET P D-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:10.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:4.3W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-10.4A; Courant, Idm impul.:37.5A; Dissipation de puissance PD pour CI 50mm²:4.3W; Largeur (externe):6.8mm;
TRANSISTOR MOFSFET P D-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:9.9A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:9.5W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-9.9A; Courant, Idm impul.:35A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR MOFSFET P D-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:9.9A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:9.5W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-9.9A; Courant, Idm impul.:35A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR MOFSFET P SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.7A; Tension Vds max..:70V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:SWLR; Courant, Id max..:-3.7A; Courant, Idm impul.:9.6A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm;
TRANSISTOR MOFSFET P SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.7A; Tension Vds max..:70V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:SWLR; Courant, Id max..:-3.7A; Courant, Idm impul.:9.6A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm;
TRANSISTOR MOFSFET SMART SWITCHSOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.3A; Largeur (externe):6.5mm; Limite en courant:1.8A; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de
TRANSISTOR MOFSFET SMART SWITCHSOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.3A; Largeur (externe):6.5mm; Limite en courant:1.8A; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de
TRANSISTOR MOFSFET SMART SWITCHSOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.6A; Largeur (externe):6.5mm; Limite en courant:3A; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de
TRANSISTOR MOFSFET SMART SWITCHSOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.6A; Largeur (externe):6.5mm; Limite en courant:3A; Longueur/hauteur:1.6mm; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET 100V 290A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:290A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):2mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:520W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:1120A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V;
TRANSISTOR MOSFET 150V 171A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:171A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.0048ohm; Tension, mesure Rds:30V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:517W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:171A; Courant, Idm impul.:684A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET 200V 130A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:130A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:30V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:520W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:130A; Courant, Idm impul.:520A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET 30V 2.5A N TSMT6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET 30V 2.5A N TSMT6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET 40V 350A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:350A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.00135ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:380W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:350A; Courant, Idm impul.:1390A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET 75V 350A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:350A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.00146ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:520W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:350A; Courant, Idm impul.:1280A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET BOITIER SM8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1.8A; Courant de drain continu Id, Canal P:1.5A; Courant,
TRANSISTOR MOSFET BOITIER SM8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1.8A; Courant de drain continu Id, Canal P:1.5A; Courant,
TRANSISTOR MOSFET BOITIER TO-3; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:8A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:32A; Dissipation de puissance:125W; Entraxe de fixation:30mm; Nombre de transistors:1; Pas:11mm; Puissance Pd:125W; Température, courant:25°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):82mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:31A; Courant, Idm impul.:124A; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.69mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1780pF; Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:160A; Energie dissipée, avalanche non
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1780pF; Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:160A; Energie dissipée, avalanche non
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:2000pF; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:240A; Energie
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:2000pF; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:240A; Energie
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER DIL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:1.3A; Courant, Idm impul.:10.4A; Marquage composant:IRFD120PBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER DIL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.3A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:800mA; Courant, Idm impul.:6.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min.:-55°C; Température,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER DIL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:1.7A; Courant, Idm impul.:14A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, Tj
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER DIL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:19A; Marquage composant:IRFD020PBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER DIL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:19A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, Tj
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER DIL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:600mA; Courant, Idm impul.:4.8A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:48A; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:48A; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:52A; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:52A; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):3.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:9.6A; Style de boîtier alternatif:I-PAK; Temps de descente:14ns; Temps de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:25A; Courant, Idm impul.:100A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:25A; Courant, Idm impul.:100A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:65A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:65A; Courant, Idm impul.:260A; Marquage, CMS:IRLR7821; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER E-LINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Courant, Idm impul.:2A; Marquage composant:ZVN3310A; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER E-LINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:270mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:270mA; Courant, Idm impul.:3A; Marquage composant:ZVN3306A; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER E-LINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:270mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:270mA; Courant, Idm impul.:3A; Marquage composant:BS170P; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER E-LINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:270mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:3A; Marquage composant:VN10LP; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER E-LINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:320mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:320mA; Courant, Idm impul.:6A; Marquage composant:ZVN2110A; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER E-LINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:450mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:8A; Marquage composant:ZVN2106A; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER E-LINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90mA; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):50ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:90mA; Courant, Idm impul.:600mA; Marquage composant:ZVN0545A; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER MAX247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:560W; Type de boîtier de transistor:MAX-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:240A; Nombre de transistors:1; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:50mohm; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:85A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:F7470;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.007ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant, Id max..:13.3A; Courant, Idm impul.:100A; Format de broche:1 S; 2 S; 3 S; 4 G;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:42nC; Courant, Id max..:3.2A; Courant, Idm impul.:40A; Largeur (externe):6.2mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:42nC; Courant, Id max..:3.2A; Courant, Idm impul.:40A; Largeur (externe):6.2mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:36A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):39mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.4A; Courant, Idm impul.:43A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:F7490;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:44nC; Courant, Idm impul.:40A; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Marquage
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.021ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:44nC; Courant, Idm impul.:40A; Largeur (externe):6.2mm; Longueur/hauteur:1.2mm; Marquage
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.9A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.9A; Courant, Idm impul.:55A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:2.7V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D; Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:24A; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:2.7V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D; Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:24A; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8.3A; Courant, Idm impul.:66A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.9A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:30.6A; Marquage, CMS:ZXMN6A09; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.9A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:30.6A; Marquage, CMS:ZXMN6A09; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:22A; Marquage, CMS:ZXMN 4A06; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:3.9W;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:22A; Marquage, CMS:ZXMN 4A06; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:3.9W;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:806mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.2A; Courant, Idm impul.:8A; Marquage, CMS:7N2; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:806mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.2A; Courant, Idm impul.:8A; Marquage, CMS:7N2; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1390pF; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:40A; Energie dissipée,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1370pF; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:36A; Energie dissipée,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:120A; Courant, Idm impul.:480A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:52A; Marquage, CMS:STP13NK60Z; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):3.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:9.6A; Marquage, CMS:STP3NK60Z; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):290mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:192W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:80A; Marquage, CMS:STP20NM60FD; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:26A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:85W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:870pF; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:26A; Courant, Idm impul.:104A; Energie dissipée, avalanche
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:26A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:38A; Courant, Idm impul.:152A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1180pF; Courant, Id max..:35A; Courant, Idm impul.:140A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:275mJ;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.22ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:20nC; Courant, Id max..:4.4A; Courant, Idm impul.:17.6A; Différentiel de tension dv/dt:4.5V/µs; Marquage
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1550pF; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:40A; Courant, Idm impul.:160A; Energie dissipée, avalanche
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:41A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):36mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:160A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:48A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.9V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:48A; Courant, Idm impul.:144A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.2A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1138pF; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:5.2A; Courant, Idm impul.:20.8A; Energie dissipée,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.4A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:535pF; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:5.4A; Courant, Idm impul.:21.6A; Energie dissipée,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:2180pF; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:200A; Energie dissipée,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.2A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.72ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:32nC; Courant, Id max..:7.2A; Courant, Idm impul.:28.8A; Différentiel de tension dv/dt:4.5V/µs; Marquage
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:5500pF; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Energie dissipée,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Idm impul.:38A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage composant:IRF520N; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:540pF; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Format de broche:1G, (2+Tab)D,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:670pF; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Energie dissipée, avalanche
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:930pF; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Energie dissipée, avalanche
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-80A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-80A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):900mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:500W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:83nC; Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:56A; Différentiel de tension dv/dt:20V/ns; Energie avalanche
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:214W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:80A; Nombre de transistors:1; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:250mohm; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):420mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:360W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:150nC; Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:80A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Energie
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):230mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:135nC; Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Energie
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:26A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:95nC; Courant, Id max..:26A; Courant, Idm impul.:104A; Différentiel de tension dv/dt:5V/µs; Energie
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:26A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:360W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:150nC; Courant, Id max..:26A; Courant, Idm impul.:104A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Energie
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:360W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:227nC; Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:120A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Energie
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:52A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:360W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:150nC; Courant, Id max..:52A; Courant, Idm impul.:205A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Energie
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.2A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.2A; Courant, Idm impul.:24.8A; Nombre de transistors:1; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:1.5ohm; Style de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:735W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:186nC; Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:120A; Différentiel de tension dv/dt:20V/ns; Energie
TRANSISTOR MOSFET CANAL N BOITIER TO-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Iar:4.5A; Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:18A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:1.1mJ; Entraxe de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 10A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:35A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Marquage, CMS:L520NS;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 17A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 17A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Marquage, CMS:L530NS;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 33A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:33A; Courant, Idm impul.:110A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 36A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):26.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:92W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:140A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.64°C/W; Résistance, Rds
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 36A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):44mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:120A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 42A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):36mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:140A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 57A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:57A; Courant, Idm impul.:180A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.7W; Largeur
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 100V 80A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:260W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.57°C/W; Résistance, Rds on
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 100V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:73A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:73A; Courant, Idm impul.:290A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.77°C/W; Résistance, Rds
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 150V 21A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):82mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:84W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:84A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 150V 43A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:43A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):42mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:43A; Courant, Idm impul.:150A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 200V 17A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Capacité, Ciss typ:1800pF; Charge, porte, canal N:66nC; Courant Iar:10A; Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Courant, Idss max..:25µA; Dissipation
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 200V 18A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Marquage, CMS:IRF640NS; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 200V 24A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 200V 9A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:300mohm; Style de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 30V 140A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:140A; Courant, Idm impul.:470A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.7W; Largeur
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 30V 200A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:260A; Courant, Idm impul.:1040A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Résistance, Rds
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 30V 59A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:59A; Courant, Idm impul.:230A; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.65°C/W; Résistance, Rds
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 30V 62A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:62A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):12.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:87W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:62A; Courant, Idm impul.:248A; Marquage, CMS:IRF3707S; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 30V 64A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:64A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.7W; Largeur
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 400V 10A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:40A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:550mohm; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 40V 110A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:130A; Courant, Idm impul.:450A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:200W; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 40V 162A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:162A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:162A; Courant, Idm impul.:650A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Résistance, Rds on
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 40V 170A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:170A; Courant, Idm impul.:850A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Résistance, Rds
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 500V 11A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:44A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.1W; Marquage, CMS:11N50; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 500V 8A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:32A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.1W; Marquage, CMS:IRF840AS; Nombre de transistors:1; Résistance
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 55V 104A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:104A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:104A; Courant, Idm impul.:360A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Résistance
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 55V 110A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:98A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:110A; Courant, Idm impul.:390A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.7W; Largeur
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2PAK 55V 135A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:135A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):4.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:135A; Courant, Idm impul.:700A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Résistance, Rds
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 55V 29A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:29A; Courant, Idm impul.:100A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Marquage, CMS:FZ34NS;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 55V 47A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:47A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Marquage, CMS:LZ44NS;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 55V 49A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:49A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0175ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:49A; Courant, Idm impul.:160A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Résistance
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 55V 51A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:51A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):13.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:51A; Courant, Idm impul.:204A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.87°C/W; Résistance, Rds on
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 55V 51A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:51A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):13.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:51A; Courant, Idm impul.:200A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.87°C/W; Résistance, Rds on
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 55V 86A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:86A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:340A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.14°C/W; Résistance, Rds on @
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 55V 89A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:89A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:3600pF; Charge, porte, canal N:98nC; Courant Iar:46A; Courant, Id max..:89A; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 60V 72A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:72A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:72A; Courant, Idm impul.:290A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:150W; Marquage, CMS:FZ48VS;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 60V 84A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:84A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:340A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.11°C/W; Résistance, Rds on
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 75V 82A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:82A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:82A; Courant, Idm impul.:280A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK 75V 89A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:89A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):9.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:350A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9°C/W; Résistance, Rds on
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:59A; Courant, Idm impul.:236A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Largeur (externe):10.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 100V 15A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.115ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Courant, Idm impul.:60A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 100V 15A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):105mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:60A; Marquage, CMS:IRLR3410; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 100V 31A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):39mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:31A; Courant, Idm impul.:125A; Marquage, CMS:IRFR3410; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 100V 4.3A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:4.3A; Courant, Idm impul.:17A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR110; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 100V 4.3A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:4.3A; Courant, Idm impul.:17A; Résistance thermique, jonction-carcasse:5°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:540mohm; Style de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 100V 9.1A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.1A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):210mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:39W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9.4A; Courant, Idm impul.:38A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 12V 84A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:84A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:88W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:84A; Courant, Idm impul.:320A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7°C/W; Résistance, Rds on
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 150V 14A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:86W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:56A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.75°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:180ohm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 150V 24A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):95mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.1°C/W; Résistance, Rds on @
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 200V 14A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):235mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:52A; Marquage, CMS:IRFR13N20D; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 200V 17A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):165mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.04°C/W; Résistance, Rds
TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 200V 2.6A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:2.6A; Courant, Idm impul.:10A; Marquage, CMS:IRFR210; Résistance thermique, jonction-carcasse:5°C/W; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 200V 4.8A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:4.8A; Courant, Idm impul.:19A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR220; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 200V 5A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:IRFR220N; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.5°C/W;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 200V 9.4A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.4A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):380mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:86W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9.4A; Courant, Idm impul.:38A; Marquage, CMS:IRFR9N20D; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 20V 75A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:88W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:280A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7°C/W; Résistance, Rds on @
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 30V 22A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:23A; Courant, Idm impul.:96A; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.3°C/W; Résistance, Rds on @
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 30V 61A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:61A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0085ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:87W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:61A; Courant, Idm impul.:244A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.73°C/W; Résistance, Rds on
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 30V 89A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:91A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0069ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:89A; Courant, Idm impul.:363A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.4°C/W; Résistance, Rds on
TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 400V 1.7A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):3.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:1.7A; Courant, Idm impul.:6A; Marquage, CMS:IRFR310; Résistance thermique, jonction-carcasse:5°C/W; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 400V 3.1A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):1.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:3.1A; Courant, Idm impul.:12A; Marquage, CMS:IRFR320; Résistance thermique, jonction-carcasse:3°C/W; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N DPAK 500V 2.4A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:8A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR420; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 55V 16A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 55V 25A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):37mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:25A; Courant, Idm impul.:100A; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.65°C/W; Résistance, Rds on @
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 55V 25A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:46W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:27A; Courant, Idm impul.:100A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 55V 36A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):27mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:160A; Marquage, CMS:IRLR2905; Nombre de transistors:1; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 55V 37A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.027ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:150A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 55V 56A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:56A; Courant, Idm impul.:220A; Marquage, CMS:IRFR2405; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 55V 61A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:61A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:240A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.3°C/W; Résistance, Rds on @
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 55V 71A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:71A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:71A; Courant, Idm impul.:280A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.09°C/W; Résistance, Rds on @
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 600V 2A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):4.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:8A; Marquage, CMS:IRFRC20; Résistance thermique, jonction-carcasse:3°C/W; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 60V 7.7A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:7.7A; Courant, Idm impul.:31A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR014; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 60V 7.7A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:7.7A; Courant, Idm impul.:31A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR014; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 75V 42A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:170A; Marquage, CMS:IRFR2407; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 80V 38A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:38A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):29mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:150A; Marquage, CMS:IRFR3518; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N D-PAK 80V 39A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:39A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:150A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.3°C/W; Résistance, Rds on
TRANSISTOR MOSFET CANAL N FETKY SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:33A; Courant, Idm impul.:46A; Courant, If moy.:4A; Courant, Ifs max.:15A; Largeur (externe):4.05mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N FULLPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:60A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, Tj
TRANSISTOR MOSFET CANAL N FULLPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:9.8A; Courant, Idm impul.:39A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj
TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 100V 11A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):185mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:35A; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.2°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 100V 15A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):105mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:60A; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.4°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 100V 31A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):39mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:31A; Courant, Idm impul.:125A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.4°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 100V 32A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):44mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:32A; Courant, Idm impul.:110A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.2°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N IPAK 100V 7.7A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:7.7A; Courant, Idm impul.:31A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:270ohm; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N IPAK 100V 9.1A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):210mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9.4A; Courant, Idm impul.:38A; Marquage, CMS:IRFU120N; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.2°C/W; Style
TRANSISTOR MOSFET CANAL N IPAK 200V 4.8A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:4.8A; Courant, Idm impul.:19A; Résistance thermique, jonction-carcasse:3°C/W; Style de boîtier alternatif:I-PAK; Temps de descente:13ns;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 200V 5A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Courant, Idm impul.:20A; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.5°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 30V 22A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:23A; Courant, Idm impul.:96A; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.3°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 30V 46A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):19mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:107W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:220A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.8°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N IPAK 400V 1.7A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):3.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:1.7A; Courant, Idm impul.:6A; Résistance thermique, jonction-carcasse:5°C/W; Style de boîtier alternatif:I-PAK; Temps de descente:11ns;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 55V 16A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Marquage, CMS:IRFU024N; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.3°C/W; Style de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 55V 17A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:46W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:72A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.3°C/W; Résistance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 55V 61A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:240A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.3°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:14mohm; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N I-PAK 60V 7.7A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:7.7A; Courant, Idm impul.:34A; Longueur cordon:9.65mm; Nombre de transistors:1; Pas:2.28mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:0°C/W;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ FULLPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:22A; Courant, Idm impul.:110A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ FULLPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:160A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ FULLPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:47W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:52A; Courant, Idm impul.:310A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ MICRO-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:µSOIC; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:300pF; Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:37nC; Charge, porte, canal N:4.7nC; Courant, Id max..:3.2A;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ MICRO-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:µSOIC; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:300pF; Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:37nC; Charge, porte, canal N:4.7nC; Courant, Id max..:3.2A;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ MICRO-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:µSOIC; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1310pF; Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:15nC; Charge, porte, canal N:15nC; Courant, Id max..:6.5A;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQ MICRO-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:µSOIC; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1310pF; Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:15nC; Charge, porte, canal N:15nC; Courant, Id max..:6.5A;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE DIL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:1.3A; Courant, Idm impul.:10A; Marquage composant:IRLD120PBF; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, Tj max..:150°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE DIL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Idm impul.:14A; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:10V
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE DIL; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage composant:IRLD024PBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:48A; Marquage, CMS:STD12NF06L; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:48A; Marquage, CMS:STD12NF06L; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Marquage, CMS:STD20NF06L; Style de boîtier alternatif:D-PAK;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Marquage, CMS:STD20NF06L; Style de boîtier alternatif:D-PAK;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE E-LINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):450mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:850mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.1A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage composant:ZVN4306A; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE E-LINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:180mA; Courant, Idm impul.:2A; Marquage composant:ZVNL120A; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE E-LINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:260mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:570mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:260mA; Courant, Idm impul.:1A; Marquage composant:ZVN4424A; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE E-LINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:600mA; Courant, Idm impul.:8A; Marquage composant:ZVN4206AV; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE E-LINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:600mA; Courant, Idm impul.:8A; Marquage composant:ZVN4206A; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE E-LINE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):650mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:850mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:900mA; Courant, Idm impul.:12A; Marquage composant:ZVN4310A; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:48A; Largeur (externe):4.05mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:48A; Largeur (externe):4.05mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:58A; Format de broche:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:120A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:F7544;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Courant, Idm impul.:130A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:F7456;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.3A; Courant, Idm impul.:58A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:F7201;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:37A; Format de broche:1 NC; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant, Id max..:8.7A; Courant, Idm impul.:35A; Format de broche:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:16A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:16A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.2A; Courant, Idm impul.:7.4A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.2A; Courant, Idm impul.:7.4A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:850mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:850mA; Courant, Idm impul.:7.3A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:850mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:850mA; Courant, Idm impul.:7.3A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:52A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, courant:25°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:60A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:120A; Marquage, CMS:STP36NF06L; Résistance, Rds on @
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:5.6A; Courant, Idm impul.:18A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, courant:25°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:240A; Marquage, CMS:STP60NF06L; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:14mohm; Résistance, Rds on
TRANSISTOR MOSFET CANAL N LOGIQUE TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.2A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:9.2A; Courant, Idm impul.:31A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, courant:25°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N MICRO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:µSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:650pF; Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:69nC; Courant, Id max..:5.7A; Courant, Idm impul.:30A;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N MICRO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:µSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:650pF; Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:69nC; Courant, Id max..:5.7A; Courant, Idm impul.:30A;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N MSOP-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.4A; Courant, Idm impul.:30A; Marquage, CMS:ZXM4N02; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N MSOP-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.4A; Courant, Idm impul.:30A; Marquage, CMS:ZXM4N02; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-223 55V 2A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:16A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-223 55V 4A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.8A; Courant, Idm impul.:11.2A; Marquage, CMS:FL024N; Nombre de transistors:1; Résistance
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:5.8A; Marquage, CMS:ZXMN10A11; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:2W;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Courant, Idm impul.:8A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.4A; Courant, Idm impul.:10A; Marquage, CMS:ZXMN6A11; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:2W;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.4A; Courant, Idm impul.:10A; Marquage, CMS:ZXMN6A11; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:2W;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Courant, Idm impul.:8A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:600W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:120A; Courant, Idm impul.:480A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:17mohm; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:130A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:700W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:380nC; Courant, Id max..:130A; Courant, Idm impul.:520A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Energie avalanche
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:600W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:170A; Courant, Idm impul.:680A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:10mohm; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:600W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:180A; Courant, Idm impul.:720A; Energie avalanche répétitive max..:60mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:700W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:180A; Courant, Idm impul.:720A; Energie avalanche répétitive max..:64mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200A; Tension Vds max..:70V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:520W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200A; Courant, Idm impul.:600A; Energie avalanche répétitive max..:30mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:27A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):320mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:520W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:27A; Courant, Idm impul.:108A; Energie avalanche répétitive max..:60mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:780W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:400nC; Courant, Id max..:32A; Courant, Idm impul.:128A; Différentiel de tension dv/dt:15V/ns; Energie avalanche
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):240mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:700W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:144A; Différentiel de tension dv/dt:5V/µs; Energie avalanche répétitive max..:64mJ; Energie
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:400W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:133A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:120mohm; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:176A; Energie avalanche répétitive max..:60mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):165mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:700W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:380nC; Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:800A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Energie avalanche
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:48A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:520W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:48A; Courant, Idm impul.:192A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:100mohm; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:53A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:460W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:54A; Courant, Idm impul.:212A; Entraxe de fixation:31.6mm; Largeur (externe):25.4mm; Longueur/hauteur:12.2mm; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:220A; Energie avalanche répétitive max..:60mJ; Nombre de transistors:1; Poids:0.046kg;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:240A; Energie avalanche répétitive max..:64mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:73A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:520W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:73A; Courant, Idm impul.:292A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:45mohm; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:780W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:380nC; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Différentiel de tension dv/dt:5V/ns; Energie avalanche
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):390mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Différentiel de tension dv/dt:5V/µs; Energie avalanche répétitive max..:60mJ; Energie
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:500W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:176A; Energie avalanche répétitive max..:60mJ; Energie dissipée, avalanche non répétitive
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):220mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.4A; Courant, Idm impul.:7.3A; Marquage, CMS:N03; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:806mW;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):220mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.4A; Courant, Idm impul.:7.3A; Marquage, CMS:N03; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:806mW;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:7.4A; Marquage, CMS:N02; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:806mW; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:7.4A; Marquage, CMS:N02; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:806mW; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.9A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.9A; Courant, Idm impul.:7.6A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.9A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.9A; Courant, Idm impul.:7.6A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100mA; Courant, Idm impul.:2A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100mA; Courant, Idm impul.:2A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):7.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:100mA; Courant, Idm impul.:400mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:SRs; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):7.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:100mA; Courant, Idm impul.:400mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:SRs; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:115mA; Courant, Idm impul.:800mA; Gfs, min.:80mA/V; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:115mA; Courant, Idm impul.:800mA; Gfs, min.:80mA/V; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:800mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:702;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:800mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage, CMS:702;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:150mA; Courant, Idm impul.:3A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:150mA; Courant, Idm impul.:3A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:150mA; Courant, Idm impul.:3A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:150mA; Courant, Idm impul.:3A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:150µA; Courant, Idm impul.:3A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:150µA; Courant, Idm impul.:3A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:806mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Courant, Idm impul.:4A; Marquage, CMS:7N6; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:625mW; Résistance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:806mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Courant, Idm impul.:4A; Marquage, CMS:7N6; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:625mW; Résistance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Courant, Idm impul.:3A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Courant, Idm impul.:3A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:806mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:8A; Marquage, CMS:7N3; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:625mW; Résistance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:806mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:8A; Marquage, CMS:7N3; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:625mW; Résistance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:740pF; Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:8.6nC; Charge, porte, canal N:12nC; Courant, Id max..:4.2A; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:740pF; Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:8.6nC; Charge, porte, canal N:12nC; Courant, Id max..:4.2A; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.7A; Courant, Idm impul.:18.8A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40mA; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):30ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:40mA; Courant, Idm impul.:120mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:BSS139; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.4A; Courant, Idm impul.:21.6A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):31mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.9A; Courant, Idm impul.:23.7A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:640mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:640mA; Courant, Idm impul.:2.5A; Marquage, CMS:7N1; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:625mW;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:640mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:640mA; Courant, Idm impul.:2.5A; Marquage, CMS:7N1; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:625mW;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Courant, Idm impul.:4A; Marquage, CMS:6A8; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:100mohm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Courant, Idm impul.:4A; Marquage, CMS:6A8; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:100mohm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.6A; Courant, Idm impul.:17A; Marquage, CMS:3A3; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:50mohm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-23-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.6A; Courant, Idm impul.:17A; Marquage, CMS:3A3; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:50mohm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SOT-277; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:230A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:700W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:230A; Courant, Idm impul.:920A; Résistance, Ron, max..:6mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N SUPER 247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:446W; Type de boîtier de transistor:TO-274AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:144A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:500V;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 17A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Idm impul.:60A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage composant:IRF530N; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 33A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):44mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:33A; Courant, Idm impul.:110A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 36A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):26.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:92W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:140A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.64°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 36A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):44mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:120A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 48A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:190A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 57A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:57A; Courant, Idm impul.:180A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 59A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:59A; Courant, Idm impul.:236A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 75A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:300A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.74°C/W; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 100V 80A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:260W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.57°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 100V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:96A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.008ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:5150pF; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:88A; Courant, Idm impul.:380A; Energie dissipée, avalanche
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 150V 21A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:27A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:27A; Courant, Idm impul.:108A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.6°C/W; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 150V 23A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:23A; Courant, Idm impul.:92A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.1°C/W; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 150V 33A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):56mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:33A; Courant, Idm impul.:130A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 150V 41A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:41A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:41A; Courant, Idm impul.:164A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 150V 43A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:37A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):42mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:43A; Courant, Idm impul.:150A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 150V 60A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):32mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:320W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:240A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.47°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 200V 17A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:180mohm; Température
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 200V 18A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 200V 18A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:200V;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 200V 24A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9°C/W; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 200V 31A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):82mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:31A; Courant, Idm impul.:124A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 200V 44A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):54mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:320W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:180A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.47°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 200V 56A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:380W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:56A; Courant, Idm impul.:220A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.4°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 20V 110A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:110A; Courant, Idm impul.:440A; Marquage, CMS:IRF3711; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.04°C/W;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 20V 180A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:210W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:180A; Courant, Idm impul.:720A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.72°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 250V 14A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:56A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 30V 100A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:116A; Courant, Idm impul.:400A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 30V 105A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:105A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.25V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:105A; Courant, Idm impul.:420A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.32°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 30V 120A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:140A; Courant, Idm impul.:480A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 30V 200A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:260A; Courant, Idm impul.:1040A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 30V 210A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:210A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:210A; Courant, Idm impul.:1000A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 30V 24A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.3°C/W;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 30V 59A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:59A; Courant, Idm impul.:230A; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.65°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 30V 62A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:62A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:87W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:62A; Courant, Idm impul.:248A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.73°C/W; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 30V 90A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:90A; Courant, Idm impul.:360A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.04°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 400V 10A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:32A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Temps, t off:30ns; Temps, t on:31ns;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 400V 10A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:40A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:400V;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 400V 2A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):3.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:6A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 40V 100A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Courant, Idm impul.:400A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9°C/W;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 40V 130A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:130A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:130A; Courant, Idm impul.:520A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 40V 162A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:162A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:202A; Courant, Idm impul.:650A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 40V 190A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:190A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:220W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:190A; Courant, Idm impul.:750A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 40V 200A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.7V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:790A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 40V 210A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:210A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):3.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:210A; Courant, Idm impul.:850A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.45°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 40V 280A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:280A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):2.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:270A; Courant, Idm impul.:1080A; Marquage composant:IRF2804PBF; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 500V 11A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:44A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Température, courant:25°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 500V 5A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:5A; Courant, Idm impul.:20A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.7°C/W; Température, courant:25°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 500V 8A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:32A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:500V;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 500V 8A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:32A; Nombre de transistors:1; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Température, courant:25°C; Température,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 55V 104A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:104A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:104A; Courant, Idm impul.:360A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.75°C/W; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 55V 110A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:440A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 55V 133A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:169A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):5.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:169A; Courant, Idm impul.:680A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 55V 150A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):4.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:600A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.65°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 55V 175A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:175A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):4.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:700A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.45°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 17A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 18A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 26A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:29A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:100A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage composant:IRFZ34NPBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 27A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:27A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:110A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 41A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:41A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0175ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:49A; Courant, Idm impul.:160A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage composant:IRFZ44NPBF; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 41A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:41A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:47A; Courant, Idm impul.:160A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 46A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0165ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:88W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:53A; Courant, Idm impul.:180A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 51A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:51A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):13.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:80W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:51A; Courant, Idm impul.:200A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.87°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 72A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:68A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:85A; Courant, Idm impul.:270A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 77A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:77A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:89A; Courant, Idm impul.:310A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 55V 86A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:86A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:340A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.14°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 10A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:36W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:40A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 10A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:40A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Résistance thermique, jonction-carcasse:0°C/W; Température, courant:25°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 48A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:48A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:48A; Courant, Idm impul.:192A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 50A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:200A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 55A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):16.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:115W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:220A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.3°C/W; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 72A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:72A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:72A; Courant, Idm impul.:290A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1°C/W; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 81A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:81A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:84A; Courant, Idm impul.:330A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 60V 84A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:84A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:340A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.11°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 75V 130A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:130A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:130A; Courant, Idm impul.:520A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.45°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 75V 140A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:140A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:140A; Courant, Idm impul.:550A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.45°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 75V 142A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:142A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:380W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:142A; Courant, Idm impul.:570A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.4°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO220 75V 170A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):4.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:680A; Marquage composant:IRF2907ZPBF; Style de boîtier alternatif:SOT-78B; Température
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 75V 82A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:71A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:82A; Courant, Idm impul.:280A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 75V 89A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:89A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):9.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:350A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.9°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220 75V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:180A; Courant, Idm impul.:720A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:40A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:520mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.65ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:36A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:750mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:40mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:30V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:80A; Tension, Vds typ.:600V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.22ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.4A; Courant, Idm impul.:17.6A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:1.5ohm; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.4A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.4A; Courant, Idm impul.:21.6A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:1ohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:240A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):1.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:48A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:1.05ohm; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.34ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:48A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:380mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-249; Température
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):700mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:360W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:60A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:700mohm; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.23ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:270mohm; Style de boîtier alternatif:SOT-249; Tension,
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:84A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:250mohm; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):230mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:24A; Courant, Idm impul.:96A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:230mohm; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:26A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:26A; Courant, Idm impul.:104A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:200mohm; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Courant, Idm impul.:160A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:85mohm; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Courant, Idm impul.:160A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:85mohm; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:49A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:53A; Courant, Idm impul.:180A; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:200A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:45mohm; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:58A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:58A; Courant, Idm impul.:232A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:40mohm; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:180W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:24A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:2ohm; Style de boîtier alternatif:SOT-249;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:72A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.012ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:81A; Courant, Idm impul.:290A; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:300A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:20mohm; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:76A; Tension Vds max..:70V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.4V; Dissipation de puissance Pd:360W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:76A; Courant, Idm impul.:304A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:11mohm; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Marquage, CMS:IRFR18N15D; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:48A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:500W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:48A; Courant, Idm impul.:192A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:100mohm; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:500W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:90A; Courant, Idm impul.:360A; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:20mohm; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-39; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-205AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:11A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:0.35mJ; Longueur cordon:14.22mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-39; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-205AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.5A; Courant, Idm impul.:22A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:54mJ; Longueur cordon:14.22mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-39; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-205AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:24A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:76mJ; Longueur cordon:14.22mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-39; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-205AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:32A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:75mJ; Longueur cordon:14.22mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-39; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-205AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:32A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:75mJ; Longueur cordon:14.22mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N TO-39; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:15W; Type de boîtier de transistor:TO-205AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Courant, Idm impul.:14A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:68mJ; Longueur cordon:14.22mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:VMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:400mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
TRANSISTOR MOSFET CANAL N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:VMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:400mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
TRANSISTOR MOSFET CANAL NN LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3.5A; Courant, Id max..:3.5A; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET CANAL NN LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3A; Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:10A;
TRANSISTOR MOSFET CANAL NN LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.7A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:4.7A; Courant, Id max..:4.7A; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET CANAL NN LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:c; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5.3A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET CANAL NN LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:c; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3.5A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET CANAL NN MICRO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):135mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:µSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:210pF; Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:48nC; Configuration module:Double; Courant de drain continu
TRANSISTOR MOSFET CANAL NN MICRO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):135mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:µSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:210pF; Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:48nC; Configuration module:Double; Courant de drain continu
TRANSISTOR MOSFET CANAL NP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.3A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:2.3A; Courant, Id cont., canal N 2:3.5A; Courant, Id imp, canal P:10A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET CANAL NP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant, Id cont, canal P:2.3A; Courant, Id cont., canal N 2:3.5A; Courant, Id imp,
TRANSISTOR MOSFET CANAL NP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:4.3A; Courant, Id cont., canal N 2:5.2A; Courant, Id imp, canal P:17A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET CANAL NP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.7A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:3.4A; Courant, Id cont., canal N 2:4.7A; Courant, Id imp, canal P:27A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET CANAL NP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:c; Courant, Id cont, canal P:3A; Courant, Id cont., canal N 2:4A; Courant, Id imp, canal
TRANSISTOR MOSFET CANAL NP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):29mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:4.9A; Courant, Id cont., canal N 2:6.5A; Courant, Id imp, canal P:30A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET CANAL NP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:5.3A; Courant, Id cont., canal N 2:6.6A; Courant, Id imp, canal P:21A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET CANAL NP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:5.3A; Courant, Id imp, canal P:30A; Courant, Id max..:7.3A; Courant, Idm impul.:30A;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER DIL; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:-1.6A; Courant, Idm impul.:13A; Marquage composant:IRFD9024PBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER DIL; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:-1A; Courant, Idm impul.:8A; Marquage composant:IRFD9120PBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER DIL; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:-700mA; Courant, Idm impul.:5.6A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Pas, rang:7.62mm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:11.5A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-11.5A; Courant, Idm impul.:46A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):13.5mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:47A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant, Id max..:-16A; Courant, Idm impul.:65A; Format de broche:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6.2A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):41mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6.2A; Courant, Idm impul.:25A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):30mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:28A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6.4A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6.4A; Courant, Idm impul.:21A; Marquage, CMS:ZXMP4A16; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6.4A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6.4A; Courant, Idm impul.:21A; Marquage, CMS:ZXMP4A16; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.1A; Courant, Idm impul.:4.3A; Marquage, CMS:P03; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.1A; Courant, Idm impul.:4.3A; Marquage, CMS:P03; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):210mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:806mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.6A; Courant, Idm impul.:6A; Marquage, CMS:313; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):210mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:806mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.6A; Courant, Idm impul.:6A; Marquage, CMS:313; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-130mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:520mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-130mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:520mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-170mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Capacité, Ciss typ:19pF; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Idm impul.:680mA; Courant, Idss max..:1µA; Différentiel de tension dv/dt:6kV/µs;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-170mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Capacité, Ciss typ:19pF; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant, Idm impul.:680mA; Courant, Idss max..:1µA; Différentiel de tension dv/dt:6kV/µs;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):98mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3A; Courant, Idm impul.:-24A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):98mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3A; Courant, Idm impul.:-24A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:75mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):20ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75mA; Courant, Idm impul.:1.2A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:75mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):20ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75mA; Courant, Idm impul.:1.2A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:900mA; Courant, Idm impul.:4.9A; Marquage, CMS:P02; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:900mA; Courant, Idm impul.:4.9A; Marquage, CMS:P02; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:90mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):14ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:90mA; Courant, Idm impul.:1.6A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:90mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):14ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:90mA; Courant, Idm impul.:1.6A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.75A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:-1.8A; Courant, Idm impul.:7A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:-3.5A; Courant, Idm impul.:14A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:-4A; Courant, Idm impul.:12A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:-6.8A; Courant, Idm impul.:27A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Marquage
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:-6.8A; Courant, Idm impul.:24A; Format de broche:1 g; 2 d/tab; 3 s; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER TO-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Iar:11A; Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:50A; Energie avalanche répétitive max..:7.5mJ; Energie dissipée,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P BOITIER TO-39; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-205AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6.5A; Courant, Idm impul.:25A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:92mJ; Longueur cordon:14.22mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:44A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3W; Marquage, CMS:IRF9640S; Style de boîtier alternatif:D2-PAK;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):175mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-12A; Courant, Idm impul.:48A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Largeur (externe):10.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-14A; Courant, Idm impul.:56A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Marquage, CMS:IRF9530NS;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:68W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-19A; Courant, Idm impul.:72A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Marquage, CMS:IRF9Z24NS;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):117mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-23A; Courant, Idm impul.:27A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Marquage, CMS:IRF9540NS;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-31A; Courant, Idm impul.:110A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Largeur (externe):10.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-40A; Courant, Idm impul.:140A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.8W; Marquage, CMS:IRF5210S;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:64A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-42A; Courant, Idm impul.:260A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.7W; Largeur (externe):10.54mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P DPAK -100V 13A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):205mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:66W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-13A; Courant, Idm impul.:5.2A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.9°C/W; Résistance, Rds
TRANSISTOR MOSFET CANAL P DPAK -150V 13A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):295mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-13A; Courant, Idm impul.:44A; Marquage, CMS:IRFR6215; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P D-PAK -55V 11A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):175mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:44A; Marquage, CMS:IRFR9024N; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P DPAK -55V -18A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-18A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:64A; Marquage, CMS:IRFR5505; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.2°C/W; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL P DPAK -55V -28A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:110A; Marquage, CMS:IRFR5305; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.4°C/W; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET CANAL P E-LINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:160mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):14ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-160mA; Courant, Idm impul.:1.6A; Marquage composant:ZVP3306A; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P E-LINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:230mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:230mA; Courant, Idm impul.:3A; Marquage composant:ZVP2110A; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P E-LINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:320mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3.5V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:320mA; Courant, Idm impul.:5A; Marquage composant:ZVP2106A; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P E-LINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:45mA; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):150ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-45mA; Courant, Idm impul.:400mA; Marquage composant:ZVP0545A; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P E-LINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:170mA; Courant, Idm impul.:500mA; Marquage composant:ZVP4105A; Nombre de transistors:1; Pas:1.27mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P FETKY SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:23A; Courant, Idm impul.:33A; Courant, If moy.:4A; Courant, Ifs max.:20A; Marquage, CMS:F7422D2; Nombre
TRANSISTOR MOSFET CANAL P FULLPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5.2A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:37W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:-2.5A; Courant, Idm impul.:21A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, courant:25°C; Température,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P IPAK -55V -11A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):175mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:44A; Marquage, CMS:IRFU 9024N; Résistance thermique, jonction-carcasse:3.3°C/W; Style
TRANSISTOR MOSFET CANAL P IPAK -55V -18A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:57W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-18A; Courant, Idm impul.:64A; Résistance thermique, jonction-carcasse:2.2°C/W; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET CANAL P IPAK -55V -28A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1200pF; Courant Iar:16A; Courant, Id max..:-31A; Courant, Idm impul.:110A; Energie avalanche répétitive
TRANSISTOR MOSFET CANAL P LOGIQUE E-LINE; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):15ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Courant, Idm impul.:1A; Marquage composant:ZVP4424A; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-10A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant, Idm impul.:45A; Format de broche:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Largeur
TRANSISTOR MOSFET CANAL P LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.6A; Courant, Idm impul.:15A; Marquage, CMS:F7205; Nombre de transistors:1; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL P LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant, Id max..:-5.8A; Courant, Idm impul.:20A; Format de broche:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5
TRANSISTOR MOSFET CANAL P LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5.3A; Courant, Idm impul.:21A; Marquage, CMS:F7204; Nombre de transistors:1; Température de
TRANSISTOR MOSFET CANAL P LOGIQUE SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-780mA; Courant, Idm impul.:34A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P LOGIQUE SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-780mA; Courant, Idm impul.:34A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P MICRO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:µSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:520pF; Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:50nC; Courant, Id max..:-3.6A; Courant, Idm impul.:19A; Différentiel de
TRANSISTOR MOSFET CANAL P MICRO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:µSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:520pF; Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:50nC; Courant, Id max..:-3.6A; Courant, Idm impul.:19A; Différentiel de
TRANSISTOR MOSFET CANAL P MSOP-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.8mA; Courant, Idm impul.:19A; Marquage, CMS:ZXM4P03; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P MSOP-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.8mA; Courant, Idm impul.:19A; Marquage, CMS:ZXM4P03; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P POWERPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:8.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0115ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal P:121nC; Courant, Id max..:8.6A; Courant, Idm impul.:60A; Largeur (externe):6.15mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P POWERPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:8.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0115ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal P:121nC; Courant, Id max..:8.6A; Courant, Idm impul.:60A; Largeur (externe):6.15mm;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P SOT-23-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:806mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.5A; Courant, Idm impul.:18A; Marquage, CMS:2P03; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P SOT-23-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:806mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.5A; Courant, Idm impul.:18A; Marquage, CMS:2P03; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET CANAL P SOT-23-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4A; Courant, Idm impul.:14.4A; Marquage, CMS:317; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1.1W;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P SOT-23-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4A; Courant, Idm impul.:14.4A; Marquage, CMS:317; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1.1W;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P TO-220 ISO.; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.093ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-14A; Courant, Idm impul.:60A; Température de fonctionnement:-40°C à +175°C; Température d'utilisation min:-40°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P TO-247; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:180W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:-21A; Courant, Idm impul.:84A; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, courant:25°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL P TO-263; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6.8A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):480mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:350pF; Charge, porte, canal N:27nC; Courant Iar:4A; Courant, Id max..:-6.8A; Courant, Idm impul.:27A;
TRANSISTOR MOSFET CANAL PP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:2.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:c; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-2.3A; Courant,
TRANSISTOR MOSFET CANAL PP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:3.4A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):105mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:690pF; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-3.4A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET CANAL PP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:c; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-3.6A; Courant,
TRANSISTOR MOSFET CANAL PP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:4.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.049ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:c; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-5.3A;
TRANSISTOR MOSFET CANAL PP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):58mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:c; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-4.9A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET CANAL PP SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):29mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:6.5A; Courant, Id max..:6.5A; Courant, Idm impul.:30A;
TRANSISTOR MOSFET CANAL-N BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19.4A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:19.4A; Courant, Idm impul.:78A; Marquage composant:FQP19N20; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET CANAL-P BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:11.5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):360mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-5V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-11.5A; Courant, Idm impul.:46A; Marquage composant:FQP12P20; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET CANAL-P BOITIER TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):410mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-8A; Courant, Idm impul.:32A; Marquage composant:FQP8P10; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
TRANSISTOR MOSFET CANL P-20V -3.7A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-550mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:633pF; Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:11nC; Charge, porte, canal P:12nC; Courant, Id max..:-3.7A; Courant,
TRANSISTOR MOSFET CANL P-20V -3.7A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-550mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:633pF; Charge, Qrr typ. à Tj = 25°C:11nC; Charge, porte, canal P:12nC; Courant, Id max..:-3.7A; Courant,
TRANSISTOR MOSFET COMMUTATION SS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):13ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100mA; Courant, Idm impul.:400mA; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs th max..:1.5V;
TRANSISTOR MOSFET COMMUTATION SS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):13ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100mA; Courant, Idm impul.:400mA; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs th max..:1.5V;
TRANSISTOR MOSFET COMMUTATION TSMT3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):235mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET COMMUTATION UMT6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:10mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:UMT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:100mA; Courant, Id max..:100mA; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET COMMUTATION; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET COMMUTATION; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:20.7A; Courant, Idm impul.:62.1A; Marquage, CMS:20N60C3; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:20.7A; Courant, Idm impul.:62.1A; Marquage, CMS:20N60C3; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant Iar:1.8A; Courant, Id max..:1.8A; Courant, Idm impul.:5.4A; Courant, Idss max..:1µA; Différentiel de tension dv/dt:50V/ns; Energie avalanche
TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant Iar:1.8A; Courant, Id max..:1.8A; Courant, Idm impul.:5.4A; Courant, Idss max..:1µA; Différentiel de tension dv/dt:50V/ns; Energie avalanche
TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):380mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:33A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:125W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj
TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:34.5W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant Iar:20A; Courant, Id max..:20.7A; Courant, Idm impul.:62.1A; Courant, Idss max..:1mA; Différentiel de tension dv/dt:50V/µs; Energie avalanche répétitive
TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20.7A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id cont. à 25°C:20.7A; Courant, Id max..:20.7A; Courant, Idm impul.:62.1A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:208W; Température de
TRANSISTOR MOSFET COOLMOS N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:415W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Idm impul.:141A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min.:-55°C; Température,
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N 60V SO8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1); Configuration module:Double; Courant de drain
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N 60V SO8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1); Configuration module:Double; Courant de drain
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N 6-SC-70; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:700mA; Courant, Id max..:660mA; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N 6-SC-70; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:700mA; Courant, Id max..:660mA; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N CMS 6-SC-70; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:220mA; Courant, Id max..:220mA; Résistance
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N CMS 6-SC-70; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:220mA; Courant, Id max..:220mA; Résistance
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N CMS SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N CMS SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N CMS SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:7.5A; Courant, Id max..:7.5A; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N CMS SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:9.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:9.4A; Courant, Id max..:9.4A; Résistance On Rds(on),
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N CMS SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:9.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:9.4A; Courant, Id max..:9.4A; Résistance On Rds(on),
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N CMS SSOT-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1A; Courant, Id max..:1A; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N CMS SSOT-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1A; Courant, Id max..:1A; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N MLP CMS; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:16A; Courant, Id cont., canal N 2:7.5A;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N MLP6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):68mohm; Tension, mesure Rds:1V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.7A; Courant, Idm impul.:6A; Marquage, CMS:028; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N MLP6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):68mohm; Tension, mesure Rds:1V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.7A; Courant, Idm impul.:6A; Marquage, CMS:028; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N RF SOT143; Tension Vds max..:20V; Courant de drain Id:20mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:-; Boîtier de transistor RF:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1dB; Configuration du Brochage:1(S), 2(D), 3(G2),4(G1); Dissipation de puissance, max..:200mW; Marquage, CMS:M91; Nombre de transistors:2; Polarité
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N RF SOT143; Tension Vds max..:20V; Courant de drain Id:20mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:-; Boîtier de transistor RF:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1dB; Configuration du Brochage:1(S), 2(D), 3(G2),4(G1); Dissipation de puissance, max..:200mW; Marquage, CMS:M91; Nombre de transistors:2; Polarité
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N RF SOT143; Tension Vds max..:7V; Courant de drain Id:30mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence, fonctionnement min.:40MHz; Fréquence, fonctionnement max..:3GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:2dB; Configuration du Brochage:1(S), 2(D), 3(G2),4(G1); Dissipation de puissance, max..:200mW; Marquage, CMS:MO4; Nombre de transistors:2; Polarité
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N RF SOT143; Tension Vds max..:7V; Courant de drain Id:30mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence, fonctionnement min.:40MHz; Fréquence, fonctionnement max..:3GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:2dB; Configuration du Brochage:1(S), 2(D), 3(G2),4(G1); Dissipation de puissance, max..:200mW; Marquage, CMS:MO4; Nombre de transistors:2; Polarité
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SC70-6 CMS; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:750mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:750mA; Courant, Id max..:750mA; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SC70-6 CMS; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:750mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:750mA; Courant, Id max..:750mA; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:10A; Courant, Id max..:10A; Résistance On Rds(on),
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDS6912A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:FDS6912A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):29mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:715pF; Configuration du Brochage:D1(5,6), D2(7,8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1); Configuration
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):29mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:715pF; Configuration du Brochage:D1(5,6), D2(7,8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1); Configuration
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.033ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:9.2nC; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:6.5A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.033ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:9.2nC; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:6.5A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0135ohm; Tension, mesure Rds:12V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:19nC; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Courant, Id max..:8A;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0135ohm; Tension, mesure Rds:12V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:19nC; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Courant, Id max..:8A;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:305mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:305mA; Courant, Id max..:800mA; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:305mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:305mA; Courant, Id max..:800mA; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:305mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:305mA; Courant, Id max..:800mA; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SUPERSOT-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3A; Courant, Id max..:3A; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SUPERSOT-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3A; Courant, Id max..:3A; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SUPERSOT-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:680mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):450mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:680mA; Courant, Id max..:680mA;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N SUPERSOT-6; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:680mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):450mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:680mA; Courant, Id max..:680mA;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N TSSOP-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:4.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de drain continu Id, Canal N:4.8A; Courant, Id max..:4.8A; Courant, Idm impul.:19A; Résistance On Rds(on),
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N/P 1206-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:1206; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N/P 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:11.8A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N/P 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:11.8A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N/P SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.13W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N/P SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.13W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE N/P SOT-363; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):1.9ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:270mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN 30V 1A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):364mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1A; Courant, Id max..:1A; Courant, Idm impul.:4A;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN 30V 1A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):364mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1A; Courant, Id max..:1A; Courant, Idm impul.:4A;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN 30V 2A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):154mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:175pF; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:2A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN 30V 2A; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):154mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:175pF; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:2A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):29mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.6A; Courant, Idm impul.:26A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1S1,2G1,3S2,4G2,(5&6)D2,(8&7)D1; Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:79A; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:370mA; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):6.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:370mA; Courant, Id max..:370mA; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:370mA; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):6.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:370mA; Courant, Id max..:370mA; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Courant, Id max..:8A; Résistance On Rds(on),
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NN SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8A; Courant, Id max..:8A; Résistance On Rds(on),
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP 20V/30V 1A; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.17ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1.5A; Courant de drain continu Id, Canal
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP 20V/30V 1A; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.17ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1.5A; Courant de drain continu Id, Canal
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP CMS 6-SC-70; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:220mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP CMS 6-SC-70; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:220mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP CMS 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:670mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP CMS 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.025ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:670mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP CMS SC70-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:700mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP CMS SC70-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:700mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP CMS SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:4.5A; Courant de drain continu Id, Canal P:-3.5A;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP CMS SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:4.5A; Courant de drain continu Id, Canal P:-3.5A;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP DPAK CMS; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant continu Id canal N:9A; Courant impulsion Idm canal N:55A; Courant, Id cont, canal P:6.5A; Courant, Id imp,
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP DPAK CMS; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant continu Id canal N:9A; Courant impulsion Idm canal N:55A; Courant, Id cont, canal P:6.5A; Courant, Id imp,
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP MSOP8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):135mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:2.3A; Courant de drain continu Id, Canal P:2A;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP MSOP8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):135mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:MSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:2.3A; Courant de drain continu Id, Canal P:2A;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SC70-6 CMS; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:750mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant continu Id canal N:0.75A; Courant impulsion Idm canal N:2.2A; Courant, Id cont, canal P:410mA; Courant,
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SC70-6 CMS; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:750mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant continu Id canal N:0.75A; Courant impulsion Idm canal N:2.2A; Courant, Id cont, canal P:410mA; Courant,
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SC89-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):700mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:100pF; Configuration du Brochage:S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1); Courant continu Id
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SC89-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):700mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:100pF; Configuration du Brochage:S2(4),G2(5),D1(6),D2(3),G1(2), S1(1); Courant continu Id
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SO-8 CMS; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:8.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:7.3A; Courant, Id cont., canal N 2:8.6A; Courant, Id imp, canal P:20A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SO-8 CMS; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:8.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:7.3A; Courant, Id cont., canal N 2:8.6A; Courant, Id imp, canal P:20A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:6.4A; Courant de drain continu Id, Canal P:-5.4A;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:6.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:6.4A; Courant de drain continu Id, Canal P:-5.4A;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SO-8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont, canal P:5A; Courant, Id cont., canal N 2:7A; Courant, Id imp, canal P:20A; Courant, Id max..:7A;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5A; Courant de drain continu Id, Canal P:-4.5A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE NP; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5A; Courant de drain continu Id, Canal P:-4.5A; Courant, Id
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P 8-SOIC; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-3.4A; Tension Vds max..:-55V; Résistance Rds(on):105mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Pas, rang:6.2mm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, courant:25°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P CMS D2-PAK; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-7A; Courant, Id max..:7A; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P CMS D2-PAK; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):23mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-7A; Courant, Id max..:7A; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P MLP6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.06ohm; Tension, mesure Rds:-1V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.1A; Courant, Idm impul.:6A; Marquage, CMS:029; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P MLP6; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.06ohm; Tension, mesure Rds:-1V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.1A; Courant, Idm impul.:6A; Marquage, CMS:029; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P SO-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:6.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1360pF; Configuration du Brochage:D1(5,6), D2(7,8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1); Configuration
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE P SO-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:6.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1360pF; Configuration du Brochage:D1(5,6), D2(7,8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1); Configuration
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE PP 30V 3.5A; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):165mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de drain continu Id, Canal P:-3.5A; Courant, Idm impul.:14A; Résistance On Rds(on), Canal P:0.065ohm;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE PP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:2.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.3A; Courant, Idm impul.:10A; Format de broche:1 S1; 2 G1; 3 S2; 4 G2; 5 D2; 6 D2; 7 D1; 8
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE PP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-8A; Courant, Idm impul.:32A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE PP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:9.2A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-9.2A; Courant, Idm impul.:37A; Format de broche:1 S1; 2 G1; 3 S2; 4 G2; 5 D2; 6 D2; 7 D1;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE PP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-9A; Courant, Idm impul.:71A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE PP LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:4.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.3A; Courant, Idm impul.:17A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm;
TRANSISTOR MOSFET DOUBLE PP PPAK SC-75; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.242ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SC-75; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-2.6A; Courant, Id max..:-2.6A; Résistance On Rds(on), Canal P:0.242ohm;
TRANSISTOR MOSFET ESD N 20V 0.14A SC89; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:140mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:140mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:6V
TRANSISTOR MOSFET IPS D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):13.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:240A; Courant, Idss max..:250mA; Courant, Idss min.:20mA; Racine de la référence:2905;
TRANSISTOR MOSFET IPS D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:80A; Courant, Idss max..:250mA; Courant, Idss min.:20mA; Racine de la référence:2607;
TRANSISTOR MOSFET MATCHED PAIRES N-VOIES; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR MOSFET N + P 30V SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1); Configuration module:Double; Courant de drain continu
TRANSISTOR MOSFET N + P 30V SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1); Configuration module:Double; Courant de drain continu
TRANSISTOR MOSFET N + P 60V SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):105mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1); Configuration module:Double; Courant de drain continu
TRANSISTOR MOSFET N + P 60V SO8; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):105mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1(S1), 2(G1),3(S2),4(G2),5+6(D2),7+8(D1); Configuration module:Double; Courant de drain continu
TRANSISTOR MOSFET N 1000V 6A TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.3A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):1.85ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.5A; Courant, Idm impul.:16A; Marquage, CMS:STP8NK100Z; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance, Ptot:160W;
TRANSISTOR MOSFET N 100V 140A TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:130A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):5.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:130A; Courant, Idm impul.:550A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N 100V 3.5A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:6.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 100V 3.5A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:6.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 100V 3.5A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:6.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 100V 42A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):36mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:140A; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET N 100V 47A SOT428; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:47A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 100V 47A SOT428; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.022ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:47A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 100V 520MA SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:6.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:520mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 100V 520MA SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:6.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:520mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 100V 6.5A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.5A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:100V;
TRANSISTOR MOSFET N 100V 6.5A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.5A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:100V;
TRANSISTOR MOSFET N 100V 850MA SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:850mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 100V 850MA SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:850mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 100V D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):3.9mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:9575pF; Courant, Id max..:180A; Courant, Idm impul.:720A; Temps, trr typ.:72ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 100V D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:190A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):3.3mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:380W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:9830pF; Courant, Id max..:190A; Courant, Idm impul.:740A; Temps, trr typ.:60ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:260W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 100°C:57A; Courant, Id cont. à 25°C:80A; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Puissance, Ptot:260W; Rth:0.57;
TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:88W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:-12A; Courant, Idm impul.:48A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:-4A; Courant, Idm impul.:16A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:100V; Tension, Vds typ.:100V;
TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):117mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1300pF; Charge, porte, canal P:97nC; Courant Iar:11A; Courant, Id max..:-23A; Courant, Idm impul.:76A; Energie dissipée,
TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):117mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-23A; Courant, Idm impul.:76A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):117mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-23A; Courant, Idm impul.:76A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-262AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-40A; Courant, Idm impul.:140A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-40A; Courant, Idm impul.:140A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N 100V D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-40A; Courant, Idm impul.:140A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N 100V DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:9.85W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 100V DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:9.85W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 100V I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:63A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 100°C:45A; Courant, Id cont. à 25°C:63A; Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:250A; Rth:1.05; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 100V SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id Cont à 70°C:6.6; Courant, Id cont. à 25°C:8.3A; Courant, Id max..:8.3A; Courant, Idm impul.:66A; Rth:50;
TRANSISTOR MOSFET N 100V SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id Cont à 70°C:6.6; Courant, Id cont. à 25°C:8.3A; Courant, Id max..:8.3A; Courant, Idm impul.:66A; Rth:50;
TRANSISTOR MOSFET N 12V 5.7A SOT457; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 12V 5.7A SOT457; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 12V SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id Cont à 70°C:12; Courant, Id cont. à 25°C:15A; Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:120A; Rth:50; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 12V SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id Cont à 70°C:12; Courant, Id cont. à 25°C:15A; Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:120A; Rth:50; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 1500V TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:1.5kV; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:30V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:13000pF; Courant Iar:4A; Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:12A; Energie dissipée, avalanche non répétitive
TRANSISTOR MOSFET N 1500V TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:1.5kV; Résistance Rds(on):7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:30nC; Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:12A; Nombre de transistors:1; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:7ohm;
TRANSISTOR MOSFET N 150V 3A PPAK SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):68mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande
TRANSISTOR MOSFET N 150V 3A PPAK SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):68mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de packaging:Bande
TRANSISTOR MOSFET N 150V D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):32mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:320W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 100°C:43A; Courant, Id cont. à 25°C:60A; Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:240A; Rth:0.47;
TRANSISTOR MOSFET N 150V TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):32mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:144W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:35A; Courant, Idm impul.:140A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 150V TSOP-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:SMPS; Courant, Id Cont à 70°C:0.7; Courant, Id cont. à 25°C:900mA; Courant, Id max..:900mA; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET N 150V TSOP-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:SMPS; Courant, Id Cont à 70°C:0.7; Courant, Id cont. à 25°C:900mA; Courant, Id max..:900mA; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET N 200V 0.55A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:750mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:550mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 200V 0.55A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:750mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:550mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 200V 20A SOT428; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 200V 400MA SOT-89; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:400mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:400mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 200V 400MA SOT-89; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:400mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:400mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 200V D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):54mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:320W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:180A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N 200V D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:62A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:180°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 100°C:44A; Courant, Id cont. à 25°C:62A; Courant, Id max..:62A; Courant, Idm impul.:260A; Rth:0.45;
TRANSISTOR MOSFET N 200V D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):500mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:44A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 200V D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):54mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:320W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:180A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N 200V TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:65A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.0197ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:4600pF; Courant, Id cont. à 100°C:46A; Courant, Id cont. à 25°C:65A; Courant, Id max..:65A; Courant, Idm impul.:260A;
TRANSISTOR MOSFET N 200V TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:144W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:25A; Courant, Idm impul.:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 200V TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:76A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:76A; Courant, Idm impul.:300A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 200V TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:65A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 100°C:46A; Courant, Id cont. à 25°C:65A; Courant, Id max..:65A; Courant, Idm impul.:260A; Rth:0.45; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 200V TSOP-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:SMPS; Courant, Id Cont à 70°C:0.48; Courant, Id cont. à 25°C:600mA; Courant, Id max..:600mA; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET N 200V TSOP-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):2.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:SMPS; Courant, Id Cont à 70°C:0.48; Courant, Id cont. à 25°C:600mA; Courant, Id max..:600mA; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET N 20V 0.42A TO92; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:420mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:420mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
TRANSISTOR MOSFET N 20V 0.98A SOT416; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:530mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:980mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 20V 0.98A SOT416; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:530mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:980mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 20V 1.02A SOT-323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:560mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.02A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 20V 1.02A SOT-323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:560mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.02A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 20V 1.05A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.05A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.14ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:570mV; Dissipation de puissance Pd:417mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:20V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 20V 1.05A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.05A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.14ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:570mV; Dissipation de puissance Pd:417mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:20V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 20V 2.28A SOT883; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.28A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 20V 2.28A SOT883; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.28A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 20V 3.76A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.056ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:650mV; Dissipation de puissance Pd:1.92W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.76A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C;
TRANSISTOR MOSFET N 20V 5.7A SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 20V D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.003ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:210W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 100°C:130A; Courant, Id cont. à 25°C:180A; Courant, Idm impul.:720A; Rth:0.72; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N 20V SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):8.2mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-15A; Courant, Idm impul.:60A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N 20V SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):8.2mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-15A; Courant, Idm impul.:60A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N 20V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:450mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:10A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 20V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:450mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:10A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 20V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.078ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 20V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.078ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 20V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 20V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 20V SOT-323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 20V SOT-323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 20V SOT-723; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:890mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.2ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:450mW; Type de boîtier de transistor:SOT-723; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:890mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 20V TSOP-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0471ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:LowR; Courant, Id Cont à 70°C:3.3; Courant, Id cont. à 25°C:4A; Courant, Id max..:-4A; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET N 20V TSOP-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0471ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:LowR; Courant, Id Cont à 70°C:3.3; Courant, Id cont. à 25°C:4A; Courant, Id max..:-4A; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET N 240V 375MA SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:340mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:373mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 240V 375MA SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:340mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:373mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 250V 375MA SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:375mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 250V 375MA SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:375mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 25V DIRECTFETS1; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):5.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:DirectFET S1; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:100A; Style de boîtier alternatif:DirectFET; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 25V I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):4.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.85V; Dissipation de puissance Pd:81W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 100°C:72A; Courant, Id cont. à 25°C:100A; Courant, Id max..:100A; Courant, Idm impul.:410A; Rth:1.86; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 25V LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):2.3mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:92nC; Courant, Id max..:100A; Courant, Idm impul.:300A; Largeur (externe):5mm;
TRANSISTOR MOSFET N 25V LFPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):2.3mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:92nC; Courant, Id max..:100A; Courant, Idm impul.:300A; Largeur (externe):5mm;
TRANSISTOR MOSFET N 25V SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:25A; Courant, Idm impul.:200A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N 300V 0.34A SOT96-1; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:340mA; Courant de drain continu Id, Canal
TRANSISTOR MOSFET N 300V 0.34A SOT96-1; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:340mA; Courant de drain continu Id, Canal
TRANSISTOR MOSFET N 300V 350MA SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:250mA; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:350mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 300V 350MA SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:250mA; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:350mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 30V 0.84A SOT416; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.37ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:530mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:840mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 30V 0.8A SOT416; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:530mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 30V 0.8A SOT416; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:530mW; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 30V 1.6A SC70-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.6A; Courant, Idm impul.:6A; Marquage composant:.36; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N 30V 1.6A SC70-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.6A; Courant, Idm impul.:6A; Marquage composant:.36; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N 30V 1.78A SOT883; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.39ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-883; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.78A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 30V 1.7A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):117mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.7A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 30V 1.7A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):117mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.7A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 30V 1.9A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.077ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:40V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET N 30V 1.9A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.077ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:40V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET N 30V 10A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 30V 10A SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 30V 2.5A SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.074ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 30V 3.4A 8-SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3.4A; Courant, Id max..:2.4A; Résistance On Rds(on),
TRANSISTOR MOSFET N 30V 3.4A 8-SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3.4A; Courant, Id max..:2.4A; Résistance On Rds(on),
TRANSISTOR MOSFET N 30V 3.5A SOT96-1; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 30V 3.5A SOT96-1; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 30V 3.5A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):79mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TUMT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:350pF; Configuration du Brochage:D(1+2+5+6),S(4),G(3); Courant, Id max..:3.5A; Courant, Idm impul.:14A; Temps
TRANSISTOR MOSFET N 30V 32A PPAK SO8L; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:69.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:32A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
TRANSISTOR MOSFET N 30V 5.2A SOT457; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 30V 5.4A SOT457; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 30V 5.4A SOT457; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 30V 50A PPAK SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.05mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
TRANSISTOR MOSFET N 30V 50A PPAK SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):2.05mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
TRANSISTOR MOSFET N 30V 8.5A PPAK SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:8.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V
TRANSISTOR MOSFET N 30V 870MA SOT-323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:870mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.37ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:560mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:870mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 30V 870MA SOT-323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:870mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.37ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:560mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:870mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 30V 9A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:11mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:15mohm; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 30V 9A; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:36A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:11mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:15mohm; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 30V D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0026ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 100°C:170A; Courant, Id cont. à 25°C:200A; Courant, Id max..:260A; Courant, Idm impul.:1040A;
TRANSISTOR MOSFET N 30V DIRECTFETSQ; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0051ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Type de boîtier de transistor:DirectFET SQ; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:110A; Style de boîtier alternatif:DirectFET; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 30V D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:240A; Marquage, CMS:PHD71NQ03LT; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 30V D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:240A; Marquage, CMS:PHD71NQ03LT; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 30V SO8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:24mA; Courant, Idm impul.:190A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N 30V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:730mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.6mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 30V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:730mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.6mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 30V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:730mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 30V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.75V; Dissipation de puissance Pd:730mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 30V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:560mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:560mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 30V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:560mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:560mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 30V SOT-323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:270mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:270mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 30V SOT-323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:270mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:4V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:270mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 30V TSOP-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):98mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:LowR; Courant, Id Cont à 70°C:3; Courant, Id cont. à 25°C:3.8A; Courant, Id max..:-3.8A; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET N 30V TSOP-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):98mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-2.5V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:LowR; Courant, Id Cont à 70°C:3; Courant, Id cont. à 25°C:3.8A; Courant, Id max..:-3.8A; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET N 3-SC-70; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:640mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.41ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:310mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:640mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 3-SC-70; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:640mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.41ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:310mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:640mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 40V 240A D2PAK-7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:400A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:380W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:400A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 40V 327A TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:327A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:341W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:327A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 40V 50A TO252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):6.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:48.1W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
TRANSISTOR MOSFET N 40V D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:280A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 100°C:200A; Courant, Id cont. à 25°C:280A; Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:1080A; Rth:0.45;
TRANSISTOR MOSFET N 40V SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.4A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):112mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.4A; Courant, Idm impul.:27A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 40V TSOP-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.4A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):112mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:LowR; Courant, Id Cont à 70°C:2.7; Courant, Id cont. à 25°C:3.4A; Courant, Id max..:-3.4A; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET N 40V TSOP-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.4A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):112mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:LowR; Courant, Id Cont à 70°C:2.7; Courant, Id cont. à 25°C:3.4A; Courant, Id max..:-3.4A; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET N 450V SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:140mA; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):50ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:70pF; Configuration du Brochage:1(G),2(D), 3(S), TAB(D); Courant, Id max..:140mA; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET N 450V SOT223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:140mA; Tension Vds max..:450V; Résistance Rds(on):50ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:70pF; Configuration du Brochage:1(G),2(D), 3(S), TAB(D); Courant, Id max..:140mA; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET N 500V D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:1.8A; Courant, Idm impul.:5.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:500V;
TRANSISTOR MOSFET N 500V D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:1.8A; Courant, Idm impul.:5.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:500V;
TRANSISTOR MOSFET N 500V TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:63A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:500V; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 50V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée; Type de
TRANSISTOR MOSFET N 50V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée; Type de
TRANSISTOR MOSFET N 50V SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1(G), 2(S),3(D); Courant, Id max..:200mA; Courant, Idm impul.:800mA; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 50V SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1(G), 2(S),3(D); Courant, Id max..:200mA; Courant, Idm impul.:800mA; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 55V 300MA SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):2.3ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 55V 300MA SOT323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):2.3ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N 55V D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:74A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-74A; Courant, Idm impul.:260A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N 55V D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:74A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):20mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-74A; Courant, Idm impul.:260A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N 600V 22A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:22A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
TRANSISTOR MOSFET N 600V 22A TO220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):160mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:22A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
TRANSISTOR MOSFET N 600V D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:1.8A; Courant, Idm impul.:3.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:600V;
TRANSISTOR MOSFET N 600V D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:1.8A; Courant, Idm impul.:3.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:600V;
TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.68ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:6.2A; Courant, Idm impul.:18.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:600V; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.34ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:33A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:650V; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20.7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.19ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:20.7A; Courant, Idm impul.:52A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:600V; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.2A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.68ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:32W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:6.2A; Courant, Idm impul.:18.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:650V; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:32W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:7.3A; Courant, Idm impul.:21.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:650V; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:192W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:61A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:600V;
TRANSISTOR MOSFET N 600V TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):99mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:255W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Capacité, Ciss typ:2800pF; Charge, porte, canal N:60nC; Courant, Id max..:31A; Courant, Idm impul.:93A; Energie avalanche répétitive max..:1.2mJ;
TRANSISTOR MOSFET N 60V D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:270A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.002ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:8970pF; Courant, Id max..:270A; Courant, Idm impul.:1080A; Temps, trr typ.:44ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 60V D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:293A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.5mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:8850pF; Courant, Id max..:293A; Courant, Idm impul.:1172A; Temps, trr typ.:44ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 60V D2-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:44A; Style de boîtier alternatif:TO-262AB; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-60V;
TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.68V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.68V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):13.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):13.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:500mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:500mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):13.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):13.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):13.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:115mA; Courant, Id max..:800mA; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):13.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:115mA; Courant, Id max..:800mA; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-523; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):13.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 60V SOT-523; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):13.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 60V TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:270A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.1mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:270A; Courant, Idm impul.:1080A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N 650V TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.34ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:33A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:650V; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 75V D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 100°C:70A; Courant, Id cont. à 25°C:100A; Courant, Id max..:100A; Courant, Idm impul.:520A; Rth:0.75;
TRANSISTOR MOSFET N 75V D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:330W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont. à 100°C:120A; Courant, Id cont. à 25°C:170A; Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:680A; Rth:0.45; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 75V D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:230A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.35V; Dissipation de puissance Pd:370W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:9370pF; Courant, Id max..:230A; Courant, Idm impul.:900A; Temps, trr typ.:54ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 75V D2PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:260A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):2.1mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:370W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:9200pF; Courant, Id max..:260A; Courant, Idm impul.:1060A; Temps, trr typ.:52ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N 75V I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):17.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1440pF; Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:180A; Temps, trr typ.:30ns; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N 75V I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:53A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):12.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:2190pF; Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:210A; Temps, trr typ.:31ns; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N 75V TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:210A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):3.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:370W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:9400pF; Courant, Id cont. à 100°C:150A; Courant, Id cont. à 25°C:210A; Courant, Id max..:210A; Courant, Idm impul.:850A;
TRANSISTOR MOSFET N 800V TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:800V; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 800V TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.78ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:39W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:18A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:800V; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):5.5mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:12V;
TRANSISTOR MOSFET N 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
TRANSISTOR MOSFET N 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.018ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
TRANSISTOR MOSFET N 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N 900V TO-220SIS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):6.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220SIS; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:7.5A; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V;
TRANSISTOR MOSFET N 900V TO-220SIS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-220SIS; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8A; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:30V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:10V; Type de terminaison:Traversant
TRANSISTOR MOSFET N BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.1A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.057ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.1A; Marquage, CMS:FDS2582; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, courant:25°C;
TRANSISTOR MOSFET N BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.1A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.057ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.1A; Marquage, CMS:FDS2582; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, courant:25°C;
TRANSISTOR MOSFET N BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS3692; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
TRANSISTOR MOSFET N BOITIER SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS3692; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
TRANSISTOR MOSFET N CMS 6-SC-70; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:950mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):450mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:950mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS 6-SC-70; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:950mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):450mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:950mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS 8-SOIC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0094ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:135W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0094ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:135W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds
TRANSISTOR MOSFET N CMS SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:60V;
TRANSISTOR MOSFET N CMS SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:60V;
TRANSISTOR MOSFET N CMS SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:670mV; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:670mV; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):220mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:900mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):220mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:900mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS SSOT-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS SSOT-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS SSOT-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS SSOT-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS SSOT-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):425mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS SSOT-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):425mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS SUPERSOT-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS SUPERSOT-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS SUPERSOT-6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:270W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:80V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N CMS TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS TO-252AA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):36mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:95W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:32A; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N CMS TO-252AA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):36mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:95W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:32A; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N CMS TO-252AA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.101ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS TO-252AA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.101ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:65W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS TO-252AA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):54mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:135W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:29A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS TO-252AA; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):54mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:135W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:29A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS TO-263AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:79A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS TO-263AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:79A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N CMS TO-263AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):4.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.39ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:41W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id cont. à 25°C:11A; Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:33A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:41W; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id cont. à 25°C:17A; Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:51A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:42W; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):650mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id cont. à 25°C:8A; Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:24A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:40W; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):290mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id cont. à 25°C:17A; Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:51A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:208W; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:284W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id cont. à 25°C:32A; Courant, Id max..:32A; Courant, Idm impul.:96A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:284W; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:34.1A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:313W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id cont. à 25°C:34.1A; Courant, Id max..:34.1A; Courant, Idm impul.:85A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:313W; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:52A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.06ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:417W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id cont. à 25°C:52A; Courant, Id max..:52A; Courant, Idm impul.:156A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:417W; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N COOLMOS TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.3A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.19ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id cont. à 25°C:8.3A; Courant, Id max..:20.7A; Courant, Idm impul.:52A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:35W; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK 55V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:160A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):2.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:240A; Courant, Idm impul.:1000A; Racine de la référence:3805; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK/7; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):3.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:7580pF; Courant, Id max..:160A; Courant, Idm impul.:700A; Energie avalanche répétitive max..:160mJ; Temps,
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:106A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:5310pF; Courant, Id max..:106A; Courant, Idm impul.:550A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:430mJ;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):320mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:33A; Style de boîtier alternatif:D2-PAK; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):5.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:3000pF; Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:470A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:120mJ;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:40A; Marquage, CMS:20N60S5; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:208W; Résistance, Ron, max..:190mohm;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:40A; Marquage, CMS:20N60S5; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:208W; Résistance, Ron, max..:190mohm;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:60A; Style de boîtier alternatif:D2-PAK; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:60A; Style de boîtier alternatif:D2-PAK; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):77mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Capacité, Ciss typ:1700pF; Courant, Id max..:28A; Courant, Idm impul.:110A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:230mJ; Marquage, CMS:F540S; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):1.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:15000pF; Courant, Id max..:28A; Courant, Idm impul.:70A; Format de broche:G,D,S; Marquage, CMS:FDB8441; Nombre
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:880pF; Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:110A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:110mJ;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:254W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:31A; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.69mm; Marquage, CMS:FDB8860; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:254W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:31A; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.69mm; Marquage, CMS:FDB8860; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:43A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0126ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:43A; Courant, Idm impul.:170A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:43A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0126ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:43A; Courant, Idm impul.:170A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:48A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1630pF; Courant, Id max..:48A; Courant, Idm impul.:144A; Nombre de transistors:1; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:48A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1630pF; Courant, Id max..:48A; Courant, Idm impul.:144A; Nombre de transistors:1; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:54A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:55W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11A; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.69mm; Marquage, CMS:FDB8880; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:54A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:55W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11A; Largeur (externe):10.54mm; Longueur/hauteur:4.69mm; Marquage, CMS:FDB8880; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:3.8W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:55A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:155W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.75W; Marquage, CMS:FQB55N10; Style de
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:155W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:220A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.75W; Marquage, CMS:FQB55N10; Style de
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:2900pF; Courant, Id max..:59A; Courant, Idm impul.:240A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:170mJ;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:64A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1970pF; Courant, Id max..:64A; Courant, Idm impul.:210A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:700mJ;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:79A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0071ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:79A; Courant, Idm impul.:315A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:16V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:3850pF; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:870mJ;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:16V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:3850pF; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:870mJ;
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.00734ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:310A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:200A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.75W; Marquage, CMS:FQB50N06; Style de
TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET MZ; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):59.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:DirectFET MZ; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id Cont à 70°C:3.7A; Courant, Id max..:3.7A; Courant, Idm impul.:37A; Energie dissipée, avalanche non
TRANSISTOR MOSFET N DIRECTFET SQ; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Type de boîtier de transistor:DirectFET SQ; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1460pF; Courant, Idm impul.:96A; Marquage, CMS:6621; Temps, trr typ.:9.8ns; Température, Tj
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK 600V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.9A; Courant, Idm impul.:11.7A; Résistance, Ron, max..:1.2ohm; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK 600V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.9A; Courant, Idm impul.:11.7A; Résistance, Ron, max..:1.2ohm; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK 600V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.53ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:21A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK 650V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):950mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:54W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.6A; Courant, Idm impul.:13.8A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK 650V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):950mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:54W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.6A; Courant, Idm impul.:13.8A; Style de boîtier alternatif:TO-252; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):185mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:35A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRLR120NPBF; Nombre
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15.2A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):6.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant, Id max..:70A; Courant, Idm impul.:85A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15.2A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):6.7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.8V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant, Id max..:70A; Courant, Idm impul.:85A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:60A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:60A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):47mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Marquage, CMS:RFD16N06LESM; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):47mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:90W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Marquage, CMS:RFD16N06LESM; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17.5A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:80A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17.5A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.004ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:80A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:16V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:16V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:72A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRLR024NPBF; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:49W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:40A; Marquage, CMS:RFD12N06RLESM; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:49W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:40A; Marquage, CMS:RFD12N06RLESM; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:46W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:28A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):24.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:120A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR4105ZPBF;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):1.47ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:12A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:1.8ohm; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):1.47ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:45W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:12A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:1.8ohm; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.4A; Courant, Idm impul.:17.6A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:1.5ohm; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.4A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.4A; Courant, Idm impul.:17.6A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:1.5ohm; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:220A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR3710ZPBF;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):5.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:480A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR4104PBF; Nombre
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:91W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:250A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR48ZPBF; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0128ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:210A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR2307ZPBF;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:43A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0126ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:43A; Courant, Idm impul.:170A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0077ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:46A; Courant, Idm impul.:100A; Marquage, CMS:FDD6690A; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:46A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0077ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:46A; Courant, Idm impul.:100A; Marquage, CMS:FDD6690A; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:16A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:2ohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:16A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:2ohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.1mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:79A; Courant, Idm impul.:315A; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:4V;
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.00734ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:310A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.2A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:9.5W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GPSW; Courant, Id max..:10.9A; Courant, Idm impul.:35.3A; Dissipation de puissance PD pour CI 50mm²:4.2W; Largeur
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.2A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:9.5W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GPSW; Courant, Id max..:10.9A; Courant, Idm impul.:35.3A; Dissipation de puissance PD pour CI 50mm²:4.2W; Largeur
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:30A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:30A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:91A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:360A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR1010ZPBF;
TRANSISTOR MOSFET N I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):24.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:120A; Longueur cordon:9.65mm; Marquage, CMS:IRFU4105ZPBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.28mm; Style
TRANSISTOR MOSFET N I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:220A; Longueur cordon:9.65mm; Marquage, CMS:IRFU3710ZPBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.28mm; Style
TRANSISTOR MOSFET N I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):0.0058ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Courant, Idm impul.:360A; Longueur cordon:9.65mm; Marquage, CMS:IRFU1010ZPBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.28mm; Style
TRANSISTOR MOSFET N I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:43A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:43A; Courant, Idm impul.:170A; Temps, t off:49ns; Temps, t on:6.3ns; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):7.34mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:56A; Courant, Idm impul.:310A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:133A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):9mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:7600pF; Charge, porte, canal N:235nC; Courant, Id max..:133A; Rth:0.5; Temps trr max.:150ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:5800pF; Charge, porte, canal N:102nC; Courant, Id max..:20A; Rth:0.6; Temps trr max.:200ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:4600pF; Charge, porte, canal N:170nC; Courant, Id max..:25A; Rth:0.5; Temps trr max.:550ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):72mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:360W; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:12700pF; Charge, porte, canal N:197nC; Courant, Id max..:45A; Rth:0.35; Temps trr max.:200ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:82A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:360W; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:14000pF; Charge, porte, canal N:185nC; Courant, Id max..:82A; Rth:0.35; Temps trr max.:200ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:7500pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:90A; Rth:0.5; Temps trr max.:200ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N ISOPLUS264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):52mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:625W; Type de boîtier de transistor:ISOPLUS-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:20000pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:70A; Rth:0.2; Temps trr max.:200ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE D2-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:4170pF; Courant, Id max..:150A; Courant, Idm impul.:600A; Energie dissipée, avalanche non répétitive
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:89W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:120A; Courant, Idm impul.:460A; Marquage, CMS:IRLR3717; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:20A; Marquage, CMS:RFD14N05; Nombre de transistors:1; Style de boîtier
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:161A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:161A; Courant, Idm impul.:620A; Marquage, CMS:IRLR7843; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):13.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:43A; Courant, Idm impul.:170A; Marquage, CMS:IRLR7807Z; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:56A; Courant, Idm impul.:220A; Marquage, CMS:IRFR3707Z; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):8.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:240A; Marquage, CMS:IRFR3704Z; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE D-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:49A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:49A; Courant, Idm impul.:200A; Marquage, CMS:IRLR3715Z; Style de boîtier alternatif:D-PAK; Température de
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE HEXDIP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:1A; Courant, Idm impul.:8A; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:10V; Tension, Vgs, mesure de Rds on:5V; Type
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:20A; Nombre de transistors:1; Style de boîtier alternatif:I-PAK; Température de
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:161A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:161A; Courant, Idm impul.:620A; Nombre de transistors:1; Style de boîtier alternatif:I-PAK; Température de
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE I-PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:56A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:56A; Courant, Idm impul.:220A; Nombre de transistors:1; Style de boîtier alternatif:I-PAK; Température de
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:10.8A; Format de broche:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Largeur
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):13.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:88A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9.1mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:155°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13.6A; Courant, Idm impul.:100A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:100A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:IRF7413ZPBF;
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:100A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:IRF7805PBF;
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:120A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:IRF7457PBF;
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0055ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.25V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Courant, Idm impul.:120A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):5.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:17.2A; Courant, Idm impul.:135A; Format de broche:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Largeur
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):4.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:160A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:IRF3717PBF;
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.32V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:155°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:160A; Format de broche:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Largeur
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.35V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:170A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8.3A; Courant, Idm impul.:66A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:IRF7807PBF;
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):12.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:90A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:IRF7466PBF;
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:73A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:IRF7469PBF;
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:400mA; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Courant, Id max..:400mA; Courant, Idm impul.:1.6A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:BSP 299;
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:400mA; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Courant, Id max..:400mA; Courant, Idm impul.:1.6A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:BSP 299;
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:30A; Marquage, CMS:RFP12N10L; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:140A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):5.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:140A; Courant, Idm impul.:470A; Marquage, CMS:IRL3803VPBF; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.3V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:150A; Courant, Idm impul.:600A; Marquage, CMS:IRL7833PBF; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:160A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:160A; Courant, Idm impul.:640A; Marquage, CMS:IRL1404PBF; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:17A; Courant, Idm impul.:68A; Marquage, CMS:IRLZ24PBF; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:10V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:48A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:48A; Courant, Idm impul.:144A; Marquage, CMS:NDP6060L; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Température de
TRANSISTOR MOSFET N LOGIQUE TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:210W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N MLP CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0094ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:3.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10.6A; Courant, Idm impul.:60A; Marquage, CMS:FDMS5672; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N MLP CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0094ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:3.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10.6A; Courant, Idm impul.:60A; Marquage, CMS:FDMS5672; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N MLP CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.8A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):16.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8.8A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDMS3572; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N MLP CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.8A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):16.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:Power 56; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8.8A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDMS3572; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N MLP6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:1V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.9A; Courant, Idm impul.:10A; Marquage, CMS:109; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj
TRANSISTOR MOSFET N MLP6; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:1V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.9A; Courant, Idm impul.:10A; Marquage, CMS:109; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj
TRANSISTOR MOSFET N POWER PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.0031ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:52mW; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:41nC; Courant, Id max..:25A; Courant, Idm impul.:60A; Racine de la référence:7102; Température
TRANSISTOR MOSFET N POWER PAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.0031ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:52mW; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:41nC; Courant, Id max..:25A; Courant, Idm impul.:60A; Racine de la référence:7102; Température
TRANSISTOR MOSFET N PPAK1212; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.3A; Temps de montée:12ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj
TRANSISTOR MOSFET N PPAK1212; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.3A; Temps de montée:12ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj
TRANSISTOR MOSFET N PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0025ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3.4W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:25A; Courant, Idm impul.:200A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N RF DE150; Tension Vds max..:500V; Courant de drain Id:4.5A; Dissipation de puissance Pd:200W; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:100MHz; Boîtier de transistor RF:DE-150; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:700pF; Dissipation de puissance, max..:200W; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):1.5ohm; Temps de montée:4ns; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N RF DE275; Tension Vds max..:200V; Courant de drain Id:25A; Dissipation de puissance Pd:590W; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:100MHz; Boîtier de transistor RF:DE-275; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:2500pF; Dissipation de puissance, max..:590W; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):80mohm; Temps de montée:5ns; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N RF DE275; Tension Vds max..:500V; Courant de drain Id:16A; Dissipation de puissance Pd:590W; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:100MHz; Boîtier de transistor RF:DE-275; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N; Type de transistor:MOSFET RF
TRANSISTOR MOSFET N RF DE275X2; Tension Vds max..:1kV; Courant de drain Id:16A; Dissipation de puissance Pd:1.18kW; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:100MHz; Boîtier de transistor RF:DE-275X2; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1800pF; Dissipation de puissance, max..:1.18kW; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):800mohm; Temps de montée:2ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N RF DE375; Tension Vds max..:1.2kV; Courant de drain Id:8A; Dissipation de puissance Pd:880W; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:-; Boîtier de transistor RF:DE-375; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1960pF; Dissipation de puissance, max..:880W; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):2.1ohm; Temps de montée:5ns; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N RF DE475; Tension Vds max..:1kV; Courant de drain Id:24A; Dissipation de puissance Pd:1.8kW; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:30MHz; Boîtier de transistor RF:DE-475; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N; Type de transistor:MOSFET RF
TRANSISTOR MOSFET N RF DE475; Tension Vds max..:500V; Courant de drain Id:44A; Dissipation de puissance Pd:1.8kW; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:30MHz; Boîtier de transistor RF:DE-475; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Polarité transistor:Canal N; Température d'utilisation min:-55°C; Type de transistor:MOSFET RF
TRANSISTOR MOSFET N RF ISOPLUS247; Tension Vds max..:1.2kV; Courant de drain Id:8A; Dissipation de puissance Pd:250W; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:-; Boîtier de transistor RF:ISOPLUS247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1960pF; Dissipation de puissance, max..:3W; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):2.1ohm; Temps de montée:5ns; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N RF PLD-1.5; Tension Vds max..:40V; Courant de drain Id:2A; Dissipation de puissance Pd:31.25W; Fréquence, fonctionnement min.:450MHz; Fréquence, fonctionnement max..:520MHz; Boîtier de transistor RF:PLD-1.5; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:31.25W; Gain:15dB; Gamme de fréquences d'utilisation:450MHz à 520MHz; Polarité transistor:Canal N; Puissance de sortie:3W;
TRANSISTOR MOSFET N RF PLD-1.5; Tension Vds max..:40V; Courant de drain Id:2A; Dissipation de puissance Pd:31.25W; Fréquence, fonctionnement min.:450MHz; Fréquence, fonctionnement max..:520MHz; Boîtier de transistor RF:PLD-1.5; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:31.25W; Gain:15dB; Gamme de fréquences d'utilisation:450MHz à 520MHz; Polarité transistor:Canal N; Puissance de sortie:3W;
TRANSISTOR MOSFET N RF SOT-227B; Tension Vds max..:500V; Courant de drain Id:55A; Dissipation de puissance Pd:600W; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:500kHz; Boîtier de transistor RF:SOT-227B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:6700pF; Dissipation de puissance, max..:600W; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):85mohm; Temps de montée:20ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N RF TO-247AD; Tension Vds max..:500V; Courant de drain Id:12A; Dissipation de puissance Pd:180W; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:500kHz; Boîtier de transistor RF:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1870pF; Dissipation de puissance, max..:180W; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):400mohm; Temps de montée:14ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N RF TO-264; Tension Vds max..:1kV; Courant de drain Id:21A; Dissipation de puissance Pd:500W; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence, fonctionnement max..:500kHz; Boîtier de transistor RF:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:5500pF; Dissipation de puissance, max..:500W; Polarité transistor:Canal N; Résistance Rds(on):500mohm; Temps de montée:16ns; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N SC-59; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):240mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
TRANSISTOR MOSFET N SC-59; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.1A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):240mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
TRANSISTOR MOSFET N SC-70; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.055ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:2.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:4.85nC; Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:12A; Racine de la référence:1470; Résistance, Rds on @
TRANSISTOR MOSFET N SC89 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Courant, Idm impul.:1A; Marquage, CMS:D; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N SC89 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Courant, Idm impul.:1A; Marquage, CMS:D; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N SC89 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.24ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:600mA; Courant, Idm impul.:1A; Marquage, CMS:C; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N SC89 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.24ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:600mA; Courant, Idm impul.:1A; Marquage, CMS:C; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N SC89 DOUBLE CMS; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):700mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:600mA; Courant, Id max..:600mA; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET N SC89 DOUBLE CMS; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:600mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):700mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:600mA; Courant, Id max..:600mA; Courant, Idm
TRANSISTOR MOSFET N SO-8 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11.5A; Courant, Idm impul.:50A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N SO-8 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11.5A; Courant, Idm impul.:50A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N SO-8 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12.8A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12.8A; Courant, Idm impul.:50A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N SO-8 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12.8A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12.8A; Courant, Idm impul.:50A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N SO-8 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:50A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N SO-8 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:50A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N SO-8 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:2.5mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:106A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N SO-8 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):3.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:2.5mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:21A; Courant, Idm impul.:106A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N SO-8 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.5A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N SO-8 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.019ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.5A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N SO-8 CMS; Polarité transistor:N Canal; Courant, Id cont.:15A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension, Vgs th typ.:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:60A; Dissipation de puissance:2.5mW; Nombre de transistors:1; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs max..:1.8V; Tension, Vgs th max..:3V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N SO-8 DOUBLE CMS; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont., canal N 2:6.3A; Courant, Id cont., canal N 3:8.6A; Courant, Id max..:8.6A; Courant, Idm impuls.
TRANSISTOR MOSFET N SO-8 DOUBLE CMS; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id cont., canal N 2:6.3A; Courant, Id cont., canal N 3:8.6A; Courant, Id max..:8.6A; Courant, Idm impuls.
TRANSISTOR MOSFET N SO-8 DOUBLE CMS; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:6.9A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):27mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:8.2A; Courant, Id cont., canal N 2:6.9A; Courant,
TRANSISTOR MOSFET N SO-8 LOGIQUE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:110A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:IRF7463PBF;
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.9A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D; Courant, Id max..:1.9A; Courant, Idm impul.:15A; Nombre de transistors:1; Temps
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10.3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12.5A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS6680A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):9.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12.5A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS6680A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS6670A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS6670A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:90A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.2mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:90A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0074ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12.4A; Temps de montée:150ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.0074ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12.4A; Temps de montée:150ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:60A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:PSMN005-30K; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):4.4mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:60A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:PSMN005-30K; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Temps de montée:9ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C;
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):17mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:62.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Temps de montée:9ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C;
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.15V; Dissipation de puissance Pd:4.2W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:20.7A; Temps de montée:20ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.15V; Dissipation de puissance Pd:4.2W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:20.7A; Temps de montée:20ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:50A; Temps de montée:10ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0023ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:2.6V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:50A; Temps de montée:10ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0114ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:6.25W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:60A; Temps de montée:10ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C;
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D; Courant, Id max..:7.3A; Courant, Idm impul.:58A; Nombre de transistors:1; Temps de
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.6A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0135ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.6A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):0.0135ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.3A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D; Courant, Id max..:9.3A; Courant, Idm impul.:74A; Nombre de transistors:1; Temps de
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:15.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:35V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant continu Id canal N:7A; Courant, Id cont, canal P:5A; Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:20A; Résistance, Rds on
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:35V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant continu Id canal N:7A; Courant, Id cont, canal P:5A; Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:20A; Résistance, Rds on
TRANSISTOR MOSFET N SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:(1+2+3)S,4G, (8+7+6+5)D; Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:20A; Nombre de transistors:1; Temps de
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.16ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:1.7A; Courant, Idm impul.:6.8A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:BSP 373; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):20ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:120mA; Courant, Idm impul.:480mA; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:BSP129; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120mA; Tension Vds max..:240V; Résistance Rds(on):20ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:120mA; Courant, Idm impul.:480mA; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:BSP129; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):45ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:120mA; Courant, Idm impul.:480mA; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:BSP125; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):45ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:120mA; Courant, Idm impul.:480mA; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:BSP125; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):13.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:170mA; Courant, Idm impul.:680mA; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:BSP324; Nombre
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):13.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:170mA; Courant, Idm impul.:680mA; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:BSP324; Nombre
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.5A; Courant, Idm impul.:10A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:8.3W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.5A; Courant, Idm impul.:10A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:8.3W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.5A; Courant, Idm impul.:10A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:8.3W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.7A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):45mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.7A; Courant, Idm impul.:30A; Largeur (externe):6.7mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage, CMS:FL4105; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:70V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:SWLR; Courant, Id max..:3.8A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.8A; Tension Vds max..:70V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:3.9W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:SWLR; Courant, Id max..:3.8A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:25A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:25A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:24A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:24A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:8.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:40A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:1.8W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):49mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:1.04kW; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:20000pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:90A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.12°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:140A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:680W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:7500pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:115A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.22°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:140A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:700W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:14000pF; Charge, porte, canal N:185nC; Courant, Id max..:115A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.18°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:680W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:7000pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:150A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.22°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:680W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:7600pF; Charge, porte, canal N:235nC; Courant, Id max..:200A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.22°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:1.04kW; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:18000pF; Charge, porte, canal N:250nC; Courant, Id max..:53A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.12°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:64A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:700W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:8700pF; Charge, porte, canal N:150nC; Courant, Id max..:61A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.18°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:64A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):96mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:700W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:12000pF; Charge, porte, canal N:200nC; Courant, Id max..:50A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.18°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N SOT-227B; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:694W; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:12000pF; Charge, porte, canal N:200nC; Courant, Id max..:39A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.12°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.4A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.4A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:730mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.15A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:730mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.15A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:8A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:FDN335N;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):70mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:8A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:FDN335N;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.7A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.7A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:280mA; Courant, Idm impul.:800mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:280mA; Courant, Idm impul.:800mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:115mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1(G), 2(S),3(D); Courant, Id max..:115mA; Courant, Idm impul.:800mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:150mA; Courant, Idm impul.:600mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:150mA; Courant, Idm impul.:600mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:170mA; Courant, Idm impul.:680mA; Largeur (externe):1.3mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:2.92mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:170mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:170mA; Courant, Idm impul.:680mA; Largeur (externe):1.3mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:2.92mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:173mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:173mA; Courant, Idm impul.:700mA; Marquage, CMS:M8p; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:830mW;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:190mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1g, 2s, 3d; Courant, Id max..:190mA; Courant, Idm impul.:800mA; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:190mA; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1g, 2s, 3d; Courant, Id max..:190mA; Courant, Idm impul.:800mA; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:FDN337N;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:FDN337N;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:806mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:370pF; Charge, porte, canal N:4.8nC; Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:11.8A; Temps, t off:17.8ns;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:806mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:370pF; Charge, porte, canal N:4.8nC; Courant, Id max..:2.4A; Courant, Idm impul.:11.8A; Temps, t off:17.8ns;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.053ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.9A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.053ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.9A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):46mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.7A; Courant, Idm impul.:15A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):46mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.7A; Courant, Idm impul.:15A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:710mW; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.9A; Temps de montée:7ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:8V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:710mW; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.9A; Temps de montée:7ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:220mA; Courant, Idm impul.:880mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.3V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:220mA; Courant, Idm impul.:880mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:230mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:230mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:60V; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:230mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:230mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension Vds:60V; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:280mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:280mA; Courant, Idm impul.:1.5A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:280mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:280mA; Courant, Idm impul.:1.5A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:50V;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:50V;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Courant, Idm impul.:1.2A; Marquage composant:12%; Résistance thermique, jonction-carcasse:150°C/W;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Courant, Idm impul.:1.2A; Marquage composant:12%; Résistance thermique, jonction-carcasse:150°C/W;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Courant, Idm impul.:1.2A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:830mW; Résistance, Ron, max..:5ohm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2.8ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Courant, Idm impul.:1.2A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:830mW; Résistance, Ron, max..:5ohm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:335mA; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):2.3ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:335mA; Courant, Idm impul.:1.3A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:335mA; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):2.3ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:335mA; Courant, Idm impul.:1.3A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):47mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.6A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:47mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:65mohm; Température de
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):47mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.6A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:47mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:65mohm; Température de
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Résistance, Rds on @ Vgs = 2.5V:120mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:60mohm; Température de
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4A; Résistance, Rds on @ Vgs = 2.5V:120mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:60mohm; Température de
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.16A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.038ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.16A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:800mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:MMBF170;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:800mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage composant:MMBF170;
TRANSISTOR MOSFET N SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.85V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:115mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N SOT23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):7.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.85V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:115mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:540mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:540mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:540mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:540mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:750mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:750mA; Courant, Idm impul.:2A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:750mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.075ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:750mA; Courant, Idm impul.:2A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:850mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:920mA; Courant, Idm impul.:3.4A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:500mW; Température de
TRANSISTOR MOSFET N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:850mA; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.4ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:400mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:920mA; Courant, Idm impul.:3.4A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:500mW; Température de
TRANSISTOR MOSFET N SOT-323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SOT-323; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:200mA; Courant, Id max..:200mA; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET N SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):3.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.2V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:200mA; Courant, Id max..:200mA; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.35A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):3.6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:54W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:8A; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:10A; Courant, Idm impul.:35A; Marquage, CMS:IRL520NPBF; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):740mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1610pF; Charge, porte, canal N:32nC; Courant, Id max..:10A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.62°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):320mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:30A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.27ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):299mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:104W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):350mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1000pF; Courant Iar:6A; Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:48A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:400mJ;
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):530mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:225W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Courant, Idm impul.:48A; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):340mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:40W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:2260pF; Courant Iar:14A; Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:56A; Energie dissipée, avalanche non répétitive
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:15A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:170W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:400V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:2250pF; Charge, porte, canal N:43nC; Courant, Id max..:16A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.42°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:16A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:17A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):230mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:80A; Energie avalanche répétitive max..:25mJ; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:40A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:208W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C;
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.13ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:34W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:23A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:25A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:25A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.9A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.9A; Courant, Idm impul.:11.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:255W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:31A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):94mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:235W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1640pF; Configuration du Brochage:G(1),D(2)S(3); Courant, Id max..:33A; Courant, Idm impul.:132A; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:1.2kV; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1050pF; Charge, porte, canal N:39nC; Courant, Id max..:3A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.8°C/W; Temps de
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2.9ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:411pF; Charge, porte, canal N:9.8nC; Courant, Id max..:3A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.8°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:107W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:12A; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:18A; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):84mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:2300pF; Charge, porte, canal N:70nC; Courant, Id max..:42A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.42°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):34mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:220W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:45A; Courant, Idm impul.:180A; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1050pF; Charge, porte, canal N:39nC; Courant, Id max..:4A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.8°C/W; Temps trr max.:250ns;
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:510pF; Courant Iar:4A; Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:16A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:120mJ;
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:750pF; Charge, porte, canal N:15nC; Courant, Id max..:3.6A; Résistance thermique, jonction-carcasse:1.25°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.1A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):0.94ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:5.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):2.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:158W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.5A; Courant, Idm impul.:22A; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.56ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1350pF; Courant Iar:5.8A; Courant, Id max..:5.8A; Courant, Idm impul.:23.2A; Energie dissipée, avalanche non répétitive
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:54A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):11.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:55W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:54A; Courant, Idm impul.:65A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance, Ptot:55W; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:2900pF; Courant, Id max..:59A; Courant, Idm impul.:240A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:170mJ; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.1A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:28W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:6.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.2A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1320pF; Courant Iar:6.2A; Courant, Id max..:6.2A; Courant, Idm impul.:24.8A; Energie dissipée, avalanche non répétitive
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.6A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.59ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:32W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:6.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.6A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.57ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:167W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6.6A; Courant, Idm impul.:26.4A; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.47ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:6.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.9A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):0.62ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:6.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:61A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:417W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:61A; Courant, Idm impul.:244A; Energie avalanche répétitive max..:41.7mJ; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:64A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:130W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:64A; Courant, Idm impul.:210A; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Puissance, Ptot:130W; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.93ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:167W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:24A; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.1A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.47ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:66W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:7.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:7.3A; Courant, Idm impul.:14.6A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:83W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C;
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:147W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.5A; Courant, Idm impul.:30A; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:360W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:2250pF; Charge, porte, canal N:74nC; Courant, Id max..:75A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.42°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:400A; Marquage, CMS:PSMN009-100P; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:200W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:160A; Marquage composant:HUF75339P3; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron, max..:12mohm;
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):11mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:137W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:3437pF; Configuration du Brochage:G(1),D(2)S(3); Courant, Id max..:75A; Courant, Idm impul.:300A; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:79A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:79A; Courant, Idm impul.:430A; Marquage, CMS:FDP2532; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:79A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0071ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:79A; Courant, Idm impul.:315A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):950mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:30W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1110pF; Courant Iar:7A; Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:28A; Energie dissipée, avalanche non répétitive
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:255W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:4152pF; Configuration du Brochage:G(1),D(2)S(3); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):6.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:4400pF; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:1300mJ; Température de
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:3850pF; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:870mJ; Température de
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:3740pF; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:1000mJ; Température de
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:5300pF; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:1300mJ; Résistance, Rds
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0046ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:242mW; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:320A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.12ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:205W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:32A; Largeur (externe):10.67mm; Longueur/hauteur:4.83mm; Nombre de transistors:1; Résistance, Ron,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):8.8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:90A; Temps de montée:17ns; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, Tj max..:175°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:375W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:90A; Temps de montée:10ns; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, Tj max..:175°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):399mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):399mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:560V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure
TRANSISTOR MOSFET N TO-220; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure
TRANSISTOR MOSFET N TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):6.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:54W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:800V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:270W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant Iar:32A; Courant, Id max..:32A; Courant, Idm impul.:128A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:597.4mJ; Pas:5.45mm; Puissance, Ptot:270W; Température,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220AB; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:73A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:270W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:292A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:319.2mJ; Pas:5.45mm; Puissance, Ptot:270W; Température, Tj max..:150°C;
TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):6.3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.5A; Courant, Idm impul.:6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:36W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11A; Courant, Idm impul.:30A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):380mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:38.5W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Courant, Idm impul.:64A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):94mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:1640pF; Configuration du Brochage:G(1),D(2),S(3); Courant, Id max..:33A; Courant, Idm impul.:80A; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:117W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:3620pF; Configuration du Brochage:G(1),D(2),S(3); Courant, Id max..:28A; Courant, Idm impul.:112A; Résistance thermique,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):4.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:23W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:8A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:39A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):66mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:37W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:39A; Courant, Idm impul.:156A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:39W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:12A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):2.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:33W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.5A; Courant, Idm impul.:18A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:56W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Courant, Idm impul.:160A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):2.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:51W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.5A; Courant, Idm impul.:22A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):530mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:31W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7A; Courant, Idm impul.:30A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.29ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:59W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:32A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N TO-220F; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11.8A; Courant, Idm impul.:48A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.1A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:2.1A; Courant, Idm impul.:8.4A; Nombre de transistors:1; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:800V; Tension, Vgs max..:20V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N TO-220FP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):4.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:10A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:170mJ; Résistance, Rds on @ Vgs =
TRANSISTOR MOSFET N TO-236; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:950mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-236; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.9A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):33mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:950mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:480W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:3550pF; Charge, porte, canal N:110nC; Courant, Id max..:110A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.31°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):0.39ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:156W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Courant, Id max..:11A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):16mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:4900pF; Charge, porte, canal N:150nC; Courant, Id max..:120A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.25°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:714W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:6000pF; Charge, porte, canal N:152nC; Courant, Id max..:120A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.21°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):700mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:350W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:700mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:16A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:560V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:460W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:4000pF; Charge, porte, canal N:70nC; Courant, Id max..:16A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.27°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:208W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id cont. à 25°C:20A; Courant, Id max..:20A; Courant, Idm impul.:40A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:208W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:650W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:5800pF; Charge, porte, canal N:100nC; Courant, Id max..:24A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.19°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:313W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:30A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:460W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:4150pF; Charge, porte, canal N:70nC; Courant, Id max..:30A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.27°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:540W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:4700pF; Charge, porte, canal N:82nC; Courant, Id max..:36A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.23°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:650W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:5800pF; Charge, porte, canal N:102nC; Courant, Id max..:36A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.19°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:36A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:417W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Courant, Id max..:36A; Courant, Idm impul.:96A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:900V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.15V; Dissipation de puissance Pd:750W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:44A; Courant, Idm impul.:176A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:750W; Style de boîtier alternatif:SOT-249;
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):140mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:650W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:5440pF; Charge, porte, canal N:98nC; Courant, Id max..:44A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.19°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:45A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:417W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal N:117nC; Courant, Id max..:45A; Courant, Idm impul.:180A; Nombre de transistors:1; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:100mohm;
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.7A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:89W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:5.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:900V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.6A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.59ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:6.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:60A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:431W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; Courant, Id max..:60A; Courant, Idm impul.:230A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:75A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:325W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:75A; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:325W; Style de boîtier alternatif:SOT-249; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8.3A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):1.38ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8.3A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:1.38ohm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:88A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:6300pF; Charge, porte, canal N:180nC; Courant, Id max..:88A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.21°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:160V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:500pF; Configuration du Brochage:G(1), S(2), D(3); Courant, Id max..:8A; Diode roue libre:Id(peak) = 8 A; Marquage
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:96A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:4800pF; Charge, porte, canal N:145nC; Courant, Id max..:96A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.25°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-247; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):399mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:560V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure
TRANSISTOR MOSFET N TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0037ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:370W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:180A; Courant, Idm impul.:670A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0048ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:280W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:134A; Courant, Idm impul.:560A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:280W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200A; Courant, Idm impul.:840A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0033ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:220W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:160A; Courant, Idm impul.:620A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:75V; Résistance Rds(on):0.0028ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:340W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200A; Courant, Idm impul.:850A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:400V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Idm impul.:80A; Marquage composant:IRFP240; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:200V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N TO-247AC; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:97A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0072ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:97A; Courant, Idm impul.:390A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N TO-251; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):2.7ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:1.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-251; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.85ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:4.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-251; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:800mA; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:11W; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:800mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET N TO-252 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):265mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:235W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Courant, Idm impul.:72A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N TO-252 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.6A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):0.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:70mW; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.6A; Courant, Idm impul.:20A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N TO-252 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:95W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:32A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-252 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:95W; Type de boîtier de transistor:TO-252AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:32A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-252 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:135mW; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:44A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-252 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:135mW; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:44A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-252 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:60mW; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N TO-252 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):10.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.4V; Dissipation de puissance Pd:60mW; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:19A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:200V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:25A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:150V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:25A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:25A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:150V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):2.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:800V; Tension, Vgs max..:20V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):2.4ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:800V; Tension, Vgs max..:20V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):1.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:3.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:560V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):1.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:38W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:3.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:560V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):0.85ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:50W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:4.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:560V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:40A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.02ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:40A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:800V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:63W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:800V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.1A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:5.1A; Courant, Idm impul.:10A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:900V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.1A; Tension Vds max..:900V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:5.1A; Courant, Idm impul.:10A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:900V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0074ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0074ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:136W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.1A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:6.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.1A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:6.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.2A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.68ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:6.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.2A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.68ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:6.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.47ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:66W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:6.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.78ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:6A; Courant, Idm impul.:18A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:800V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.1A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:66W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:7.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.1A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):520mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:66W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:7.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:7.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.3A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:7.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.6A; Tension Vds max..:560V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:7.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:560V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.36ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.36ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:27A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-252; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:9A; Courant, Idm impul.:27A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-262; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):0.32ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:89W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:10A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure
TRANSISTOR MOSFET N TO-262; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:43A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):12.6mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:71W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:43A; Courant, Idm impul.:170A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-262; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure
TRANSISTOR MOSFET N TO-263 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):0.24ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-263 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):75mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:180W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:31A; Dissipation de puissance sur CI 1'' carré:3.13W; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET N TO-263 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:34A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.5mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:11400pF; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:80A; Temps, trr typ.:59ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N TO-263 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:34A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):1.5mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:11400pF; Courant, Id max..:80A; Courant, Idm impul.:80A; Temps, trr typ.:59ns; Température de
TRANSISTOR MOSFET N TO-263 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N TO-263 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:1.9V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Courant, Idm impul.:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N TO-263 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:62A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):22.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:260W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:62A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-263 CMS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:62A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):22.9mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:260W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:62A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.1ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:2300pF; Charge, porte, canal N:40nC; Courant, Id max..:10A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.42°C/W;
TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.27ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:96W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:11A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):400mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:2250pF; Charge, porte, canal N:43nC; Courant, Id max..:16A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.42°C/W;
TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.18ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:139W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:16A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:17A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:800V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:17A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:227W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:17A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:800V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:192W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:21A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:21A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:192W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:21A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:255W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:31A; Courant, Idm impul.:93A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:31A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.09ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:255W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:31A; Courant, Idm impul.:93A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.1A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:6.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.1A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.54ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:6.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.8A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.47ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:66W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:6.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-263; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9A; Tension Vds max..:650V; Résistance Rds(on):0.35ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:9A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:650V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:120A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:700W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:8000pF; Charge, porte, canal N:185nC; Courant, Id max..:120A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.18°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:140A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:800W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:7500pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:140A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.18°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:140A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):24mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:1.04kW; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:14000pF; Charge, porte, canal N:185nC; Courant, Id max..:140A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.12°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:180A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):10mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:800W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:7000pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:180A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.18°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):7.5mohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:800W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:7600pF; Charge, porte, canal N:240nC; Courant, Id max..:200A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.18°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):270mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:830W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:8800pF; Charge, porte, canal N:150nC; Courant, Id max..:32A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.15°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:44A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):190mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:1.2kW; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:12000pF; Charge, porte, canal N:198nC; Courant, Id max..:44A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.12°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:48A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):135mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:830W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:8860pF; Charge, porte, canal N:150nC; Courant, Id max..:48A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.15°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:64A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5.5V; Dissipation de puissance Pd:830W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:8700pF; Charge, porte, canal N:150nC; Courant, Id max..:64A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.15°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:64A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):96mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:1.04kW; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:12000pF; Charge, porte, canal N:200nC; Courant, Id max..:64A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.12°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-264; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:88A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:6300pF; Charge, porte, canal N:180nC; Courant, Id max..:88A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.21°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:160V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Marquage composant:BUZ900D; Nombre de transistors:1; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Nombre de transistors:1; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET N TO-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:160V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8A; Marquage composant:BUZ900; Nombre de transistors:1; Style de boîtier alternatif:TO-204AA; Température, courant:25°C; Température,
TRANSISTOR MOSFET N TO-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8A; Nombre de transistors:1; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension, Vds typ.:200V; Tension, Vgs max..:1.5V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-39; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:25W; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8A; Courant, Idm impul.:25A; Nombre de transistors:1; Pas:5.08mm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température,
TRANSISTOR MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):27mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:6300pF; Charge, porte, canal N:185nC; Courant, Id max..:100A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.21°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:150A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:714W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:5800pF; Charge, porte, canal N:190nC; Courant, Id max..:150A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.21°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:55A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:55A; Courant, Idm impul.:220A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj
TRANSISTOR MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:250V; Résistance Rds(on):49mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:392W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:59A; Courant, Idm impul.:236A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:59A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):0.047ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:500W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:59A; Courant, Idm impul.:236A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:417W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:70A; Courant, Idm impul.:280A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET N TO-3P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:88A; Tension Vds max..:300V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:600W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:6300pF; Charge, porte, canal N:180nC; Courant, Id max..:88A; Résistance thermique, jonction-carcasse:0.21°C/W; Temps trr
TRANSISTOR MOSFET N TO-92; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:200mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
TRANSISTOR MOSFET N TO-92; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:400mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:400mA; Courant, Idm impul.:2A; Marquage composant:BS270; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Température de
TRANSISTOR MOSFET N TO-92; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.1V; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:500mA; Courant, Idm impul.:1.2A; Marquage composant:BS170; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm; Température de
TRANSISTOR MOSFET N TRENCH DL 20V SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:870mA; Courant, Id max..:870mA;
TRANSISTOR MOSFET N TRENCH DL 20V SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.28ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:400mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:870mA; Courant, Id max..:870mA;
TRANSISTOR MOSFET N TRENCH DL 20V SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:560mA; Courant, Id max..:860mA;
TRANSISTOR MOSFET N TRENCH DL 20V SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:200mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.29ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:560mA; Courant, Id max..:860mA;
TRANSISTOR MOSFET N TRENCH DL 60V SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.78ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:490mA; Courant, Id max..:490mA;
TRANSISTOR MOSFET N TRENCH DL 60V SOT363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.78ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:410mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:490mA; Courant, Id max..:490mA;
TRANSISTOR MOSFET N TSOP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:860mW; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:20A; Courant, sortie max.:860mA; Racine de la référence:3442; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N TSOP; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.045ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:860mW; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:20A; Courant, sortie max.:860mA; Racine de la référence:3442; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET N VGS=2.5V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:45V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:200pF; Configuration du Brochage:1(G),2(S),3(D); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:8A; Temps de
TRANSISTOR MOSFET N VGS=2.5V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:45V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:200pF; Configuration du Brochage:1(G),2(S),3(D); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:8A; Temps de
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1.5A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:110A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.009ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:312W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:110A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:10.5mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):11.3mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:140A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.0056ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:140A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V;
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.12ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.8A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:60V;
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:23A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:65mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):65mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:70W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:23A; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:65mohm; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:3.3A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):3ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4.5V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:3.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:30V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):0.032ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:95W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:32A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:33A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):52mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:94W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:33A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V;
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:35A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:50V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:41A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:230W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:41A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:ChipFET; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:20V;
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):28mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:4V; Tension, Vgs, mesure de Rds
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:52.4A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.017ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:121W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:52A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, Tj max..:175°C; Température, Tj min.:-55°C; Température
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0236ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:810mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0236ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:810mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:70A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:70A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs max..:20V;
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:80A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:80A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:500V; Résistance Rds(on):850mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:500V; Tension, Vgs max..:30V;
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:18.6A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-18.6A; Temps de montée:25ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C;
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:18.6A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.0075ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-18.6A; Temps de montée:25ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C;
TRANSISTOR MOSFET N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:49A; Tension Vds max..:55V; Résistance Rds(on):17.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-262; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:49A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:55V; Tension, Vgs max..:4V;
TRANSISTOR MOSFET NN 60V 5.3A 8SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):46mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5.3A; Courant, Id max..:5.3A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.058ohm;
TRANSISTOR MOSFET NN 60V 5.3A 8SOIC; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:5.3A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):46mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.5V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:5.3A; Courant, Id max..:5.3A; Résistance On Rds(on), Canal N:0.058ohm;
TRANSISTOR MOSFET NN; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.34ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:500mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET NN; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:500mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.34ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:500mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET NP; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:µSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant continu Id canal N:2.7A; Courant impulsion Idm canal N:21A; Courant, Id cont, canal P:2A; Courant, Id imp, canal P:16A;
TRANSISTOR MOSFET NP; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):110mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:µSOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant continu Id canal N:2.7A; Courant impulsion Idm canal N:21A; Courant, Id cont, canal P:2A; Courant, Id imp, canal P:16A;
TRANSISTOR MOSFET NUMERIQ P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-120mA; Tension Vds max..:-25V; Résistance Rds(on):7.9ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:500mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET NUMERIQ P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-120mA; Tension Vds max..:-25V; Résistance Rds(on):7.9ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:500mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET NUMERIQ P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-460mA; Tension Vds max..:-25V; Résistance Rds(on):1.22ohm; Tension, mesure Rds:2.7V; Tension de seuil Vgs:-860mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:500mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET NUMERIQ P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-460mA; Tension Vds max..:-25V; Résistance Rds(on):1.22ohm; Tension, mesure Rds:2.7V; Tension de seuil Vgs:-860mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:500mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET NUMERIQUE N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):3.1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:220mA; Courant, Idm impul.:500mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm;
TRANSISTOR MOSFET NUMERIQUE N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:220mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):3.1ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:850mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:220mA; Courant, Idm impul.:500mA; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm;
TRANSISTOR MOSFET NUMERIQUE N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:680mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:680mA; Courant, Idm impul.:2A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm;
TRANSISTOR MOSFET NUMERIQUE N SOT-23; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:680mA; Tension Vds max..:25V; Résistance Rds(on):0.33ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:800mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:680mA; Courant, Idm impul.:2A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm;
TRANSISTOR MOSFET N-VOIES 20V V(BR)DSS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:19A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0022ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR MOSFET N-VOIES 30V V(BR)DSS; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:11.7A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0062ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR MOSFET P & SCHOTTKY SO-8 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.069ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.1V; Dissipation de puissance Pd:1.6mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-16A; Courant, If moy.:2mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET P & SCHOTTKY SO-8 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.069ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.1V; Dissipation de puissance Pd:1.6mW; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-16A; Courant, If moy.:2mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET P 12V 1.52A SOT457; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:417mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.52A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET P 12V 1.52A SOT457; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.08ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:417mW; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.52A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET P 12V 6A 1206-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:5.7W; Type de boîtier de transistor:1206; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:8V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 12V 6A 1206-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-400mV; Dissipation de puissance Pd:5.7W; Type de boîtier de transistor:1206; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:8V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 12V SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-16A; Courant, Idm impul.:65A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET P 12V SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):7mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-16A; Courant, Idm impul.:65A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET P 150V SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):240mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.2A; Courant, Idm impul.:19A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET P 150V SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2.2A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):240mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.2A; Courant, Idm impul.:19A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET P -160V, -8A, TO-247; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:160V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:734pF; Configuration du Brochage:G(1), S(2), D(3); Courant, Id max..:8A; Diode roue libre:Id(peak) = 8 A; Marquage
TRANSISTOR MOSFET P 200V 225MA SOT223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-200mA; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-225mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C;
TRANSISTOR MOSFET P 200V 225MA SOT223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-200mA; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-225mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C;
TRANSISTOR MOSFET P 20V 0.58A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-580mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):420mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-580mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:8V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 20V 0.58A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-580mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):420mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-580mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:8V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 20V 3.9A SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.058ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-750mV; Dissipation de puissance Pd:833mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-20V;
TRANSISTOR MOSFET P 20V 3.9A SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.058ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-750mV; Dissipation de puissance Pd:833mW; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-20V;
TRANSISTOR MOSFET P 20V 3A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3A; Courant, Idm impul.:12A; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-12V; Tension, Vgs th max..:-2V;
TRANSISTOR MOSFET P 20V 3A; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):125mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3A; Courant, Idm impul.:12A; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-12V; Tension, Vgs th max..:-2V;
TRANSISTOR MOSFET P 20V 4.5A 8SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-4.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 20V 4.5A 8SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-4.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 20V 4.8A 6TSOP; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.8A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.048ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-750mV; Dissipation de puissance Pd:2.2W; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET P 20V 5.6A 8SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-450mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-5.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:9V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 20V 5.6A 8SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-450mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-5.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:9V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 20V 7.3A 8SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-450mV; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-7.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:8V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 20V SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.095ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-450mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.3A; Courant, Idm impul.:10A; Résistance, Rds on @ Vgs = 2.5V:122mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:95mohm;
TRANSISTOR MOSFET P 20V SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2.3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.095ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-450mV; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.3A; Courant, Idm impul.:10A; Résistance, Rds on @ Vgs = 2.5V:122mohm; Résistance, Rds on @ Vgs = 4.5V:95mohm;
TRANSISTOR MOSFET P 20V SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-720mV; Dissipation de puissance Pd:730mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 20V SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.07ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-720mV; Dissipation de puissance Pd:730mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 20V SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:400mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:400mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 20V SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:400mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:400mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 20V SOT-323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.37A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-640mV; Dissipation de puissance Pd:329mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.37A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET P 20V SOT-323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.37A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):120mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-640mV; Dissipation de puissance Pd:329mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.37A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET P 240V 0.2A SOT89; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-200mA; Tension Vds max..:-240V; Résistance Rds(on):12ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-200mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET P 240V 0.2A SOT89; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-200mA; Tension Vds max..:-240V; Résistance Rds(on):12ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-200mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET P 250V 225MA SOT223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-200mA; Tension Vds max..:-250V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-225mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C;
TRANSISTOR MOSFET P 250V 225MA SOT223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-200mA; Tension Vds max..:-250V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-225mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C;
TRANSISTOR MOSFET P 30V 30MA SOT23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:7mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:70mA; Tension, Vgs off max..:6V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de drain Id:70mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:7mA à 70mA; Polarité transistor:Canal P;
TRANSISTOR MOSFET P 30V 30MA SOT23; Tension, claquage Vbr:30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:7mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:70mA; Tension, Vgs off max..:6V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de drain Id:70mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:7mA à 70mA; Polarité transistor:Canal P;
TRANSISTOR MOSFET P 30V 3A SOT223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.8mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET P 30V 3A SOT223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.8V; Dissipation de puissance Pd:5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.8mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET P 30V 50A PPAK SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):4.2mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-50A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:25V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 30V 50A PPAK SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):4.2mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.2V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-50A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:25V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 30V 75A TO220AB; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-75A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):5.5mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:187W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:-75A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
TRANSISTOR MOSFET P 30V 9.7A 8SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-9.7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):8.8mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-9.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 30V 9.7A 8SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-9.7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):8.8mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-9.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:12V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 30V SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1.75V; Dissipation de puissance Pd:3.13W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 30V SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1.75V; Dissipation de puissance Pd:3.13W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:5.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 30V SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.95A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.95mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 30V SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.95A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.95mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 30V TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:50A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):25mohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:50A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET P 40V 50A TO252; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-50A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):6.7mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:73.5W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-50A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
TRANSISTOR MOSFET P 40V SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:10.5A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-10.5A; Courant, Idm impul.:43A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET P 40V SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:10.5A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-10.5A; Courant, Idm impul.:43A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET P 50V SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:130mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:130mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 50V SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:130mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:5V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:225mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:130mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 60V 0.185A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-185mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-185mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 60V 0.185A SOT23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-185mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-185mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 60V 3.6A PPAK SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.6A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):54mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-3.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
TRANSISTOR MOSFET P 60V 300MA SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-160mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):2.1ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:417mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-300mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET P 60V 300MA SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-160mA; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):2.1ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:417mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-300mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET P 60V 8.6A PPAK SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.6A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):11.5mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-8.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 60V 8.6A PPAK SO8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.6A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):11.5mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant, Id max..:-8.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V; Type de
TRANSISTOR MOSFET P 60V DPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:8.2A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:9.76W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-8.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 60V DPAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:8.2A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:9.76W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-8.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 60V SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.6mA; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 60V SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2.6A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.6mA; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 60V TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):196mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-60V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET P 6-TSOP; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.6A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-30V;
TRANSISTOR MOSFET P 8-TSSOP; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.5A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.024ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:TSSOP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:4.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 8V SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.7A; Tension Vds max..:-8V; Résistance Rds(on):52mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 8V SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.7A; Tension Vds max..:-8V; Résistance Rds(on):52mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 8V SOT-323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:8V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:290mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P 8V SOT-323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.4A; Tension Vds max..:8V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:290mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P CMS 3-SUPERSOT; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.122ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET P CMS 3-SUPERSOT; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.122ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET P CMS 3-SUPERSOT; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET P CMS 3-SUPERSOT; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.3A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-1.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET P CMS 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-11A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-830mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11A; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-830mV; Tension,
TRANSISTOR MOSFET P CMS 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-11A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):14mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-830mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:11A; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-830mV; Tension,
TRANSISTOR MOSFET P CMS 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13.5A; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-600mV;
TRANSISTOR MOSFET P CMS 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):8.5mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13.5A; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-20V; Tension, Vgs max..:-600mV;
TRANSISTOR MOSFET P CMS 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P CMS 8-SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P CMS SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-11A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):13mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-11A; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-40V; Tension, Vgs max..:-1.4V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET P CMS SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.7V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5.9A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P CMS SOT-223; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.9A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):50mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2.7V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5.9A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P CMS SSOT-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P CMS SSOT-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P CMS SSOT-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET P CMS SSOT-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):55mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET P CMS SSOT-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.6A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET P CMS SSOT-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.6A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):40mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET P CMS SSOT-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):105mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-60V; Tension, Vgs max..:-1.6V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET P CMS SSOT-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):105mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3A; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-60V; Tension, Vgs max..:-1.6V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET P CMS SUPERSOT-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET P CMS SUPERSOT-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET P CMS TO-252; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-40A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:52W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-40A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P D-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-15A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-15A; Courant, Idm impul.:45A; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.3mm; Marquage, CMS:FDD5614P;
TRANSISTOR MOSFET P D-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-15A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-15A; Courant, Idm impul.:45A; Largeur (externe):6.6mm; Longueur/hauteur:2.3mm; Marquage, CMS:FDD5614P;
TRANSISTOR MOSFET P D-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:8.8A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):280mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-8.8A; Courant, Idm impul.:35A; Largeur (externe):6.8mm; Longueur/hauteur:2.55mm; Marquage, CMS:IRFR9024PBF; Nombre de transistors:1; Profondeur:10.5mm;
TRANSISTOR MOSFET P ESD 20V 0.14A SC89; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-140mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SC-75A; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:-140mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:6V
TRANSISTOR MOSFET P I-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.11ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:79W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-12A; Courant, Idm impul.:68A; Largeur (externe):9.9mm; Longueur/hauteur:4.5mm; Marquage, CMS:FQU17P06; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET P I-PAK; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):205mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:66W; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-13A; Courant, Idm impul.:52A; Longueur cordon:9.65mm; Marquage, CMS:IRFU5410PBF; Nombre de transistors:1; Pas:2.28mm; Style
TRANSISTOR MOSFET P LOGIQUE SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.015ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-8A; Courant, Idm impul.:50A; Largeur (externe):4.05mm; Longueur/hauteur:1.75mm; Marquage, CMS:SI4435DYPBF;
TRANSISTOR MOSFET P LOGIQUE TSOP-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal P:5.8nC; Courant, Id max..:-2.4A; Courant, Idm impul.:13A; Marquage, CMS:2C; Résistance, Rds on @
TRANSISTOR MOSFET P LOGIQUE TSOP-6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2.4A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:1.7W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal P:5.8nC; Courant, Id max..:-2.4A; Courant, Idm impul.:13A; Marquage, CMS:2C; Résistance, Rds on @
TRANSISTOR MOSFET P MICRO3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-550mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P MICRO3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.05ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-550mV; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.3A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P MICRO3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-600mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de transistor:µSOIC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-760mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P MICRO3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-600mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:540mW; Type de boîtier de transistor:µSOIC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-760mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P MLP CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:25V; Tension de seuil Vgs:-2.1V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6.8A; Courant, Idm impul.:24A; Marquage, CMS:530; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET P MLP CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6.8A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.03ohm; Tension, mesure Rds:25V; Tension de seuil Vgs:-2.1V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6.8A; Courant, Idm impul.:24A; Marquage, CMS:530; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET P MLP6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:-700mV; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6.6A; Courant, Idm impul.:24A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C;
TRANSISTOR MOSFET P MLP6; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:-700mV; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:µFET; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6.6A; Courant, Idm impul.:24A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C;
TRANSISTOR MOSFET P PPAK SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-28A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.033ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-28A; Temps de montée:20ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj
TRANSISTOR MOSFET P PPAK SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-28A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):0.033ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:83W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-28A; Temps de montée:20ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj
TRANSISTOR MOSFET P PPAK SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.051ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5A; Temps de montée:9ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C;
TRANSISTOR MOSFET P PPAK SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.051ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK SO; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5A; Temps de montée:9ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C;
TRANSISTOR MOSFET P SC-70; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:2.78W; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal P:5.5nC; Courant, Id max..:1.6A; Courant, Idm impul.:6.5A; Racine de la référence:1469; Résistance, Rds
TRANSISTOR MOSFET P SC-70; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.065ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:2.78W; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal P:5.5nC; Courant, Id max..:1.6A; Courant, Idm impul.:6.5A; Racine de la référence:1469; Résistance, Rds
TRANSISTOR MOSFET P SC70-6 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.084ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:6A; Marquage, CMS:.30; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET P SC70-6 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:12V; Résistance Rds(on):0.084ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:6A; Marquage, CMS:.30; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET P SC89 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:150mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-150mA; Courant, Idm impul.:1A; Marquage, CMS:B; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET P SC89 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:150mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-150mA; Courant, Idm impul.:1A; Marquage, CMS:B; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET P SC89 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-350mA; Courant, Idm impul.:1A; Marquage, CMS:A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET P SC89 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.5ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-350mA; Courant, Idm impul.:1A; Marquage, CMS:A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET P SC89 DOUBLE CMS; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.03V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-350mA; Courant, Id max..:-350mA; Courant,
TRANSISTOR MOSFET P SC89 DOUBLE CMS; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:350mA; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1.03V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-350mA; Courant, Id max..:-350mA; Courant,
TRANSISTOR MOSFET P SO-8 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0108ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:55A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET P SO-8 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:11A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0108ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-11A; Courant, Idm impul.:55A; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR MOSFET P SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.5A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):16.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:80V;
TRANSISTOR MOSFET P SO-8; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:9.5A; Tension Vds max..:80V; Résistance Rds(on):16.5mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:80V;
TRANSISTOR MOSFET P SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5.3A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS9435A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
TRANSISTOR MOSFET P SO-8; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5.3A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.042ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5.3A; Courant, Idm impul.:50A; Marquage, CMS:FDS9435A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C;
TRANSISTOR MOSFET P SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:9.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0085ohm; Tension, mesure Rds:12V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal P:37nC; Courant, Id max..:13.7A; Racine de la référence:4463; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:11mohm;
TRANSISTOR MOSFET P SOIC; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:9.8A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.0085ohm; Tension, mesure Rds:12V; Tension de seuil Vgs:-1.4V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Charge, porte, canal P:37nC; Courant, Id max..:13.7A; Racine de la référence:4463; Résistance, Rds on @ Vgs = 10V:11mohm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.25A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:20V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.2A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.25A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):170mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:20V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.2A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.6A; Courant, Idm impul.:5A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):130mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.6A; Courant, Idm impul.:5A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:560mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.5A; Courant, Idm impul.:5A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.6A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:560mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.5A; Courant, Idm impul.:5A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:120mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-120mA; Courant, Idm impul.:1A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:120mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-120mA; Courant, Idm impul.:1A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-130mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:520mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-130mA; Tension Vds max..:50V; Résistance Rds(on):6ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-2V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:520mA; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:180mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:180mA; Courant, Idm impul.:1A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:180mA; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):5ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:360mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:180mA; Courant, Idm impul.:1A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):410mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):410mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-950mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.2A; Courant, Idm impul.:10A; Marquage composant:SI2301BDS; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-950mV; Dissipation de puissance Pd:900mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.2A; Courant, Idm impul.:10A; Marquage composant:SI2301BDS; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):52mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.4A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):52mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-890mV; Dissipation de puissance Pd:1.08W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-2.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-890mV; Dissipation de puissance Pd:1.08W; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-2.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.06ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.06ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:20A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):80mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.9V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Courant, Idm impul.:20A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm; Marquage
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-12V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-12V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):39mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.7A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):39mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):32mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-5.3A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):32mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Type de boîtier de transistor:TO-236; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.1A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:900mA; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-23; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:900mA; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.25ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:900mA; Courant, Idm impul.:10A; Largeur (externe):3.05mm; Largeur, bande:8mm; Longueur/hauteur:1.12mm;
TRANSISTOR MOSFET P SOT-323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-130mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-130mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P SOT-323; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-130mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-130mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:1.13A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.22ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:450mV; Dissipation de puissance Pd:570mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1.28A; Courant, Id max..:1.28A; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET P SOT-363; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:1.13A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.22ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:450mV; Dissipation de puissance Pd:570mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:1.28A; Courant, Id max..:1.28A; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET P SOT-363; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-130mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-130mA; Courant, Id max..:-130mA; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET P SOT-363; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:-130mA; Tension Vds max..:-50V; Résistance Rds(on):10ohm; Tension, mesure Rds:-5V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-130mA; Courant, Id max..:-130mA; Résistance On
TRANSISTOR MOSFET P SOT-563; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-950mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:170mW; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-860mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P SOT-563; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-950mA; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:170mW; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-860mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P SSOT-6 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:12V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension
TRANSISTOR MOSFET P SSOT-6 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.037ohm; Tension, mesure Rds:12V; Tension de seuil Vgs:-800mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension
TRANSISTOR MOSFET P SSOT-6 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension
TRANSISTOR MOSFET P SSOT-6 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.044ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension
TRANSISTOR MOSFET P SSOT-6 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension
TRANSISTOR MOSFET P SSOT-6 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5.5A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):35mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-900mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension
TRANSISTOR MOSFET P SSOT-6 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension
TRANSISTOR MOSFET P SSOT-6 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:5.8A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.026ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-5.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension
TRANSISTOR MOSFET P SSOT-6 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension
TRANSISTOR MOSFET P SSOT-6 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-500mV; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension
TRANSISTOR MOSFET P SUPER33; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.8V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:Power 33; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:200pF; Configuration du Brochage:D(5,6,7,8), G(4), S(1,2,3); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:12A;
TRANSISTOR MOSFET P SUPER33; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.8V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:Power 33; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:200pF; Configuration du Brochage:D(5,6,7,8), G(4), S(1,2,3); Courant, Id max..:3A; Courant, Idm impul.:12A;
TRANSISTOR MOSFET P TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):290mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-13A; Courant, Idm impul.:44A; Energie dissipée, avalanche non répétitive Eas:310mJ; Nombre de transistors:1; Pas:2.54mm;
TRANSISTOR MOSFET P TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:24A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.041ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-700mV; Dissipation de puissance Pd:60W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Id max..:-24A; Courant, Idm impul.:70A; Format de broche:1G,(2+Tab)D, 3S; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR MOSFET P TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:53A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):19.5mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:3.1W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:9.2A; Temps de montée:7ns; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température
TRANSISTOR MOSFET P TO-220; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:90A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.0074ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:2.4W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-90A; Temps de montée:190ns; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température, Tj max..:175°C; Température
TRANSISTOR MOSFET P TO-247; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:734pF; Configuration du Brochage:G(1), S(2), D(3); Courant, Id max..:8A; Diode roue libre:Id(peak) = 8 A; Nombre de
TRANSISTOR MOSFET P TO-252 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:42mW; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6.7A; Courant, Idm impul.:60A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET P TO-252 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:20V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:42mW; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6.7A; Courant, Idm impul.:60A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET P TO-252 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-8.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P TO-252 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:32A; Tension Vds max..:40V; Résistance Rds(on):0.023ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:69W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-8.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P TO-263 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-47A; Courant, Idm impul.:188A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET P TO-263 CMS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:47A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):26mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:160W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-47A; Courant, Idm impul.:188A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR MOSFET P TO-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:16A; Tension Vds max..:160V; Résistance Rds(on):750mohm; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-16A; Marquage composant:BUZ905D; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température,
TRANSISTOR MOSFET P TO-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:160V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8A; Marquage composant:BUZ905; Nombre de transistors:1; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET P TO-3; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:8A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):1.5ohm; Tension, mesure Rds:-; Tension de seuil Vgs:-1.5V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:8A; Nombre de transistors:1; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension, Vds typ.:-200V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET P TO-39; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):600mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:20W; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-4A; Courant, Idm impul.:16A; Nombre de transistors:1; Pas:5.08mm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température,
TRANSISTOR MOSFET P TO-3P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-36A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:294W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-36A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-150V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET P TSOP-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.064ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:450mV; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3A; Courant de drain continu Id, Canal P:-2.2A;
TRANSISTOR MOSFET P TSOP-6; Polarité transistor:Canal N et P; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.064ohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:450mV; Dissipation de puissance Pd:830mW; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:3A; Courant de drain continu Id, Canal P:-2.2A;
TRANSISTOR MOSFET P UCPBF; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):0.067ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:600mV; Dissipation de puissance Pd:1.9W; Type de boîtier de transistor:WL-CSP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:800pF; Configuration du Brochage:G(1),S(2,5,6),D(3,4); Courant, Id max..:-3A; Courant, Idm impul.:15A;
TRANSISTOR MOSFET P VGS=2.5V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):66mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:475pF; Configuration du Brochage:1(G),2(S),3(D); Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:16A; Temps de
TRANSISTOR MOSFET P VGS=2.5V; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:4A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):66mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:1W; Type de boîtier de transistor:TSMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Capacité, Ciss typ:475pF; Configuration du Brochage:1(G),2(S),3(D); Courant, Id max..:4A; Courant, Idm impul.:16A; Temps de
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.135ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:20V;
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:1.2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.135ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:750mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:20V;
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:13A; Tension Vds max..:-150V; Résistance Rds(on):290mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:110W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-13A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:150V;
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0073ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-13A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0073ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:13A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-20A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.0038ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-20A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-27A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.055ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-27A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-27A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):0.055ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-27A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.062ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:1.05V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:20V;
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:2A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.062ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:1.05V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:20V;
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.058ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-950mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.1A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.058ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-950mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:20V; Tension, Vgs, mesure de Rds
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.105ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3.4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.105ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.8V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.4A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V;
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:3A; Tension Vds max..:-60V; Résistance Rds(on):150mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.6V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-3A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:20V;
TRANSISTOR MOSFET P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:6A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.04ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:6A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:20V;
TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:10A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):550mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:125W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant, Id max..:10A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:400V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:1A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:1A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs, mesure
TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.068ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.7A; Tension Vds max..:150V; Résistance Rds(on):0.068ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.7A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:28A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):77mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:28A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5.6A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):540mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:43W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; Courant, Id max..:5.6A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:20V; Tension, Vgs,
TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5mA; Tension Vds max..:350V; Résistance Rds(on):8ohm; Tension, mesure Rds:-350mV; Tension de seuil Vgs:-; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:130mA; Température de fonctionnement:-40°C à +85°C; Température d'utilisation min:-40°C; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:7.8A; Tension Vds max..:800V; Résistance Rds(on):1.2ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:190W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:7.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:800V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET POLARITE N; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):200mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:280W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:23A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:400V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET POLARITE P 8SOIC 40V; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-10.5A; Tension Vds max..:-40V; Résistance Rds(on):0.013ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-10.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR MOSFET POLARITE P; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-6.5A; Tension Vds max..:-200V; Résistance Rds(on):800mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:74W; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-6.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-200V;
TRANSISTOR MOSFET PP; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-2.5A; Courant, Id max..:-2.5A; Résistance On Rds(on),
TRANSISTOR MOSFET PP; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):90mohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:700mV; Dissipation de puissance Pd:960mW; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal P:-2.5A; Courant, Id max..:-2.5A; Résistance On Rds(on),
TRANSISTOR MOSFET PP; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.221ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-700mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET PP; Polarité transistor:Double canal P; Courant de drain Id:700mA; Tension Vds max..:-12V; Résistance Rds(on):0.221ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-600mV; Dissipation de puissance Pd:300mW; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-700mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension,
TRANSISTOR MOSFET PUIS DISSIPATION 140W; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:42A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:140W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:42A; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:4V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET P-VOIES 20V V(BR)DSS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.3A; Tension Vds max..:-20V; Résistance Rds(on):0.034ohm; Tension, mesure Rds:-4.5V; Tension de seuil Vgs:-450mV; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR MOSFET P-VOIES 30V V(BR)DSS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-4.7A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.028ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.14W; Type de boîtier de transistor:TSOP; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR MOSFET P-VOIES 30V V(BR)DSS; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-7.4A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.014ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1V; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Type de boîtier de transistor:PowerPAK 1212; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR MOSFET RF 15W 500MHZ; Tension Vds max..:40V; Courant de drain Id:5A; Dissipation de puissance Pd:73W; Fréquence, fonctionnement min.:480MHz; Fréquence, fonctionnement max..:520MHz; Boîtier de transistor RF:PowerSO-10RF; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:165°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance, max..:73W; Polarité transistor:Canal N; Température de fonctionnement:-65°C à +165°C; Température, puissance:70°C; Température
TRANSISTOR MOSFET RF 6W 945MHZ; Tension Vds max..:65V; Courant de drain Id:1A; Dissipation de puissance Pd:20W; Fréquence, fonctionnement min.:925MHz; Fréquence, fonctionnement max..:960MHz; Boîtier de transistor RF:SOIC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:165°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1A; Polarité transistor:Canal N; Température, puissance:70°C; Tension de seuil Vgs:5V; Tension, Vds typ.:28V; Tension, Vgs max..:20V; Type de
TRANSISTOR MOSFET RF BOITIER SOT-343; Tension Vds max..:5.5V; Courant de drain Id:65mA; Dissipation de puissance Pd:725mW; Fréquence, fonctionnement min.:450MHz; Fréquence, fonctionnement max..:10GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:160°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:0.5dB; Courant, Id max..:145mA; Marquage, CMS:4PX; Polarité transistor:Canal N; Puissance, Ptot:725mW; Tension de seuil Vgs:-5V; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET RF BOITIER SOT-343; Tension Vds max..:5.5V; Courant de drain Id:65mA; Dissipation de puissance Pd:725mW; Fréquence, fonctionnement min.:450MHz; Fréquence, fonctionnement max..:10GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:160°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:0.5dB; Courant, Id max..:145mA; Marquage, CMS:4PX; Polarité transistor:Canal N; Puissance, Ptot:725mW; Tension de seuil Vgs:-5V; Tension, Vds
TRANSISTOR MOSFET RF HEMT SOT-343; Tension Vds max..:5V; Courant de drain Id:100mA; Dissipation de puissance Pd:270mW; Fréquence, fonctionnement min.:450MHz; Fréquence, fonctionnement max..:6GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:0.6dB; Courant, Id max..:100mA; Courant, Idss max..:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:2GHz; Marquage, CMS:5F; Polarité transistor:Canal N;
TRANSISTOR MOSFET RF HEMT SOT-343; Tension Vds max..:5V; Courant de drain Id:100mA; Dissipation de puissance Pd:270mW; Fréquence, fonctionnement min.:450MHz; Fréquence, fonctionnement max..:6GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:0.6dB; Courant, Id max..:100mA; Courant, Idss max..:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:2GHz; Marquage, CMS:5F; Polarité transistor:Canal N;
TRANSISTOR MOSFET RF HEMT SOT-343; Tension Vds max..:5V; Courant de drain Id:120mA; Dissipation de puissance Pd:725mW; Fréquence, fonctionnement min.:450MHz; Fréquence, fonctionnement max..:6GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:0.5dB; Courant, Id max..:120mA; Courant, Idss max..:120mA; Gain Bande-passante ft, typ.:2GHz; Marquage, CMS:4F; Polarité transistor:Canal N;
TRANSISTOR MOSFET RF HEMT SOT-343; Tension Vds max..:5V; Courant de drain Id:120mA; Dissipation de puissance Pd:725mW; Fréquence, fonctionnement min.:450MHz; Fréquence, fonctionnement max..:6GHz; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:0.5dB; Courant, Id max..:120mA; Courant, Idss max..:120mA; Gain Bande-passante ft, typ.:2GHz; Marquage, CMS:4F; Polarité transistor:Canal N;
TRANSISTOR MOSFET SMART N 60V 2.5W DPAK; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:6.5A; Tension Vds max..:65V; Résistance Rds(on):210mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.85V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1(G),2(D),3(S); Courant, Id max..:11A; Energie dissipée, avalanche non répétitive
TRANSISTOR MOSFET SOT-223; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:5A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):60mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.6V; Dissipation de puissance Pd:3W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:16A; Courant, Idm impul.:16A; Largeur (externe):6.7mm; Largeur, bande:12mm; Longueur/hauteur:1.7mm; Marquage,
TRANSISTOR MOSFET TO-3; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:15A; Tension Vds max..:400V; Résistance Rds(on):300mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:15A; Courant, Idm impul.:60A; Entraxe de fixation:30mm; Nombre de transistors:1; Pas:11mm; Style de boîtier alternatif:TO-204AA;
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.084ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.9V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60VDC;
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.084ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.9V; Dissipation de puissance Pd:48W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60VDC;
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:14A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):180mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:75W; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:14A; Courant, Idm impul.:56A; Entraxe de fixation:30mm; Nombre de transistors:1; Pas:11mm; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):8mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:1.8W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):0.036ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:2.4V; Dissipation de puissance Pd:42W; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:2.5A; Tension Vds max..:1.5kV; Résistance Rds(on):12ohm; Tension, mesure Rds:15V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:100W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:2.5A; Courant, Idm impul.:7A; Nombre de transistors:1; Pas:5.45mm; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température,
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:20A; Tension Vds max..:550V; Résistance Rds(on):250mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:192W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:20A; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension, Vds typ.:550V; Tension, Vgs max..:4V;
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:22A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0035ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.5V; Dissipation de puissance Pd:3.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:22A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:30V; Tension,
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:600V;
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:300mA; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):15ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3.75V; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:300mA; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:600V;
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:200V; Résistance Rds(on):85mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:4V; Dissipation de puissance Pd:150W; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:30A; Courant, Idm impul.:120A; Entraxe de fixation:30mm; Marquage composant:IRF250; Nombre de transistors:1; Pas:11mm; Température de
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:30A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):22mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:35W; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Idm impul.:220A; Nombre de transistors:1; Température, courant:25°C; Température, puissance:25°C; Tension, isolation:2kV
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:85A; Tension Vds max..:100V; Résistance Rds(on):12mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:250W; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:85A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:100V; Tension, Vgs max..:3V;
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.49A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.49A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-30V;
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-1.49A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):0.15ohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-3V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:1.49A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-30V;
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-23A; Tension Vds max..:-100V; Résistance Rds(on):117mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-4V; Dissipation de puissance Pd:120W; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-23A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-100V; Tension, Vgs
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-8.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-30V;
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Canal P; Courant de drain Id:-8.8A; Tension Vds max..:-30V; Résistance Rds(on):15mohm; Tension, mesure Rds:-10V; Tension de seuil Vgs:-1.7V; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:-8.8A; Température de fonctionnement:-55°C à +175°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:-30V;
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:3.5A; Tension Vds max..:60V; Résistance Rds(on):100mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.7V; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:3.5A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds typ.:60V;
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:7.5A; Courant, Id max..:7.5A; Résistance On Rds(on), Canal
TRANSISTOR MOSFET; Polarité transistor:Double canal N; Courant de drain Id:7.5A; Tension Vds max..:20V; Résistance Rds(on):18mohm; Tension, mesure Rds:4.5V; Tension de seuil Vgs:900mV; Dissipation de puissance Pd:2W; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de drain continu Id, Canal N:7.5A; Courant, Id max..:7.5A; Résistance On Rds(on), Canal
TRANSISTOR N 30V 100A PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR N 30V 100A PQFN; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:100A; Tension Vds max..:30V; Résistance Rds(on):0.0011ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:1.8V; Dissipation de puissance Pd:3.6W; Type de boîtier de transistor:PQFN; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:100A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vds
TRANSISTOR N IGBT TO-247; Courant de collecteur DC:75A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.7V; Dissipation de puissance Pd:463W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:75A; Courant, Icm impulsionnel:240A; Dissipation de puissance, max..:463W; Nombre de transistors:1; Polarité transistor:Canal N; Style de boîtier
TRANSISTOR N TO-3P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:18.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):380mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:18.5A; Courant, Idm impul.:74A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min.:-55°C;
TRANSISTOR N TO-3P; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:23.5A; Tension Vds max..:600V; Résistance Rds(on):240mohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:5V; Dissipation de puissance Pd:310W; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:23.5A; Courant, Idm impul.:94A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température, Tj max..:150°C; Température, Tj min.:-55°C;
TRANSISTOR NPN 0.1A 45V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 0.1A 45V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 0.1A 45V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:310; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 0.1A 45V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 0.1A 65V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:450; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 0.1A 65V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:220; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 0.1A 65V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:450; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 0.2A 15V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:20; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR NPN 0.2A 15V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:20; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR NPN 0.5A 45V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:600; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 0.5A 45V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:600; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 0.5A 45V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:250; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 0.5A 45V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:400; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 0.5A 45V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:600; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 0.5A 45V SOT457; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:160; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN 0.5A 45V SOT457; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:160; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN 0.5A 500V SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR NPN 0.5A 500V SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR NPN 0.5A 500V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 0.5A 500V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 0.5A 50V SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Hfe, min.:70; Résistance, R1:2.2kohm; Résistance, R2:10kohm; Température de
TRANSISTOR NPN 0.5A 50V SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Hfe, min.:70; Résistance, R1:2.2kohm; Résistance, R2:10kohm; Température de
TRANSISTOR NPN 0.5A 50V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:700MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:700MHz; Hfe, min.:250; Température de
TRANSISTOR NPN 0.5A 50V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:700MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:700MHz; Hfe, min.:250; Température de
TRANSISTOR NPN 0.5A 60V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN 0.5A 60V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN 0.8A 45V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 0.8A 45V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:630; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 100V 0.008A TO252; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 100V 1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 100V 2A LFPAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 100V 2A LFPAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 100V 3.7A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:4.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR NPN 100V 3.7A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:4.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR NPN 100V 3A IPAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 100V 3A LFPAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 100V 3A LFPAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 100V 3A TO-252-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 100V 3A TO-252-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 100V 3A TO-252-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 100V 5.1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:5.1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR NPN 100V 5.1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:5.1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR NPN 100V 8A TO-252-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 10V 150MA SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:18V; Fréquence de transition ft:4GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:4GHz; Hfe, min.:25; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN 10V 150MA SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:18V; Fréquence de transition ft:4GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:4GHz; Hfe, min.:25; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN 10V 8GHZ SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:10V; Fréquence de transition ft:8GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:8GHz; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN 10V 8GHZ SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:10V; Fréquence de transition ft:8GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:8GHz; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN 11V 0.05A SOT-346; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:11V; Fréquence de transition ft:3.2GHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:56; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:3.2GHz
TRANSISTOR NPN 120V 0.05A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SC-72; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz
TRANSISTOR NPN 12A 700V TO220AB; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 12V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:400MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 12V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:400MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 12V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:400MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 12V 6A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:440; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 140V 0.3A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 150V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 150V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 15V .5A 18GHZ SOT343R; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:18GHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Boîtier de transistor RF:SOT-343R; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:18GHz; Hfe, min.:40; Température de
TRANSISTOR NPN 15V .5A 18GHZ SOT343R; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:18GHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Boîtier de transistor RF:SOT-343R; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:18GHz; Hfe, min.:40; Température de
TRANSISTOR NPN 15V 0.5A FAIBLE SAT SC75; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:420MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:420MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR NPN 15V 0.5A FAIBLE SAT SC75; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:420MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:420MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR NPN 15V 0.5A SOT416; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-15V; Fréquence de transition ft:280MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:280MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR NPN 15V 0.5A SOT883B; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:420MHz; Dissipation de puissance Pd:590mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 15V 200MA SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:500MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 15V 200MA SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:500MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 15V 200MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:500MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 15V 9GHZ SOT143B; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120; Boîtier de transistor RF:SOT-143B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:40mA; Gain Bande-passante ft, typ.:9GHz; Hfe, min.:60; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR NPN 15V 9GHZ SOT143B; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120; Boîtier de transistor RF:SOT-143B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:40mA; Gain Bande-passante ft, typ.:9GHz; Hfe, min.:60; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR NPN 160V 0.3A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 160V 0.3A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 160V 0.6A TO92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 160V 300MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 160V 600MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 1A 150V SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 1A 150V SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 1A 150V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type
TRANSISTOR NPN 1A 150V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type
TRANSISTOR NPN 1A 45V SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 1A 45V SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 1A 500V SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:25MHz; Dissipation de puissance Pd:730mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:155; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:25MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 1A 500V SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:25MHz; Dissipation de puissance Pd:730mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:155; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:25MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 1A 60V SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 1A 80V SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 1A 80V SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 20V 1A SC-89-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:350MHz; Dissipation de puissance Pd:255mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SC-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 20V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:170MHz; Hfe, min.:160; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR NPN 20V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:170MHz; Hfe, min.:160; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR NPN 20V 2A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:1.65W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 20V 2A SOT-223-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 20V 3.5A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:155MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:-3.5A; Gain en courant DC hFE:320; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:155MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 20V 3.5A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:155MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:-3.5A; Gain en courant DC hFE:320; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:155MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 20V 5.3A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:5.3A; Gain en courant DC hFE:570; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:300; Température de
TRANSISTOR NPN 20V 5.3A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:5.3A; Gain en courant DC hFE:570; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:300; Température de
TRANSISTOR NPN 20V 5.8A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:5.8A; Gain en courant DC hFE:570; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:300; Température de
TRANSISTOR NPN 20V 6.2A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:105MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-6.2A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:105MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 20V 6.6A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:85MHz; Dissipation de puissance Pd:770mW; Courant de collecteur DC:-6.6A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:85MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 20V 7A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:115MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:550; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 20V 8A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:95MHz; Dissipation de puissance Pd:770mW; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:550; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:95MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type
TRANSISTOR NPN 20V 8A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:95MHz; Dissipation de puissance Pd:770mW; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:550; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:95MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type
TRANSISTOR NPN 250V 0.05A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:30mA; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:50; Température de
TRANSISTOR NPN 250V 0.05A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:30mA; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:50; Température de
TRANSISTOR NPN 250V 15A TO3P; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 250V TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:180W; Courant de collecteur DC:60A; Gain en courant DC hFE:9; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:60A; Courant de collecteur continu Ic max.:60A; Courant, Ic (hfe):60A; Courant, Ic max.. permanent a:60A; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN 25V 200MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 25V 50MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 2A 150V SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:33MHz; Dissipation de puissance Pd:730mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:240; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:33MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 2A 150V SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:33MHz; Dissipation de puissance Pd:730mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:240; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:33MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 300V 0.05A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-80; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:30mA; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:50; Température de
TRANSISTOR NPN 300V 0.05A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-80; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:30mA; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:50; Température de
TRANSISTOR NPN 300V 0.1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 300V 0.1A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Température de
TRANSISTOR NPN 300V 0.1A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Température de
TRANSISTOR NPN 300V 0.5A TO252; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 300V 100MA SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 300V 500MA SOT-223-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 300V 500MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 30V 0.1A DOUBLE SOT143B; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:110; Température de
TRANSISTOR NPN 30V 0.1A DOUBLE SOT143B; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:110; Température de
TRANSISTOR NPN 30V 0.1A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 30V 0.1A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 30V 0.1A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 30V 0.5A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:10000; Température de
TRANSISTOR NPN 30V 0.5A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:10000; Température de
TRANSISTOR NPN 30V 1.5A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:330MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Boîtier de transistor RF:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323
TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Boîtier de transistor RF:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323
TRANSISTOR NPN 30V 1A SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:710mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 30V 2.6A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:2.6A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 30V 2.6A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:2.6A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 30V 3.5A SOT457; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:135MHz; Dissipation de puissance Pd:480mW; Courant de collecteur DC:3.5A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:135MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 30V 300MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 30V 3A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:210MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:465; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:210MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 30V 4.9A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:4.9A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:145MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 30V 4.9A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:4.9A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:145MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 30V 600MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 30V 6A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:115MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 30V 6A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:115MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 32V 0.5A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz
TRANSISTOR NPN 32V 0.5A SOT-59; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 350V 0.05A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:70MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:70MHz; Hfe, min.:40; Température de
TRANSISTOR NPN 350V 30A TO264; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:35MHz; Dissipation de puissance Pd:230W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 350V 4A TO220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 4.5V 25GHZ SOT343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:25GHz; Dissipation de puissance Pd:135mW; Courant de collecteur DC:30mA; Gain en courant DC hFE:80; Boîtier de transistor RF:SOT-343R; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:25mA; Gain Bande-passante ft, typ.:25GHz; Hfe, min.:50; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR NPN 4.5V 25GHZ SOT-343R; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:25GHz; Dissipation de puissance Pd:135mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:80; Boîtier de transistor RF:SOT-343R; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:25mA; Gain Bande-passante ft, typ.:25GHz; Hfe, min.:50; Température de
TRANSISTOR NPN 4.5V 25GHZ SOT-343R; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:25GHz; Dissipation de puissance Pd:135mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:80; Boîtier de transistor RF:SOT-343R; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:25mA; Gain Bande-passante ft, typ.:25GHz; Hfe, min.:50; Température de
TRANSISTOR NPN 400V 0.3A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:20MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1mA; Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Hfe, min.:50; Température de
TRANSISTOR NPN 400V 0.3A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:20MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1mA; Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Hfe, min.:50; Température de
TRANSISTOR NPN 400V 0.3A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:20MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 400V 0.3A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:20MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 400V 1.5A SOT-32; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:4; Nombre de
TRANSISTOR NPN 400V 1.5A TO92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:17; Type de boîtier de transistor:SOT-54; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 400V 12A TO220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:8; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:12A; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:6; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3V; Type de
TRANSISTOR NPN 400V 1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5mA; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:4; Nombre
TRANSISTOR NPN 400V 1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5mA; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:4; Nombre
TRANSISTOR NPN 400V 1A TO-252-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 400V 1A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:5; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 400V 1A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:7.5; Type de boîtier de transistor:SOT-54; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 400V 1A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:7.5; Type de boîtier de transistor:SOT-54; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 400V 4A SOT428; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:21; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 400V 5A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 40V 0.1A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN 40V 0.1A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN 40V 0.2A SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN 40V 0.5A FAIBLE SAT SC75; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:450MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:450MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR NPN 40V 0.5A FAIBLE SAT SC75; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:450MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:450MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SC70-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:40; Température de
TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SC70-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:40; Température de
TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN 40V 0.6A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN 40V 200MA SOT-1123-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:347mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-1123; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 40V 200MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 40V 200MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 40V 200MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 40V 200MA SOT-363-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:300MHz; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 40V 200MA SOT-416-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 40V 200MA SOT-963-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-963; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:200MHz; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 40V 4A FAIBLE SAT SOT457; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:300; Température de
TRANSISTOR NPN 40V 4A FAIBLE SAT SOT457; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:300; Température de
TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-223-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-416-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-723-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:265mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-723; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 40V SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 40V SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN 40V SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN 450V SOT-32; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:20MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:200mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):40mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant,
TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:800; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:800; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT416; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT416; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT416; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 0.1A SOT883B; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 45V 0.1A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 45V 0.1A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 45V 0.1A TO92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 45V 0.2A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:60; Tension saturation
TRANSISTOR NPN 45V 0.5A DFN1010; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 45V 0.5A DFN1010; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 45V 0.5A DFN1010; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 45V 0.5A DFN1010; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 45V 0.5A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 0.5A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de
TRANSISTOR NPN 45V 0.5A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de
TRANSISTOR NPN 45V 0.8A SOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 0.8A SOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 0.8A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:210MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:630; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:100MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT-363-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:100MHz; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 1A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:1.65W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 45V 1A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:1.65W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 45V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR NPN 45V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR NPN 45V 200MA TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:160MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 2A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 2A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:SOT-23; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 45V 500MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-236AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 45V SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 45V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ib:100mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA;
TRANSISTOR NPN 45V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ib:100mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA;
TRANSISTOR NPN 4A 1050V DPAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:66; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 4A 1050V TO220F; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:26W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:66; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 4A 700V TO220AB; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 4A 850V TO220F; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:425V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:26W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:21; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 500V 0.15A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:500V; Fréquence de transition ft:35MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:35MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 500V 0.15A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:500V; Fréquence de transition ft:35MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:35MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 500V 0.5A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:520mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 500V 0.5A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:520mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SC-75; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:120; Température de
TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SC-75; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:120; Température de
TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SC-75; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:180; Température de
TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SC-75; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:180; Température de
TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:820; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-346; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-346; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-346; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 50V 0.15A SOT-346; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT416; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT416; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT416; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:22kohm; Résistance base-émetteur R2:22kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance Pd:150mW; Fréquence de transition ft:230MHz; Gain en courant DC hFE:60; Hfe, min.:60; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité
TRANSISTOR NPN 50V 0.1A SOT416; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:22kohm; Résistance base-émetteur R2:22kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance Pd:150mW; Fréquence de transition ft:230MHz; Gain en courant DC hFE:60; Hfe, min.:60; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité
TRANSISTOR NPN 50V 0.2A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:210; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 50V 0.2A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:210; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 50V 0.2A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 50V 0.2A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 50V 0.5A SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 50V 0.5A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 50V 0.7A SC-1055; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.21; Boîtier de transistor RF:SC-105AA; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 50V 1A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 50V 8A TO-251-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:330MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-251; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 50V W/RES SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence de transition ft:230MHz; Gain en courant DC hFE:80; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN; Température de
TRANSISTOR NPN 50V W/RES SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence de transition ft:230MHz; Gain en courant DC hFE:80; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN; Température de
TRANSISTOR NPN 5A 1000V TO220F; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:500V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:32W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:22; Type de boîtier de transistor:TO-220F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 5V 5GHZ SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:5V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:32mW; Courant de collecteur DC:6.5mA; Gain en courant DC hFE:80; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500µA; Gain Bande-passante ft, typ.:5GHz; Hfe, min.:50; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN 5V 5GHZ SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:5V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:32mW; Courant de collecteur DC:6.5mA; Gain en courant DC hFE:80; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500µA; Gain Bande-passante ft, typ.:5GHz; Hfe, min.:50; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN 600V 1A TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:750mA; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):800mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN 600V 2A TO252; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Fréquence de transition ft:11MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 60V 0.1A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de
TRANSISTOR NPN 60V 0.1A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de
TRANSISTOR NPN 60V 0.5A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Hfe, min.:110; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR NPN 60V 0.5A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Hfe, min.:110; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR NPN 60V 0.5A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 60V 0.5A SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 60V 0.6A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.15W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN 60V 0.6A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.15W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN 60V 15A TO3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:2.5MHz; Dissipation de puissance Pd:115W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 60V 1A FAIBLE SAT SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:250; Température de
TRANSISTOR NPN 60V 1A FAIBLE SAT SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:250; Température de
TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:1.65W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:1.65W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:1.65W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT-223-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT-89-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 60V 2A SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:540mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 60V 3.8A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:175MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:3.8A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 60V 3.8A SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:175MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:3.8A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 60V 4.7A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:4.7A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:300; Température de
TRANSISTOR NPN 60V 4.7A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:4.7A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:300; Température de
TRANSISTOR NPN 60V 5.7A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:770mW; Courant de collecteur DC:-5.7A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR NPN 60V 5.7A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:770mW; Courant de collecteur DC:-5.7A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR NPN 60V 500MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 60V 6.2A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:6.2A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 60V 6.2A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:6.2A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 60V 6A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:440; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 60V 7A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:105MHz; Dissipation de puissance Pd:770mW; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:105MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 65V 0.1A SOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 65V 0.1A SOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 65V 0.1A SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 65V 0.1A SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 65V 0.1A SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 65V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 65V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 65V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 65V 100MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 65V 100MA SOT-323-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 65V 100MA SOT-363-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:100MHz; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 65V 100MA SOT-363-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:100MHz; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 65V 100MA SOT-363-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:100MHz; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN -65V -100MA SOT-363-6; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:100MHz; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 65V 100MA SOT-723-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:265mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-723; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 65V 100MA TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 65V SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 6V 3A LFPAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 6V 3A LFPAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 700V 12A ISOWATT218FX; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:700V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:58W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:4.5; Type de boîtier de transistor:ISOWATT-218FX; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 800MHZ 30V TO39; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:800MHz; Dissipation de puissance Pd:5W; Courant de collecteur DC:400mA; Gain en courant DC hFE:10; Boîtier de transistor RF:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 80V 0.1A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de
TRANSISTOR NPN 80V 0.1A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de
TRANSISTOR NPN 80V 0.5A SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 80V 10A TO-247-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT1061; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:1.65W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:140; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:140; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-223-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 2 - 1 an; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-428; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-428; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-428; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-89-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-89-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT-89-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:40; Marquage
TRANSISTOR NPN 80V 4.6A SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:4.6A; Gain en courant DC hFE:470; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, min.:300; Température de
TRANSISTOR NPN 80V 5.1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:5.1A; Gain en courant DC hFE:470; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, min.:300; Température de
TRANSISTOR NPN 80V 5.1A SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:5.1A; Gain en courant DC hFE:470; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, min.:300; Température de
TRANSISTOR NPN 80V 500MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 80V 500MA SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN 80V 8A DPAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:8A; Hfe, min.:60; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 80V 8A DPAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:8A; Hfe, min.:60; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR NPN 80V SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Hfe, min.:100; Puissance,
TRANSISTOR NPN 80V SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Hfe, min.:100; Puissance,
TRANSISTOR NPN 90V 10A TO-220FP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:90V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN 90V 1A SOT223 BOBINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de
TRANSISTOR NPN 90V 1A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de
TRANSISTOR NPN 90V 1A SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de
TRANSISTOR NPN 90V 20A TO-220-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:90V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:85W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1.9dB; Configuration du Brochage:B(1),E(2),C(3); Courant DC Gain Hfe max.:250; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant de collecteur continu
TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1.9dB; Configuration du Brochage:B(1),E(2),C(3); Courant DC Gain Hfe max.:250; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant de collecteur continu
TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1.9dB; Configuration du Brochage:C(1),B(2),E(3+4); Courant DC Gain Hfe max.:250; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant de
TRANSISTOR NPN 9GHZ SOT343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1.9dB; Configuration du Brochage:C(1),B(2),E(3+4); Courant DC Gain Hfe max.:250; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant de
TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.22; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Gain en courant DC hFE:35; Hfe, min.:35; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN;
TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.22; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Gain en courant DC hFE:35; Hfe, min.:35; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN;
TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-490; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-490; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-490; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-490; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-490; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-490; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-490; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:4.7kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance Pd:150mW; Fréquence de transition ft:230MHz; Gain en courant DC hFE:30; Hfe, min.:30; MSL:MSL 1 - Illimité;
TRANSISTOR NPN AVEC RES 50V SOT-490; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:4.7kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance Pd:150mW; Fréquence de transition ft:230MHz; Gain en courant DC hFE:30; Hfe, min.:30; MSL:MSL 1 - Illimité;
TRANSISTOR NPN AVEC RES SOT-416; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:2.2kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance Pd:150mW; Gain en courant DC hFE:30; Hfe, min.:30; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN; Température de
TRANSISTOR NPN AVEC RES SOT-416; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:2.2kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance Pd:150mW; Gain en courant DC hFE:30; Hfe, min.:30; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN; Température de
TRANSISTOR NPN BIPOLAIRE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:30; Température de
TRANSISTOR NPN BIPOLAIRE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:30; Température de
TRANSISTOR NPN BIPOLAIRE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR NPN BIPOLAIRE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR NPN BIPOLAIRE SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5A; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:250; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR NPN BIPOLAIRE SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5A; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:250; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR NPN BIPOLAIRE SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN BIPOLAIRE SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR NPN BOBINE 3K; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PGP; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA;
TRANSISTOR NPN BOITIER D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PGP; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA;
TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:4A; Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:e; Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:175MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:e; Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:400mA; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA;
TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:17.5V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:4A; Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3.5A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:3.5A; Courant de collecteur continu Ic max.:3.5A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:3.5A;
TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:3A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:50mA; Courant de collecteur continu Ic max.:300mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:300mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:155MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:4A; Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:e; Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:2A;
TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:5A; Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:e; Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:175MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:e; Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA;
TRANSISTOR NPN BOITIER E-LINE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:75V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:3A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER ISOTOP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:200V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:100A; Gain en courant DC hFE:27; Type de boîtier de transistor:ISOTOP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:150A; Courant, Ic (hfe):100A; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Courant, Ic moy.:100A; Hfe, min.:27;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT 23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe min.:190; Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT 23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe min.:190; Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:175MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:175MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:3A; Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:4A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:3A; Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:4A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:3A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:3A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:240MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:240MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:3.5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3.5A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3.5A; Courant, Ic, hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:3.5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3.5A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3.5A; Courant, Ic, hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:7A; Courant, Ic (hfe):7A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:7A; Courant, Ic (hfe):7A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:5A; Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:5A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:5A; Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:5A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:1A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:1A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:175MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:175MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:70V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:70V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:75V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Courant de collecteur DC:4.5A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:4.5A; Courant de collecteur continu Ic max.:4.5A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:75V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Courant de collecteur DC:4.5A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:4.5A; Courant de collecteur continu Ic max.:4.5A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):30µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):30µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):250µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):250µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:6.5A; Courant de collecteur continu Ic max.:7A; Courant, Ic (hfe):7mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:6.5A; Courant de collecteur continu Ic max.:7A; Courant, Ic (hfe):7mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):250mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100; Largeur, bande:8mm; Marquage composant:MT493;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):250mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100; Largeur, bande:8mm; Marquage composant:MT493;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):250mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):250mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:2.5A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2.5A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:2.5A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:2.5A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2.5A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:2.5A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:75MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:75MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):2mA; FB max..:4dB; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Largeur, bande:8mm; Marquage,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):2mA; FB max..:4dB; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Largeur, bande:8mm; Marquage,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:225mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:400mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:400mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:225mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:400mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:400mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:300mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:300mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:300mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:300mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:470; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:470; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:1000mA; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:1000mA; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:275MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:85; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic:25mA; Courant de collecteur continu Ic max.:25mA; Courant, Ic (hfe):7mA; Courant, Ic max.. permanent a:25mA;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:275MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:85; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic:25mA; Courant de collecteur continu Ic max.:25mA; Courant, Ic (hfe):7mA; Courant, Ic max.. permanent a:25mA;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:50mA; Courant, Ic (hfe):25mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:50mA; Courant, Ic (hfe):25mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:4dB;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:4dB;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:470; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:470; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:380; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:380; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:470; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:470; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:380MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:67; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:25mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:25mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:380MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:67; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:25mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:25mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:4dB; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:4dB; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:3dB;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:3dB;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:6dB;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:6dB;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:270mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:270mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:215MHz; Dissipation de puissance Pd:385mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:215MHz; Dissipation de puissance Pd:385mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:290mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:180mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:150mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Fréquence de
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:180mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:150mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Fréquence de
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT457; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:50mA; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT457; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:50mA; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Fréquence de
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Fréquence de
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:75V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:75V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):3mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):3mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):3mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:5A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:5A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:2A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:2A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):4mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):4mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN BOITIER SUPERSOT-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:115MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN BOITIER SUPERSOT-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:115MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:500MHz; Dissipation de puissance Pd:360mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant Ic à Vce sat:10mA; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:500MHz; Dissipation de puissance Pd:360mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant Ic à Vce sat:10mA; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:500MHz; Dissipation de puissance Pd:360mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA;
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA;
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:800; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:800; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA;
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA;
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA;
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-18; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant, Ic (hfe):2mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-218; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:25A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):15A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:10; Marquage composant:TIP35C; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):1A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C;
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:200V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:5A; Courant de collecteur continu Ic max.:7A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:1A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Hfe, min.:8; Puissance, Ptot:80W; Tension
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:1A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:20MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:300mA; Courant de Saturation (Isat):1A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:3A; Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:800V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):400mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Hfe, min.:12; Puissance, Ptot:90W; Tension
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:15MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:8A; Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PGP; Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-225AA; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Courant, Ic moy.:1.5A; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:25A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:25A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:6A; Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A;
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:8; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Nombre de
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:2.5MHz; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Gain Bande-passante ft, typ.:2.5MHz;
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:4; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Hfe, min.:15; Nombre
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:25A; Gain en courant DC hFE:4; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:25A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Courant, Ic moy.:25A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-39; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:15MHz; Dissipation de puissance Pd:5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:50mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-39; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:75MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:30mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-39; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-39; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-39; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:75V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Hfe, min.:30; Nombre
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:25A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:25A; Courant, Ic (hfe):15A; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:113W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:8; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:4A; Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):600mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Ic moy.:6A;
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant Ic à Vce sat:20mA; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:d; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:210MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:d; Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:d; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant Ic à Vce sat:20mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe,
TRANSISTOR NPN BOITIER TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant Ic à Vce sat:50mA; Courant de collecteur continu Ic max.:300mA; Courant, Ic (hfe):1mA;
TRANSISTOR NPN CMS SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):500mV; Type de
TRANSISTOR NPN CMS SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):500mV; Type de
TRANSISTOR NPN CMS SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:20; Puissance,
TRANSISTOR NPN CMS SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:20; Puissance,
TRANSISTOR NPN CMS SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:160; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR NPN CMS SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:160; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR NPN CMS SOT-32; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:12; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):300mV; Type
TRANSISTOR NPN CMS SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Hfe, min.:60; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR NPN CMS SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Hfe, min.:60; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR NPN CMS SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:SOT-23; Bruit:8dB; Courant de collecteur continu Ic:600mA; Courant, Ic (hfe):250mA; Fréquence,
TRANSISTOR NPN CMS SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:SOT-23; Bruit:8dB; Courant de collecteur continu Ic:600mA; Courant, Ic (hfe):250mA; Fréquence,
TRANSISTOR NPN CMS TO-252; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Hfe, min.:10; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.2V; Type de
TRANSISTOR NPN CMS; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Dissipation de puissance Pd:400mW; Gain en courant DC hFE:80; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température de fonctionnement
TRANSISTOR NPN CMS; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Dissipation de puissance Pd:400mW; Gain en courant DC hFE:80; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température de fonctionnement
TRANSISTOR NPN DARL 0.3A 30V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:10000; Température de
TRANSISTOR NPN DARL 0.3A 30V SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:10000; Température de
TRANSISTOR NPN DARL 100V 12A D2PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN DARL 100V 12A D2PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-263; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN DARLINGTON SOT-93; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:135W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de collecteur continu Ic max.:30A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A;
TRANSISTOR NPN DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:1500; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Ic moy.:4A; Hfe, min.:1500;
TRANSISTOR NPN DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:20A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Hfe, min.:500;
TRANSISTOR NPN DOUBLE 400V 8-DIP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Dissipation de puissance Pd:45W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:8; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR NPN DOUBLE 70MA 8V SOT363; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:8V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:70mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Gain Bande-passante ft, typ.:9GHz; Hfe, min.:60; Température de
TRANSISTOR NPN DOUBLE 70MA 8V SOT363; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:8V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:70mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Gain Bande-passante ft, typ.:9GHz; Hfe, min.:60; Température de
TRANSISTOR NPN DOUBLE AUDIO 8SOIC; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:200MHz; Température de fonctionnement:-40°C à +85°C; Température d'utilisation min:-40°C
TRANSISTOR NPN DOUBLE SC-88; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Fréquence de transition
TRANSISTOR NPN DOUBLE SC-88; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Fréquence de transition
TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PGP; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain
TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PGP; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain
TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:85MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PGP; Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Gain
TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Icbo:10mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Icbo:10mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:400; Courant DC Gain Hfe min.:200; Courant de Saturation (Isat):2A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A;
TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:400; Courant DC Gain Hfe min.:200; Courant de Saturation (Isat):2A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A;
TRANSISTOR NPN DPAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:320; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Hfe, min.:90; Puissance, Ptot:15W; Tension
TRANSISTOR NPN DPAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:320; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Hfe, min.:90; Puissance, Ptot:15W; Tension
TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:400; Courant DC Gain Hfe min.:200; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant,
TRANSISTOR NPN D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:400; Courant DC Gain Hfe min.:200; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant,
TRANSISTOR NPN IPAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-251AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.6A; Courant, Ic (hfe):1.6mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Hfe, min.:4; Puissance, Ptot:20W; Tension
TRANSISTOR NPN ISOWATT218FX; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:700V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:62W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:28; Type de boîtier de transistor:ISOWATT-218FX; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de Saturation (Isat):7A; Courant de collecteur continu Ic max.:14A; Courant, Ib:7A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Courant, Ic,
TRANSISTOR NPN MED PWR SOT32; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C;
TRANSISTOR NPN MPT3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:120; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR NPN MT-200; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:230V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:17A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:MT-200; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant de collecteur continu Ic max.:17A; Courant, Ib:5A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:17A; Courant, Ic moy.:17A; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz;
TRANSISTOR NPN QUADRUPLE 40V 30MA 14SOIC; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:30mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:14; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Quadruple; Fréquence de transition ft:300MHz; Température de fonctionnement:-40°C à +85°C; Température d'utilisation min:-40°C
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-143; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:70mA; Gain en courant DC hFE:120; Boîtier de transistor RF:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1.6dB; Courant de collecteur continu Ic:70mA; Courant de collecteur continu Ic max.:70mA; Courant, Ic (hfe):20mA;
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-143; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:70mA; Gain en courant DC hFE:120; Boîtier de transistor RF:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1.6dB; Courant de collecteur continu Ic:70mA; Courant de collecteur continu Ic max.:70mA; Courant, Ic (hfe):20mA;
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:7GHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic:200mA; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):70mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:7GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:130; Boîtier de transistor RF:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:150mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:1GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:4.5dB; Courant de collecteur continu Ic:25mA; Courant de collecteur continu Ic max.:25mA; Courant, Ic (hfe):25mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:1GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:4.5dB; Courant de collecteur continu Ic:25mA; Courant de collecteur continu Ic max.:25mA; Courant, Ic (hfe):25mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:2.8GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:2.5dB; Courant de collecteur continu Ic:25A; Courant de collecteur continu Ic max.:50mA; Courant, Ic (hfe):25mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:2.8GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:2.5dB; Courant de collecteur continu Ic:25A; Courant de collecteur continu Ic max.:50mA; Courant, Ic (hfe):25mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:2dB; Courant, Ic (hfe):15mA; Fréquence, test:1GHz; Gain Bande-passante ft, typ.:5GHz; Hfe, min.:40; Marquage, CMS:BFR92A; Nombre de
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:3.5dB; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:3.5dB; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:70mA; Gain en courant DC hFE:120; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1.6dB; Courant de collecteur continu Ic:70mA; Courant de collecteur continu Ic max.:70mA; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:70mA; Gain en courant DC hFE:120; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1.6dB; Courant de collecteur continu Ic:70mA; Courant de collecteur continu Ic max.:70mA; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1.9dB; Courant de collecteur continu Ic:120mA; Courant de collecteur continu Ic max.:120mA; Courant, Ic (hfe):40mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:9GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:120mA; Gain en courant DC hFE:120; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1.9dB; Courant de collecteur continu Ic:120mA; Courant de collecteur continu Ic max.:120mA; Courant, Ic (hfe):40mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:5V; Fréquence de transition ft:2.3GHz; Dissipation de puissance Pd:30mW; Courant de collecteur DC:6.5mA; Gain en courant DC hFE:40; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:3.8dB; Courant de collecteur continu Ic:6.5mA; Courant de collecteur continu Ic max.:10mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:5V; Fréquence de transition ft:2.3GHz; Dissipation de puissance Pd:30mW; Courant de collecteur DC:6.5mA; Gain en courant DC hFE:40; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:3.8dB; Courant de collecteur continu Ic:6.5mA; Courant de collecteur continu Ic max.:10mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:5.5GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Boîtier de transistor RF:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:3.3dB; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):70mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN RF BOITIER SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:5.5GHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Boîtier de transistor RF:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:3.3dB; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):70mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN RF SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:9.5V; Fréquence de transition ft:900MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:25; Boîtier de transistor RF:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA;
TRANSISTOR NPN RF SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:9.5V; Fréquence de transition ft:900MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:25; Boîtier de transistor RF:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA;
TRANSISTOR NPN RF SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:2.5GHz; Dissipation de puissance Pd:280mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Bruit:3.5dB; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de collecteur continu Ic:25mA; Courant de collecteur continu Ic max.:50mA; Courant, Ic (hfe):25mA;
TRANSISTOR NPN RF SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:2.5GHz; Dissipation de puissance Pd:280mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Bruit:3.5dB; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de collecteur continu Ic:25mA; Courant de collecteur continu Ic max.:50mA; Courant, Ic (hfe):25mA;
TRANSISTOR NPN RF SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:280mW; Courant de collecteur DC:45mA; Gain en courant DC hFE:100; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Bruit:1.4dB; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de collecteur continu Ic:45mA; Courant de collecteur continu Ic max.:30mA; Courant, Ic (hfe):14mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN RF SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:280mW; Courant de collecteur DC:45mA; Gain en courant DC hFE:100; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Bruit:1.4dB; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de collecteur continu Ic:45mA; Courant de collecteur continu Ic max.:30mA; Courant, Ic (hfe):14mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR NPN RF SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:2dB; Courant de collecteur continu Ic:25mA; Courant de collecteur continu Ic max.:25mA; Courant, Ic (hfe):15mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN RF SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:25GHz; Dissipation de puissance Pd:160mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:95; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Bruit:1.1dB; Courant de collecteur continu Ic:35mA; Courant de collecteur continu Ic max.:30mA; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:30mA;
TRANSISTOR NPN RF SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:25GHz; Dissipation de puissance Pd:160mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:95; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Bruit:1.1dB; Courant de collecteur continu Ic:35mA; Courant de collecteur continu Ic max.:30mA; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:30mA;
TRANSISTOR NPN RF SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:25GHz; Dissipation de puissance Pd:55mW; Courant de collecteur DC:12mA; Gain en courant DC hFE:95; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Bruit:1.25dB; Courant de collecteur continu Ic:12mA; Courant de collecteur continu Ic max.:10mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:10mA;
TRANSISTOR NPN SOT223 1.2W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:105MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:105MHz; Hfe, min.:220; Température de
TRANSISTOR NPN SOT223 1.2W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:105MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:105MHz; Hfe, min.:220; Température de
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:HV; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA;
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:HV; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA;
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant,
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant,
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A;
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A;
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant de collecteur continu Ic max.:1.2A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.2A; Courant,
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant de collecteur continu Ic max.:1.2A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.2A; Courant,
TRANSISTOR NPN SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:300mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR NPN SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:300mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:640mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm impulsionnel:5A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:280; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Ic, hfe, circuit
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:280; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Ic, hfe, circuit
TRANSISTOR NPN SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:6A; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR NPN SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:6A; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN SOT23 0.6W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR NPN SOT23 0.6W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR NPN SOT23 0.6W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR NPN SOT23 0.6W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz;
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz;
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.2A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.2A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.2A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.2A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:190MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ib:500mA; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; FB max..:4dB; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; FB max..:4dB; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; FB max..:5dB; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; FB max..:5dB; Gain
TRANSISTOR NPN SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:260MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:800; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ib:500mA; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Gain
TRANSISTOR NPN SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:260MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:800; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ib:500mA; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:2; Gain en courant DC hFE:280; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:560; Courant DC Gain Hfe min.:200; Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant,
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:2; Gain en courant DC hFE:280; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:560; Courant DC Gain Hfe min.:200; Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant,
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:215MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:4.5A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:900; Courant DC Gain Hfe min.:300; Courant de collecteur continu Ic max.:4.5A; Courant, Ic (hfe):10mA;
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:215MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:4.5A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:900; Courant DC Gain Hfe min.:300; Courant de collecteur continu Ic max.:4.5A; Courant, Ic (hfe):10mA;
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:20A; Courant de pic Icm:0.2A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:20A; Courant de pic Icm:0.2A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:600; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:600; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:190MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ib:500mA; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:270MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant Ic à Vce sat:50mA; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Courant, Icm impulsionnel:200mA; FB
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:270MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant Ic à Vce sat:50mA; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Courant, Icm impulsionnel:200mA; FB
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA;
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA;
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Marquage composant:BC817-16; Marquage, CMS:6A; Température de
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Marquage composant:BC817-16; Marquage, CMS:6A; Température de
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:400; Courant DC Gain Hfe min.:160; Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:400; Courant DC Gain Hfe min.:160; Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:900; Courant DC Gain Hfe min.:300; Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):10mA;
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:900; Courant DC Gain Hfe min.:300; Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):10mA;
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:300; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA;
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:300; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA;
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de pic Icm:1A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de pic Icm:1A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR NPN SOT23F; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:4.5A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:4.5A; Courant de collecteur continu Ic max.:4.5A; Courant de pic Icm:6A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN SOT23F; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:4.5A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:4.5A; Courant de collecteur continu Ic max.:4.5A; Courant de pic Icm:6A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN SOT23F; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant de pic Icm:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant,
TRANSISTOR NPN SOT23F; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant de pic Icm:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant,
TRANSISTOR NPN SOT-32; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:12.5W; Température,
TRANSISTOR NPN SOT-32; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR NPN SOT-32; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR NPN SOT323 0.3W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:260MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:260MHz; Hfe, min.:270; Température de
TRANSISTOR NPN SOT323 0.3W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:260MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:260MHz; Hfe, min.:270; Température de
TRANSISTOR NPN SOT323 0.3W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:270MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:270MHz; Hfe, min.:270; Température de
TRANSISTOR NPN SOT323 0.3W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:270MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:270MHz; Hfe, min.:270; Température de
TRANSISTOR NPN SOT323 0.4W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:250; Température de
TRANSISTOR NPN SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN SOT563 0.6W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:250; Température de
TRANSISTOR NPN SOT563 0.6W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:250; Température de
TRANSISTOR NPN SOT89 0.9W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Gain Bande-passante ft, typ.:170MHz; Hfe, min.:270; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR NPN SOT89 0.9W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Gain Bande-passante ft, typ.:170MHz; Hfe, min.:270; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR NPN SOT89 0.9W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:170MHz; Hfe, min.:270; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR NPN SOT89 0.9W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:170MHz; Hfe, min.:270; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR NPN SOT89 0.9W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:240MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Gain Bande-passante ft, typ.:240MHz; Hfe, min.:270; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR NPN SOT89 0.9W; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:240MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Gain Bande-passante ft, typ.:240MHz; Hfe, min.:270; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR NPN SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:155MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft, typ.:155MHz;
TRANSISTOR NPN SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:155MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft, typ.:155MHz;
TRANSISTOR NPN SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN SOT-89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20.8W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:240; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:30; Marquage
TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:240; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:TO-225; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:20;
TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Ic moy.:250mA; Hfe, min.:20;
TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40;
TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Hfe, min.:40; Marquage composant:BD139;
TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Courant, Ic moy.:1.5A; Hfe, min.:63; Nombre
TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:25;
TRANSISTOR NPN TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40;
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Current, Ic hfe -Do Not Use See ID 1182:200mA; Hfe,
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):1A; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Température, puissance:25°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.2V; Tension,
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Hfe, min.:25; Hfe, typ.:25;
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):3A; Hfe, min.:15; Marquage composant:TIP41C; Nombre de transistors:1; Température, puissance:25°C; Tension saturation
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PGP; Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):4mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PGP; Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):4mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PGP; Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PGP; Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:12A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Hfe, min.:15; Puissance, Ptot:80W; Tension saturation
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:14MHz; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:4; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PHVS; Courant Ic à Vce sat:5A; Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:5A;
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Hfe, min.:25; Marquage
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5A; Hfe, min.:1000; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Type de terminaison:Traversant
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PGP; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant Ic à Vce sat:-5A; Courant de collecteur continu Ic max.:-15A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:5A; Courant de collecteur continu Ic max.:7A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Nombre de
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:30; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1V; Type de
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:10; Tension saturation Collecteur-Emetteur
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:110W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Hfe, min.:10; Puissance, Ptot:110W; Tension
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:3.5A; Gain en courant DC hFE:48; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:3.5A; Hfe, min.:48; Puissance, Ptot:70W; Tension
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Hfe, min.:8; Puissance, Ptot:70W; Tension saturation
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:12; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Hfe, min.:12; Puissance, Ptot:70W; Tension saturation
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PHVS; Courant Ic à Vce sat:30mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:30; Tension saturation Collecteur-Emetteur
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PGP; Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:2.5A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:2.5A; Hfe, min.:10; Puissance, Ptot:70W; Tension
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant Ic à Vce sat:250mA; Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):250mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A;
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:22; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Hfe, min.:10; Puissance, Ptot:80W; Tension saturation
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:85W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:38; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Hfe, min.:5; Puissance, Ptot:85W; Tension saturation
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:8; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Hfe, min.:8; Puissance, Ptot:90W; Tension saturation
TRANSISTOR NPN TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5A; Hfe, min.:1000; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Type de terminaison:Traversant
TRANSISTOR NPN TO-220FP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Hfe, min.:12; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR NPN TO-220FP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:33W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:12A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Hfe, min.:750; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR NPN TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:8; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR NPN TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:30A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Hfe, min.:25; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR NPN TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:20MHz; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Hfe, min.:70;
TRANSISTOR NPN TO-264; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Courant, Icm
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:6MHz; Dissipation de puissance Pd:180W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:20A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:20A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:200V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:15;
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Hfe, min.:15; Marquage composant:MJ15024G; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W;
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Courant, Icm impulsionnel:30A;
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Hfe, min.:15; Nombre de
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:20A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Ic moy.:20A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:80kHz; Dissipation de puissance Pd:117W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:7.5; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:5A; Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):1.2A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Hfe,
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:15A; Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:8A; Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):2.5A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A;
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:15A; Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A;
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:-; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:400mA; Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:0.2MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic moy.:10A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:800kHz; Dissipation de puissance Pd:115W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:800kHz; Dissipation de puissance Pd:115W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:5; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:90V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:140W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:20A; Courant, Ic (hfe):12A; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Ic moy.:20A; Hfe, min.:20; Nombre de
TRANSISTOR NPN TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:20MHz; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):3mA; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Gain Bande-passante ft, typ.:20MHz; Hfe, min.:70;
TRANSISTOR NPN TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:130W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ib:4A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz;
TRANSISTOR NPN TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:230V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:130W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Hfe, min.:80;
TRANSISTOR NPN TO-3P; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:230V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:130W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ib:4A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz;
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:B; Courant Ic à Vce sat:10mA; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant,
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant Ic à Vce sat:20mA; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant,
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:f; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:8; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Hfe, min.:5; Puissance, Ptot:1.5W;
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant Ic à Vce sat:50mA; Courant de collecteur continu Ic max.:300mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant,
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic, mesure du temps de descente:150mA;
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:B; Courant Ic à Vce sat:10mA; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA;
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:f; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz;
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:d; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:d; Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:h; Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant,
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:f; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:d; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:d; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Puissance, Ptot:625mW; Température de
TRANSISTOR NPN TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NPN VMT3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:11V; Fréquence de transition ft:3.2GHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:56; Type de boîtier de transistor:VMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:3.2GHz; Hfe, min.:56; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR NPN VMT3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:11V; Fréquence de transition ft:3.2GHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:56; Type de boîtier de transistor:VMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:3.2GHz; Hfe, min.:56; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR NPN,45V 0.1A, SOT883B; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN,45V 0.1A, SOT883B; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN,45V 0.1A, SOT883B; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR NPN/NNP W/RES 50V SOT457; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande
TRANSISTOR NPN/NNP W/RES 50V SOT457; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande
TRANSISTOR NPN/NPN 20V SO8; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Courant de collecteur DC:7.5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:115MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN/NPN 20V SO8; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Courant de collecteur DC:7.5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:115MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN/NPN 45V 0.1A SC88; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR NPN/NPN 45V 0.1A SC88; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR NPN/NPN 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN/NPN 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN/NPN 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN/NPN 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN/NPN 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN/NPN 50V 0.1A SOT666; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:4.7; Boîtier de transistor RF:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Gain en courant DC hFE:100; Hfe, min.:100; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN; Température
TRANSISTOR NPN/NPN 50V 0.1A SOT666; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:4.7; Boîtier de transistor RF:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Gain en courant DC hFE:100; Hfe, min.:100; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN; Température
TRANSISTOR NPN/NPN 60V FAIBLE SAT SC-74; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:220MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:250; Température de
TRANSISTOR NPN/NPN 60V FAIBLE SAT SC-74; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:220MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:220MHz; Hfe, min.:250; Température de
TRANSISTOR NPN/NPN 60V SO8; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Courant de collecteur DC:6.7A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:130MHz
TRANSISTOR NPN/NPN 60V SO8; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Courant de collecteur DC:-5.9A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:110MHz
TRANSISTOR NPN/NPN APPAIRES SOT143B; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C;
TRANSISTOR NPN/NPN APPAIRES SOT143B; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C;
TRANSISTOR NPN/NPN. SOT26; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-26; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Fréquence de transition ft:300MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:80;
TRANSISTOR NPN/NPN. SOT26; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-26; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Fréquence de transition ft:300MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:80;
TRANSISTOR NPN/PNP 20V SO8; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Courant de collecteur DC:7.5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:105MHz
TRANSISTOR NPN/PNP 30V SO8; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Courant de collecteur DC:5.7A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:115MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN/PNP 30V SO8; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Courant de collecteur DC:5.7A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:115MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN/PNP 40V 1A SSOT-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Hfe, min.:50; Marquage, CMS:9F; Puissance, Ptot:330mW;
TRANSISTOR NPN/PNP 40V 1A SSOT-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Hfe, min.:50; Marquage, CMS:9F; Puissance, Ptot:330mW;
TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Hfe, min.:30; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Hfe, min.:60; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Hfe, min.:30; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR NPN/PNP 60V 1A SC-74; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence de transition ft:220MHz; Gain en courant DC hFE:500; Courant de collecteur continu Ic:1A; Bruit:-; Rapport de transfert de courant direct:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Gain de puissance Gp:-; Dissipation de puissance Pd:420mW; Puissance à compression de gain 1dB, P1dB:-; Boîtier de transistor RF:SOT-457; Nombre de broches:6; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:1A;
TRANSISTOR NPN/PNP 60V 1A SC-74; Fréquence, fonctionnement min.:-; Fréquence de transition ft:220MHz; Gain en courant DC hFE:500; Courant de collecteur continu Ic:1A; Bruit:-; Rapport de transfert de courant direct:-; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Gain de puissance Gp:-; Dissipation de puissance Pd:420mW; Puissance à compression de gain 1dB, P1dB:-; Boîtier de transistor RF:SOT-457; Nombre de broches:6; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:1A;
TRANSISTOR NPN/PNP 60V SO8; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Courant de collecteur DC:6.7A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:110MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN/PNP 60V SO8; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Courant de collecteur DC:6.7A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:110MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPN/PNP BOITIER SOT-666; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain
TRANSISTOR NPN/PNP BOITIER SOT-666; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain
TRANSISTOR NPN/PNP BOITIER SOT-666; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain
TRANSISTOR NPN/PNP DOUBLE 45V SC-88; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:220mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:100MHz; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NPN/PNP DUAL 65V SOT-363, FUL; TRANSISTOR NPN/PNP DUAL 65V SOT-363, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Power Dissipation Pd:380mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:290; No. of Pins:3
TRANSISTOR NPN/PNP SC-88; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de
TRANSISTOR NPN/PNP SC-88; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de
TRANSISTOR NPN/PNP SM-8; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:2.75W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant de pic Icm:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:2A;
TRANSISTOR NPN/PNP SM-8; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:2.75W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant de pic Icm:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:2A;
TRANSISTOR NPN/PNP SOT23-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant DC Gain Hfe max.:500; Courant DC Gain Hfe min.:180; Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN/PNP SOT23-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant DC Gain Hfe max.:500; Courant DC Gain Hfe min.:180; Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic
TRANSISTOR NPN/PNP W/RES 50V SOT457; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande
TRANSISTOR NPN/PNP W/RES 50V SOT457; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:420mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande
TRANSISTOR NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:20; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:820; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:820; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:820; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:820; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10A; Hfe, min.:40; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1V; Type de terminaison:Traversant
TRANSISTOR NPNNPN 45V SOT-363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:100MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NPNNPN 45V SOT-363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:100MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:200;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:200;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):20µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):20µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:80;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:80;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:80;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:80;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):0mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):0mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:200;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:200;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):20µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):20µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:60;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:60;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:80;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:80;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:80;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:80;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5µA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:30; Puissance,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:200; Puissance,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:200; Puissance,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:30; Puissance,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:60; Puissance,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:60; Puissance,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:80; Puissance,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:80; Puissance,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:20;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:20;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:50;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:50;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100; Puissance,
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:56;
TRANSISTOR NUMERIQUE BOITIER SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:56;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE EMT PNP/NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:150mW; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Gain en courant DC hFE:30;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE EMT PNP/NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:150mW; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Gain en courant DC hFE:30;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE EMT6 PNP/PNP; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE EMT6 PNP/PNP; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:60;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:60;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:80;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:80;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT-363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:230MHz; Nombre de transistors:2; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:230MHz; Nombre de transistors:2; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température,
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:200;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:200;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):20mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:200;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:200;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic (hfe):5mA; Fréquence de transition ft:230MHz; Hfe, min.:60; Nombre de transistors:2; Puissance, Ptot:300mW;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic (hfe):5mA; Fréquence de transition ft:230MHz; Hfe, min.:60; Nombre de transistors:2; Puissance, Ptot:300mW;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:60;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:60;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:200;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Hfe, min.:200;
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de
TRANSISTOR NUMERIQUE DOUBLE SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100A; Fréquence de
TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:5mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:5mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.22; Boîtier de transistor RF:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:150mW; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Gain en courant DC hFE:68; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE EM3 NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.22; Boîtier de transistor RF:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:150mW; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Gain en courant DC hFE:68; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE NPN SOT-523F; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Tension Vi(on):3V; Tension
TRANSISTOR NUMERIQUE NPN SOT-523F; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Tension Vi(on):3V; Tension
TRANSISTOR NUMERIQUE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:TL; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NUMERIQUE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:TL; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:56; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:56; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:56; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:56; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:82; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:82; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Gain en courant DC hFE:30; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE PNP SC-59; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Gain en courant DC hFE:30; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE PNP UMT; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:33; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:33; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SC-59; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:33; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:33; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:33; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:33; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.047; Boîtier de transistor RF:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Gain en courant DC
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.047; Boîtier de transistor RF:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Gain en courant DC
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 100MA NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.1; Boîtier de transistor RF:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Gain en courant DC hFE:80;
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:33; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:33; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:33; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:33; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:82; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:82; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:82; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:82; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:500mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence de transition ft:200MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Gain en courant DC hFE:56;
TRANSISTOR NUMERIQUE SC-59 500MA NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:500mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:500mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence de transition ft:200MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Gain en courant DC hFE:56;
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:246mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:2; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:246mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:2; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Ic moy.:500mA;
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Ic moy.:500mA;
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:230MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:-; Rapport de résistance R1/R2:-; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:2; Courant de collecteur DC:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:246mW; Gain en courant
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:-; Rapport de résistance R1/R2:-; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:2; Courant de collecteur DC:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:246mW; Gain en courant
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1; Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:246mW; Gain en courant DC hFE:60; Hfe, min.:35; MSL:MSL 1 -
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1; Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:246mW; Gain en courant DC hFE:60; Hfe, min.:35; MSL:MSL 1 -
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1; Courant de collecteur DC:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:246mW; Gain en
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1; Courant de collecteur DC:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:246mW; Gain en
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.21; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1; Courant de collecteur DC:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:246mW; Gain en
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.21; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1; Courant de collecteur DC:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:246mW; Gain en
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:22kohm; Résistance base-émetteur R2:22kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1; Courant de collecteur DC:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:246mW; Gain en
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:22kohm; Résistance base-émetteur R2:22kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1; Courant de collecteur DC:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:246mW; Gain en
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:-; Rapport de résistance R1/R2:-; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:2; Courant de collecteur DC:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:246mW; Gain en courant
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:-; Rapport de résistance R1/R2:-; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:2; Courant de collecteur DC:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:246mW; Gain en courant
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1; Courant de collecteur DC:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:246mW; Gain en
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:1; Courant de collecteur DC:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:246mW; Gain en
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:SOT-23; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Rapport de résistance R1/R2:1; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NUMERIQUE SOT-323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Nombre de broches:3; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:SOT-323; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Rapport de résistance R1/R2:1; Résistance base R1:22kohm; Résistance base-émetteur R2:22kohm; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR NUMERIQUE UMT NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE UMT NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:68; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:68; Température de
TRANSISTOR NUMERIQUE UMT NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR NUMERIQUE UMT, PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR NUMERIQUE UMT, PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR NUMERIQUE VMT3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.1; Boîtier de transistor RF:SOT-723; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:150mW; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Gain en courant DC hFE:80; Hfe,
TRANSISTOR NUMERIQUE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SC-75; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:SC-75; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Rapport de résistance R1/R2:1; Résistance base R1:47kohm;
TRANSISTOR NUMERIQUE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SC-75; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:SC-75; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Rapport de résistance R1/R2:1; Résistance base R1:47kohm;
TRANSISTOR NUMERIQUE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:TL; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR NUMERIQUE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:EMT; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:TL; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PAIRE PNP; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:36V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:165; Type de boîtier de transistor:DIP; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Fréquence de transition ft:190MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:190MHz; Nombre de transistors:2;
TRANSISTOR PNP 0.15A 500V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-500V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 0.15A 500V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-500V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 0.1A 30V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:475; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 0.1A 45V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:475; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 0.1A 45V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:250; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 0.1A 45V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:475; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 0.1A 45V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:800; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 0.1A 65V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:475; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 0.1A 65V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:250; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 0.1A 65V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:475; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 0.25A 500V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:55MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-250mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:55MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 0.25A 500V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:55MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-250mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:55MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 0.25A 500V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:55MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-250mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:55MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 0.25A 500V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:55MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-250mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:55MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 0.5A 45V SOT457; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Fréquence de transition ft:80MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Hfe, min.:160;
TRANSISTOR PNP 0.5A 45V SOT457; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Fréquence de transition ft:80MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Hfe, min.:160;
TRANSISTOR PNP 0.5A 500V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:730mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:155; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 0.5A 500V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:730mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:155; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 0.5A 50V SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Résistance, R1:1kohm; Résistance, R2:10kohm; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 0.5A 50V SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Résistance, R1:1kohm; Résistance, R2:10kohm; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 0.5A 50V SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Hfe, min.:40; Résistance, R1:2.2kohm;
TRANSISTOR PNP 0.5A 50V SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Hfe, min.:40; Résistance, R1:2.2kohm;
TRANSISTOR PNP 0.5A 50V SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Hfe, min.:70; Résistance, R1:2.2kohm;
TRANSISTOR PNP 0.5A 50V SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Hfe, min.:70; Résistance, R1:2.2kohm;
TRANSISTOR PNP 0.8A 45V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 0.8A 45V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP -100V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:95MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -100V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:95MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -100V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:95MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 100V 10A TO247; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 100V 1A FAIBLE SAT SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-250mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:150; Température de
TRANSISTOR PNP 100V 1A FAIBLE SAT SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-250mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:150; Température de
TRANSISTOR PNP 100V 2.7A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:115MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:-2.7A; Gain en courant DC hFE:295; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 100V 2.7A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:115MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:-2.7A; Gain en courant DC hFE:295; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 100V 2A LFPAK; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR PNP 100V 2A LFPAK; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR PNP 100V 3.7A SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-3.7A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR PNP 100V 3A LFPAK; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR PNP 100V 3A LFPAK; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR PNP 100V 4.1A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-4.1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR PNP 100V 4.1A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-4.1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR PNP 100V 6A TO252; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP -100V -8A TO-252-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP -100V TO-220AB-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR PNP -100V TO-220AB-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR PNP -100V TO-220AB-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR PNP -100V TO-220AB-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR PNP -12V -1A SOT-563-6; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-12V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:90; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP -150V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 1A 150V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:115MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 1A 150V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:115MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR PNP 1A 150V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:115MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR PNP 1A 150V SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:115MHz; Dissipation de puissance Pd:520mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR PNP 1A 150V SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:115MHz; Dissipation de puissance Pd:520mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR PNP 1A 20V SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:375; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 1A 45V SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 1A 45V SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 1A 60V SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 1A 80V SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 1A 80V SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP -20V -1A SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 20V 1A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-1A; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:160; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR PNP 20V 1A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-1A; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:160; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR PNP 20V 2A FAIBLE SAT SOT666; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:185MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:495; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:185MHz; Hfe, min.:220; Température de
TRANSISTOR PNP 20V 2A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1.65W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 20V 5.5A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-5.5A; Gain en courant DC hFE:370; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:250; Température de
TRANSISTOR PNP 20V 5.5A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-5.5A; Gain en courant DC hFE:370; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:250; Température de
TRANSISTOR PNP 20V SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Icm impulsionnel:2A;
TRANSISTOR PNP 20V SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Icm impulsionnel:2A;
TRANSISTOR PNP 250V 0.05A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-250V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-30mA; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:50; Température de
TRANSISTOR PNP 250V 15A TO3P; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:-15A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 2A 150V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:35MHz; Dissipation de puissance Pd:730mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:35MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR PNP 2A 150V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:35MHz; Dissipation de puissance Pd:730mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:35MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR PNP 300V 0.1A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 300V 0.1A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 300V 0.5A TO92; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 300V 100MA SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP -300V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 30V 0.1A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 30V 0.1A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 30V 0.1A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Température de
TRANSISTOR PNP 30V 0.1A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Température de
TRANSISTOR PNP -30V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 30V 2.4A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:160MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:-2.4A; Gain en courant DC hFE:320; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:160MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR PNP 30V 2.4A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:160MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:-2.4A; Gain en courant DC hFE:320; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:160MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR PNP 30V 2.7A SOT457; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:104MHz; Dissipation de puissance Pd:480mW; Courant de collecteur DC:-2.7A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:104MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 30V 4.2A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:115MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-4.2A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:115MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 30V 4.4A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-4.4A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 30V 4.4A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-4.4A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP -30V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -30V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:5000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 30V 6A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:345; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR PNP 30V 6A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:345; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:80MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR PNP 32V 2A SO-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-32V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:82; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 32V 2A SO-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-32V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:82; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 400V 1A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:-1.5mA; Courant, Ic (hfe):-1A; Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Hfe, min.:4;
TRANSISTOR PNP 400V 1A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:-1.5mA; Courant, Ic (hfe):-1A; Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Hfe, min.:4;
TRANSISTOR PNP 400V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR PNP 400V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR PNP 40V 0.1A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP 40V 0.1A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP 40V 0.1A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP 40V 0.1A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP 40V 0.2A SC70-6; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:30; Température de
TRANSISTOR PNP 40V 0.2A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP 40V 0.2A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP 40V 0.6A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP 40V 0.6A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP -40V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 40V 1A SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 40V 1A SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -40V -200MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -40V -200MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -40V -200MA SOT-416-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 40V 200MA SOT923-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:227mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-923F; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR PNP 40V 2A SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 40V 2A SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 40V 4A FAIBLE SAT SOT457; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR PNP 40V 4A FAIBLE SAT SOT457; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR PNP -40V -600MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 45 V 0.5A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 45 V 0.5A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SC-75; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Température de
TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SC-75; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Température de
TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SC-75; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Température de
TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SC-75; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Température de
TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SOT23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SOT23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 45V 0.1A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 45V 0.5A DFN1010; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 45V 0.5A DFN1010; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 45V 0.5A DFN1010; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 45V 0.5A DFN1010; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:600; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:250; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:400; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:600; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de
TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:600; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de
TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 45V 0.5A SOT23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -45V -100MA SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:215; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP -45V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP -45V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP -45V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -45V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -45V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -45V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -45V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -45V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:1.65W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:1.65W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:145MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:145MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR PNP -45V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP -45V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -45V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -45V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -45V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -45V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -45V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -45V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -45V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -45V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -45V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -45V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -45V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -45V -500MA SOT-323-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -45V -500MA SOT-323-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -45V -500MA SOT-323-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -45V -800MA SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -45V -800MA SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -45V -800MA SOT-223-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -45V SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -45V SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 45V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ib:100mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA;
TRANSISTOR PNP 45V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ib:100mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA;
TRANSISTOR PNP 500V 0.25A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-500V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-250mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 500V 0.25A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-500V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-250mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 500V 0.25A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:55MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-250mA; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR PNP 500V 0.25A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:55MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-250mA; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR PNP 500V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-500V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR PNP 500V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-500V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:60MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR PNP 50V 0.15A SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz
TRANSISTOR PNP 50V 0.15A SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SC-75A; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz
TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:-; Rapport de résistance R1/R2:-; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Gain en courant DC hFE:200; Hfe, min.:200; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN; Température de
TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT23; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:-; Rapport de résistance R1/R2:-; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Dissipation de puissance Pd:250mW; Gain en courant DC hFE:200; Hfe, min.:200; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN; Température de
TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:4.7kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:-100mA; Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence de transition ft:180MHz; Gain en courant DC hFE:30; Hfe, min.:30; MSL:MSL 1 - Illimité;
TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:4.7kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:-100mA; Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Fréquence de transition ft:180MHz; Gain en courant DC hFE:30; Hfe, min.:30; MSL:MSL 1 - Illimité;
TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT416; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Hfe, min.:100; Résistance, R1:2.2kohm; Résistance, R2:47kohm; Température de
TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT416; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Hfe, min.:100; Résistance, R1:2.2kohm; Résistance, R2:47kohm; Température de
TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT416; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT416; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT416; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance Pd:150mW; Fréquence de transition ft:230MHz; Gain en courant DC hFE:30; Hfe, min.:30; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité
TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SOT416; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:100mA; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Dissipation de puissance Pd:150mW; Fréquence de transition ft:230MHz; Gain en courant DC hFE:30; Hfe, min.:30; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité
TRANSISTOR PNP 50V 0.2A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:210; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 50V 0.2A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:210; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 50V 0.2A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 50V 0.2A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP 50V 100MA SOT-363-6; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP -50V -2A TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP -50V -50MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -50V -50MA TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 50V 5A SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR PNP 5GHZ SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-25mA; Gain en courant DC hFE:50; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:2.5dB; Configuration du Brochage:B(1),E(2),C(3); Courant DC Gain Hfe min.:20; Courant de collecteur continu Ic:-25mA; Courant de collecteur
TRANSISTOR PNP 5GHZ SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-25mA; Gain en courant DC hFE:50; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:2.5dB; Configuration du Brochage:B(1),E(2),C(3); Courant DC Gain Hfe min.:20; Courant de collecteur continu Ic:-25mA; Courant de collecteur
TRANSISTOR PNP 60V 0.2 SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR PNP 60V 0.2 SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR PNP 60V 0.6A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:1.15W; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP 60V 0.6A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:1.15W; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP 60V 0.8A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:50; Température de
TRANSISTOR PNP 60V 0.8A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:50; Température de
TRANSISTOR PNP -60V -10A TO220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:8A; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR PNP 60V 1A FAIBLE SAT SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:185MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:185MHz; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR PNP 60V 1A FAIBLE SAT SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:185MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:185MHz; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:1.65W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:1.65W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:145MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR PNP 60V 1A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:145MHz; Hfe, min.:63; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR PNP -60V -1A SOT-89-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 60V 2.7A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:-2.7A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR PNP 60V 2.7A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:-2.7A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR PNP -60V -2A SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:75MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -60V -2A SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:75MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -60V -2A SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:75MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -60V -2A SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:540mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 60V 4.2A SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-4.2A; Gain en courant DC hFE:295; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR PNP 60V 4A TO-225; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-225; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP 60V 5A D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:-10A; Courant, Icbo:10nA; Hfe,
TRANSISTOR PNP 60V 5A D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:-10A; Courant, Icbo:10nA; Hfe,
TRANSISTOR PNP 60V 5A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:90MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:265; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:90MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR PNP 60V 5A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:90MHz; Dissipation de puissance Pd:2.1W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:265; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:90MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR PNP 60V 5A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:110MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP -60V -600MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -60V -600MA SOT-323-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -60V -600MA SOT-323-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -60V -600MA SOT-323-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -60V -6A SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 60V 800MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 65V 0.1A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 65V 0.1A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 65V 0.1A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Température de
TRANSISTOR PNP 65V 0.1A SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Température de
TRANSISTOR PNP 65V 0.1A SOT323-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP 65V 0.1A SOT323-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -65V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP -65V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -65V -100MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -65V -100MA SOT-323-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -65V SOT-23 BOBINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -65V SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 6V 3A LFPAK; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR PNP 6V 3A LFPAK; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:5; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR PNP 80V 0.1A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP 80V 0.1A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP 80V 0.1A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP 80V 0.1A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP 80V 0.5A SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de
TRANSISTOR PNP -80V -1.5A SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -80V -1.5A SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -80V -1.5A SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -80V -1.5A SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -80V -1.5A SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -80V -1.5A SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP -80V -1.5A SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:1.65W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT1061; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:1.65W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-1061; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:TO-243; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP 80V 4.5A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-4.5A; Gain en courant DC hFE:280; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR PNP 80V 4.5A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-4.5A; Gain en courant DC hFE:280; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR PNP 80V 4A SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:45; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR PNP -80V -500MA SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -80V -8A TO-252-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP -80V -8A TO-252-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:90MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP 80V SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP 80V SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP -90V -1A 3-SOT-223 BOBINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de
TRANSISTOR PNP -90V, -1A, 3-SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de
TRANSISTOR PNP -90V, -1A, 3-SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:2000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:2000; Température de
TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-323; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.047; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:-100mA; Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance Pd:200mW; Gain en courant DC hFE:35; Hfe, min.:35; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:PNP;
TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Hfe, min.:30; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Hfe, min.:30; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-416; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-416; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-416; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:-; Rapport de résistance R1/R2:-; Boîtier de transistor RF:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:-100mA; Courant, Ic max.. permanent a:-10mA; Dissipation de puissance Pd:150mW; Gain en courant DC hFE:100; Hfe, min.:100; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:PNP; Température
TRANSISTOR PNP AVEC RES 50V SOT-416; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-20mA; Résistance base R1:100kohm; Résistance base-émetteur R2:100kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-416; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:-100mA; Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Dissipation de puissance Pd:150mW; Gain en courant DC hFE:80; Hfe, min.:80; MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:PNP;
TRANSISTOR PNP BIPOLAIRE SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:20; Température de
TRANSISTOR PNP BIPOLAIRE SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:20; Température de
TRANSISTOR PNP BOITIER D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PGP; Courant de collecteur continu Ic max.:-500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PGP; Courant de collecteur continu Ic max.:-500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:e; Courant Ic à Vce sat:-2A; Courant de collecteur continu Ic max.:-2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic
TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:e; Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:135MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:3A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:160MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:e; Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max..
TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:50mA; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA;
TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:e; Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA;
TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:4A; Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:e; Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR PNP BOITIER E-LINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:E-Line; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:e; Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:135MHz; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:4A; Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:135MHz; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:4A; Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:160MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:160MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:7A; Courant, Ic (hfe):7A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:7A; Courant, Ic (hfe):7A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:1.8A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:2.5W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:1.8A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:70V; Fréquence de transition ft:160MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:70V; Fréquence de transition ft:160MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:2A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:5.5A; Gain en courant DC hFE:225; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:5.5A; Courant de collecteur continu Ic max.:5.5A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:5.5A; Gain en courant DC hFE:225; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:5.5A; Courant de collecteur continu Ic max.:5.5A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Courant, Ic moy.:5A; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):15µA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):250mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):250mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-2.5A; Gain en courant DC hFE:475; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2.5A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:2.5A; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-2.5A; Gain en courant DC hFE:475; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2.5A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:2.5A; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:225; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:475; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:475; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:75MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:75MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:150mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:150mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Catégories d'approbation:AEC-Q101; Courant Ic à Vce sat:50mA; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:190MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:475; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:190MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:475; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:500V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:150mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:500V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:150mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:225; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:-50mA; Courant, Ic (hfe):-25mA; Courant, Ic max.. permanent a:-50mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:-50mA; Courant, Ic (hfe):-25mA; Courant, Ic max.. permanent a:-50mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:-500mA; Courant, Ic (hfe):-10mA; Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:-500mA; Courant, Ic (hfe):-10mA; Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:32V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):100µA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):100µA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:3dB;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:3dB;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:270mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:270mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:350; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:-100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:-100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; FB max..:10dB; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT457; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:50mA; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT457; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:50mA; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT666; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT666; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:5A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:5A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:2A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:550mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500µA; Courant, Ic max.. permanent a:2A;
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP BOITIER SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP BOITIER SUPERSOT-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:55MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER SUPERSOT-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:55MHz; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:100mA; Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:140; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Hfe, min.:40; Marquage composant:BD136;
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Hfe, min.:40; Nombre de
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:250; Courant DC Gain Hfe min.:40; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:130; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-18; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-18; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA;
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-18; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA;
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-18; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-18; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-18; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:a; Courant de collecteur continu Ic max.:150mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-218; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:25A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:25A; Courant, Ic (hfe):15A; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:7A; Courant, Ic (hfe):2.5A; Courant, Ic max.. permanent a:7A; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Courant, Ic
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:15MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Gain Bande-passante ft, typ.:12MHz;
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:70W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz;
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-225AA; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Courant, Ic moy.:1.5A; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-247; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:40A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:15A; Courant de collecteur continu Ic max.:25A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:25A; Gain en courant DC hFE:4; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:25A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Courant, Ic moy.:25A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA;
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-205AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA;
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-75V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-3P; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:25A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:25A; Courant, Ic (hfe):15A; Courant, Ic max.. permanent a:25A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-3P; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:2.5MHz; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Gain
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant Ic à Vce sat:20mA; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic
TRANSISTOR PNP BOITIER TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-250V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:830mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:h; Courant Ic à Vce sat:20mA; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic
TRANSISTOR PNP CMS SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:240; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):240mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:50; Puissance,
TRANSISTOR PNP CMS SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:240; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):240mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:50; Puissance,
TRANSISTOR PNP CMS SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:30; Puissance, Ptot:350mW; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR PNP CMS SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:30; Puissance, Ptot:350mW; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR PNP CMS SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:20; Puissance,
TRANSISTOR PNP CMS SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:20; Puissance,
TRANSISTOR PNP CMS SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:160; Température de
TRANSISTOR PNP CMS SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:160; Température de
TRANSISTOR PNP COMMUT CHARGE 20V 3A SO8; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR PNP DARLINGTON TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:15mA; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Hfe, min.:200;
TRANSISTOR PNP DOUBLE SC-88; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP DOUBLE SC-88; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SC-88; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz;
TRANSISTOR PNP D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:90MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz;
TRANSISTOR PNP FAST SW SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:160; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR PNP FAST SW SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Hfe, min.:160; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR PNP GP 0.5A 80V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP GP 0.5A 80V SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP MT-200; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:230V; Fréquence de transition ft:35MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:17A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:MT-200; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant de collecteur continu Ic max.:17A; Courant, Ib:5A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:17A; Courant, Ic moy.:17A; Gain Bande-passante ft, typ.:35MHz;
TRANSISTOR PNP RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-35mA; Gain en courant DC hFE:50; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:2.4dB; Courant de collecteur continu Ic:-35mA; Courant de collecteur continu Ic max.:-35mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR PNP RF BOITIER SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:5GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-35mA; Gain en courant DC hFE:50; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:2.4dB; Courant de collecteur continu Ic:-35mA; Courant de collecteur continu Ic max.:-35mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR PNP RF BOITIER TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:15MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:TO-39; Courant de collecteur continu Ic:1A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):50mA;
TRANSISTOR PNP SOT223 1.2W; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.2W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:150; Température de
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:HV; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA;
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:HV; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA;
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Hfe, min.:150; Puissance,
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1.2A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant de collecteur continu Ic max.:1.2A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.2A;
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1.2A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant de collecteur continu Ic max.:1.2A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.2A;
TRANSISTOR PNP SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5A; Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR PNP SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:5A; Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Ic, hfe, circuit NPN:3A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Ic, hfe, circuit NPN:3A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:-5A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Hfe, min.:150; Puissance,
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.6W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:5A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A;
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A;
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:650mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic moy.:1A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP SOT23 0.6W; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:250; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR PNP SOT23 0.6W; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:250; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR PNP SOT23 0.6W; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:300; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR PNP SOT23 0.6W; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:300; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.2A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.2A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:220MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.2A; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.2A; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; FB max..:4dB; Gain
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; FB max..:4dB; Gain
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:800mA; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:290MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ib:500mA; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain
TRANSISTOR PNP SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:290MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ib:500mA; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; FB max..:10dB; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:10mA; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant de pic Icm:0.2A; Courant, Ic (hfe):1mA;
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:10mA; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant de pic Icm:0.2A; Courant, Ic (hfe):1mA;
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GPAmp; Courant DC Gain Hfe max.:400; Courant DC Gain Hfe min.:160; Courant de Saturation (Isat):500mA; Courant de
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GPAmp; Courant DC Gain Hfe max.:400; Courant DC Gain Hfe min.:160; Courant de Saturation (Isat):500mA; Courant de
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant de pic Icm:0.8A; Courant, Ic (hfe):1mA;
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:500mA; Courant de collecteur continu Ic max.:600mA; Courant de pic Icm:0.8A; Courant, Ic (hfe):1mA;
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-236AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR PNP SOT-32; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR PNP SOT-32; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-32; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):150mA; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:1; Température, puissance:25°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):500mV;
TRANSISTOR PNP SOT323 0.3W; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:270; Température de
TRANSISTOR PNP SOT323 0.3W; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:270; Température de
TRANSISTOR PNP SOT89 0.9W; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:270; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR PNP SOT89 0.9W; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Gain Bande-passante ft, typ.:180MHz; Hfe, min.:270; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR PNP SOT89 0.9W; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:270; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR PNP SOT89 0.9W; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:270; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:270; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR PNP SOT-89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR PNP SW 40V 0.6A SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:1.15W; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20.8W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:240; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:30; Nombre de
TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:240; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:TO-225; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1.5A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:20;
TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-225; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:25; Marquage composant:2N4920; Nombre de transistors:1; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C;
TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:-500mA; Courant, Ic (hfe):50mA; Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Hfe, min.:40; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:40;
TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:1.5A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1.5A; Courant, Ic moy.:1.5A; Hfe, min.:40; Nombre
TRANSISTOR PNP TO-126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:25;
TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Hfe, min.:10; Marquage composant:TIP32C; Nombre de
TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Courant, Ic moy.:5A; Gain
TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-120V; Fréquence de transition ft:30Hz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):3A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:8A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-250V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Courant, Ic moy.:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:375V; Fréquence de transition ft:10MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PHVS; Courant Ic à Vce sat:1A; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):1mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:6A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe, min.:30; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.5V; Type de
TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Hfe, min.:30; Nombre de transistors:1; Puissance,
TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:10A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:20;
TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Courant, Ic moy.:6A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Courant, Ic moy.:3A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:6A; Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:6A; Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Hfe,
TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:GP; Courant Ic à Vce sat:5A; Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:7A; Courant, Ic (hfe):2.5A; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Gain Bande-passante ft, typ.:10MHz; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR PNP TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:8A; Hfe, min.:60; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1V; Type de terminaison:Traversant
TRANSISTOR PNP TO-220AB; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Code d'application:PHVS; Courant Ic à Vce sat:4A; Courant de collecteur continu Ic max.:8A; Courant, Ib:4A; Courant, Ic (hfe):5mA; Courant, Ic max..
TRANSISTOR PNP TO-220FP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:33W; Courant de collecteur DC:-12A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220FP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:12A; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:1; Température, puissance:25°C; Tension saturation
TRANSISTOR PNP TO-264; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:200V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:175; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):7A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Courant, Icm
TRANSISTOR PNP TO-264; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Icm impulsionnel:30A; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:25; Marquage composant:MJL21193; Nombre de
TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:18MHz; Dissipation de puissance Pd:180W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Gain Bande-passante ft, typ.:18MHz; Hfe, min.:20;
TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-140V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:-20A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:20A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:25;
TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-200V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:-16A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:15;
TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-250V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:-16A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:15;
TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Courant, Icm impulsionnel:30A;
TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:16A; Courant de collecteur continu Ic max.:16A; Courant, Ic (hfe):8mA; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Gain
TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:20A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Courant, Ic moy.:20A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-200V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:-16A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:16A; Courant, Ic (hfe):8A; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Courant, Ic moy.:16A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP TO-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:800kHz; Dissipation de puissance Pd:115W; Courant de collecteur DC:-15A; Gain en courant DC hFE:5; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):10A; Gain Bande-passante ft, typ.:2.5MHz; Hfe, min.:5; Nombre de transistors:1; Température, puissance:25°C; Température
TRANSISTOR PNP TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:1A; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):500mA; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP TO-39; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:150mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR PNP TO-3P; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-160V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:130W; Courant de collecteur DC:-15A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ib:4A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz;
TRANSISTOR PNP TO-3P; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-230V; Fréquence de transition ft:35MHz; Dissipation de puissance Pd:130W; Courant de collecteur DC:-15A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ib:4A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Courant, Ic moy.:15A; Gain Bande-passante ft, typ.:35MHz;
TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant Ic à Vce sat:20mA; Courant de collecteur continu Ic max.:500mA; Courant, Ic (hfe):10mA;
TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:80; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):80mA; Courant, Ic max.. permanent a:3A; Gain
TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant, Ic (hfe):150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:B; Courant Ic à Vce sat:10mA; Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):1mA;
TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:d; Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain
TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:260MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:d; Courant de collecteur continu Ic max.:-800mA; Courant, Ic (hfe):100mA; Courant, Ic max.. permanent
TRANSISTOR PNP TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:b; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A;
TRANSISTOR PNP W/RES 40V 0.8A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:210; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP W/RES 40V 0.8A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:210; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP W/RES 40V 0.8A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP W/RES 40V 0.8A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:320; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP W/RES 40V 0.8A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:320; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP W/RES 40V 0.8A SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:320; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR PNP,45V 0.1A, SOT883B; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP,45V 0.1A, SOT883B; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:125; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP,45V 0.1A, SOT883B; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR PNP/NPN 65V SOT363; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Dissipation de puissance Pd:220mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Fréquence de transition ft:100MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP/PNP 20V SO8; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Courant de collecteur DC:-6.3A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:105MHz
TRANSISTOR PNP/PNP 30V SO8; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Dissipation de puissance Pd:2.3W; Courant de collecteur DC:-4.8A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:115MHz
TRANSISTOR PNP/PNP 45V 0.1A SC74; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR PNP/PNP 45V 0.1A SC74; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR PNP/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR PNP/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR PNP/PNP 50V 0.1A SOT666; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR PNP/PNP 50V 0.1A SOT666; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.047; Boîtier de transistor RF:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:-100mA; Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Fréquence de transition ft:180MHz; Gain en courant DC hFE:100; Hfe, min.:100; MSL:MSL 1 -
TRANSISTOR PNP/PNP 50V 0.1A SOT666; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.047; Boîtier de transistor RF:SOT-666; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur DC:-100mA; Courant, Ic max.. permanent a:-5mA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Fréquence de transition ft:180MHz; Gain en courant DC hFE:100; Hfe, min.:100; MSL:MSL 1 -
TRANSISTOR PNP/PNP APPAIRES SOT143B; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:175MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR PNP/PNP APPAIRES SOT143B; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:390mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-143B; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:175MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR PNP/PNP APPAIRES SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:175MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR PNP/PNP APPAIRES SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:175MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR PNP/PNP APPAIRES SOT457; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:175MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:175MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR PNP/PNP W/RES 50V SOT666; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:180MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR PNP/PNP. SOT26; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-26; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:60; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR PNP/PNP. SOT26; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-26; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:60; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR PNP/PNP. SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100;
TRANSISTOR PNP/PNP. SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100;
Transistor Polarity:N Channel; Continuou; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.0022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:600mV; Power Dissipation Pd:1.6W; No. of Pins:8
Transistor Polarity:N Channel; Continuou; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.1A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.044ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1V; Power Dissipation Pd:830mW; No. of Pins:8
Transistor Polarity:N Channel; Continuou; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.055ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; Power Dissipation Pd:1.08W; No. of Pins:3; MSL:-
Transistor Polarity:P Channel; Continuou; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-10.5A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.0063ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation Pd:1.5W; No. of Pins:8
Transistor Polarity:P Channel; Continuou; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-7.4A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V; Power Dissipation Pd:1.5W; No. of Pins:8
TRANSISTOR RF BIPOLAIRE BOBINE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Boîtier de transistor RF:SOT-363; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Boîtier de transistor RF:SOT-363; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:SOT-223; Courant de collecteur continu Ic:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Température de
TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:SOT-223; Courant de collecteur continu Ic:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Température de
TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:SOT-23; Courant de collecteur continu Ic:-50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Température de
TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:SOT-23; Courant de collecteur continu Ic:-50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Température de
TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:SOT-23; Courant de collecteur continu Ic:-600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Température
TRANSISTOR RF BIPOLAIRE; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:SOT-23; Courant de collecteur continu Ic:-600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Température
TRANSISTOR RF NPN 12V 2GHZ SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:2GHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:25; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR RF NPN 12V 2GHZ SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:2GHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:25; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR RF NPN 25V 650MHZ SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:650MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:60; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR RF NPN 25V 650MHZ SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:650MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:60; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR RF NPN 40V 250MHZ; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Boîtier de transistor RF:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR RF NPN 40V 300MHZ; Tension, claquage Vbr:-40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:200µA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:1mA; Tension, Vgs off max..:-1.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:200µA à 1mA; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSISTOR RF NPN 40V 300MHZ; Tension, claquage Vbr:-40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:200µA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:1mA; Tension, Vgs off max..:-1.5V; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:350mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:200µA à 1mA; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSISTOR RF NPN 50V SC-59-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:4.7; Boîtier de transistor RF:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:-; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR RF NPN 50V SC-59-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:4.7; Boîtier de transistor RF:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:-; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR RF NPN 50V SC-59-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:4.7; Boîtier de transistor RF:SC-59; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:-; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF NPN 50V SC-75-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SC-75; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF NPN 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:4.7; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF NPN 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:2.2kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:-; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Polarité transistor:NPN
TRANSISTOR RF NPN 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF NPN 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:4.7; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF NPN 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:22kohm; Résistance base-émetteur R2:22kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF NPN 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:-; Rapport de résistance R1/R2:-; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF NPN 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:4.7kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:-; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR RF NPN 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:4.7kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:-; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR RF NPN 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:4.7kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:-; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF NPN 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:0.1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF NPN 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF NPN 50V SOT-323-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR RF NPN 50V SOT-323-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR RF NPN 50V SOT-323-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:-; Rapport de résistance R1/R2:-; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:-
TRANSISTOR RF NPN 50V SOT-323-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF NPN 50V SOT-363-6; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:-
TRANSISTOR RF NPN/PNP 50V SOT-363-6; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF NPN/PNP 50V SOT-363-6; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:4.7; Boîtier de transistor RF:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF NPN/PNP 50V SOT-563-6; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:4.7; Boîtier de transistor RF:SOT-563; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF PNP -50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF PNP -50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:4.7; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF PNP 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:4.7; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:-; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR RF PNP 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:4.7; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:-; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR RF PNP 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:22kohm; Résistance base-émetteur R2:22kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF PNP 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:10; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:-; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR RF PNP 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:10; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:-; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR RF PNP 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:4.7kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:10; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:-; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF PNP -50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:SOT-23; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Rapport de résistance R1/R2:1; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF PNP 50V SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Nombre de broches:3; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:SOT-23; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF PNP 50V SOT-323-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Courant de collecteur continu Ic:100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:10kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR RF PNP -50V SOT-363-6; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:47kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:1; Boîtier de transistor RF:SOT-363; Nombre de broches:6; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF PNP CMS SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:600MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:60; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:600MHz; Hfe, min.:60; Type de boîtier de
TRANSISTOR RF PNP CMS SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:20V; Fréquence de transition ft:600MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:60; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:600MHz; Hfe, min.:60; Type de boîtier de
TRANSISTOR RF, NPN, 12V, 7.5GHZ, SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:7.5GHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 12V, 7.5GHZ, SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:7.5GHz; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-143; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:8GHz; Dissipation de puissance Pd:580mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-143; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-143; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:8GHz; Dissipation de puissance Pd:580mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-143; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:8GHz; Dissipation de puissance Pd:175mW; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:8GHz; Dissipation de puissance Pd:175mW; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:8GHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:8GHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:8GHz; Dissipation de puissance Pd:580mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:8GHz; Dissipation de puissance Pd:580mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT363; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:8GHz; Dissipation de puissance Pd:175mW; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT363; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:8GHz; Dissipation de puissance Pd:175mW; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT363; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:8GHz; Dissipation de puissance Pd:450mW; Courant de collecteur DC:65mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
TRANSISTOR RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT363; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:8GHz; Dissipation de puissance Pd:450mW; Courant de collecteur DC:65mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 3 - 168 heures
TRANSISTOR RF, NPN, 2.25V, 75GHZ, TSLP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:2.25V; Fréquence de transition ft:75GHz; Dissipation de puissance Pd:75mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:150; Boîtier de transistor RF:TSLP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 2.25V, 75GHZ, TSLP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:2.25V; Fréquence de transition ft:75GHz; Dissipation de puissance Pd:75mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:150; Boîtier de transistor RF:TSLP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 2.25V, 80GHZ, SOT343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:2.25V; Fréquence de transition ft:80GHz; Dissipation de puissance Pd:75mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:150; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 2.25V, 80GHZ, SOT343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:2.25V; Fréquence de transition ft:80GHz; Dissipation de puissance Pd:75mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:150; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 2.25V, 85GHZ, TSFP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:2.25V; Fréquence de transition ft:85GHz; Dissipation de puissance Pd:75mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:150; Boîtier de transistor RF:TSFP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 2.25V, 85GHZ, TSFP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:2.25V; Fréquence de transition ft:85GHz; Dissipation de puissance Pd:75mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:150; Boîtier de transistor RF:TSFP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 2.3V, 65GHZ, SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:2.3V; Fréquence de transition ft:65GHz; Dissipation de puissance Pd:185mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:110; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 2.3V, 65GHZ, SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:2.3V; Fréquence de transition ft:65GHz; Dissipation de puissance Pd:185mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:110; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 3.25V, 57GHZ, SOT343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:3.25V; Fréquence de transition ft:57GHz; Dissipation de puissance Pd:120mW; Courant de collecteur DC:40mA; Gain en courant DC hFE:150; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 3.25V, 57GHZ, SOT343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:3.25V; Fréquence de transition ft:57GHz; Dissipation de puissance Pd:120mW; Courant de collecteur DC:40mA; Gain en courant DC hFE:150; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4.2V, 47GHZ, TSFP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.2V; Fréquence de transition ft:47GHz; Dissipation de puissance Pd:160mW; Courant de collecteur DC:45mA; Gain en courant DC hFE:160; Boîtier de transistor RF:TSFP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4.2V, 47GHZ, TSFP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.2V; Fréquence de transition ft:47GHz; Dissipation de puissance Pd:160mW; Courant de collecteur DC:45mA; Gain en courant DC hFE:160; Boîtier de transistor RF:TSFP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4.5V, 22GHZ, SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:22GHz; Dissipation de puissance Pd:230mW; Courant de collecteur DC:70mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4.5V, 22GHZ, SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:22GHz; Dissipation de puissance Pd:230mW; Courant de collecteur DC:70mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4.5V, 22GHZ, TSLP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:22GHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:TSLP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4.5V, 22GHZ, TSLP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:22GHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:TSLP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4.5V, 25GHZ, SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:25GHz; Dissipation de puissance Pd:75mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:60; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4.5V, 25GHZ, SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:25GHz; Dissipation de puissance Pd:75mW; Courant de collecteur DC:25mA; Gain en courant DC hFE:60; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4.5V, 25GHZ, TSFP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:25GHz; Dissipation de puissance Pd:210mW; Courant de collecteur DC:60mA; Gain en courant DC hFE:60; Boîtier de transistor RF:TSFP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4.5V, 25GHZ, TSFP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:25GHz; Dissipation de puissance Pd:210mW; Courant de collecteur DC:60mA; Gain en courant DC hFE:60; Boîtier de transistor RF:TSFP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4.5V, 30GHZ, SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:30GHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:50; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4.5V, 30GHZ, SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:30GHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:50; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4.5V, 30GHZ, SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:30GHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:50; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4.5V, 30GHZ, SOT-343; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:30GHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:50; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4.5V, 30GHZ, TSFP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:30GHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:50; Boîtier de transistor RF:TSFP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4.5V, 30GHZ, TSFP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:30GHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:50; Boîtier de transistor RF:TSFP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4V, 42GHZ, TSFP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4V; Fréquence de transition ft:42GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:110; Boîtier de transistor RF:TSFP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4V, 42GHZ, TSFP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4V; Fréquence de transition ft:42GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:110; Boîtier de transistor RF:TSFP; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4V, 47GHZ, TSLP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4V; Fréquence de transition ft:47GHz; Dissipation de puissance Pd:160mW; Courant de collecteur DC:40mA; Gain en courant DC hFE:160; Boîtier de transistor RF:TSLP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 4V, 47GHZ, TSLP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4V; Fréquence de transition ft:47GHz; Dissipation de puissance Pd:160mW; Courant de collecteur DC:40mA; Gain en courant DC hFE:160; Boîtier de transistor RF:TSLP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 6V, 14GHZ, TSFP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:6V; Fréquence de transition ft:14GHz; Dissipation de puissance Pd:210mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:TSFP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 6V, 14GHZ, TSFP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:6V; Fréquence de transition ft:14GHz; Dissipation de puissance Pd:210mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:TSFP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 6V, 14GHZ, TSFP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:6V; Fréquence de transition ft:14GHz; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:TSFP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 6V, 14GHZ, TSFP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:6V; Fréquence de transition ft:14GHz; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:TSFP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 6V, 14GHZ, TSFP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:6V; Fréquence de transition ft:14GHz; Dissipation de puissance Pd:75mW; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:TSFP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 6V, 14GHZ, TSFP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:6V; Fréquence de transition ft:14GHz; Dissipation de puissance Pd:75mW; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:TSFP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 6V, 14GHZ, TSLP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:6V; Fréquence de transition ft:14GHz; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:TSLP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 6V, 14GHZ, TSLP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:6V; Fréquence de transition ft:14GHz; Dissipation de puissance Pd:380mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:TSLP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 6V, 14GHZ, TSLP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:6V; Fréquence de transition ft:14GHz; Dissipation de puissance Pd:60mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:TSLP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF, NPN, 6V, 14GHZ, TSLP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:6V; Fréquence de transition ft:14GHz; Dissipation de puissance Pd:60mW; Courant de collecteur DC:10mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:TSLP; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR RF; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:240; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:30; Température d'utilisation min:-65°C; Type de terminaison:CMS
TRANSISTOR SMT3 NPN DRIVER; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Hfe, min.:120; Température de
TRANSISTOR SMT3 NPN DRIVER; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Hfe, min.:120; Température de
TRANSISTOR SMT3 NPN DRIVER; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-346; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Hfe, min.:180; Température de
TRANSISTOR SOT-23 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:10000; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR SOT-23 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:10000; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR SOT-23 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR SOT-23 NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:150mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR SOT-23 NPN; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR SOT-23 NPN; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:140MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR SOT-89 BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:210MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:210MHz; Hfe, min.:120; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR SOT-89 BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:210MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:210MHz; Hfe, min.:120; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR SOT-89 BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:82; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:120; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR SOT-89 BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:82; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:120; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR SOT-89 BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:82; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:180; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR SOT-89 BCE NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:82; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:180; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR UNIJUNCTION; Courant Itrm max..:1.5A; Peak courant d'émetteur:1.5A; Courant Valley Iv:7mA; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant cràªte:1µA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65°C à +125°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de terminaison:Traversant
TRANSISTOR UNIJUNCTION; Courant Itrm max..:1.5A; Peak courant d'émetteur:1µA; Courant Valley Iv:5mA; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Courant cràªte:1µA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65°C à +125°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de terminaison:Traversant
TRANSISTOR UNIJUNCTION; Courant Itrm max..:2A; Peak courant d'émetteur:1µA; Courant Valley Iv:10mA; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:-; Courant cràªte:1µA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65°C à +125°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de terminaison:Traversant
TRANSISTOR UNIJUNCTION; Courant Itrm max..:2A; Peak courant d'émetteur:1µA; Courant Valley Iv:6mA; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:-; Courant cràªte:1µA; Dissipation de puissance Pd:300mW; Température de fonctionnement:-65°C à +125°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de terminaison:Traversant
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 100V, SOT-669; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 100V, SOT-669; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:140; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 100V, SOT-669; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:145MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 100V, SOT-669; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:140; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 30V, DFN1010D; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:190MHz; Dissipation de puissance Pd:325mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 30V, DFN1010D; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:190MHz; Dissipation de puissance Pd:325mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 30V, DFN1010D; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:190MHz; Dissipation de puissance Pd:325mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 30V, DFN1010D; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:190MHz; Dissipation de puissance Pd:325mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 40V, SOT-669; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:105MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 40V, SOT-669; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:128MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:230; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 40V, SOT-669; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:153MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 40V, SOT-669; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:105MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 40V, SOT-669; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:128MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:230; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 40V, SOT-669; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:153MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 45V, SC-74-6; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SC-74; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 45V, SC-74-6; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SC-74; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 60V, DFN1010D; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:325mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 60V, DFN1010D; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:325mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 60V, DFN1010D; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:325mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 60V, DFN1010D; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:325mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 60V, SOT-669; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 60V, SOT-669; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 60V, SOT-669; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:140MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, NPN, 60V, SOT-669; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:6A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AECQ101, PNP, -100V, SOT-669; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:116MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AECQ101, PNP, -100V, SOT-669; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:90MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AECQ101, PNP, -100V, SOT-669; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:116MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AECQ101, PNP, -100V, SOT-669; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:90MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AECQ101, PNP, -30V, DFN1010D; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:325mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:130; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AECQ101, PNP, -30V, DFN1010D; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:325mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AECQ101, PNP, -30V, DFN1010D; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:325mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:130; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AECQ101, PNP, -30V, DFN1010D; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:170MHz; Dissipation de puissance Pd:325mW; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -40V, SOT-669; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -40V, SOT-669; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-15A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -40V, SOT-669; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:97MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -40V, SOT-669; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -40V, SOT-669; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-15A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -40V, SOT-669; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:97MHz; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AECQ101, PNP, -60V, DFN1010D; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:325mW; Courant de collecteur DC:-1.7A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AECQ101, PNP, -60V, DFN1010D; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:325mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AECQ101, PNP, -60V, DFN1010D; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:325mW; Courant de collecteur DC:-1.7A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AECQ101, PNP, -60V, DFN1010D; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:325mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:DFN1010D; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -60V, SOT-669; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -60V, SOT-669; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:85MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -60V, SOT-669; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, AEC-Q101, PNP, -60V, SOT-669; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:85MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-669; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, ARRAY, NPN, 30V, 100mA, SOT-; TRANSISTOR, ARRAY, NPN, 30V, 100mA, SOT-143B-4; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:4; Packaging:Cut Tape
TRANSISTOR, ARRAY, PNP, -45V, -100mA, SO; TRANSISTOR, ARRAY, PNP, -45V, -100mA, SOT-363-6; Transistor Polarity:Dual PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:200; No. of Pins:6
TRANSISTOR, BIPLOAR NPN 16A TO247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:16A; Courant, Ic (hfe):80mA; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz;
TRANSISTOR, BIPLOAR PNP 16A TO247; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-250V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:-16A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:16A; Courant, Ic (hfe):80mA; Courant, Ic max.. permanent a:16A; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR, BIPOL, DUAL NPN, 45V, SC70-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:210mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, DUAL NPN, 45V, SC70-6; Polarité transistor:Double NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:210mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, N CH, 600V, TO-220AB;; TRANSISTOR, BIPOL, N CH, 600V, TO-220AB; DC Collector Current:16A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:77W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175°C
TRANSISTOR, BIPOL, N CH, 600V, TO-220ATRANSISTOR, BIPOL, N CH, 600V, TO-220AB; DC Collector Current:23A; Collector Emitter Voltage Vces:1.55V; Power Dissipation Pd:99W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175°C; MSL:-
TRANSISTOR, BIPOL, N CH, 600V, TO-220ATRANSISTOR, BIPOL, N CH, 600V, TO-220AB; DC Collector Current:32A; Collector Emitter Voltage Vces:1.55V; Power Dissipation Pd:140W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175°C; MSL:-
TRANSISTOR, BIPOL, N CH, 600V, TO-220ATRANSISTOR, BIPOL, N CH, 600V, TO-220AB; DC Collector Current:47A; Collector Emitter Voltage Vces:1.65V; Power Dissipation Pd:206W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175°C; MSL:-
TRANSISTOR, BIPOL, N CH, 650V, TO-247ATRANSISTOR, BIPOL, N CH, 650V, TO-247AC; DC Collector Current:140A; Collector Emitter Voltage Vces:1.7V; Power Dissipation Pd:455W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175°C; MSL:-
TRANSISTOR, BIPOL, N CH, 650V, TO-247ATRANSISTOR, BIPOL, N CH, 650V, TO-247AC; DC Collector Current:90A; Collector Emitter Voltage Vces:1.7V; Power Dissipation Pd:325W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175°C; MSL:-
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-126-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-220-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-220AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-252AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-252AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-263AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 100V, TO-263AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-263AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 10V, TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:10V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:750mW; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 120V, TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:110MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 120V, TO-92L-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-92L; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 125V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:125V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:330mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 150V, TO-220-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 15V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 15V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 160V, TO-225AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:155MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 160V, TO-225AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:155MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:1.2A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 160V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 160V, TO-92L-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-92L; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 160V, TO-92L-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-92L; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 250V, TO-264AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:250V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:17A; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:TO-264AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 25V, SOT-223-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 25V, SOT-223-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 25V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 25V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 25V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 25V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 300V, TO-126-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 300V, TO-126-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 300V, TO-225AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:7W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 300V, TO-225AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:7W; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 30V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 30V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 30V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 30V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 30V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 30V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 30V, TO-92L-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-92L; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 350V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 400V, TO-3P-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:130W; Courant de collecteur DC:12A; Gain en courant DC hFE:6; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 400V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 40V, SOT-23-6; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 40V, SOT-23-6; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 40V, SOT-23-6; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 40V, SOT-23-6; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 40V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 40V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 40V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 40V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 40V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-223-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-223-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-223-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-223-4; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:170; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:330MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:170; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:330MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:210MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:160; Boîtier de transistor RF:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:170; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:170; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 45V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 50V, TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 50V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 50V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 50V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 50V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 50V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 50V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-126-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-126-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-220-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:5; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-220AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-220AB-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:65W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-226AA-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:700mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-252-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:5; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 60V, TO-252-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:5; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 65V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 65V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 65V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 65V, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 65V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 65V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 65V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 65V, TO-92-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-126-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-126-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-126-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-126-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:63; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-220-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.67W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-220-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.67W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, DUAL, 40V, SC-70; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, DUAL, 40V, SC-70; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN/PNP, 30V, SC-70-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN/PNP, 30V, SC-70-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN/PNP, 30V, SOT23-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:500A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN/PNP, 30V, SOT23-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Dissipation de puissance Pd:700mW; Courant de collecteur DC:500A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SuperSOT; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN/PNP, 40V, SC-70-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, NPN/PNP, 40V, SC-70-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-220-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-220AB; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-252-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-252-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-252-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-252-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-252-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1.56W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:10; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -100V, TO-252-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:-6A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -120V, TO-92L-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-120V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:900mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-92L; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -12V, SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-12V; Fréquence de transition ft:500MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -12V, SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-12V; Fréquence de transition ft:500MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -150V, TO-220-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:25W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -15V, SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-15V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Hfe,
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -15V, SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-15V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Hfe,
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -160V, TO-225AA; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-160V; Fréquence de transition ft:175MHz; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:-1.2A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -20V, SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -20V, SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -250V, TO-264-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-250V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:-17A; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:TO-264; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -25V, SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-25V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -25V, SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-25V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -25V, SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-25V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:170; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -25V, SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-25V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -25V, SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-25V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:170; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -25V, SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-25V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -300V, TO-126-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:20W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -300V, TO-225AA; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:7W; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -30V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -30V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -30V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:420; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -30V, TO-92L-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-92L; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -350V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-350V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -400V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-300mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V, SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V, SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V, SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V, SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Temps trr max.:60ns
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45, SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:170; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:170; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, TO-126-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:170; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:170; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -45V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:260MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -50V, TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:180MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -50V, TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -50V, TO-226AA-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:80MHz; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:-150mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-226AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V, SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1.2A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V, SOT-223-4; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1.2A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V, TO-126-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:12.5W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V, TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-800mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -65V, SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -65V, SOT-23-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -65V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -65V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -65V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -80V, TO-126-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -80V, TO-252-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -80V, TO-252-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -80V, TO-92-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 1.2KV, T; TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 1.2KV, TO-247AD; DC Collector Current:130A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:469W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 1.2KV, T; TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 1.2KV, TO-247AD; DC Collector Current:50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.9V; Power Dissipation Pd:180W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 1.2KV, T; TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 1.2KV, TO-247AD; DC Collector Current:55A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.9V; Power Dissipation Pd:210W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 1.2KV, T; TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 1.2KV, TO-247AD; DC Collector Current:85A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:313W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 1.4KV, T; TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 1.4KV, TO-247AC; DC Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V; Power Dissipation Pd:167W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.4kV; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 650V, TO; TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 650V, TO-247AD; DC Collector Current:140A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:455W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 650V, TO; TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 650V, TO-247AD; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:250W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 650V, TO; TRANSISTOR, BIPOLAR, N CHANNEL, 650V, TO-247AD; DC Collector Current:90A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V; Power Dissipation Pd:325W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 100V, 20mA, SM; TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 100V, 20mA, SMINI3-F2-B, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:140MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:20mA; No. of Pins:3
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 200V, 15A; Tra; TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 200V, 15A; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:200V; Transition Frequency ft:20MHz; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 20V, 1A, SC-89; TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 20V, 1A, SC-89-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:20V; Transition Frequency ft:350MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 25V, 2A, TO-92; TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 25V, 2A, TO-92-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:25V; Transition Frequency ft:240MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 30V, 500mA, TO; TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 30V, 500mA, TO-92-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 45V, 100mA, SO; TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 45V, 100mA, SOT-323-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SM; TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SMINI3-F2-B, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:35
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SO; TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:80
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SO; TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:80
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SO; TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SOT-23, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:210
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SO; TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SOT-723, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:100mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:35
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SO; TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SOT-723, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:100mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:6
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SO; TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SOT-723, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:100mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:160
TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SO; TRANSISTOR, BIPOLAR, NPN, 50V, 100mA, SOT-723, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:100mW; DC Collector Current:100mA; No. of Pins:3
TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -100V, 8A, TO-; TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -100V, 8A, TO-220FP-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Transition Frequency ft:20MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:1500; MSL:-
TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -110V, -100mA,; TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -110V, -100mA, TO-236AB; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Transition Frequency ft:85MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:30
TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -400V, 2A, TO-; TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -400V, 2A, TO-251-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-400V; Transition Frequency ft:40MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3
TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, 40V, 200mA, SO; TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, 40V, 200mA, SOT-923-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:227mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:30
TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -40V, -200mA,; Polarité transistor:PNP; Tension, Vceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:625mW; Type de boîtier de transistor:TO-92; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Courant, Ic max.. permanent a:-50mA; Dissipation de puissance:625mW; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Tension, Vce sat max..:-250mV; Transistor Type:Applications générales; Type de boîtier:TO-92; Type de terminaison:Traversant
TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -45V, -10A, TO; TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -45V, -10A, TO-3-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:300kHz; Power Dissipation Pd:90W; DC Collector Current:-10A; DC Current Gain hFE:50; MSL:-
TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -50V, -100mA,; TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, -50V, -100mA, SOT-723, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:100mW; DC Collector Current:-100mA; No. of Pins:3
TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, 80V, 4A, TO-126-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:4A; DC Current Gain hFE:7; No. of Pins:3
TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, 80V, 800mA, TO; TRANSISTOR, BIPOLAR, PNP, 80V, 800mA, TO-92-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3
TRANSISTOR, BJT, NPN, 100V, 16A, TO-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:16A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:2; MSL:-
TRANSISTOR, BJT, NPN, 100V, 5A, TO-220-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:65W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR, BJT, PNP, -250V, -30A,TO-247; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-250V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:-30A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:16A; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:20; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR, BJT, PNP, -50V, -100mA, SMIN; TRANSISTOR, BJT, PNP, -50V, -100mA, SMINI3-F2-B, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:60
TRANSISTOR, BJT, PNP, -60V, -0.6A,SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:50; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR, BJT, PNP, -60V, -0.6A,SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:50; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR, DUAL AUDIO, SMD, SOIC8; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:36V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:165; Type de boîtier de transistor:SOIC; Nombre de broches:8; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bande passante:190MHz; Configuration module:Double; Courant, alimentation:20mA; Racine de la référence:2220; Température de fonctionnement:-40°C à +85°C;
TRANSISTOR, DUAL NPN, 50V, 2.7A, SOIC; T; TRANSISTOR, DUAL NPN, 50V, 2.7A, SOIC; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:2.7A; DC Current Gain hFE:120; No. of Pins:8; Operating Temperature Max:150 C
TRANSISTOR, FULL REEL; Breakdown Voltage; TRANSISTOR, FULL REEL; Breakdown Voltage Vbr:-30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:5mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:30mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-3V; Transistor Type:JFET; No. of Pins:3
Transistor, FULL REEL; Breakdown Voltage; Transistor, FULL REEL; Breakdown Voltage Vbr:-40V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:200 A; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:1mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-1.5V; Transistor Type:JFET; No. of Pins:3
TRANSISTOR, FULL REEL; Breakdown Voltage; TRANSISTOR, FULL REEL; Breakdown Voltage Vbr:-40V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:30 A; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:90 A; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-1.8V; Transistor Type:JFET; No. of Pins:3
TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polari; TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):23.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:810mV; Power Dissipation Pd:2.4W
TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polari; TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:300V; Transition Frequency ft:50MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:3; Power (Ptot):350mW
TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polari; TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:220MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:1.2A; DC Current Gain hFE:20000; No. of Pins:3
TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polari; TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3
TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polari; TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:4; Power (Ptot):1W
TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polari; TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3; Power (Ptot):350mW
TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polari; TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:800mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3
TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polari; TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polari; TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):80mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:20V; Power Dissipation Pd:500mW
TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polari; TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:500MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:120; No. of Pins:3
TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polari; TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:4; Power (Ptot):1W
TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Type:J; TRANSISTOR, FULL REEL; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:24mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:60mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-6.5V; No. of Pins:3
TRANSISTOR, JFET, 30V, 60mA, TO-92-3, FU; TRANSISTOR, JFET, 30V, 60mA, TO-92-3, FULL REEL; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-7mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-60mA; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited
TRANSISTOR, JFET, 30V, -60mA, TO-92-3; B; TRANSISTOR, JFET, 30V, -60mA, TO-92-3; Breakdown Voltage Vbr:30V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-7mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:-60mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:6V; Transistor Type:JFET
TRANSISTOR, MOSFET, N CHANNEL, 30V, 9.5A; TRANSISTOR, MOSFET, N CHANNEL, 30V, 9.5A, SO-8, FULL REEL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; No. of Pins:8
TRANSISTOR, MOSFET, N-CH, 80V, TO-220-3;; TRANSISTOR, MOSFET, N-CH, 80V, TO-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.002ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V
TRANSISTOR, MOSFET, THROUGH HOLE; Polarité transistor:Canal N; Courant de drain Id:12A; Tension Vds max..:1kV; Résistance Rds(on):1.05ohm; Tension, mesure Rds:10V; Tension de seuil Vgs:3V; Dissipation de puissance Pd:300W; Type de boîtier de transistor:TO-247AD; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Id max..:12A; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension, Vgs max..:20V
TRANSISTOR, NPN & PNP, 50V, -100mA, MINI; TRANSISTOR, NPN & PNP, 50V, -100mA, MINI6-G4-B, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:210; No. of Pins:6; MSL:-
TRANSISTOR, NPN & PNP, 50V, -100mA, SMIN; TRANSISTOR, NPN & PNP, 50V, -100mA, SMINI5-F3-B, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:35; No. of Pins:5; MSL:-
TRANSISTOR, NPN, 100V, 15A, TO-247; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:70V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:90W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:70; Type de boîtier de transistor:TO-247; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:15A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Hfe, min.:20; Marquage
TRANSISTOR, NPN, 100V, 2A, SOT-669-5; Tr; TRANSISTOR, NPN, 100V, 2A, SOT-669-5; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:140MHz; Power Dissipation Pd:25W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:10; No. of Pins:5
TRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, SOT-669-5; Tr; TRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, SOT-669-5; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:140MHz; Power Dissipation Pd:25W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:10; No. of Pins:5
TRANSISTOR, NPN, 100V, 4A, TO-225,; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:15W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-225; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Circuit complémentaire:MJE253; Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain
TRANSISTOR, NPN, 10V, 4A, 2W, SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:10V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR, NPN, 120V; Transistor Polari; TRANSISTOR, NPN, 120V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:120V; Transition Frequency ft:6MHz; Power Dissipation Pd:180W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:2; MSL:-; Packaging:Each
TRANSISTOR, NPN, 150V, 1A, SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 150V, 1A, SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 150V, 1A, SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 150V, 1A, SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.6A, SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 160V, 0.6A, SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 175V; Transistor Polari; TRANSISTOR, NPN, 175V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:175V; Transition Frequency ft:20MHz; Power Dissipation Pd:35W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:2; MSL:-; Packaging:Each
TRANSISTOR, NPN, 1A, 40V, TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Boîtier de transistor RF:TO-92; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR, NPN, 200V, 15A, TO-3P-3; Tra; TRANSISTOR, NPN, 200V, 15A, TO-3P-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:200V; Transition Frequency ft:70MHz; Power Dissipation Pd:130W; DC Collector Current:15A; DC Current Gain hFE:5000; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR, NPN, 25V, 1.5A; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:160; Tension saturation Collecteur-Emetteur
TRANSISTOR, NPN, 300V, 0.5A, SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 300V, 0.5A, SOT223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:10dB; Courant, Ic (hfe):450mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence, test:1kHz; Gain Bande-passante
TRANSISTOR, NPN, 30V, 0.1A, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:10dB; Courant, Ic (hfe):450mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence, test:1kHz; Gain Bande-passante
TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.225A, SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:225mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.225A, SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:225mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.5A, SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.5A, SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 400V, 8A, D2PAK; Transi; TRANSISTOR, NPN, 400V, 8A, D2PAK; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Power Dissipation Pd:1.72W; DC Collector Current:8A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:2; Package / Case:3-D2-PAK
TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-220; Transisto; TRANSISTOR, NPN, 400V, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:10MHz; Power Dissipation Pd:40W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:150; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR, NPN, 400V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:175W; DC Collector Current:20A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:2; MSL:-; Packaging:Each
TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.6A, SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.6A, SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 40V, 200MA, SOT883B; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR, NPN, 40V, 200MA, TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:30; Température de
TRANSISTOR, NPN, 40V, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR, NPN, 40V, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:30;
TRANSISTOR, NPN, 40V, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant de pic Icm:1.1A; Courant, Ic (hfe):300mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe,
TRANSISTOR, NPN, 40V, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant de pic Icm:1.1A; Courant, Ic (hfe):300mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe,
TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92, FULL REEL;; TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3; Packaging:Each
TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor; TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor; TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:0.2A; DC Current Gain hFE:300; No. of Pins:3
TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor; TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:35; No. of Pins:3
TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor; TRANSISTOR, NPN, 40V, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3
TRANSISTOR, NPN, 40V; Transistor Polarit; TRANSISTOR, NPN, 40V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.5A, SOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 45V, 0.5A, SOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:400; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 45V, 100MA, SOT457; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR, NPN, 45V, SOT-23; Transistor; TRANSISTOR, NPN, 45V, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:310mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:110; No. of Pins:3
TRANSISTOR, NPN, 45V, SOT-23; Transistor; TRANSISTOR, NPN, 45V, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:310mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:110; No. of Pins:3
TRANSISTOR, NPN, 4A, 80V, TO-126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Hfe, min.:750; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.8V; Type de terminaison:Traversant; Type de
TRANSISTOR, NPN, 50V, 100mA, MINI5-G3-B,; TRANSISTOR, NPN, 50V, 100mA, MINI5-G3-B, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:210; No. of Pins:5; MSL:-
TRANSISTOR, NPN, 50V, 100mA, MINI5-G3-B,; TRANSISTOR, NPN, 50V, 100mA, MINI5-G3-B, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:35; No. of Pins:5; MSL:-
TRANSISTOR, NPN, 50V, 100mA, MINI6-G4-B,; TRANSISTOR, NPN, 50V, 100mA, MINI6-G4-B, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:210; No. of Pins:6; MSL:-
TRANSISTOR, NPN, 50V, 100mA, SMINI5-F3-B; TRANSISTOR, NPN, 50V, 100mA, SMINI5-F3-B, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:35; No. of Pins:5; MSL:-
TRANSISTOR, NPN, 50V, 100mA, SMINI5-F3-B; TRANSISTOR, NPN, 50V, 100mA, SMINI5-F3-B, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:80; No. of Pins:5; MSL:-
TRANSISTOR, NPN, 50V, 100mA, SMINI6-F3-B; TRANSISTOR, NPN, 50V, 100mA, SMINI6-F3-B, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:80; No. of Pins:6; MSL:-
TRANSISTOR, NPN, 50V, 500mA, MINI6-G4-B,; TRANSISTOR, NPN, 50V, 500mA, MINI6-G4-B, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:6; MSL:-
TRANSISTOR, NPN, 50V, 500mA, SOIC-16; Tr; TRANSISTOR, NPN, 50V, 500mA, SOIC-16; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:-; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:1000; No. of Pins:16; Operating Temperature Max:70°C
TRANSISTOR, NPN, 50V; Transistor Polarit; TRANSISTOR, NPN, 50V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:30MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:250; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR, NPN, 55V, 400mA, TO-39; Tran; TRANSISTOR, NPN, 55V, 400mA, TO-39; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:55V; Transition Frequency ft:800MHz; Power Dissipation Pd:5W; DC Collector Current:400mA; DC Current Gain hFE:25; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR, NPN, 60V, 1A, SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 60V, 1A, SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 60V, 3A, SOT-669-5; Tra; TRANSISTOR, NPN, 60V, 3A, SOT-669-5; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Transition Frequency ft:140MHz; Power Dissipation Pd:25W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:50; No. of Pins:5
TRANSISTOR, NPN, 65V, 100MA, SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR, NPN, 65V, 100MA, SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 65V, 100MA, SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 65V, 100MA, SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR, NPN, 65V, 100MA, SOT457; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-457; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR, NPN, 65V, SOT-23; Transistor; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Tension saturation
TRANSISTOR, NPN, 65V, SOT-23; Transistor; TRANSISTOR, NPN, 65V, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Transition Frequency Typ ft:300MHz; Power Dissipation Pd:310mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:110; No. of Pins:3
TRANSISTOR, NPN, 75V, 5A, TO-220; Transi; TRANSISTOR, NPN, 75V, 5A, TO-220; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:75V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:1.2W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:25; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR, NPN, 80V, 1.5A, SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:160MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 80V, 1.5A, SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:160MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, NPN, 80V; Transistor Polarit; TRANSISTOR, NPN, 80V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:4MHz; Power Dissipation Pd:150W; DC Collector Current:10A; DC Current Gain hFE:40; No. of Pins:2; MSL:-; Packaging:Each
TRANSISTOR, NPN, DARLIN, TO92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:5000; Nombre de transistors:2;
TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:25MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:12000; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Circuit complémentaire:MJD117G; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant de pic Icm:4A; Courant, Ic (hfe):2A; Courant,
TRANSISTOR, NPN, D-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Circuit complémentaire:MJD253G; Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant de pic Icm:8A; Courant, Ic (hfe):1A; Courant, Ic
TRANSISTOR, NPN, DUAL MATCHED, 6TO-78; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:-; Courant de collecteur DC:20mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-78; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:85°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:200MHz; Température de fonctionnement:-40°C à +85°C; Température d'utilisation min:-40°C
TRANSISTOR, NPN, DUAL, 40V, SOT-963; Tra; TRANSISTOR, NPN, DUAL, 40V, SOT-963; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:420mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:6; Operating Temperature Max:150 C
TRANSISTOR, NPN, DUAL, 45V, 200mA, SC-70; TRANSISTOR, NPN, DUAL, 45V, 200mA, SC-70-6; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:110; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited
TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Circuit complémentaire:PZT2907AT1; Configuration du Brochage:B(1), C(2+4), E(3); Courant de collecteur continu Ic max.:600mA;
TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Circuit complémentaire:PZT2907AT1; Configuration du Brochage:B(1), C(2+4), E(3); Courant de collecteur continu Ic max.:600mA;
TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Circuit complémentaire:BCP53T1; Configuration du Brochage:B(1), C(2+4), E(3); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant,
TRANSISTOR, NPN, SOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Circuit complémentaire:BCP53T1; Configuration du Brochage:B(1), C(2+4), E(3); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant,
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Hfe, min.:40; Largeur,
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:15V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Hfe, min.:40; Largeur,
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:200mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:175MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:2.5A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:900; Courant DC Gain Hfe min.:300; Courant de collecteur continu Ic max.:2.5A; Courant, Ic
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:175MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:2.5A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:900; Courant DC Gain Hfe min.:300; Courant de collecteur continu Ic max.:2.5A; Courant, Ic
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:20mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:10dB; Courant, Ic (hfe):800mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence, test:1kHz; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:10dB; Courant, Ic (hfe):800mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence, test:1kHz; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:10dB; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence, test:1kHz; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:10dB; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence, test:1kHz; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:10dB; Courant, Ic (hfe):800mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence, test:1kHz; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:10dB; Courant, Ic (hfe):800mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence, test:1kHz; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:10dB; Courant, Ic (hfe):220mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence, test:1kHz; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:10dB; Courant, Ic (hfe):220mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence, test:1kHz; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR, NPN, SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Circuit complémentaire:MMBT3906WT1G; Configuration du Brochage:B(1), C(3), E(2); Courant de collecteur continu Ic
TRANSISTOR, NPN, SOT-323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Circuit complémentaire:MMBT3906WT1G; Configuration du Brochage:B(1), C(3), E(2); Courant de collecteur continu Ic
TRANSISTOR, NPN, TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:83W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:20; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR, NPN, TO-225; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:2; Type de boîtier de transistor:TO-225AA; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Circuit complémentaire:2N5194 / 2N5195; Courant de collecteur continu Ic max.:4A; Courant, Ic (hfe):4A; Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain
TRANSISTOR, NPN, TO-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:2; Type de boîtier de transistor:TO-204AA; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):60mA; Courant, Ic max.. permanent a:30A; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:5; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR, NPN, TO-92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:380; Tension saturation Collecteur-Emetteur
TRANSISTOR, NPN,5A,60V, TO-220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, min.:20; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR, NPN/NPN, 40V, 200MA, SOT666; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:240mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR, NPN/PNP, 40V, 200MA, SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR, NPN/PNP, 40V, 200MA, SOT666; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:360mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR, NPN/PNP, SOT-363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température d'utilisation min:-55°C; Tension saturation
TRANSISTOR, NPN/PNP, SOT-363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température d'utilisation min:-55°C; Tension saturation
TRANSISTOR, NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:650MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:4mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain Bande-passante ft, typ.:650MHz; Hfe, min.:60; Puissance, Ptot:300mW; Température de
TRANSISTOR, NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:650MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:4mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:4A; Gain Bande-passante ft, typ.:650MHz; Hfe, min.:60; Puissance, Ptot:300mW; Température de
TRANSISTOR, NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:8; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:8A; Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Hfe, min.:8; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1V; Type de
TRANSISTOR, NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):200mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:20; Température d'utilisation min:-55°C; Tension saturation
TRANSISTOR, NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:100; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):500mV; Type de terminaison:Traversant; Type de
TRANSISTOR, NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.3W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Hfe, min.:160; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):300mV; Type de terminaison:Traversant; Type de
TRANSISTOR, NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10A; Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:20; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.1V; Type de
TRANSISTOR, NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:100; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):500mV; Type de terminaison:Traversant; Type de
TRANSISTOR, NPN; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:750; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:2A; Hfe, min.:750; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.8V; Type de terminaison:Traversant; Type de
TRANSISTOR, PNP 0.2A 40V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Boîtier de transistor RF:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR, PNP 0.2A 40V SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:300; Boîtier de transistor RF:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR, PNP, 0.5A 60V SC70-6; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SC-70; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Fréquence de transition ft:250MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:50; Température de
TRANSISTOR, PNP, 100, 8A, TO220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR, PNP, 100V, 1A, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, PNP, 100V, 1A, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, PNP, -100V, -2A, SOT-669-5;; TRANSISTOR, PNP, -100V, -2A, SOT-669-5; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Transition Frequency ft:125MHz; Power Dissipation Pd:25W; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:20; No. of Pins:5
TRANSISTOR, PNP, -100V, -3A, SOT-669-5;; TRANSISTOR, PNP, -100V, -3A, SOT-669-5; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-100V; Transition Frequency ft:125MHz; Power Dissipation Pd:25W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:10; No. of Pins:5
TRANSISTOR, PNP, 150V, 0.6A, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande
TRANSISTOR, PNP, 150V, 0.6A, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande
TRANSISTOR, PNP, 180V, 2A, TO-220AB-3; T; TRANSISTOR, PNP, 180V, 2A, TO-220AB-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:180V; Transition Frequency ft:60MHz; Power Dissipation Pd:20W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR, PNP, 1A, TO-1; Transistor Po; TRANSISTOR, PNP, 1A, TO-1; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:650mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:63; No. of Pins:3; MSL:-; Packaging:Each
TRANSISTOR, PNP, 200V, 0.3A, SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-200V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-300mA; Gain en courant DC hFE:85; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, PNP, 300V, 0.5A, SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, PNP, 300V, 0.5A, SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, PNP, 300V, 0.5A, SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, PNP, 300V, 0.5A, SOT223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, PNP, 400V, 0.2A, SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, PNP, 400V, 0.2A, SOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, PNP, 40V, 0.6A, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, PNP, 40V, 0.6A, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, PNP, 40V, 200MA, SOT883B; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:SOT-883B; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR, PNP, -40V, -600MA, SOT-23-3,; TRANSISTOR, PNP, -40V, -600MA, SOT-23-3, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:300
TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-92; Transistor; TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-92; Transistor; TRANSISTOR, PNP, -40V, TO-92; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:30; No. of Pins:3
TRANSISTOR, PNP, -40V; Transistor Polari; TRANSISTOR, PNP, -40V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:-40V; Power Dissipation, Pd:625mW; DC Collector Current:-600mA; DC Current Gain Max (hfe):50; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
TRANSISTOR, PNP, -45V, SOT-23; Transisto; TRANSISTOR, PNP, -45V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:310mW; DC Collector Current:-800mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
TRANSISTOR, PNP, -45V, SOT-23; Transisto; TRANSISTOR, PNP, -45V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:310mW; DC Collector Current:-800mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3
TRANSISTOR, PNP, -45V; Transistor Polari; TRANSISTOR, PNP, -45V; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited
TRANSISTOR, PNP, -4A, -100V, TO225AA; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-225; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):180mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, min.:15; Température de
TRANSISTOR, PNP, -50V, -100mA, MINI6-G4-; TRANSISTOR, PNP, -50V, -100mA, MINI6-G4-B, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:210; No. of Pins:6; MSL:-
TRANSISTOR, PNP, -50V, -100mA, SMINI5-F3; TRANSISTOR, PNP, -50V, -100mA, SMINI5-F3-B, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:35; No. of Pins:5
TRANSISTOR, PNP, -50V, -100mA, SMINI6-F3; TRANSISTOR, PNP, -50V, -100mA, SMINI6-F3-B, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:35; No. of Pins:6; MSL:-
TRANSISTOR, PNP, -50V, -100mA, SSMINI6-F; TRANSISTOR, PNP, -50V, -100mA, SSMINI6-F3-B, FULL REEL; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-50V; Power Dissipation Pd:125mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:80; No. of Pins:6; MSL:-
TRANSISTOR, PNP, -60V, -3A, SOT-669-5; T; TRANSISTOR, PNP, -60V, -3A, SOT-669-5; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:110MHz; Power Dissipation Pd:25W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:35; No. of Pins:5
TRANSISTOR, PNP, -65V, SOT-23; Transisto; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:200; Tension
TRANSISTOR, PNP, 70V, 1.5A, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-70V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, PNP, 70V, 1.5A, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-70V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, PNP, 80V, 0.5A, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, PNP, 80V, 0.5A, SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTOR, PNP, 80V, 50A, TO-204AA-2; T; TRANSISTOR, PNP, 80V, 50A, TO-204AA-2; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:2MHz; Power Dissipation Pd:300W; DC Collector Current:50A; DC Current Gain hFE:5; No. of Pins:2; MSL:-
TRANSISTOR, PNP, D-PAK; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:25V; Fréquence de transition ft:65MHz; Dissipation de puissance Pd:1.4W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:3; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Circuit complémentaire:MJD200G; Courant de collecteur continu Ic max.:5A; Courant de pic Icm:10A; Courant, Ic (hfe):5A; Courant, Ic
TRANSISTOR, PNP, DUAL, -45V, SOT-363-6; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, PNP, DUAL, -45V, SOT-363-6; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR, PNP, SMD, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:20mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR, PNP, SMD, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:20mA; Courant, Ic (hfe):30mA; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft,
TRANSISTOR, PNP, SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:375; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Circuit complémentaire:BCP68; Configuration du Brochage:B(1), C(2+4), E(3); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant,
TRANSISTOR, PNP, SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-20V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:375; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Circuit complémentaire:BCP68; Configuration du Brochage:B(1), C(2+4), E(3); Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant,
TRANSISTOR, PNP, SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Circuit complémentaire:PZT2222AT1; Configuration du Brochage:B(1), C(2+4), E(3); Courant de collecteur continu Ic
TRANSISTOR, PNP, SOT-223; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Circuit complémentaire:PZT2222AT1; Configuration du Brochage:B(1), C(2+4), E(3); Courant de collecteur continu Ic
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:25; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant de collecteur continu Ic max.:100mA; Courant, Ic (hfe):10mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:60; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:60; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):250mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:125; Température
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):250mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:125; Température
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Puissance,
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:30; Puissance,
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):475mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Puissance,
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):475mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Puissance,
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, min.:250; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, min.:250; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):250mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:125; Puissance,
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):250mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:125; Puissance,
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):475mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Puissance,
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):475mA; Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Puissance,
TRANSISTOR, PNP, SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température
TRANSISTOR, PNP, SOT-323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):300mA; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température
TRANSISTOR, PNP, TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:8A; Hfe, min.:15; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation
TRANSISTOR, PNP, TO-220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:83W; Courant de collecteur DC:-15A; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:15A; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:20; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR, PNP, TO-92; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic (hfe):800mA; Courant, Ic max.. permanent a:10mA; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, min.:250; Température de
TRANSISTOR, PNP/PNP, 40V, 200MA, SOT666; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:240mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-666; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR, PNP/PNP, 65V, 100MA, SOT363; Polarité transistor:Double PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR, PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:-300mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-50mA; Hfe, min.:50; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):-500mV; Type de terminaison:Traversant;
TRANSISTOR, PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:-1.5A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Hfe, min.:100; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):-500mV; Type de terminaison:Traversant; Type de
TRANSISTOR, PNP; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.75W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-8A; Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Hfe, min.:60; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):-1V;
TRANSISTOR, PRE-BIASED, PNP, 50V, 22/47K; TRANSISTOR, PRE-BIASED, PNP, 50V, 22/47KOHM, SOT-23; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:22kohm; Base-Emitter Resistor R2:47kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:0.47
TRANSISTOR, RF, NPN, 10V, 470MHZ, SOT-22; TRANSISTOR, RF, NPN, 10V, 470MHZ, SOT-223-4; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:10V; Transition Frequency ft:470MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:25; No. of Pins:4
TRANSISTOR, RF, NPN, 10V, 8GHZ, SOT-323-; TRANSISTOR, RF, NPN, 10V, 8GHZ, SOT-323-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:10V; Transition Frequency ft:8GHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:50mA; DC Current Gain hFE:60; No. of Pins:3
TRANSISTOR, RF, NPN, 12V, 140MHZ, SOT-89; TRANSISTOR, RF, NPN, 12V, 140MHZ, SOT-89-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Transition Frequency ft:140MHz; Power Dissipation Pd:600mW; DC Collector Current:5.3A; DC Current Gain hFE:300
TRANSISTOR, RF, NPN, 12V, 8GHZ, SOT-23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:8GHz; Dissipation de puissance Pd:580mW; Courant de collecteur DC:80mA; Gain en courant DC hFE:70; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSISTOR, RF, NPN, 12V,35MA,SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:6GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1.9dB; Fréquence, test:1GHz; Gain Bande-passante ft, typ.:6GHz; Hfe, min.:40; Marquage, CMS:BFR93A; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR, RF, NPN, 12V,35MA,SOT-23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:12V; Fréquence de transition ft:6GHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:35mA; Gain en courant DC hFE:90; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Bruit:1.9dB; Fréquence, test:1GHz; Gain Bande-passante ft, typ.:6GHz; Hfe, min.:40; Marquage, CMS:BFR93A; Nombre de transistors:1;
TRANSISTOR, RF, PNP, -50V, SOT-23-3; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Courant de collecteur continu Ic:-100mA; Résistance base R1:10kohm; Résistance base-émetteur R2:47kohm; Rapport de résistance R1/R2:4.7; Boîtier de transistor RF:SOT-23; Nombre de broches:3; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); MSL:-; Type de packaging:Bande et Bobine
TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,30V V(BR)C; TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,30V V(BR)CEO,500MA I(C),TO-226AA
TRANSISTOR,DARL, NPN,100V,20A,TO3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:1000; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température
TRANSISTOR,DARL, NPN,400V,7ATO3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:30; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR,DARL, NPN,80V,20A,TO3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:1000; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température
TRANSISTOR,DARL, PNP,100V,20A,TO3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:-20A; Gain en courant DC hFE:800; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:800; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température
TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,600V V(BR)CES,48A; TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,600V V(BR)CES,48A I(C),TO-247AD
TRANSISTOR,JFET, N CH,30V,TO18; Tension, claquage Vbr:-30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:20mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:100mA; Tension, Vgs off max..:-6V; Type de boîtier de transistor:TO-18; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:300mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:20mA à 100mA
TRANSISTOR,JFET, N CH,30V,TO18; Tension, claquage Vbr:-30V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:50mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:50mA; Tension, Vgs off max..:-10V; Type de boîtier de transistor:TO-18; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:300mW
TRANSISTOR,JFET, N CH,40V,TO18; Tension, claquage Vbr:-40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:-; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:50mA; Tension, Vgs off max..:-10V; Type de boîtier de transistor:TO-18; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:300mW
TRANSISTOR,JFET, N CH,40V,TO18; Tension, claquage Vbr:-40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:20mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:100mA; Tension, Vgs off max..:-6V; Type de boîtier de transistor:TO-18; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:300mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:20mA à 100mA
TRANSISTOR,JFET, N CH,40V,TO18; Tension, claquage Vbr:-40V; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min:8mA; Tension Zéro Gate Courant drain Idss Max:80mA; Tension, Vgs off max..:-4V; Type de boîtier de transistor:TO-18; Type de transistor:JFET; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Dissipation de puissance Pd:300mW; Gamme de courant porte logique zéro volt Idss:8mA à 80mA
TRANSISTOR,JFET,N-Channel,15mA,TO-236AB;; TRANSISTOR,JFET,N-Channel,15mA,TO-236AB; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:40mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-6V
TRANSISTOR,JFET,N-Channel,200uA,TO-236;; TRANSISTOR,JFET,N-Channel,200uA,TO-236; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-40V; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-6V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150 C; MSL:MSL 1 - Unlimited; Packaging:Each
TRANSISTOR,JFET,N-Channel,2mA,TO-236AB;; TRANSISTOR,JFET,N-Channel,2mA,TO-236AB; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:20mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-4.5V
TRANSISTOR,JFET,N-Channel,3mA,TO-236; Tr; TRANSISTOR,JFET,N-Channel,3mA,TO-236; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:200 A; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:3mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-2V
TRANSISTOR,JFET,N-Channel,80uA,TO-236; T; TRANSISTOR,JFET,N-Channel,80uA,TO-236; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-40V; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-3V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:150 C; MSL:MSL 1 - Unlimited; On Resistance Rds(on):7kohm
TRANSISTOR,JFET,N-Channel,8mA,TO-236AB;; TRANSISTOR,JFET,N-Channel,8mA,TO-236AB; Transistor Type:JFET; Breakdown Voltage Vbr:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:20mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-6V
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS; TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,20A I(D),TO-252AA
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS; TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,3A I(D),SOT-223
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS; TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,1A I(D),SOT-23
TRANSISTOR,NPN,0.3A,150V,TO39; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,NPN,0.6A,160V,TO92; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR,NPN,0.7A,60V,TO39; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:700mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,NPN,1.5A,40V,TO237; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:400MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1.5A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-237; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:400MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR,NPN,10A,80V,TO220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:15MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:15MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR,NPN,140V,16A,TO3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:140V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:16A; Gain en courant DC hFE:5; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain en courant DC (hfe) max..:15; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,NPN,150V,0.3A,TO39; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:5W; Courant de collecteur DC:300mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:40; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température
TRANSISTOR,NPN,15A,40V,TO220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:5MHz; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:5MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,NPN,1A,100V,TO39; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,NPN,1A,350V,TO39; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:15MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant Ic à Vce sat:50mA; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):2mA; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Courant, Ic
TRANSISTOR,NPN,1A,80V,TO18; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:400MHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:400MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,NPN,20A,80V,TO3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:20A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,NPN,25A,150V,TO3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:25A; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:40MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,NPN,3.5A,400V,TO3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:325V; Fréquence de transition ft:2.8MHz; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:3.5A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:2.8MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,NPN,300V,5A,TO3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:100W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:20; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR,NPN,30A,40V,TO3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:200W; Courant de collecteur DC:30A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,NPN,3A,60V,TO39; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR,NPN,45V,0.5A,SOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR,NPN,45V,0.5A,SOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation
TRANSISTOR,NPN,4A,80V,TO126; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:36W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,NPN,4A,80V,TO220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:2.5MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:2.5MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,NPN,5A,350V,TO220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:5MHz; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:75; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:5MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,NPN,7A,70V,TO220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:70V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:7A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,NPN,8A,100V,TO220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,NPN,8A,80V,TO220; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:80W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSISTOR,NPNNPN,60V,0.05A,TO78; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:30mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-206AF; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Gain en courant DC (hfe) max..:300; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,NPNNPN,60V,0.05A,TO78; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:30mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-206AF; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Gain en courant DC (hfe) max..:300; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,PNP,0.2A,60V,TO18; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:360mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR,PNP,0.6A,150V,TO92; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:150V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:0.625W; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:70°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:0°C à +70°C; Température d'utilisation min:0°C
TRANSISTOR,PNP,10A,45V,TO220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:12MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:12MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR,PNP,1A,100V,TO39; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,PNP,1A,40V,TO39; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,PNP,1A,60V,TO39; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,PNP,1A,60V,TO39; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,PNP,1A,80V,TO126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,PNP,20A,45V,TO220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:12MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C
TRANSISTOR,PNP,2A,100V,TO220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-100V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:30W; Courant de collecteur DC:-2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,PNP,2A,60V,TO220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:-4A; Gain en courant DC hFE:1000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:120°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +120°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,PNP,3A,40V,TO39; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,PNP,3A,80V,TO126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-3A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,PNP,3A,80V,TO39; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:3MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,PNP,4A,120V,TO220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-120V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-220AB; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:4MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,PNP,4A,45V,TO220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:2.5MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:2.5MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,PNP,4A,80V,TO126; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:40W; Courant de collecteur DC:4A; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-126; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,PNP,8A,120V,TO220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-120V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:50W; Courant de collecteur DC:-8A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:30MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,PNP,8A,80V,TO220; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:75W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:20000; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C
TRANSISTOR,PNPPNP,60V,0.05A,TO78; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Dissipation de puissance Pd:600mW; Courant de collecteur DC:-50mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-78; Nombre de broches:7; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Fréquence de transition ft:100Hz; Gain Bande-passante ft, typ.:500MHz; Gain en courant DC (hfe) max..:150; Température de
TRANSISTOR. DARLINGTON. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:10000; Température de
TRANSISTOR. DARLINGTON. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:125MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:10000; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:125MHz; Hfe, min.:10000; Température de
TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:600; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:420; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:30V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:600; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:420; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:600; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:420; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:600; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:420; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT23; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR. NPN. SOT323; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR. NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR. NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR. NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR. NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR. NPN. SOT523; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. NPN. SOT523; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. NPN. SOT523; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. NPN. SOT523; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:110; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. NPN. SOT523; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:110; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:110; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. NPN. SOT523; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. NPN. SOT523; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:520; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. NPN/NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR. NPN/NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR. NPN/NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR. NPN/NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR. NPN/NPN. SOT363; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:200; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température
TRANSISTOR. NPN/NPN. SOT563; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR. NPN/PNP. SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR. NPN/PNP. SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:200mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:80; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR. NPN/PNP. SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR. NPN/PNP. SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR. NPN/PNP. SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR. NPN/PNP. SOT363; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR. NPN/PNP. SOT563; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:300MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR. NPN/PNP. SOT563; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-563; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:100mA; Fréquence de transition ft:300MHz; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:200; Température de
TRANSISTOR. PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:300; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):10mA;
TRANSISTOR. PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:100V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:300; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant de collecteur continu Ic max.:2A; Courant, Ic (hfe):10mA;
TRANSISTOR. PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:800; Courant DC Gain Hfe min.:300; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):100mA;
TRANSISTOR. PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:800; Courant DC Gain Hfe min.:300; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):100mA;
TRANSISTOR. PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:270MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:900; Courant DC Gain Hfe min.:300; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):10mA;
TRANSISTOR. PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:270MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:900; Courant DC Gain Hfe min.:300; Courant de collecteur continu Ic max.:3A; Courant, Ic (hfe):10mA;
TRANSISTOR. PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:300; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA;
TRANSISTOR. PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:300; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant de collecteur continu Ic max.:1A; Courant, Ic (hfe):500mA;
TRANSISTOR. PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:300; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant de collecteur continu Ic max.:3.5A; Courant, Ic (hfe):10mA;
TRANSISTOR. PNP SOT-23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:1.25W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant DC Gain Hfe max.:300; Courant DC Gain Hfe min.:100; Courant de collecteur continu Ic max.:3.5A; Courant, Ic (hfe):10mA;
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-55°C à
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:220; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:220; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:600; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:420; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-30V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:600; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:420; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:250MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:220; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:220; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:600; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:420; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:600; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:420; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:125; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:125; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:220; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR. PNP. SOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-65V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:330; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:220; Température de fonctionnement:-65°C
TRANSISTOR. PNP. SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:60; Température de
TRANSISTOR. PNP. SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-150V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:60; Température de
TRANSISTOR. PNP. SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. PNP. SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-55°C
TRANSISTOR. PNP. SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR. PNP. SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR. PNP. SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:220; Température de
TRANSISTOR. PNP. SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:220; Température de
TRANSISTOR. PNP. SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR. PNP. SOT323; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR. PNP. SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Température de
TRANSISTOR. PNP. SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:220; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:125°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Température de
TRANSISTOR. PNP. SOT523; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Température de
TRANSISTOR. PNP. SOT523; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:220; Température de
TRANSISTOR. PNP. SOT523; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:520; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Température de
TRANSISTOR. PNP. SOT523; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-100mA; Gain en courant DC hFE:520; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-100mA; Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Hfe, min.:420; Température de
TRANSISTOR. PNP. SOT523; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:150mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-523; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Température de
TRANSISTOR. PNP/PNP. SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR. PNP/PNP. SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-40V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-200mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-200mA; Gain Bande-passante ft, typ.:250MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR. PNP/PNP. SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR. PNP/PNP. SOT363; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-60V; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-600mA; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-363; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:-600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:100; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température
TRANSISTOR; Breakdown Voltage Vbr:-25V;; TRANSISTOR; Breakdown Voltage Vbr:-25V; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:24mA; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:60mA; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-6V; Transistor Type:JFET; No. of Pins:3; MSL:-
TRANSISTOR; DC Collector Current:121A; C; TRANSISTOR; DC Collector Current:121A; Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:940mV; No. of Pins:7; Operating Temperature Max:175°C; Operating Temperature Min:-40°C; Package / Case:SEMITRANS 2
TRANSISTOR; DC Collector Current:200A; C; TRANSISTOR; DC Collector Current:200A; Collector Emitter Voltage Vces:600V; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:900mV; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:175°C; No. of Pins:18; Package / Case:SEMITRANS 5
TRANSISTOR; DC Collector Current:598A; C; TRANSISTOR; DC Collector Current:598A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV; Power Dissipation Pd:-; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:940mV; No. of Pins:5; Operating Temperature Max:175 C; Packaging:Each
TRANSISTOR; DC Collector Current:618A; C; TRANSISTOR; DC Collector Current:618A; Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:800mV; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:175°C; No. of Pins:7; Package / Case:SEMITRANS 3
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:250W; Courant de collecteur DC:40A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant de collecteur continu Ic max.:40A; Courant, Ic (hfe):10A; Courant, Ic max.. permanent a:80A; Courant, Ic moy.:40A; Hfe, min.:50; Nombre de transistors:1; Puissance, Ptot:250W;
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:500V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:20A; Hfe, min.:30; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):3.5V; Type
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300W; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:18; Type de boîtier de transistor:TO-204; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50A; Hfe, min.:400; Température de fonctionnement:-55°C à +200°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension saturation
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:120V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:10W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Hfe, min.:5; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Type de
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Hfe, min.:25; Température, Tj max..:150°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):500mV; Type de
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:300V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Hfe, min.:25; Température, Tj max..:150°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):500mV; Type de
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:350V; Fréquence de transition ft:5MHz; Dissipation de puissance Pd:125W; Courant de collecteur DC:8A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:8A; Hfe, min.:3; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):5V; Type de
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:400V; Fréquence de transition ft:3MHz; Dissipation de puissance Pd:175W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:8; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:15A; Hfe, min.:8; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.5V; Type
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:400mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:20; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:800mA; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1V;
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:TO-92; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:d; Courant, Ic (hfe):150mA; Courant, Ic max.. permanent a:600mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe,
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:50V; Fréquence de transition ft:70MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:35; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.5V;
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:360mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-18; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:50mA; Hfe, min.:250; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:60MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Hfe, min.:10; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):500mV;
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:75; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:225mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:150; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Hfe, min.:75; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C;
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:300W; Courant de collecteur DC:50A; Gain en courant DC hFE:15; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:50A; Hfe, min.:5; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):5V; Type de
TRANSISTOR; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:400MHz; Dissipation de puissance Pd:800mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Hfe, min.:15; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):500mV;
TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-120V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:1W; Courant de collecteur DC:-1A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Hfe, min.:5; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2V; Type de terminaison:Traversant
TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-175V; Fréquence de transition ft:200MHz; Dissipation de puissance Pd:5W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:50; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Gain Bande-passante ft, typ.:200MHz; Hfe, min.:50; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation
TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-200V; Fréquence de transition ft:15MHz; Dissipation de puissance Pd:10W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:30; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:1A; Hfe, min.:30; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.5V; Type
TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-50V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:10W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:40; Type de boîtier de transistor:TO-39; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:2A; Hfe, min.:5; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1.2V; Type de
TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:2MHz; Dissipation de puissance Pd:300W; Courant de collecteur DC:-50A; Gain en courant DC hFE:2; Type de boîtier de transistor:TO-204; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:2MHz; Hfe, min.:60; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation
TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:40MHz; Dissipation de puissance Pd:60W; Courant de collecteur DC:-10A; Gain en courant DC hFE:60; Type de boîtier de transistor:TO-220; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:10A; Hfe, min.:40; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Tension saturation
TRANSISTOR; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:4MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:10A; Gain en courant DC hFE:180; Type de boîtier de transistor:TO-3; Nombre de broches:2; Température de fonctionnement max..:200°C; MSL:-; Courant, Ic max.. permanent a:10A; Hfe, min.:30; Température de fonctionnement:-65°C à +200°C; Température d'utilisation min:-65°C; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):1V; Type
TRANSISTOR; Transistor Polarity:N Channe; TRANSISTOR; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.7A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):16.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:830mV; Power Dissipation Pd:2.4W
TRANSISTOR; Transistor Polarity:P Channe; TRANSISTOR; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):66mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-900mV; Power Dissipation Pd:1.9W
TRANSISTOR; Transistor Polarity:P Channe; TRANSISTOR; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-7.8A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):27mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs:-700mV; Power Dissipation Pd:2.4W
TRANSISTOR; Transistor Polarity:P Channe; TRANSISTOR; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-720mA; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):430mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:12V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.4V; Power Dissipation Pd:340mW
TRANSISTOR; TRANSISTOR TYPE:BIPOLAR; TRA; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:35; Température de
TRANSISTOR; TRANSISTOR TYPE:BIPOLAR; TRA; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:350mW; Courant de collecteur DC:800mA; Gain en courant DC hFE:300; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Courant, Ic max.. permanent a:500mA; Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Hfe, min.:35; Température de
TRANSISTOR; Transistor Type:IGBT Module;; TRANSISTOR; Transistor Type:IGBT Module; DC Collector Current:79A; Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:940mV; No. of Pins:7; Package / Case:SEMITRANS 2
TRANSISTOR; TRANSISTOR; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Min:-55°C
TRANSISTORNPN125V1ASOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:155MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:155MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type
TRANSISTORNPN125V1ASOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:155MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:450; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:155MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type
TRANSISTORNPN150V0.4ASOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:180V; Fréquence de transition ft:90MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:90MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSISTORNPN150V0.4ASOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:180V; Fréquence de transition ft:90MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:90MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSISTORNPN160V0.6ASOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type
TRANSISTORNPN160V0.6ASOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:160V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:300mW; Courant de collecteur DC:600mA; Gain en courant DC hFE:80; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type
TRANSISTORNPN180V0.5ASOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:180V; Fréquence de transition ft:70MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:70MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type
TRANSISTORNPN180V0.5ASOT-223; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:180V; Fréquence de transition ft:70MHz; Dissipation de puissance Pd:2W; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:SOT-223; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:70MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type
TRANSISTORNPN450V0.15ASOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTORNPN450V0.15ASOT23-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:450V; Fréquence de transition ft:50MHz; Dissipation de puissance Pd:625mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:120; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:50MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSISTORNPN45V0.5ASC70-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de
TRANSISTORNPN45V0.5ASC70-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de
TRANSISTORNPN45V3AD-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTORNPN45V3AD-PAK; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:45V; Fréquence de transition ft:150MHz; Dissipation de puissance Pd:3W; Courant de collecteur DC:3A; Gain en courant DC hFE:500; Type de boîtier de transistor:TO-252; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de packaging:Bande découpée
TRANSISTORNPN65V0.1ASC70-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de
TRANSISTORNPN65V0.1ASC70-3; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:65V; Fréquence de transition ft:300MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:100mA; Gain en courant DC hFE:290; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:300MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de
TRANSISTORNPNPNPDUAL60VSOT23-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type
TRANSISTORNPNPNPDUAL60VSOT23-6; Polarité transistor:NPN, PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:60V; Dissipation de puissance Pd:1.1W; Courant de collecteur DC:1A; Gain en courant DC hFE:100; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:6; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration module:Double; Gain Bande-passante ft, typ.:150MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type
TRANSISTORPNP45V0.5ASC70-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de
TRANSISTORPNP45V0.5ASC70-3; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-323; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C; Type de
TRANSISTORPNP45V0.5ASOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C;
TRANSISTORPNP45V0.5ASOT23; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-45V; Fréquence de transition ft:100MHz; Dissipation de puissance Pd:310mW; Courant de collecteur DC:-500mA; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-23; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:100MHz; Température de fonctionnement:-65°C à +150°C; Température d'utilisation min:-65°C;
TRANSISTORS RF BIP; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSISTORS RF BIP; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSISTORS RF BIP; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSISTORS RF BIP; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSISTORS RF BIP; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSISTORS RF BIP; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSISTORS RF BIP; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSISTORS RF BIP; MSL:MSL 1 - Illimité
TRANSISTORS RF BIP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:40GHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:110; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSISTORS RF BIP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:40GHz; Dissipation de puissance Pd:200mW; Courant de collecteur DC:50mA; Gain en courant DC hFE:110; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSISTORS RF BIP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:42GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:100; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSISTORS RF BIP; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:4.5V; Fréquence de transition ft:42GHz; Dissipation de puissance Pd:500mW; Courant de collecteur DC:150mA; Gain en courant DC hFE:100; Boîtier de transistor RF:SOT-343; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; Catégories d'approbation:AEC-Q101
TRANSITOR AUDIO NPN 230V 15A TO3PL; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:230V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:15A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSITOR AUDIO PNP 230V 15A TO3PL; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-230V; Fréquence de transition ft:30MHz; Dissipation de puissance Pd:150W; Courant de collecteur DC:-15A; Gain en courant DC hFE:160; Type de boîtier de transistor:TO-3P; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015)
TRANSNPN 40V2A SOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:40V; Fréquence de transition ft:-; Dissipation de puissance Pd:1.35W; Courant de collecteur DC:2A; Gain en courant DC hFE:900; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Température d'utilisation min:-65°C
TRANSNPN LO SAT60V5ASOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSNPN LO SAT60V5ASOT89; Polarité transistor:NPN; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:80V; Fréquence de transition ft:130MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:5A; Gain en courant DC hFE:200; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:130MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C; Type de
TRANSPNPLO SAT60V4.3ASOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-4.3A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRANSPNPLO SAT60V4.3ASOT89; Polarité transistor:PNP; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:-80V; Fréquence de transition ft:120MHz; Dissipation de puissance Pd:1.5W; Courant de collecteur DC:-4.3A; Gain en courant DC hFE:250; Type de boîtier de transistor:SOT-89; Nombre de broches:4; Température de fonctionnement max..:150°C; MSL:MSL 1 - Illimité; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Gain Bande-passante ft, typ.:120MHz; Température de fonctionnement:-55°C à +150°C; Température d'utilisation min:-55°C;
TRENCH IGBT, 600V, ULTRA FAST; Courant de collecteur DC:96A; Tension saturation Collecteur-Emetteur Vce(on):2.14V; Dissipation de puissance Pd:330W; Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo:600V; Type de boîtier de transistor:TO-247AC; Nombre de broches:3; Température de fonctionnement max..:175°C; MSL:-; SVHC:No SVHC (15-Jun-2015); Configuration du Brochage:G(1), C(2), E(3); Courant, Ic max.. permanent a:96A; Courant, Icm impulsionnel:192A; Dissipation de puissance, max..:330W; Polarité
TUBE / 600V 70.000A COPAK-247; TUBE / 600V 70.000A COPAK-247
TUBE / 600V Low VCEon Trench IGBT in a T; TUBE / 600V Low VCEon Trench IGBT in a TO-247 package
TUBE / 600V UltraFast Copack Trench IGBT; TUBE / 600V UltraFast Copack Trench IGBT in a TO-247AC package
UHF POWER TRANSISTOR, NPN, 9.5V, 500MA,; UHF POWER TRANSISTOR, NPN, 9.5V, 500MA, SOT223, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:9.5V; Transition Frequency ft:900MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:25
UHF POWER TRANSISTOR, NPN, 9.5V, 500MA,; UHF POWER TRANSISTOR, NPN, 9.5V, 500MA, SOT223; Operating Frequency Min:900MHz; DC Current Gain hFE:25; Continuous Collector Current Ic:500mA; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:9.5V; Power Gain, Gp:6dB; Power Dissipation Pd:2W
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CI REGUL. LDO AJU. 0..> 04-Apr-2016 12:32 360K
CI REGUL. TENSION LD..> 04-Apr-2016 12:32 360K
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